專利名稱：利用管腳上電容器的高速存儲(chǔ)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
存儲(chǔ)模塊背景技術(shù)計(jì)算系統(tǒng)包括一組相互之間通過(guò)總線或類似的通信線路進(jìn)行通信的部件。計(jì)算系統(tǒng)的部件包括處理器、通信芯片組、存儲(chǔ)模塊、外圍部件以及類似設(shè)備。這些設(shè)備相互之間通過(guò)一組總線進(jìn)行通信。這些總線可以利用總線上的每個(gè)部件都理解的通信協(xié)議。有些部件用作總線控制器以管理總線上的通信業(yè)務(wù)。
計(jì)算系統(tǒng)的速度和效率受限于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的總線和通信線路的速度。處理器依賴于系統(tǒng)總線、存儲(chǔ)器總線以及存儲(chǔ)器控制器以檢索來(lái)自系統(tǒng)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)和指令。處理器被它通過(guò)系統(tǒng)總線和存儲(chǔ)器總線從系統(tǒng)存儲(chǔ)器接收數(shù)據(jù)和指令的速度限制在它能夠處理這些指令的速度中。
總線通常為布置在諸如計(jì)算系統(tǒng)的主板之類的印刷電路板(PCB)上的通信線路。計(jì)算系統(tǒng)中的部件(如存儲(chǔ)器)具有連接到總線線路的管腳。這些部件通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)穿過(guò)總線中的線路而在總線中進(jìn)行通信。這些信號(hào)由接收設(shè)備進(jìn)行鎖存。如果信號(hào)沒(méi)有被正確終止，就可能出現(xiàn)信號(hào)的反射或其他噪音可能影響該線路上的后續(xù)信號(hào)傳輸。


圖1是包含至少一個(gè)與連接到存儲(chǔ)器總線的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備以及傳輸信號(hào)(TS)線相并聯(lián)的電容器的存儲(chǔ)模塊的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
圖2是包含至少一個(gè)與連接到存儲(chǔ)器總線的至少一個(gè)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)設(shè)備以及TS線相并聯(lián)的電容器的存儲(chǔ)模塊的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
圖3是包含至少一個(gè)與連接到存儲(chǔ)器總線的至少一個(gè)SDRAM設(shè)備以及子傳輸信號(hào)(STS)線相并聯(lián)的電容器的存儲(chǔ)模塊的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
圖4是包含圖2所示存儲(chǔ)模塊的計(jì)算系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
圖5是產(chǎn)生圖1、圖2和圖3所示存儲(chǔ)模塊的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是包含至少一個(gè)與連接到存儲(chǔ)器總線的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備以及傳輸信號(hào)(TS)線相并聯(lián)的電容器的存儲(chǔ)模塊的一個(gè)實(shí)施例的框圖。圖1所示實(shí)施例中的存儲(chǔ)模塊100是單列直插存儲(chǔ)模塊(SIMM)。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100在印刷電路板(PCB)105上形成。PCB 105可由本領(lǐng)域內(nèi)公知的形成印刷電路板或其他類型電路板的任何方法所形成。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100包括在PCB 105上形成的TS線121至129。
在圖1所示的實(shí)施例中，PCB 105上的圖案包括連接到TS線121至129的存儲(chǔ)器總線175。在其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100可包括任何用于TS線121至129及存儲(chǔ)器總線175的圖案。
在一個(gè)實(shí)施例中，TS線121至129及存儲(chǔ)器總線175由銅形成。在其他實(shí)施例中，TS線121至129及存儲(chǔ)器總線175可由本領(lǐng)域內(nèi)公知的其他傳導(dǎo)材料形成。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器總線175包括位于存儲(chǔ)器總線130上的TS線129的附著點(diǎn)之后的終止電路185以及相對(duì)的連接器195，它將存儲(chǔ)模塊100連接到計(jì)算系統(tǒng)的其他部件。在一個(gè)實(shí)施例中，終止電路185連接到電壓源以形成上拉終止電路。在另一實(shí)施例中，終止電路185連接到地以形成下拉終止電路。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100包括DRAM設(shè)備141至149。在一個(gè)實(shí)施例中，DRAM設(shè)備141至149各連接到相應(yīng)的TS線，如上所述，它們連接到存儲(chǔ)器總線175以形成分支131至139。DRAM設(shè)備141至149各自可以是本領(lǐng)域公知的、能由計(jì)算系統(tǒng)向其寫(xiě)入或從其讀出數(shù)據(jù)的任何DRAM設(shè)備或其他存儲(chǔ)設(shè)備。在圖1所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100包含九個(gè)DRAM設(shè)備和分支，但是，存儲(chǔ)模塊100可以包含任意數(shù)量的DRAM設(shè)備和分支。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100還包括電容器165。在實(shí)施例中，電容器165與DRAM設(shè)備141及TS 121并聯(lián)。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器165是4皮法(pF)的電容器。在其他實(shí)施例中，電容器165是在約1pF至約40pF范圍內(nèi)的電容器。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100具有與DRAM設(shè)備141及TS線121并聯(lián)的第二電容器。同樣，該第二電容器可具有約1pF至約40pF范圍內(nèi)的電容。
在其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊100包括多個(gè)類似于電容器165、與相應(yīng)的連接到存儲(chǔ)器總線175的DRAM設(shè)備及TS線的子組相并聯(lián)的電容器。在此情況下，子組是一個(gè)或多個(gè)具有與連接到存儲(chǔ)器總線175的各DRAM設(shè)備(如DRAM設(shè)備141，142)以及TS線相并聯(lián)的電容器的TS線(如TS線121，122)。在一個(gè)實(shí)施例中，該子組包括TS線121至129，各具有至少一個(gè)類似于電容器165并與它以及DRAM設(shè)備141至149中的每個(gè)相并聯(lián)的電容器，從而形成大量類似于分131的分支。在一個(gè)實(shí)施例中，該多個(gè)電容器都具有相同大小。在其他實(shí)施例中，該多個(gè)電容器中的至少兩個(gè)具有不同大小。
圖2是包含至少一個(gè)與連接到存儲(chǔ)器總線的至少一個(gè)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)設(shè)備以及TS線相并聯(lián)的電容器的存儲(chǔ)模塊的一個(gè)實(shí)施例的框圖。在圖2所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊200是雙列直插存儲(chǔ)模塊(DIMM)。
在一個(gè)實(shí)施例中，類似于關(guān)于上面圖1中所述的實(shí)施例，存儲(chǔ)模塊200在印刷電路板(PCB)205上形成。同樣，在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊200在PCB 205上包括TS線221至229以及含有終止電路285及電容器295的存儲(chǔ)器總線275。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊200包括SDRAM設(shè)備241至258。SDRAM設(shè)備241至258可以是本領(lǐng)域公知的能由計(jì)算系統(tǒng)向其寫(xiě)入或從其讀出數(shù)據(jù)的任何SDRAM設(shè)備。在其他實(shí)施例中，SDRAM設(shè)備241至258可以由類似于上面所討論的DRAM設(shè)備141至149的DRAM設(shè)備或者本領(lǐng)域公知的能由計(jì)算系統(tǒng)向其寫(xiě)入或從其讀出數(shù)據(jù)的其他存儲(chǔ)設(shè)備所取代。在一個(gè)實(shí)施例中，SDRAM設(shè)備241至258被劃分成對(duì)(如SDRAM設(shè)備241，242；SDRAM設(shè)備243，244等)，每一對(duì)分別與TS線221至229中的一個(gè)信號(hào)線相連，以形成包括兩個(gè)SDRAM設(shè)備及單個(gè)TS線的分支231至239。
在圖2所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊200包括18個(gè)SDRAM設(shè)備，形成九個(gè)分支，但是，存儲(chǔ)模塊200可以包含任意數(shù)量的SDRAM設(shè)備和分支。此外，在其他實(shí)施例中，一個(gè)分支可以包括多于兩個(gè)的SDRAM設(shè)備。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊包括電容器265。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器265與SDRAM設(shè)備241、242以及TS線221并聯(lián)。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，電容器265是4皮法(pF)的電容器。在其他實(shí)施例中，電容器265是電容值在約1pF至約40pF范圍內(nèi)的電容器。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊200可具有多于一個(gè)的與TS線221及SDRAM設(shè)備241、242并聯(lián)的電容器。例如，TS線221可具有兩個(gè)與SDRAM設(shè)備241、242以及TS線221并聯(lián)的電容器。同樣，該第二電容器可以具有約1pF至約40pF范圍內(nèi)的電容。
在其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊200包括多個(gè)類似于電容器265、與連接到存儲(chǔ)器總線275的一對(duì)DRAM設(shè)備及TS線的子組相并聯(lián)的電容器。在這里，子組是一個(gè)或多個(gè)具有至少一個(gè)在每個(gè)連接到存儲(chǔ)器總線275的TS線上與一對(duì)SDRAM設(shè)備(如SDRAM設(shè)備241、242以及SDRAM設(shè)備243、244)相并聯(lián)的電容器的TS線(如TS線221及TS線222)。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，子組包括各具有一個(gè)類似于電容器265、在各TS線上與各相應(yīng)的SDRAM設(shè)備對(duì)相并聯(lián)的電容器的TS線，從而形成多個(gè)類似于分支231、232的分支。在一個(gè)實(shí)施例中，該多個(gè)電容器都具有相同大小。在其他實(shí)施例中，該多個(gè)電容器中的至少兩個(gè)具有不同大小。
圖3是包含至少一個(gè)與連接到存儲(chǔ)器總線的至少一個(gè)SDRAM設(shè)備以及至少一個(gè)子傳輸(STS)線相并聯(lián)的電容器的存儲(chǔ)模塊的一個(gè)實(shí)施例的框圖。類似于關(guān)于上面圖2中所討論的實(shí)施例，在圖3所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊300是DIMM，包括連接到存儲(chǔ)器總線385的分支331至339(包括分別連接到SDRAM設(shè)備341至358的TS線321至329)，并包括終止電路390以及連接器395。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊300包括分別連接到TS線321至329以及SDRAM設(shè)備331至339的STS線321A、321B至329A、329B。在圖3所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊300包括類似于上面所討論的電容器265、分別連接到STS線321A、321B的電容器365、370。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器365、370具有相同大小。在其他實(shí)施例中，電容器365、370具有不同大小。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊300可具有多于一個(gè)的、與STS線321A、321B之一或每一個(gè)相耦合并與SDRAM設(shè)備341、342并聯(lián)的電容器。例如，STS線221A可具有兩個(gè)與SDRAM設(shè)備341以及STS線321A并聯(lián)的電容器。同樣，該第二電容器可具有約1pF至約40pF范圍內(nèi)的電容值。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)電容器都是相同大小的。在其他實(shí)施例中，至少有兩個(gè)電容器是不同大小的。
在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊300包括多個(gè)類似于電容器365及370、在單個(gè)分支內(nèi)與STS線的一個(gè)子組并聯(lián)的電容器，每個(gè)電容器同樣與相應(yīng)的SDRAM設(shè)備并聯(lián)。在這里，一個(gè)子組是具有至少一個(gè)連接到每個(gè)STS線的電容器的至少一對(duì)STS線(如STS線321A、321B以及STS線322A、322B)，每個(gè)電容器均與SDRAM設(shè)備(如SDRAM設(shè)備341、342、343、344)并聯(lián)。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)子組包括各具有類似于電容器365及370、與各相應(yīng)的SDRAM設(shè)備及STS線相并聯(lián)的電容器的各STS線(如STS線321A、321B至329A、329B)，從而形成多個(gè)類似于分支331的分支。在一個(gè)實(shí)施例中，該多個(gè)電容器都是相同大小的。在其他實(shí)施例中，該多個(gè)電容器中的至少兩個(gè)是不同大小的。
另外，在一個(gè)實(shí)施例中，單個(gè)分支(如分支331)具有僅僅一個(gè)與其中一個(gè)STS線(如STS線321A)并聯(lián)的電容器(如電容器365)，而其他的STS線(如STS線321B)并沒(méi)有與之相連的電容器。另外，有可能存儲(chǔ)模塊300具有位于至少一個(gè)STS線或至少一個(gè)TS線上的多個(gè)電容器的組合，不論上述STS線或TS線是在同一分支內(nèi)或是不同分支內(nèi)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，STS線321A、321B各具有至少一個(gè)與它們相并聯(lián)的電容器，且TS線322也具有至少一個(gè)與之相并聯(lián)的電容器。
另外，既然STS線“A”和“B”是并列的，例如，在一個(gè)實(shí)施例中，電容器365、370的電容量是例如上面所討論的電容器265的一半，以使得分支331內(nèi)具有與分支221內(nèi)所含有電容量相似的電容量。這同樣適用于上面討論的與STS線并聯(lián)的任意一對(duì)電容器。
圖4是包括圖2所示存儲(chǔ)模塊的計(jì)算系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。在圖4所示的實(shí)施例中，計(jì)算系統(tǒng)400包括與上面討論的存儲(chǔ)模塊200相類似的、連接到芯片組410的存儲(chǔ)模塊405。在其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊405類似于上面討論的存儲(chǔ)模塊100或存儲(chǔ)模塊300。
芯片組410可以是本領(lǐng)域公知的能夠便于計(jì)算事務(wù)的任何通信集線器。在一個(gè)實(shí)施例中，芯片組410連接到系統(tǒng)總線420。系統(tǒng)總線420可以是任何本領(lǐng)域公知的能夠傳輸計(jì)算事務(wù)的系統(tǒng)總線。
在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)總線420連接到處理器430。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器430是由位于加利福尼亞圣克拉拉市(Santa Clara，California)的英特爾公司所制造的“奔騰4”處理器。在其他實(shí)施例中，處理器430可能是本領(lǐng)域公知的任何處理器。
圖5是產(chǎn)生圖1、圖2、以及圖3所示的存儲(chǔ)模塊的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，該方法500開(kāi)始于制造含有多個(gè)TS線和/或STS線的PCB(方塊510)。TS線和STS線可以在PCB上形成任何圖案。
在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)DRAM設(shè)備或SDRAM設(shè)備被連接到多個(gè)TS線和/或STS線上，TS線和/或STS線也連接到存儲(chǔ)器總線，一個(gè)TS線和/或STS線包括一個(gè)與第一DRAM設(shè)備或第一SDRAM設(shè)備并聯(lián)的電容器(方塊520)。在一個(gè)實(shí)施例中，方法500也包括將至少一個(gè)附加電容器連接至附加的TS線和/或STS線的一個(gè)子組，類似于上面所討論的實(shí)施例，與TS線和/或STS線以及DRAM設(shè)備和SDRAM設(shè)備相并聯(lián)(方塊530)。
在前述各段落中描述了特定的實(shí)施例。但是很顯然，除此之外可以進(jìn)行各種修改和改變而不背離權(quán)利要求書(shū)中的更廣泛的精神和范圍。因此，應(yīng)從說(shuō)明意義上而非限制意義上來(lái)看待本說(shuō)明書(shū)和附圖。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備，耦合到存儲(chǔ)器總線，所述多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備中的每一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備均通過(guò)多個(gè)傳輸信號(hào)線中的一個(gè)耦合到所述存儲(chǔ)器總線；以及至少一個(gè)電容器，耦合到第一傳輸信號(hào)線和第一子傳輸信號(hào)線之一并與所述多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備中的一個(gè)相并聯(lián)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備被分成對(duì)，各對(duì)形成分支。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中一個(gè)電阻器的電容值在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中一個(gè)電容器是4pF的電容器。
5.如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括第二電容器，耦合到第二傳輸信號(hào)線和第二子傳輸信號(hào)線之一并與第二分支相并聯(lián)。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第一電容器與所述第二電容器具有基本相同的大小。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述第一電容器與所述第二電容器各在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第一電容器與所述第二電容器具有不同大小。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述第一電容器與所述第二電容器各在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括第一多個(gè)電容器，與第一分支并聯(lián)耦合，所述第一分支上的總電容值在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括至少一個(gè)電容器，與多個(gè)傳輸信號(hào)線和多個(gè)子傳輸信號(hào)線中的一個(gè)相耦合，各電容器與所述多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備中的相應(yīng)存儲(chǔ)設(shè)備相并聯(lián)。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中各分支上的總電容值在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備中的每一個(gè)都形成分支，以及其中第一分支上的電容值在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，還包括至少一個(gè)電容器，與多個(gè)傳輸信號(hào)線中的每一個(gè)相耦合，各電容器與一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備并聯(lián)耦合。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中每個(gè)傳輸信號(hào)線上的電容值在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)。
16.一個(gè)系統(tǒng)，包括存儲(chǔ)器封裝，含有通過(guò)多個(gè)傳輸信號(hào)線耦合到存儲(chǔ)器總線的多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備，以及至少一個(gè)耦合到第一個(gè)傳輸信號(hào)線的電容器，第一電容器與一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備并聯(lián)且在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)；芯片組，耦合到所述存儲(chǔ)器組；以及處理器，通過(guò)系統(tǒng)總線耦合到所述芯片組。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器封裝包括雙列直插存儲(chǔ)模塊。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，所述所述存儲(chǔ)器封裝包括單列直插存儲(chǔ)模塊。
19.一種方法，包括以下步驟制造含有多個(gè)傳輸信號(hào)(TS)線和多個(gè)子傳輸信號(hào)(STS)線之一的印刷電路板(PCB)；將一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備耦合到所述多個(gè)TS線和所述多個(gè)STS線中的至少一個(gè)，所述多個(gè)TS線和所述多個(gè)STS線之一中的每一個(gè)還耦合到存儲(chǔ)器總線，且第一TS線和第一STS線之一含有在約1皮法(pF)至約40pF范圍內(nèi)、與所述多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備中的第一存儲(chǔ)設(shè)備相并聯(lián)的第一電容器。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括將第二電容器與位于第二TS線和第二STS線之一上的第二存儲(chǔ)設(shè)備相并聯(lián)耦合。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括將至少一個(gè)電容器與位于所述多個(gè)TS線和所述多個(gè)STS線之一中的每一個(gè)上的相應(yīng)存儲(chǔ)設(shè)備相并聯(lián)耦合。
全文摘要
產(chǎn)生具有多個(gè)連接到存儲(chǔ)器總線的分支的存儲(chǔ)模塊的裝置和方法，每個(gè)分支均包括至少一個(gè)通過(guò)至少一個(gè)傳輸信號(hào)(TS)線和/或至少一個(gè)子傳輸信號(hào)(STS)線連接到存儲(chǔ)器總線的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備或SDRAM設(shè)備。該存儲(chǔ)模塊包括至少一個(gè)含有與TS線或STS線以及DRAM設(shè)備或SDRAM設(shè)備相并聯(lián)的電容器的分支。本發(fā)明也討論了實(shí)現(xiàn)這種存儲(chǔ)模塊的計(jì)算系統(tǒng)。
文檔編號(hào)G11C7/10GK1973277SQ200580021176
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2005年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者王百寬, 張舸 申請(qǐng)人:英特爾公司