本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試，涉及一種存儲器的測評方法，更為具體地，涉及一種針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法、系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、dram（dynamic?random?access?memory，動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片在設(shè)計(jì)上具有獨(dú)特性，其在各種應(yīng)用場景上出現(xiàn)的芯片失效問題一直難以杜絕，因此dram芯片的測試與質(zhì)量的管控一直是一個(gè)困難的議題.如今on?die?ecc（on-die?error-correcting?code，芯片內(nèi)糾錯(cuò)碼）技術(shù)的出現(xiàn)，ecc強(qiáng)大的糾錯(cuò)能力更是令芯片內(nèi)部存在的質(zhì)量問題得到很好的掩藏，會為測試帶來誤差，其結(jié)果會導(dǎo)致在以下現(xiàn)有的測試方式得出失真結(jié)果，無法體現(xiàn)其真實(shí)的老化及測試效果：

2、芯片老煉化與封裝可靠性測試：高溫儲存（high?temperature?storage,?hts），高溫工作壽命測試（high?temperature?operating?life,?htol），溫度循環(huán)（temperaturecycling），高加速壽命測試（highly?accelerated?life?testing,?halt），高濕儲存（highhumidity?storage,?hhs），偏壓溫度濕度測試（bias?temperature?humidity,?bth）。

3、測試算法壓力測試：測試算法根據(jù)測試場景與設(shè)備會多元化發(fā)展大致可以分成三種類型：a)、電壓及電流測試；b)、芯片時(shí)序及功能性測試；c)、接口信號及電源完整性測試。

4、以上兩大類的測試是dram的主要測試方法，用以作為芯片質(zhì)量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，二者均為對普通dram芯片測試的有效做法，其判定方式通常是有標(biāo)準(zhǔn)值。舉例來說，假定測試標(biāo)準(zhǔn)為trcd=15ns，量測此參數(shù)值為16ns，超過標(biāo)準(zhǔn)即可以判定為次等品，但是這樣的方式到如今on?die?ecc的出現(xiàn)打破此判定方式，當(dāng)同一芯片搭載ecc功能時(shí)，藉由其修正能力，量測參數(shù)會出現(xiàn)大幅改善(小于15ns)，因此判定為優(yōu)等品。ecc的功能大幅增加了應(yīng)用端的可信賴度，但是測試檢驗(yàn)的目標(biāo)是芯片工藝及設(shè)計(jì)性能檢驗(yàn)，如今ecc的設(shè)計(jì)性能的開發(fā)，導(dǎo)致我們先前檢測芯片工藝能力的方式出現(xiàn)嚴(yán)重的誤差，嚴(yán)重影響測試對質(zhì)量管控的認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)。

5、因此，亟需一種能夠真正反映on?die?ecc存儲器內(nèi)部狀況，提升檢測精準(zhǔn)度的針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法、系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法，以解決on?die?ecc（on-die?error-correcting?code）技術(shù)的出現(xiàn),ecc強(qiáng)大的糾錯(cuò)能力更是令芯片內(nèi)部存在的質(zhì)量問題得到很好的掩藏，會為測試帶來誤差，其結(jié)果會導(dǎo)致在以下現(xiàn)有的測試方式得出失真結(jié)果，無法體現(xiàn)其真實(shí)的老化及測試效果的技術(shù)問題。

2、本發(fā)明提供的一種針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法，包括：

3、通過開啟和關(guān)閉on?die?ecc存儲器的手動ecs模式對所述on?die?ecc存儲器進(jìn)行多輪次循環(huán)ecs測試以獲取故障次數(shù)演進(jìn)表；其中，每一輪測試的測試參數(shù)依次按照預(yù)設(shè)的梯度逐步加嚴(yán)；

4、將所述故障次數(shù)演進(jìn)表與預(yù)先獲取的所述on?die?ecc存儲器的自然測試故障表進(jìn)行對比以獲取所述on?die?ecc存儲器的測試參數(shù)余量、最大耐受故障數(shù)量，以及最大可耐受故障數(shù)量的剩余百分比。

5、優(yōu)選地，進(jìn)行多輪次循環(huán)ecs測試以獲取故障次數(shù)演進(jìn)表的步驟，包括：

6、針對不同的測試參數(shù)依次進(jìn)行每一輪的ecs測試以生成每輪ecs測試所對應(yīng)的故障發(fā)生次數(shù)；

7、按照所述測試參數(shù)的順序?qū)λ龉收习l(fā)生次數(shù)進(jìn)行相應(yīng)的順序排列以形成故障次數(shù)演進(jìn)表。

8、優(yōu)選地，生成每輪ecs測試所對應(yīng)的故障發(fā)生次數(shù)的步驟，包括；

9、為所述on?die?ecc存儲器寫入關(guān)于測試參數(shù)的背景資料，并通過所述on?die?ecc存儲器發(fā)送mpc指令來開啟所述on?die?ecc存儲器的手動ecs模式，以使所述on?die?ecc存儲器的ecs計(jì)數(shù)器獲取所述on?die?ecc存儲器的工藝缺失數(shù)量，并關(guān)閉所述手動ecs模式；

10、將關(guān)于測試參數(shù)的待測試資料寫入至所述on?die?ecc存儲器，并通過所述on?dieecc存儲器發(fā)送mpc指令來開啟所述on?die?ecc存儲器的手動ecs模式，以使所述on?dieecc存儲器的ecs計(jì)數(shù)器獲取所述on?die?ecc存儲器與寫入動作相關(guān)的寫入故障數(shù)量，并關(guān)閉所述手動ecs模式；

11、使所述on?die?ecc存儲器讀取所述待測試資料，并通過所述on?die?ecc存儲器發(fā)送mpc指令來開啟所述on?die?ecc存儲器的手動ecs模式，以使所述on?die?ecc存儲器的ecs計(jì)數(shù)器獲取所述on?die?ecc存儲器與讀取動作相關(guān)的讀取故障數(shù)量，并關(guān)閉所述手動ecs模式；

12、將所述工藝缺失數(shù)量、所述寫入故障數(shù)量與所述讀取故障數(shù)量相加以形成故障發(fā)成次數(shù)。

13、優(yōu)選地，預(yù)先獲取所述on?die?ecc存儲器的自然測試故障表的步驟，包括：

14、按照獲取所述故障次數(shù)演進(jìn)表時(shí)所使用的各個(gè)測試參數(shù)的順序依次對所述ondie?ecc存儲器進(jìn)行多輪次的自然測試以獲取自然測試故障表；其中，

15、按照測試參數(shù)逐步加嚴(yán)的順序所述自然測試故障表中的自然測試故障數(shù)據(jù)與所述故障次數(shù)演進(jìn)表中的故障發(fā)生次數(shù)一一對應(yīng)。

16、優(yōu)選地，在每一輪自然測試的過程中獲取自然測試故障數(shù)據(jù)的過程，包括：

17、將本輪次自然測試對應(yīng)的ecs測試所使用的背景資料寫入至所述on?die?ecc存儲器中進(jìn)行測試以獲取工藝缺失數(shù)據(jù)；

18、將本輪次自然測試對應(yīng)的ecs測試所使用的待測試資料寫入至所述on?die?ecc存儲器中分別進(jìn)行寫入和讀取測試以獲取寫入故障數(shù)據(jù)和讀取故障數(shù)據(jù)；

19、將所述工藝缺失數(shù)據(jù)、所述寫入故障數(shù)據(jù)和所述讀取故障數(shù)據(jù)相加以獲取自然測試故障數(shù)據(jù)。

20、優(yōu)選地，將所述故障次數(shù)演進(jìn)表與預(yù)先獲取的所述on?die?ecc存儲器的自然測試故障表進(jìn)行對比的步驟，包括：

21、將按照預(yù)設(shè)的梯度逐步加嚴(yán)的測試參數(shù)作為橫軸，將與所述測試參數(shù)對應(yīng)的故障發(fā)生次數(shù)、自然測試故障數(shù)據(jù)作為與所述測試參數(shù)相對應(yīng)的縱軸形，使所述故障次數(shù)演進(jìn)表和所述自然測試故障表在橫軸上進(jìn)行重合，并以不同顏色區(qū)分所述故障次數(shù)演進(jìn)表和所述自然測試故障表以形成顏色不同的復(fù)合柱狀圖作為對比圖。

22、優(yōu)選地，獲取所述on?die?ecc存儲器的最大耐受故障數(shù)量的過程，包括：

23、依次遍歷所述對比圖中的自然測試故障數(shù)據(jù)，鎖定第一個(gè)自然測試故障數(shù)據(jù)大于零的柱狀圖作為初始ecc故障柱狀圖；

24、將所述初始ecc故障柱狀圖所在的橫坐標(biāo)上的測試參數(shù)作為最大耐受故障數(shù)量。

25、優(yōu)選地，獲取所述on?die?ecc存儲器的測試參數(shù)余量的過程，包括；

26、獲取芯片供應(yīng)商按照jedec或測試標(biāo)準(zhǔn)制定的標(biāo)準(zhǔn)測試參數(shù)值；

27、將所述最大耐受故障數(shù)量減去所述標(biāo)準(zhǔn)測試參數(shù)值以獲取測試參數(shù)余量。

28、優(yōu)選地，獲取所述on?die?ecc存儲器的最大耐受故障數(shù)量的剩余百分比的過程，包括：

29、獲取所述標(biāo)準(zhǔn)測試參數(shù)值所對應(yīng)的故障發(fā)生次數(shù)作為初始故障發(fā)生次數(shù)；獲取所述最大耐受故障數(shù)量所對應(yīng)的故障發(fā)生次數(shù)作為最大耐受實(shí)際故障發(fā)生次數(shù)；

30、將所述最大耐受實(shí)際故障發(fā)生次數(shù)作為分母，將所述最大耐受實(shí)際故障發(fā)生次數(shù)與所述初始故障發(fā)生次數(shù)的差值作為分子以獲取最大耐受故障數(shù)量的剩余百分比。

31、本發(fā)明還提供一種針對on?die?ecc存儲器的深度評測系統(tǒng)，其中，實(shí)現(xiàn)如前所述的針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法，包括：

32、實(shí)際故障次數(shù)檢驗(yàn)?zāi)K，用于通過開啟和關(guān)閉on?die?ecc存儲器的手動ecs模式對所述on?die?ecc存儲器進(jìn)行多輪次循環(huán)ecs測試以獲取故障次數(shù)演進(jìn)表；其中，每一輪測試的測試參數(shù)依次按照預(yù)設(shè)的梯度逐步加嚴(yán)；

33、實(shí)際與自然故障對比模塊，用于將所述故障次數(shù)演進(jìn)表與預(yù)先獲取的所述on?dieecc存儲器的自然測試故障表進(jìn)行對比以獲取所述on?die?ecc存儲器的測試參數(shù)余量、最大耐受故障數(shù)量，以及最大可耐受故障數(shù)量的剩余百分比。

34、從上面的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法、系統(tǒng)，通過引入ecs記錄存儲器內(nèi)部實(shí)際修復(fù)及錯(cuò)誤的數(shù)量，具體的，通過開啟和關(guān)閉ondie?ecc存儲器的手動ecs模式對on?die?ecc存儲器按照逐步加嚴(yán)的測試參數(shù)進(jìn)行多輪次循環(huán)ecs測試以獲取故障次數(shù)演進(jìn)表，再將故障次數(shù)演進(jìn)表與預(yù)先獲取的on?die?ecc存儲器的自然測試故障表進(jìn)行對比以獲取on?die?ecc存儲器的測試參數(shù)余量、最大耐受故障數(shù)量，以及最大可耐受故障數(shù)量的剩余百分比，從而反映出on?die?ecc存儲器的真實(shí)測評情況，避免因ecc自修復(fù)導(dǎo)致測試失真的情況，提高存儲器測試的精準(zhǔn)度和真實(shí)性。