技術(shù)編號：11179195
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵晶體管及其制造方法。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕和抗輻射的性能，其應(yīng)用在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢，被認(rèn)為是短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料。氮化鎵晶體管能夠形成高濃度、高遷移率的二維電子氣溝道，同時對二維電子氣溝道具有良好的調(diào)節(jié)作用，因此成為功率器件中的研究熱點。但是，現(xiàn)有的氮化鎵晶體管中，高勢壘導(dǎo)致器件的歐姆接觸電阻...
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