這些金屬中的一種的合 金)制成的金屬層6。此外，由Mo、W、Ti、Nb或Ta或基于這些金屬中的一種的合金制成的另一 個(gè)金屬層7使用作為覆蓋層，優(yōu)選地在此使用與在氮氧化物層中所使用的相同的金屬或相 同的合金。該層7作為用于由高傳導(dǎo)性金屬制成的、位于下方的層6的擴(kuò)散障壁及/或保護(hù)層 (抵抗機(jī)械損壞、腐蝕、濕氣、汗水等）。由氮氧化鉬制成的層在觸控面板的使用者的檢視方 向20上安裝于兩個(gè)金屬層上游且將兩個(gè)金屬層隱藏。
[0023] 觸控傳感器元件2x的各列類似于觸控傳感器元件2y的各行與控制及分析電子部 件(該圖中未示出）電連接。控制及分析電子部件檢測(cè)由觸摸誘發(fā)的電容改變，且關(guān)于觸摸 的位置來(lái)分析該等改變。電連接至少發(fā)生在通過(guò)接觸結(jié)構(gòu)4 '而對(duì)于使用者可見(jiàn)的觸控面板 的區(qū)域中，接觸結(jié)構(gòu)4'類似于橋接用的接觸結(jié)構(gòu)4而以三層的形式建構(gòu)并且具有由氮氧化 鉬制成的層5、由六1、]/[0、(：11、48或411或基于這些金屬中一種的合金制成的金屬層6及由10、￥、 Ti、Nb或Ta或基于這些金屬中一種的合金制成的金屬層7。
[0024] 借助于濺射沉積，使用對(duì)應(yīng)靶材將觸控傳感器元件及接觸結(jié)構(gòu)4或4'的層以較大 的面積而沉積，在此，供應(yīng)氧氣及氮?dú)鈺r(shí)發(fā)生金屬氮氧化物層的形成。通過(guò)照相平板印刷術(shù) 及后續(xù)濕式化學(xué)蝕刻方法(使用由磷酸、硝酸及乙酸制成的蝕刻溶液(PAN蝕刻溶液））使已 涂覆的層結(jié)構(gòu)化。
[0025] 在該實(shí)驗(yàn)系列的范疇中，制造具有不同組成成分的氮氧化鉬的各種層，在表1中比 較其性質(zhì)與相應(yīng)的金屬、金屬氧化物及金屬氮化物層。分別使用由純鉬制成的靶材、由鉬與 6原子％鉭的合金制成的靶材或由鉬與10原子％鈮的合金制成的靶材作為濺射靶材。通過(guò) 使用Ar/02/N2混合物由金屬靶材反應(yīng)性地濺射氮氧化鉬層。在此，在該過(guò)程中反應(yīng)性氣體 的相對(duì)比例對(duì)于氧化物為大約33體積％的02,且對(duì)于氮氧化物為大約23體積％的02及15體 積％的吧。過(guò)程氣體壓力為大約5*10_ 3mbar。
[0026] 為了確定反射率，通過(guò)氮氧化鉬或參考材料以及由250nm A1制成的覆蓋層涂布玻 璃基板(Coming Eagle XG，50X50X0.7mm3)。在此，省略第三金屬層，因?yàn)槠鋵?duì)測(cè)量結(jié)果無(wú) 影響。使用Perkin Elmer Lambda 950光譜儀測(cè)量經(jīng)由玻璃基板的反射率(觀測(cè)者的檢視方 向20)。為了獲得盡可能低的反射率，氮氧化鉬的層厚度在35nm至75nm的范圍中變化，其中 在40nm至60nm的范圍中可達(dá)到最佳結(jié)果。
[0027]基于樣本來(lái)測(cè)量氮氧化鉬及參考材料的電阻，其中玻璃基板涂布有55nm厚的層。 使用四點(diǎn)法(市售的四點(diǎn)測(cè)量頭)實(shí)施測(cè)量。
[0028]為了確定濕式蝕刻速率，使用分別具有300nm厚度的層。在40 °C下在具有66 %磷 酸、10 %乙酸、5 %硝酸及水(剩余物)的、攪拌后的PAN溶液中測(cè)定濕式蝕刻速率。在此，將樣 本分別浸沒(méi)于蝕刻溶液中經(jīng)過(guò)5秒且隨后沖洗及干燥。隨后在精密天平上對(duì)干燥后的樣本 進(jìn)行稱重。重復(fù)這些步驟，直至使整個(gè)層溶解。由隨蝕刻時(shí)間的質(zhì)量減少來(lái)計(jì)算蝕刻速率。
[0029] 表 1
[0030] *標(biāo)記根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式
[0031]
[0032] 具有氮氧化鉬的樣本顯示出相對(duì)于氧化鉬的改善的反射行為。此外，在Mo氮氧化 物或MoTa氮氧化物的情況下，金屬或合金的濕式蝕刻速率與對(duì)應(yīng)氮氧化物的濕式蝕刻速率 之間的差值可減小。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種觸控傳感器裝置(10)，其具有 光學(xué)透明的電絕緣的基板(1)， 至少一個(gè)光學(xué)透明的導(dǎo)電的傳感器元件(2x、2y )，其設(shè)置在所述基板上， 及至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)(4、4'），其用于電接觸光學(xué)透明的所述傳感器元件(2x、2y)，其特 征在于， 所述接觸結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)層，所述層由具有組成成分M〇aXb〇cNd的金屬氮氧化物制成， 其中b 2 0,其中X為來(lái)自群組鈮、鉭、釩、鎢、鉻、錸、鉿、鈦及鋯中的一種元素或來(lái)自所述群組 鈮、鉭、釩、鎢、鉻、錸、鉿、鈦及鋯中的多種元素的組合。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控傳感器裝置，其特征在于，由所述金屬氮氧化物制成的所 述層具有〈20 %的反射率。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的觸控傳感器裝置，其特征在于，所述金屬氮氧化物層 MoaXbOcNd具有的氧原子為氮原子的至少3倍至最多9倍。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置，其特征在于，對(duì)于所述金屬 氣氧化物層M〇aXbOcNd以下關(guān)系適用： 0<b<0.25a;0.5<c<0.75;0.01<d<0· 2 且 a+b+c+d = 1 且c+d < 0 · 8。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置，其特征在于，所述接觸結(jié)構(gòu) 以多層的形式形成并且額外具有由六11〇、(：1 1)8或411制成的金屬層或基于這些金屬中一種 的合金制成的金屬層。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置，其特征在于，形成作為傳感 器電極的所述等傳感器元件以柵格的形式設(shè)置，其中多個(gè)第一傳感器電極在第一方向上設(shè) 置在不同位置處，多個(gè)第二傳感器電極在第二方向上設(shè)置在不同位置處，所述傳感器電極 分別在相交點(diǎn)處通過(guò)至少一個(gè)電絕緣層而彼此隔離，且多個(gè)所述第一傳感器電極在所述相 交點(diǎn)處通過(guò)具有所述金屬氮氧化物的所述接觸結(jié)構(gòu)(4)接觸。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置，其特征在于，所述接觸結(jié)構(gòu) (4'）實(shí)施為用于將所述觸控傳感器元件與控制及/或分析電子部件電連接的接觸端子。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置，其實(shí)施為投影電容式的觸控 傳感器。9. 一種具有根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置的觸控傳感器顯示 單元(觸控面板），其中，所述觸控傳感器裝置安裝于顯示單元上游(外掛式），或整合于所述 顯示單元中（外嵌式、內(nèi)嵌式）。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控傳感器顯示單元，其特征在于，所述接觸結(jié)構(gòu)具有至少 一個(gè)金屬層及至少一個(gè)金屬氮氧化物層，其中在這些層的序列中，所述金屬氮氧化物層比 所述金屬層與所述顯示單元間隔地更遠(yuǎn)。11. 一種將濺射靶材M〇1-zXz用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器 裝置的接觸結(jié)構(gòu)的用途，其中X為來(lái)自群組鈮、鉭、釩、鎢、鉻、錸、鉿、鈦及鋯中的一種元素或 多種元素的組合，且0 < ζ < 0.2。12. -種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的觸控傳感器裝置的方法，其中 在供應(yīng)氧氣及氮?dú)獾那闆r下使用濺射靶材Μ〇1- ζΧζ通過(guò)氣相沉積方法制造金屬氮氧化物層， 其中X為來(lái)自群組鈮、鉭、釩、鎢、鉻、錸、鉿、鈦及鋯中的一種元素或來(lái)自此群組鈮、鉭、釩、
【專利摘要】本發(fā)明系關(guān)于一種觸控傳感器裝置，其具有一個(gè)光學(xué)透明的電絕緣基板、配置于該基板上的至少一個(gè)光學(xué)透明的導(dǎo)電傳感器元件及用于電接觸該光學(xué)透明的傳感器元件的至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)。該接觸結(jié)構(gòu)具有由包括組成成分MoaXbOcNd的金屬氮氧化物制成的至少一個(gè)層，其中b≥0，其中X為來(lái)自元素鈮、鉭、釩、鎢、鉻、錸、鉿、鈦及鋯的群組的一種元素或多種元素的組合。
【IPC分類】G06F3/044
【公開(kāi)號(hào)】CN105593800
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480054704
【發(fā)明人】哈拉爾德·科斯騰鮑爾, 多米尼克·洛倫茨, 布魯斯·曾, 約爾格·溫克勒
【申請(qǐng)人】攀時(shí)奧地利公司
【公開(kāi)日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2014年10月1日
【公告號(hào)】WO2015048828A1