技術(shù)編號：40632769
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體測試，涉及一種存儲器的測評方法，更為具體地，涉及一種針對on?die?ecc存儲器的深度評測方法、系統(tǒng)。背景技術(shù)、dram（dynamic?random?access?memory，動態(tài)隨機存取內(nèi)存）芯片在設計上具有獨特性，其在各種應用場景上出現(xiàn)的芯片失效問題一直難以杜絕，因此dram芯片的測試與質(zhì)量的管控一直是一個困難的議題.如今on?die?ecc（on-die?error-correcting?code，芯片內(nèi)糾錯碼）技術(shù)的出現(xiàn)，ecc強大的糾錯能力更是令芯片內(nèi)部存在的質(zhì)...
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