本文中所描述的本公開的示例實施例涉及一種半導體存儲器件，更具體地，涉及一種包括柵極驅動器電路的存儲器件。

背景技術：

1、例如，半導體存儲器可以被分類為易失性存儲器或非易失性存儲器。通常，當與非易失性存儲器相比時，易失性存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dram)或靜態(tài)隨機存取存儲器(sram))可以展現(xiàn)出更快的讀取和/或寫入速度。然而，當施加到易失性存儲器的電力斷開時，存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)可能消失。相反，即使當電力斷開時，非易失性存儲器也可以保留數(shù)據(jù)。

2、磁阻隨機存取存儲器(mram)可以包括磁隧道結(mtj)。mtj的磁化方向可以根據(jù)施加到mtj的電流的方向而改變。mtj的電阻值可以根據(jù)mtj的磁化方向而變化。mram可以使用這些mtj特性來存儲或讀取數(shù)據(jù)。

3、mram可以通過與具有在數(shù)據(jù)0的電阻分布r0和數(shù)據(jù)1的電阻分布r1之間的中間大小的參考電阻rref進行比較來執(zhí)行讀取操作。然而，mram的電阻分布可能由于mtj或字線等的電阻組件和/或電容器組件的影響而變化。字線的上升時間可以根據(jù)與字線連接的存儲單元的數(shù)量而變化。隨著存儲單元的數(shù)量增加，操作速度可能由于mtj或字線的電阻或電容器組件而在讀取或寫入操作期間減慢。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開的示例實施例提供了一種柵極驅動器，即使字線電壓的上升時間由于與一條字線連接的存儲單元的數(shù)量增加而增加，該柵極驅動器也能夠減小字線電壓的上升時間。

2、本公開的示例實施例提供了一種存儲器件，該存儲器件可以減小由于字線或存儲單元的電阻或電容器組件而導致的操作速度的降低。

3、根據(jù)本公開的一個方面，一種存儲器件包括：存儲單元，具有存取晶體管和可變電阻元件；字線，連接到存取晶體管的柵極；以及柵極驅動器電路，被配置為：在讀取操作或寫入操作中向字線提供字線電壓，在讀取操作期間，從電力端子接收第一電源電壓，并且通過將第一電源電壓衰減到低于第一電源電壓的第二電源電壓來向字線提供第二電源電壓，以及在寫入操作期間，從電力端子接收高于第一電源電壓的第三電源電壓，并且在不衰減第三電源電壓的情況下向字線提供第三電源電壓。

4、根據(jù)本公開的一個方面，一種存儲器件包括：存儲單元陣列，包括字線和連接到字線的多個存儲單元；列解碼器，通過多條源極線和多條位線連接到多個存儲單元，并且被配置為通過列線來選擇多個存儲單元；以及柵極驅動器電路，被配置為：在讀取操作或寫入操作中向字線提供字線電壓，在讀取操作期間，從電力端子接收第一電源電壓，并且通過將第一電源電壓衰減到低于第一電源電壓的第二電源電壓來向字線提供第二電源電壓，以及在寫入操作期間，從電力端子接收高于第一電源電壓的第三電源電壓，并且在不衰減第三電源電壓的情況下向字線提供第三電源電壓。

5、根據(jù)本公開的一個方面，一種存儲器件的柵極驅動器電路包括：驅動器控制電路，被配置為生成字線使能信號、寫入使能信號、柵極控制信號；第一pmos晶體管，連接在電力端子和第一節(jié)點之間，并且被配置為響應于字線使能信號進行操作；第二pmos晶體管，連接在第一節(jié)點和連接到字線的第二節(jié)點之間，并且被配置為響應于寫入使能信號進行操作；第一nmos晶體管，連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間，并且被配置為響應于柵極控制信號進行操作；以及第二nmos晶體管，連接在第二節(jié)點和接地端子之間，并且被配置為響應于字線使能信號進行操作。在讀取操作期間，柵極驅動器電路從電力端子接收第一電源電壓，并且通過將第一電源電壓衰減到低于第一電源電壓的第二電源電壓來向字線提供第二電源電壓。在寫入操作期間，柵極驅動器電路從電力端子接收高于第一電源電壓的第三電源電壓，并且在不衰減第三電源電壓的情況下向字線提供第三電源電壓。

技術特征：

1.一種存儲器件，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，

3.根據(jù)權利要求2所述的存儲器件，

4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，

5.根據(jù)權利要求4所述的存儲器件，

6.根據(jù)權利要求5所述的存儲器件，

7.根據(jù)權利要求5所述的存儲器件，

8.根據(jù)權利要求5所述的存儲器件，

9.根據(jù)權利要求5所述的存儲器件，

10.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，

11.一種存儲器件，包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的存儲器件，

13.根據(jù)權利要求11所述的存儲器件，

14.根據(jù)權利要求13所述的存儲器件，

15.根據(jù)權利要求14所述的存儲器件，

16.根據(jù)權利要求14所述的存儲器件，

17.根據(jù)權利要求13所述的存儲器件，

18.根據(jù)權利要求17所述的存儲器件，

19.根據(jù)權利要求17所述的存儲器件，

20.一種存儲器件的柵極驅動器電路，包括：

技術總結
一種存儲器件包括：存儲單元，具有存取晶體管和可變電阻元件；字線，連接到存取晶體管的柵極；以及柵極驅動器電路，被配置為：在讀取操作或寫入操作中向字線提供字線電壓，在讀取操作期間，從電力端子接收第一電源電壓，并且通過將第一電源電壓衰減到低于第一電源電壓的第二電源電壓來向字線提供第二電源電壓，以及在寫入操作期間，從電力端子接收高于第一電源電壓的第三電源電壓，并且在不衰減第三電源電壓的情況下向字線提供第三電源電壓。

技術研發(fā)人員：姜圭成,李恩知
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/6