本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種測試ecs電路的方法及測試裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，人們在制造和使用計算機等設(shè)備時，對數(shù)據(jù)的傳輸速度提出了越來越高的要求。為了獲得更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，應(yīng)運而生了一系列數(shù)據(jù)可以雙倍速率(double?data?rate，ddr)傳輸?shù)拇鎯ζ鞯绕骷?/p>

2、由于存儲器的傳輸速度越來越快、存儲單元縮小以及行錘擊(row?hammer)等原因，存儲器中可能會發(fā)生錯誤，因此，需要通過錯誤檢查與清除(error?check?and?scrub，ecs)電路對存儲器進行錯誤檢查與清除。但是目前沒有一種解決制造存儲器中錯誤的有效手段，從而限制了對ecs電路的測試，進而無法判斷ecs電路所檢測的錯誤是否準(zhǔn)確。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實施例提供一種測試ecs電路的方法及測試裝置。

2、第一方面，本公開實施例提供了一種測試ecs電路的方法，所述方法包括：

3、向存儲陣列寫入數(shù)據(jù)；

4、對所述存儲陣列執(zhí)行預(yù)設(shè)處理，以使所述存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤；

5、通過所述ecs電路對所述存儲陣列執(zhí)行ecs操作，確定錯誤存儲單元；

6、根據(jù)所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元，確定測試結(jié)果。

7、在一些實施例中，所述存儲陣列包括至少一個存儲行，每一所述存儲行包括至少一個存儲單元，所述向存儲陣列寫入數(shù)據(jù)，包括：

8、向每一所述存儲單元中分別寫入數(shù)據(jù)。

9、在一些實施例中，所述目標(biāo)存儲單元的數(shù)量為至少一個，所述對所述存儲陣列執(zhí)行預(yù)設(shè)處理，以使所述存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤，包括：

10、從所述至少一個存儲單元中確定至少一個所述目標(biāo)存儲單元，并對所述目標(biāo)存儲單元執(zhí)行漏電處理，使所述目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤。

11、在一些實施例中，確定所述目標(biāo)存儲單元，并對所述目標(biāo)存儲單元執(zhí)行漏電處理，使所述目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤，包括：

12、確定至少一個目標(biāo)存儲行，所述目標(biāo)存儲行為所述至少一個存儲行中包括所述目標(biāo)存儲單元的存儲行；

13、對非目標(biāo)存儲行執(zhí)行刷新操作，以使所述非目標(biāo)存儲行中的存儲單元不發(fā)生漏電，且不對所述目標(biāo)存儲行執(zhí)行刷新操作，以在向所述存儲陣列寫入數(shù)據(jù)后的預(yù)設(shè)時長內(nèi)，使所述目標(biāo)存儲行中的存儲單元發(fā)生漏電；其中，所述預(yù)設(shè)時長為滿足所述存儲單元發(fā)生漏電導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯誤的時長，所述非目標(biāo)存儲行為所述存儲陣列中除所述目標(biāo)存儲行外的其余存儲行；

14、在所述目標(biāo)存儲行中的存儲單元發(fā)生漏電后，向所述目標(biāo)存儲行中除所述目標(biāo)存儲單元外的存儲單元里寫入數(shù)據(jù)。

15、在一些實施例中，若所述目標(biāo)存儲行中的每一存儲單元均為所述目標(biāo)存儲單元，則在所述目標(biāo)存儲行中的存儲單元發(fā)生漏電后，直接進行通過所述ecs電路對所述存儲陣列執(zhí)行ecs操作的步驟。

16、在一些實施例中，所述對非目標(biāo)存儲行執(zhí)行刷新操作，包括：

17、根據(jù)激活命令對所述非目標(biāo)存儲行中的存儲單元執(zhí)行激活操作；

18、根據(jù)預(yù)充電命令對所述非目標(biāo)存儲行中的存儲單元執(zhí)行預(yù)充電操作。

19、在一些實施例中，所述存儲單元包括電容，其中：

20、所述使所述非目標(biāo)存儲行中的存儲單元不發(fā)生漏電，包括：使所述非目標(biāo)存儲行中的存儲單元的電容不發(fā)生漏電；

21、所述使所述目標(biāo)存儲行中的存儲單元發(fā)生漏電，包括：使所述目標(biāo)存儲行中的存儲單元的電容發(fā)生漏電。

22、在一些實施例中，所述根據(jù)所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元，確定測試結(jié)果，包括：

23、對所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元進行對比，判斷所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元的是否一致；

24、在所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元一致時，確定所述ecs電路不存在缺陷；在所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元不一致時，確定所述ecs電路存在缺陷。

25、在一些實施例中，所述存儲陣列屬于動態(tài)隨機存儲存儲器。

26、第二方面，本公開實施例提供了一種測試裝置，所述裝置包括：

27、寫入模塊，配置為向存儲陣列寫入數(shù)據(jù)；

28、錯誤生成模塊，配置為對所述存儲陣列執(zhí)行預(yù)設(shè)處理，以使所述存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤；

29、檢測模塊，配置為通過ecs電路對所述存儲陣列執(zhí)行ecs操作，確定錯誤存儲單元；

30、判斷模塊，配置為根據(jù)所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元，確定測試結(jié)果。

31、本公開實施例提供了一種測試ecs電路的方法及測試裝置，其中，該方法包括：首先，向存儲陣列寫入數(shù)據(jù)；其次，對存儲陣列執(zhí)行預(yù)設(shè)處理，以使存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤；再次，通過ecs電路對存儲陣列執(zhí)行ecs操作，確定錯誤存儲單元；最后，根據(jù)目標(biāo)存儲單元和錯誤存儲單元，確定測試結(jié)果。由于將存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤之后，再通過ecs電路對存儲陣列執(zhí)行ecs操作，檢測出錯誤存儲單元，如此，可以通過比較目標(biāo)存儲單元和錯誤存儲單元是否一致，來驗證ecs電路的準(zhǔn)確性，測試方法簡單且準(zhǔn)確性較高。

技術(shù)特征：

1.一種測試ecs電路的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲陣列包括至少一個存儲行，每一所述存儲行包括至少一個存儲單元，所述向存儲陣列寫入數(shù)據(jù)，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)存儲單元的數(shù)量為至少一個，所述對所述存儲陣列執(zhí)行預(yù)設(shè)處理，以使所述存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，確定所述目標(biāo)存儲單元，并對所述目標(biāo)存儲單元執(zhí)行漏電處理，使所述目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，若所述目標(biāo)存儲行中的每一存儲單元均為所述目標(biāo)存儲單元，則在所述目標(biāo)存儲行中的存儲單元發(fā)生漏電后，直接進行通過所述ecs電路對所述存儲陣列執(zhí)行ecs操作的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對非目標(biāo)存儲行執(zhí)行刷新操作，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述存儲單元包括電容，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述目標(biāo)存儲單元和所述錯誤存儲單元，確定測試結(jié)果，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的方法，其特征在于，所述存儲陣列屬于動態(tài)隨機存儲存儲器。

10.一種測試裝置，其特征在于，所述裝置包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開實施例提供了一種測試ECS電路的方法及測試裝置，該方法包括：向存儲陣列寫入數(shù)據(jù)；對存儲陣列執(zhí)行預(yù)設(shè)處理，以使存儲陣列中的目標(biāo)存儲單元發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤；通過ECS電路對存儲陣列執(zhí)行ECS操作，確定錯誤存儲單元；根據(jù)目標(biāo)存儲單元和錯誤存儲單元，確定測試結(jié)果；如此，可以通過比較目標(biāo)存儲單元和錯誤存儲單元是否一致，來驗證ECS電路的準(zhǔn)確性，測試方法簡單，且準(zhǔn)確性較高。

技術(shù)研發(fā)人員：顧鵬飛
受保護的技術(shù)使用者：長鑫存儲技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9