專利名稱：具有減小導(dǎo)通電阻的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體晶片處理，更具體涉及形成雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法。
背景技術(shù)：
功率MOSFET器件為大家所熟知，且用于許多應(yīng)用，包括汽車電子設(shè)備、便攜式電子設(shè)備、電源以及無線電通訊。功率MOSFET器件的一個(gè)重要電特性是它的通態(tài)電阻(RDson)，通態(tài)電阻(RDson)定義為載流子從源端流動(dòng)到漏端遇到的總阻力。為了允許制造商制造在較小的封裝中具有較高載流能力的功率MOSFET器件，具有減小通態(tài)電阻的MOSFET結(jié)構(gòu)是有利的。
圖1是稱為雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的常規(guī)N溝道功率MOSFET的簡(jiǎn)化截面圖。N型外延硅層1形成在N+型襯底2上。P體區(qū)3A和P+體區(qū)3B從上表面4形成在外延層中，以及N+型源區(qū)5從上表面4形成在體區(qū)3A和3B中。為了使晶體管導(dǎo)通(即，使之導(dǎo)電)，柵極6施加正電位。柵極6上的正電位促使在柵極下面的P體區(qū)3A的表面部分中形成所謂的溝道區(qū)，以及促使立即在柵極下面的N型外延硅區(qū)1A的表面部分形成所謂的累積區(qū)。之后電子可以由箭頭所指的方向流動(dòng)，從N+型源區(qū)5，穿過P體區(qū)3A中的溝道區(qū)，穿過N型外延層1A的累積區(qū)，向下穿過N型外延區(qū)1A，向下穿過N+型襯底2到漏電極7。如果柵極9不具有正電位，那么不形成溝道，不會(huì)產(chǎn)生電子從源區(qū)流到漏區(qū)。因此晶體管截止(即，不導(dǎo)電)。
圖2是另一種雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管、溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)化截面圖。在圖1和圖2中相同的元件由同樣的數(shù)字表示。N型外延層1形成在N+型襯底2上。然后以類似于平面晶體管中的體區(qū)和源區(qū)的雙擴(kuò)散方式形成體區(qū)3A和3B以及N+型源區(qū)5。在溝槽晶體管的情況下，從上表面4向下刻蝕溝槽到外延層1。然后在該溝槽的側(cè)壁和溝槽底部生長柵氧化層8。然后在溝槽的柵氧化層上淀積一定量的多晶硅或其他適當(dāng)?shù)牟牧?，形成柵極9。有關(guān)溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管的附加信息，參見美國專利No.5072266，名稱為“Trench DMOS Power Transistor With-Shaping Body Profile And Three-Dimensional Geometry”，在此引入其內(nèi)容作為參考。
為了使溝槽晶體管導(dǎo)通，柵極9施加正電位。正電位促使在P體區(qū)3A的一部分中形成溝道區(qū)，該部分形成為溝槽側(cè)壁的一部分，以及促使在N型外延層1A的一部分中形成累積區(qū)，該部分形成為溝槽側(cè)壁的一部分。之后電子可以由箭頭所指的方向從N+型源區(qū)5，向下穿過P體區(qū)3A的溝道區(qū)，向下穿過累積區(qū)，向下穿過N型外延區(qū)1A的剩余部分，向下穿過N+型襯底2到漏電極7。如果柵極9沒有正電位，那么不形成溝道，不會(huì)產(chǎn)生電子從源區(qū)流到漏區(qū)。因此晶體管被截止。
當(dāng)導(dǎo)通時(shí)希望這種晶體管具有低的源區(qū)至漏區(qū)電阻。如圖1繪圖地描繪，平面結(jié)構(gòu)中的電阻RDson由穿過溝道的電阻RCH、橫向穿過累積區(qū)的電阻RACC、垂直穿過兩個(gè)相鄰的P體區(qū)之間的N型外延區(qū)1A的收縮部分的電阻RJFET、垂直穿過N型外延區(qū)1A的剩余部分至襯底的電阻RDRIFT以及垂直穿過襯底至漏電極的電阻RSUB組成。如圖2繪圖地描繪，溝槽結(jié)構(gòu)中的電阻RDson由垂直穿過溝道的電阻RCH、垂直穿過累積區(qū)的電阻RACC、垂直穿過N型外延區(qū)1A的剩余部分的電阻RDRIFT以及垂直穿過襯底至漏電極的電阻RSUS組成。注意在溝槽器件中排除了RJFET。因?yàn)楣璧膶?dǎo)電性隨摻雜劑濃度而增加，因此相對(duì)地較重地?fù)诫s外延硅層1以減小RDRIFT，由此減小RDson。
還希望這種晶體管具有高擊穿電壓，以便它們可以在高壓下工作，且因此用作高功率器件。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員公知，擊穿電壓隨外延區(qū)1A的摻雜劑濃度減小和外延區(qū)1A的厚度增加而增加。由于導(dǎo)通電阻和擊穿電壓變化的數(shù)量相對(duì)于摻雜劑濃度是相似的方式，所以通過增加外延區(qū)1A的摻雜濃度減小雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻促使器件的擊穿電壓不合需要的減小。
美國專利No.6084268公開了一種功率MOSFET，其中通過在外延層1A內(nèi)提供局部摻雜區(qū)減小導(dǎo)通電阻。局部摻雜區(qū)具有與外延層1A同樣的導(dǎo)電類型，但是具有較高的摻雜劑濃度，由此降低器件的溝道區(qū)和漏區(qū)之間的串聯(lián)電阻。此外，限定局部摻雜區(qū)，以致它們與p型區(qū)3B隔開，以減小可能上升的擊穿電壓。關(guān)于該技術(shù)帶來的問題是它需要額外的掩模步驟和高能離子注入技術(shù)以形成局部摻雜區(qū)。
由此，希望提供一種雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有減小的導(dǎo)通電阻而沒有不利地影響器件的擊穿電壓，且還相對(duì)易于制造。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法。該方法首先提供第一導(dǎo)電類型的襯底。接著，將第一導(dǎo)電類型的至少一種摻雜劑種類引入襯底表面，以致襯底具有不均勻的雜質(zhì)分布。在襯底上形成第一導(dǎo)電類型的外延層，在外延層內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電類型的體區(qū)。然后在體區(qū)內(nèi)形成多個(gè)第一導(dǎo)電類型的源區(qū)。最后，形成與體區(qū)鄰近的柵極區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過在外延層內(nèi)設(shè)置多個(gè)溝槽，然后用第一絕緣層給溝槽加內(nèi)襯(lining)，形成柵極區(qū)。在溝槽內(nèi)提供多晶硅導(dǎo)體以及覆蓋第一絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，通過離子注入引入摻雜劑種類。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，引入的摻雜劑種類選自由砷、銻以及磷構(gòu)成的組。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在引入摻雜劑種類之前襯底具有基本上均勻的雜質(zhì)分布。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該晶體管包括第一導(dǎo)電類型的襯底。引入襯底表面的第一導(dǎo)電類型的至少一種摻雜劑種類，以致襯底具有不均勻的雜質(zhì)分布。不均勻的雜質(zhì)分布在襯底表層下面的給定深度處具有最大的摻雜劑濃度。摻雜劑濃度隨相距該給定深度的距離的增加而減小。位于襯底表層之上的第一導(dǎo)電類型的外延層。布置在外延層內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電類型的體區(qū)。位于體區(qū)內(nèi)的多個(gè)第一導(dǎo)電類型的源區(qū)。鄰近體區(qū)的柵極區(qū)。


圖1是常規(guī)平面雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)化截面圖。
圖2是溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)化截面圖。
圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)實(shí)施例。
圖4示出了其上形成圖3的晶體管的襯底的摻雜劑分布。
圖5示出了在晶體管形成之后穿過圖3所示的器件的外延層的雜質(zhì)分布。
圖6(a)-6(f)示出了執(zhí)行以形成圖3中所描繪的晶體管的一系列示例性步驟。
具體實(shí)施例方式
圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)實(shí)施例。在該實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)包括n+襯底300，其上生長輕n摻雜外延層304。如下面詳細(xì)描述，襯底300的表面區(qū)域具有比其內(nèi)部更高的摻雜濃度。在摻雜的外延層304內(nèi)，提供相反導(dǎo)電性的體區(qū)316。覆蓋大多數(shù)體區(qū)316的n+摻雜區(qū)340用作源區(qū)。在外延層中提供方形溝槽324，該溝槽324在結(jié)構(gòu)的上表面開口，且定義晶體管單元的周界。柵氧化層330給溝槽324的側(cè)壁加內(nèi)襯。用多晶硅填充溝槽324，即已摻雜使之導(dǎo)電的多晶硅。漏電極連接到半導(dǎo)體襯底300的后表面，源電極連接到兩個(gè)源區(qū)340和體區(qū)316，柵電極連接到填充溝槽324的多晶硅。
雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的擊穿電壓主要由鄰近器件表面的外延層304部分的摻雜濃度決定。具體，擊穿電壓由鄰近P體區(qū)316的外延層304部分的摻雜濃度決定。換句話說，在襯底300附近的外延層304部分的摻雜濃度變化對(duì)擊穿電壓沒有大的影響。結(jié)果，原則上可以僅通過增加襯底附近的外延層304的摻雜濃度減小器件的導(dǎo)通電阻而不產(chǎn)生擊穿電壓過于大的減小。亦即，外延層304可以具有錐形雜質(zhì)分布，其中執(zhí)行淀積工藝，以便隨到外延層304的深度增加摻雜濃度增加。具有這種錐形雜質(zhì)分布的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管是眾所周知的。不幸地，錐形雜質(zhì)分布帶來的一個(gè)問題是它需要相對(duì)復(fù)雜的外延淀積工藝。
根據(jù)本發(fā)明，在襯底300表面上生長任一層之前，將一種或多種摻雜劑種類引入襯底300的表面?？梢酝ㄟ^離子注入引入摻雜劑。該步驟提供具有變化的摻雜濃度分布的襯底，該摻雜濃度分布在襯底表面最大，且隨到襯底的深度增加而減小。應(yīng)注意市場(chǎng)上可買到的襯底一般具有均勻的雜質(zhì)分布，濃度高達(dá)約1×1019/cm3，相應(yīng)的電阻低至0.005Ω-cm。
在襯底300上形成外延層304的過程中和隨后的高溫處理過程中，發(fā)生所謂的向上摻雜，其中引入襯底300的附加摻雜劑擴(kuò)散到外延層304中。由于摻雜劑從襯底300引入外延層304，因此它們首先影響接近襯底300的外延層的摻雜劑濃度，相對(duì)較小的影響接近表面的摻雜濃度。結(jié)果，所得的器件的導(dǎo)通電阻減小，而不同量的減小擊穿電壓。而且，導(dǎo)通電阻減小是因?yàn)楦郊拥膿诫s劑擴(kuò)散到外延層以及因?yàn)橥庋訉拥暮穸瓤梢詼p小，由于它更重地?fù)诫s，因此同時(shí)保持同樣的電壓穿過它。
僅僅為了圖例，在下文中襯底將被假定為n+襯底，如圖3所描繪。可以使用一般的摻雜劑，包括砷、銻、磷或其任一組合。圖4示出了襯底300的摻雜劑分布，其中橫坐標(biāo)表示距襯底的深度，原點(diǎn)定義為襯底表面。曲線400表示原來的摻雜分布，均勻摻雜的襯底。曲線410表示將砷或銻注入襯底之后的摻雜分布，曲線420表示將磷注入襯底之后的摻雜分布。
圖5示出了在襯底300上形成晶體管的各個(gè)層之后所得的雜質(zhì)分布。曲線500表示在均勻摻雜的襯底上形成的常規(guī)器件摻雜分布。曲線510表示在其中注入砷或銻的襯底上形成的器件的摻雜分布，曲線520表示在其中注入磷的襯底上形成的器件的摻雜分布。如圖所示，摻雜劑從襯底300擴(kuò)散到外延層304以致?lián)诫s劑濃度隨與襯底-外延層界面的距離增加而減小。曲線510和520之間的差異可歸因于不同種類的不同擴(kuò)散系數(shù)。具體地說，磷擴(kuò)散系數(shù)大于砷或銻之一的擴(kuò)散系數(shù)。應(yīng)注意圖5中示出的摻雜分布包括在它被淀積之前原先存在于外延層的摻雜劑。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以希望引入兩種或更多種的摻雜劑種類到襯底。例如可以隨相對(duì)較慢的擴(kuò)散種類如砷或銻引入相對(duì)較快的擴(kuò)散種類如磷，在外延層中產(chǎn)生的摻雜分布是兩種種類的分布之和。對(duì)于每種種類注入相同劑量，這種分布接近外延層表面具有較快的擴(kuò)散種類的較低濃度和接近外延層-襯底界面具有更高的濃度。雜質(zhì)分布的結(jié)合導(dǎo)致器件具有更低的導(dǎo)通電阻。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到?jīng)Q定應(yīng)該引入襯底以減小所得器件的導(dǎo)通電阻而基本上不減小它的擊穿電壓的最佳摻雜劑量有許多參數(shù)。這些參數(shù)包括被引入的具體摻雜劑種類、存在于原襯底的摻雜劑量、擴(kuò)散時(shí)間以及擴(kuò)散溫度。對(duì)于給定器件，可以經(jīng)驗(yàn)地或通過各種建模技術(shù)實(shí)現(xiàn)最佳化。如果僅有一種摻雜劑種類被引入襯底，那么將根據(jù)它的擴(kuò)散系數(shù)、固溶度、外延淀積過程中的氣壓以及外延淀積參數(shù)如淀積氣體、溫度、壓力以及使用的具體反應(yīng)器來選擇。
可以根據(jù)任一常規(guī)處理技術(shù)制造圖3中所示的本發(fā)明溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管。盡管下面論述了一個(gè)示例性技術(shù)，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明制造不局限于該技術(shù)，該技術(shù)存在僅作為例示。
圖6(a)-6(f)示出了執(zhí)行以形成圖3中所描繪的晶體管的一系列示例性步驟。在圖6(a)中，在N+摻雜襯底600上生長N-摻雜的外延層604。在形成外延層604之前，按先前描述的方法將一種或多種摻雜劑種類注入襯底600。對(duì)于30V器件外延層604的厚度一般為5.5微米。接下來，在注入和擴(kuò)散步驟中形成體區(qū)616。由于P體區(qū)注入均勻穿過襯底，因此不需要掩模。以40至60KeV，約5.5×1013/cm3的劑量將硼注入P體區(qū)。
在圖6(b)中，通過用氧化層覆蓋外延層604的表面形成掩模層，然后通常露出和構(gòu)圖氧化層以留下掩模部分620。掩模部分620用于定義溝槽的位置。通過反應(yīng)離子刻蝕通過開口干刻蝕溝槽624至一般為1.5至2.5微米范圍的深度。
在圖6(c)中，平面化每個(gè)溝槽的側(cè)壁。首先，可以用干化學(xué)刻蝕從溝槽側(cè)壁除去氧化物薄層(一般約500-1000埃)以消除由反應(yīng)離子刻蝕工藝引起的損壞。接著，在溝槽624和掩模部分620上生長犧牲二氧化硅層650。通過緩沖氧化刻蝕或HF刻蝕除去犧牲層650和掩模部分620，以致所得的溝槽側(cè)壁盡可能的平整。
如圖6(d)所示，然后在整個(gè)結(jié)構(gòu)上生長或淀積柵氧化層630，以致它覆蓋溝槽側(cè)壁和體區(qū)616的表面。柵氧化層130一般具有500-800埃范圍的厚度。然后，用多晶硅652填充溝槽624，即，多結(jié)晶的硅。淀積之后，一般用使用氯氧化磷(POCl3)的磷摻雜多晶硅或用砷或磷注入多晶硅以減小其薄層電阻至一般約20Ω/方塊的值。
在圖6(e)中，刻蝕多晶硅層652，以優(yōu)化它的厚度和露出延伸在p體區(qū)616表面上的柵氧化層630部分。然后，使用光刻掩膜工藝形成構(gòu)圖的掩模層660。構(gòu)圖的掩模層660定義源區(qū)640。然后通過注入和擴(kuò)散工藝形成源區(qū)640。例如源區(qū)可以以80KeV，每平方厘米8×1015至1.2×1016的劑量注入砷。在注入后，砷擴(kuò)散到約0.5微米的深度。最后，用常規(guī)方法除去掩模層660，形成圖6(f)描繪的結(jié)構(gòu)。
通過在結(jié)構(gòu)上形成和構(gòu)圖BPSG層，以定義與源區(qū)和柵極接觸有關(guān)的BPSG區(qū)，用常規(guī)方法完成溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管。接下來，淀積和定義金屬層，形成源區(qū)和柵電極。如果需要，之后淀積鈍化層，在其中形成開口以允許訪問源區(qū)和柵極焊盤。此外，在襯底的底面上形成漏極接觸層。
盡管在此具體地說明和描述了各種實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和想要的范圍條件下，本發(fā)明的修改和變化由上述教導(dǎo)所覆蓋并在附加權(quán)利要求的范圍內(nèi)。例如本發(fā)明的方法可以用來形成雙擴(kuò)散溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中各個(gè)半導(dǎo)體區(qū)的導(dǎo)電性與此描述的那些相反。而且，盡管本發(fā)明按照溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行了描述，但是它可等效地適用于具有其他結(jié)構(gòu)，如圖1所示結(jié)構(gòu)的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
權(quán)利要求
1.一種形成雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，所述方法包括提供第一導(dǎo)電類型的襯底；將所述第一導(dǎo)電類型的至少一種摻雜劑種類引入襯底表面，以致襯底具有不均勻的雜質(zhì)分布；在所述襯底上形成第一導(dǎo)電類型的外延層；在所述外延層內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；在所述體區(qū)內(nèi)形成多個(gè)所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；以及鄰近所述的一個(gè)或多個(gè)體區(qū)形成柵極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中形成柵極區(qū)的步驟包括以下步驟在所述外延層內(nèi)形成多個(gè)溝槽；形成給所述溝槽加內(nèi)襯的第一絕緣層；以及在所述溝槽內(nèi)形成多晶硅導(dǎo)體以及覆蓋第一絕緣層。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中通過離子注入將所述至少一種摻雜劑種類引入襯底。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中所述的至少一種摻雜劑種類選自由砷、銻以及磷構(gòu)成的組。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中所述襯底在引入至少一種摻雜劑種類之前具有基本上均勻的雜質(zhì)分布。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中形成體區(qū)的步驟包括在外延層上形成構(gòu)圖的掩模層以及將摻雜劑注入和擴(kuò)散到外延層的步驟。
7.如權(quán)利要求2的方法，其中形成溝槽的步驟包括在外延層上形成構(gòu)圖的掩模層以及通過所述掩膜層刻蝕所述溝槽的步驟。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中形成源區(qū)的步驟包括形成構(gòu)圖的掩模層以及將摻雜劑注入和擴(kuò)散到體區(qū)的步驟。
9.如權(quán)利要求1的方法，還包括在與體區(qū)相對(duì)的襯底表面上形成電極層的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法制成的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求2的方法制成的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
12.一種雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括第一導(dǎo)電類型的襯底；引入襯底表面的第一導(dǎo)電類型的至少一種摻雜劑種類，以致襯底具有不均勻的雜質(zhì)分布，所述的不均勻雜質(zhì)分布在所述襯底表層下面給定的深度處具有最大的摻雜劑濃度，且摻雜劑濃度隨相距所述給定深度的距離的增加而減小。位于所述襯底的所述表層上的所述第一導(dǎo)電類型的外延層；布置在所述外延層內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；位于所述體區(qū)內(nèi)的多個(gè)所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；以及鄰近所述的一個(gè)或多個(gè)體區(qū)的柵極區(qū)。
13.權(quán)利要求12的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述的柵極區(qū)包括位于所述的外延層內(nèi)的多個(gè)溝槽；給所述溝槽加內(nèi)襯的第一絕緣層；以及位于所述溝槽內(nèi)以及覆蓋第一絕緣層的多晶硅導(dǎo)體。
14.權(quán)利要求12的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中通過離子注入將所述的至少一種摻雜劑種類引入襯底。
15.權(quán)利要求12的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述的至少一種摻雜劑種類選自由砷、銻以及磷構(gòu)成的組。
16.權(quán)利要求12的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述襯底在引入摻雜劑種類之前具有基本上均勻的雜質(zhì)分布。
17.權(quán)利要求12的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括布置在與體區(qū)相對(duì)的襯底表面上的電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的方法制成的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求2的方法制成的雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
全文摘要
提供一種雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法。該方法首先提供第一導(dǎo)電類型的襯底(300)。接著，將第一導(dǎo)電類型的至少一種摻雜劑種類引入襯底表面，以致襯底具有不均勻的雜質(zhì)分布。在襯底上形成第一導(dǎo)電類型的外延層(304)，在外延層內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電類型的體區(qū)(316)。然后在體區(qū)內(nèi)形成多個(gè)第一導(dǎo)電類型的源區(qū)(340)。最后，形成與體區(qū)相鄰的柵極區(qū)。
文檔編號(hào)H01L29/78GK1503990SQ02807518
公開日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2002年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月28日
發(fā)明者里查德·A·布蘭查德, 里查德 A 布蘭查德 申請(qǐng)人:通用半導(dǎo)體公司