本公開涉及存儲器，具體而言，涉及一種存儲器操作方法、存儲器及存儲系統(tǒng)。

背景技術：

1、閃存存儲器是一種可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性的固態(tài)存儲介質。閃存存儲器包括nor閃存存儲器和nand閃存存儲器?？梢杂砷W存存儲器執(zhí)行各種操作，例如，讀取、編程(寫入)和擦除，以將每個存儲器單元的閾值電壓改變?yōu)槠谕娖?。對于nand閃存存儲器，可以在塊級執(zhí)行擦除操作，可以在頁級執(zhí)行編程操作，并且可以在頁級執(zhí)行讀取操作。

2、在所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開的目的在于提供一種存儲器操作方法、存儲器及存儲系統(tǒng)。

2、本公開的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習得。

3、根據本公開的一方面，提供一種存儲器操作方法，所述存儲器包括多個存儲塊，所述存儲塊包括底部選擇管，所述底部選擇管耦合至底部選擇線，所述多個存儲塊包括第一存儲塊和第二存儲塊，所述方法包括：在第一時間段內向所述第二存儲塊的底部選擇線施加偏置電壓，以使所述第二存儲塊的底部選擇管導通；在第二時間段內執(zhí)行第一擦除操作，所述第二時間段在所述第一時間段之后，其中，執(zhí)行所述第一擦除操作包括：提供擦除工作電壓到所述第一存儲塊的源級線；將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)。

4、根據本公開的一實施例，執(zhí)行所述第一擦除操作，還包括：向所述第一存儲塊的字線施加擦除控制電壓，所述擦除工作電壓大于所述擦除控制電壓。

5、根據本公開的一實施例，所述方法還包括：在第三時間段內向所述源極線施加第一電壓，所述第三時間段在所述第二時間段之后，所述第一電壓小于所述擦除工作電壓。

6、根據本公開的一實施例，將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)，包括：將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)，以使所述第二存儲塊的底部選擇線的電壓從所述偏置電壓隨著所述源極線上升至第二電壓，所述第二電壓不大于所述擦除工作電壓與所述偏置電壓之和。

7、根據本公開的一實施例，所述方法還包括：在第三時間段內保持所述第二存儲塊的底部選擇線為浮置狀態(tài)，以使所述第二存儲塊的底部選擇線的電壓從所述第二電壓下降至所述偏置電壓，以繼續(xù)保持所述第二存儲塊的底部選擇管導通，所述第三時間段在所述第二時間段之后。

8、根據本公開的一實施例，所述擦除工作電壓與所述偏置電壓之和小于預設電壓閾值。

9、根據本公開的一實施例，執(zhí)行所述第一擦除操作，所述方法還包括：將所述第二存儲塊的字線設置為浮置狀態(tài)；所述方法還包括：在第三時間段內保持所述第二存儲塊的字線為浮置狀態(tài)，所述第三時間段在所述第二時間段之后。

10、根據本公開的一實施例，所述第二存儲塊包括第三存儲塊，所述第三存儲塊與所述第一存儲塊相鄰。

11、根據本公開的一實施例，所述方法還包括：在第四時間段內向所述第二存儲塊的底部選擇線施加所述偏置電壓，所述第四時間段在所述第三時間段之后；在第五時間段內執(zhí)行第二擦除操作，所述第五時間段在所述第四時間段之后，其中，執(zhí)行所述第二擦除操作包括：提供所述擦除工作電壓到所述第一存儲塊的源級線；將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)。

12、根據本公開的一實施例，所述偏置電壓的范圍為1v～7v。

13、根據本公開的一實施例，所述存儲器包括多個平面，所述多個平面包括第一平面，所述第一平面為從所述多個平面中選定的平面，所述多個存儲塊在所述第一平面上。

14、根據本公開的再一方面，提供一種存儲器，包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲塊，所述存儲塊包括底部選擇管，所述底部選擇管耦合至底部選擇線，所述多個存儲塊包括第一存儲塊和第二存儲塊；外圍電路，所述外圍電路耦合至所述存儲單元陣列，用于：在第一時間段內向所述第二存儲塊的底部選擇線施加偏置電壓，以使所述第二存儲塊的底部選擇管導通；在第二時間段內執(zhí)行第一擦除操作，所述第二時間段在所述第一時間段之后，其中，執(zhí)行所述第一擦除操作包括：提供擦除工作電壓到所述第一存儲塊的源級線；將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)。

15、根據本公開的一實施例，所述外圍電路包括控制電路、電壓生成器、底部選擇線驅動器和源極線驅動器，其中：所述電壓生成器，用于生成所述偏置電壓；所述控制電路，用于控制所述底部選擇線驅動器在所述第一時間段內將所述偏置電壓施加到所述第二存儲塊的底部選擇線上，以使所述第二存儲塊的底部選擇管導通；所述電壓生成器，還用于生成所述擦除工作電壓；所述控制電路，還用于控制所述源極線驅動器在所述第二時間段內將所述擦除工作電壓施加到所述第一存儲塊的源級線；所述控制電路，還用于控制所述底部選擇線驅動器在所述第二時間段內將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)。

16、根據本公開的一實施例，所述電壓生成器，還用于生成擦除控制電壓，所述擦除工作電壓大于所述擦除控制電壓；所述外圍電路還包括字線驅動器；所述控制電路，還用于控制所述字線驅動器在所述第二時間段內向所述第一存儲塊的字線施加所述擦除控制電壓。

17、根據本公開的一實施例，所述電壓生成器，還用于生成第一電壓，所述第一電壓小于所述擦除工作電壓；所述控制電路，還用于在第三時間段內控制所述源極線驅動器將所述第一電壓施加到所述第一存儲塊的源級線，所述第三時間段在所述第二時間段之后。

18、根據本公開的一實施例，所述控制電路，還用于控制所述底部選擇線驅動器在所述第二時間段內將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)，以使所述第二存儲塊的底部選擇線的電壓從所述偏置電壓隨著所述源極線上升至第二電壓，所述第二電壓不大于所述擦除工作電壓與所述偏置電壓之和。

19、根據本公開的一實施例，所述控制電路，還用于控制所述底部選擇線驅動器在第三時間段內保持所述第二存儲塊的底部選擇線為浮置狀態(tài)，以使所述第二存儲塊的底部選擇線的電壓從所述第二電壓下降至所述偏置電壓，以繼續(xù)保持所述第二存儲塊的底部選擇管導通，所述第三時間段在所述第二時間段之后。

20、根據本公開的一實施例，所述擦除工作電壓與所述偏置電壓之和小于預設電壓閾值。

21、根據本公開的一實施例，所述控制電路，還用于控制所述字線驅動器在所述第二時間段內將所述第二存儲塊的字線設置為浮置狀態(tài)；所述控制電路，還用于控制所述字線驅動器在第三時間段內保持所述第二存儲塊的字線為浮置狀態(tài)，所述第三時間段在所述第二時間段之后。

22、根據本公開的一實施例，所述第二存儲塊包括第三存儲塊，所述第三存儲塊與所述第一存儲塊相鄰。

23、根據本公開的一實施例，所述外圍電路，還用于：在第四時間段內向所述第二存儲塊的底部選擇線施加所述偏置電壓，所述第四時間段在所述第三時間段之后；在第五時間段內執(zhí)行第二擦除操作，所述第五時間段在所述第四時間段之后，其中，執(zhí)行所述第二擦除操作包括：提供所述擦除工作電壓到所述第一存儲塊的源級線；將所述第二存儲塊的底部選擇線設置為浮置狀態(tài)。

24、根據本公開的一實施例，所述偏置電壓的范圍為1v～7v。

25、根據本公開的一實施例，所述存儲單元陣列包括多個平面，所述多個平面包括第一平面，所述第一平面為從所述多個平面中選定的平面，所述多個存儲塊在所述第一平面上。

26、根據本公開的再一方面，提供一種存儲系統(tǒng)，包括存儲器和與所述存儲器耦合的控制器，其中：所述存儲器包括存儲單元陣列和外圍電路，所述存儲單元陣列包括多個存儲塊，所述存儲塊包括底部選擇管，所述底部選擇管耦合至底部選擇線，所述多個存儲塊包括第一存儲塊和第二存儲塊，所述外圍電路耦合至所述存儲單元陣列；所述控制器，用于控制所述外圍電路執(zhí)行如上述任一種方法。

27、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本公開。