系統(tǒng)級封裝結構與其電鍍模塊及存儲器存儲裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種封裝結構，且特別是有關于一種系統(tǒng)級封裝結構與其電鍍模塊及存儲器存儲裝置。
【背景技術】
[0002]數碼相機、移動電話與MP3播放器在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對存儲媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器模塊(例如，快閃存儲器)具有數據非易失性、省電、體積小，以及無機械結構等特性，所以非常適合內裝于上述所舉例的各種可攜式多媒體裝置中。
[0003]一般來說，在生產階段，多個SD卡會被設置在一個支撐架上，以同時對這些SD卡進行電鍍。然而，在將這些SD卡從支撐架上切除下來后，每一個SD卡上都會留有可以導電的一或多個開口。在使用者插拔此SD卡時，這些開口所導入的靜電可能會對SD卡造成干擾。
【發(fā)明內容】
[0004]本發(fā)明提供一種系統(tǒng)級封裝結構與其電鍍模塊及存儲器存儲裝置，其可降低靜電放電(Electro Static Discharge,簡稱 ESD)干擾。
[0005]本發(fā)明的一范例實施例提供一種系統(tǒng)級封裝(System in Package,簡稱SIP)結構，其包括第一布線層、第二布線層及可復寫式非易失性存儲器模塊。第一布線層包括第一接墊與導線。第一接墊鄰近第一布線層的第一側邊，并且第一接墊用以電性連接至接地電壓。導線的一端電性連接至第一接墊，并且導線的另一端電性連接至此系統(tǒng)級封裝結構的接口，其中此接口位于第一布線層上相對于第一側邊的第二側邊，并且此接口用以電性連接至外部電壓。第二布線層相對第一布線層設置?？蓮蛯懯椒且资源鎯ζ髂K設置于第一布線層或第二布線層上。
[0006]在本發(fā)明的一范例實施例中，所述導線包括第一導線與第二導線，第一導線的一端電性連接至接口，第一導線的另一端電性連接至電容單元的輸入端，電容單元的輸出端電性連接至第二導線的一端，并且第二導線的另一端電性連接至第一接墊。
[0007]在本發(fā)明的一范例實施例中，所述導線還包括第三導線，第三導線的一端電性連接至電容單元的輸入端，并且第三導線的另一端電性連接至電容單元的輸出端。
[0008]在本發(fā)明的一范例實施例中，所述接口用以連接至支撐架，且支撐架用以經由接口提供外部電壓至系統(tǒng)級封裝結構。
[0009]在本發(fā)明的一范例實施例中，所述第一布線層還包括至少一第二接墊，所述第二接墊鄰近第一布線層的第一側邊，并且第一接墊與所述第二接墊用以電性連接至主機系統(tǒng)。
[0010]在本發(fā)明的一范例實施例中，所述接口包括第一接口與第二接口，第一布線層還包括串連導線，所述導線經由串連導線同時電性連接至第一接口與第二接口。
[0011]本發(fā)明的一范例實施例提供一種存儲器存儲裝置，其包括系統(tǒng)級封裝結構與可復寫式非易失性存儲器模塊。系統(tǒng)級封裝結構包括第一布線層與第二布線層。第一布線層包括第一接墊與導線。第一接墊鄰近第一布線層的第一側邊，并且第一接墊用以電性連接至接地電壓。導線的一端電性連接至第一接墊，并且導線的另一端電性連接至系統(tǒng)級封裝結構的接口，其中接口位于第一布線層上相對于第一側邊的第二側邊，并且接口用以電性連接至外部電壓。第二布線層相對第一布線層設置。可復寫式非易失性存儲器模塊設置于第一布線層或第二布線層上。
[0012]本發(fā)明的一范例實施例提供一種系統(tǒng)級封裝結構的電鍍模塊，其包括支撐架與多個系統(tǒng)級封裝結構。支撐架具有多個連接點。每一所述系統(tǒng)級封裝結構包括第一布線層、第二布線層及可復寫式非易失性存儲器模塊。第一布線層包括第一接墊與導線。第一接墊鄰近第一布線層的第一側邊，并且第一接墊用以電性連接至接地電壓。導線的一端電性連接至第一接墊，并且導線的另一端電性連接至系統(tǒng)級封裝結構的接口，其中接口位于第一布線層上相對于第一側邊的第二側邊，并且接口電性連接至所述連接點的其中之一。第二布線層相對第一布線層設置?？蓮蛯懯椒且资源鎯ζ髂K設置于第一布線層或第二布線層上。
[0013]在本發(fā)明的一范例實施例中，所述支撐架用以經由接口提供外部電壓至系統(tǒng)級封裝結構。
[0014]基于上述，通過在系統(tǒng)級封裝結構的接口與用來電性連接至接地電壓的接墊之間設置一導線，可在系統(tǒng)級封裝結構或存儲器存儲裝置的使用過程中，將經由開口導入的靜電雜信號釋放，降低靜電放電干擾。
[0015]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0016]圖1是根據本發(fā)明的一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的電鍍模塊的范例不意圖；
[0017]圖2與圖3是根據本發(fā)明的一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的范例示意圖；
[0018]圖4是根據本發(fā)明的另一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的范例示意圖；
[0019]圖5是根據本發(fā)明的另一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的范例示意圖；
[0020]圖6與圖7是根據本發(fā)明的另一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的范例示意圖；
[0021]圖8是根據本發(fā)明的另一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的范例示意圖；
[0022]圖9是根據本發(fā)明的另一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的范例示意圖。
[0023]附圖標記說明:
[0024]10:系統(tǒng)級封裝結構的電鍍模塊；
[0025]11、41、51、61、81、91:系統(tǒng)級封裝結構；
[0026]12:支撐架；
[0027]13:連接點；
[0028]21 ?28:接墊；
[0029]201:第一側邊；
[0030]202:第二側邊；
[0031]203、601 ?603:接口；
[0032]204,2041,2042,504,604,905:導線；
[0033]401:電容單元。
【具體實施方式】
[0034]以下提出多個范例實施例來說明本發(fā)明，然而本發(fā)明不僅限于所例示的多個范例實施例。又范例實施例之間也允許有適當的結合。在本案說明書全文(包括權利要求書)中所使用的“電性連接” 一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置(或第一單元、第一元件)電性連接于第二裝置(或第二單元、第二元件)，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接于該第二裝置，或者該第一裝置可以通過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。此外，“信號”一詞可指至少一電流、電壓、電荷、溫度、數據、或任何其他一或多個信號。
[0035]圖1是根據本發(fā)明的一范例實施例所示出的系統(tǒng)級封裝結構的電鍍模塊的范例示意圖。
[0036]請參照圖1,系統(tǒng)級封裝(System in Package,簡稱SIP)結構的電鍛(electroplating)模塊10包括多個系統(tǒng)級封裝結構11與支撐架12。在本范例實施例中，系統(tǒng)級封裝結構的電鍍模塊10中的每一個系統(tǒng)級封裝結構11的工藝條件(例如，材質及/或電路布局等)都相同。在另一范例實施例中，系統(tǒng)級封裝結構的電鍍模塊10中部分的系統(tǒng)級封裝結構11的工藝條件也可以不相同。一個系統(tǒng)級封裝結構11可以包括一或多個曰 l=!r
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[0037]在本范例實施例中，每一個系統(tǒng)級封裝結構11是包含于一個可復寫式非易失性存儲器存儲裝置中?；蛘?，每一個系統(tǒng)級封裝結構11可視為是一個可復寫式非易失性存儲器存儲裝置。每一個系統(tǒng)級封裝結構11具有一或多個可復寫式非易失性存儲器模塊?；蛘撸恳粋€系統(tǒng)級封裝結構11可電性連接至一或多個可復寫式非易失性存儲器模塊。一個可復寫式非易失性存儲器模塊會具有多個實體抹除單元(未示出)。每一個實體抹除單元可屬于同一個存儲器晶粒(die)或者屬于不同的存儲器晶粒。每一實體抹除單元分別具有多個實體程序化單元，并且屬于同一個實體抹除單元的實體程序化單元可被獨立地寫入且被同時地抹除。例如，一個實體抹除單元是由128個實體程序化單元所組成。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，每一實體抹除單元是可由64個實體程序化單元、256個實體程序化單元或其他任意個實體程序化單元所組成。由于在此提及的可復寫式非易失性存儲器模塊是被封裝(package)在系統(tǒng)級封裝結構11中，故未在圖式中加以標示。本領域的通常知識者(或技術人員)應可根據上述描述明了何謂可復寫式非易失性存儲器模