如，氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)或氧化銦錯(ΑΖ0))、透明的傳導 性聚合物（諸如，PED0T:PSS(聚（3,4-伸乙二氧基噻吩）聚（苯乙烯磺酸鹽））、碳納米管 (carbon nano tubes)或石墨稀。
[0015] 從應(yīng)用方面(有利的光學反射行為、足夠高的電導率)來看以及從觸控傳感器裝置 的制造的角度來看，在接觸結(jié)構(gòu)的層或中間層中使用金屬氮氧化物是有利的。觸控傳感器 裝置的層通常這樣產(chǎn)生，其中這些層首先借助于諸如PVD(物理氣相沉積)或CVD(化學氣相 沉積）的已知薄膜涂布技術(shù)以較大的面積而沉積于基板上，隨后借助于照相平板印刷術(shù)過 程結(jié)構(gòu)化，且進一步在接下來的蝕刻過程中加以處理。在此狀況下，可在供應(yīng)氧氣及氮氣作 為反應(yīng)性氣體(所謂的反應(yīng)性濺射）的情況下使用由鉬或鉬合金制成的金屬靶材來沉積由 金屬氮氧化物制成的層。與僅在供應(yīng)氧氣的情況下發(fā)生且對于過程參數(shù)的干擾反應(yīng)極其敏 感的金屬氧化層的產(chǎn)生過程(例如在JP2013/20347中所提議)相比，氮氣的額外使用引起涂 布過程的穩(wěn)定性及再現(xiàn)性的改良。由金屬氮氧化物制成的層的蝕刻性質(zhì)稱為制造程序中的 另一有利的性質(zhì)。由金屬氮氧化物制成的層在由磷酸、硝酸及乙酸制成的工業(yè)上使用的混 合物中顯示良好蝕刻性質(zhì)，且因此可以在工業(yè)上常見的濕式化學蝕刻方法中良好地結(jié)構(gòu) 化。
[0016]已確定，氧對氮的比率（以原子百分比計)在3:1與9:1之間（亦即，層中含有的氧原 子為氮原子的至少3倍至最多9倍）的金屬氮氧化物層總體上顯示出關(guān)于反射性能、電導率 及在由磷酸、硝酸及乙酸制成的混合物中的蝕刻性質(zhì)的特別有利的性質(zhì)。由M 〇aXbOcNd制成 的層適用于3 < c/cK 9。通過氧比重或氮比重的變化，可使單個的材料性質(zhì)最佳化。純氮化 鉬在其電性質(zhì)方面顯示出明顯金屬特性（電導率雖然小于金屬，但電阻在金屬導體的范疇 中，氮化鉬在光學范圍中強烈地反射），而例如在JP2013/20347中針對本應(yīng)用而提議，具有 合適的、低于化學計量的氧比重的純氧化鉬的電性質(zhì)自其顯著偏離。純氧化鉬為暗的且在 該光學范圍中具有低反射率，電導率較低且由離子傳導來表征。已發(fā)現(xiàn)，通過用氮原子部分 地替換氧原子，可在維持或改良對于在觸控傳感器中的應(yīng)用所必需電阻值）電阻Rs< 3000 歐姆/面積)的情況下，在光學反射行為方面實現(xiàn)氧化鉬的有利性質(zhì)。同時，通過氮對氧的可 變比例獲得自由度，借助該自由度可在特定范圍中使氮氧化鉬的蝕刻速度變化并且氮氧化 鉬的蝕刻速度可適合于鉬或鉬合金。
[0017]在一個優(yōu)選的實施方式中，對于金屬氮氧化物層MoaXbOcNd適用以下關(guān)系：0 < b < 0.25a;0.5<c<0.75;0.01<cK0.2且 a+b+c+d = 1且c+cK 0 · 8。特別優(yōu)選地，對于金屬氮氧 化物層適用關(guān)系0 <b<0.2a;0.55<c<0.7;0.01<cK0.15 且 a+b+c+d = 1 且c+cK 0 · 8，其 中，可在特別大的程度上實現(xiàn)以上描述的優(yōu)勢。
[0018]除了由金屬氮氧化物制成的層之外，接觸結(jié)構(gòu)還可具有由一種或多種其他材料制 成的一個或多個其他層，在一個優(yōu)選的具體實例變體中，以多個層(特別是以兩個或三個 層)來建構(gòu)接觸結(jié)構(gòu)。除了由金屬氮氧化物制成的層之外，接觸結(jié)構(gòu)可具有由Al、Mo、Cu、Ag 或Au或基于這些金屬中的一種的合金(基于意味著合金的主要組份的比例大于90原子百分 比）制成的金屬層，由此實現(xiàn)接觸結(jié)構(gòu)的較高電導率。在此，由金屬氮氧化物制成的層位于 金屬層上游(在觸控傳感器裝置的使用者的檢視方向上），從而實現(xiàn)觸控傳感器裝置的有利 反射行為?？闪硗馔ㄟ^金屬氮氧化物層的層厚度的變化利用干涉效應(yīng)來使接觸結(jié)構(gòu)的反射 性能最佳化。
[0019] 在根據(jù)本發(fā)明的實施例中，觸控傳感器裝置可形成用于以用于觸摸點的電阻式 (即，電阻）或電容式的檢測。觸控傳感器裝置優(yōu)選實施為投影電容式觸控傳感器，如在 JP2013/20347中所描述。在此，觸控傳感器裝置具有多個傳感器元件，其分成兩個群組以柵 格的形式設(shè)置且充當觸控傳感器的電極。以柵格配置應(yīng)理解為觸控傳感器元件在基板表面 的不同位置處以預定義圖案（例如棋盤狀)配置。然而，柵格不限于垂直配置。因此，多個第 一傳感器電極在第一方向上設(shè)置在不同位置處，且多個第二傳感器電極在第二方向上設(shè)置 在不同位置處，其中這些傳感器電極分別在相交點處通過電絕緣層而彼此隔離。傳感器電 極的群組在相交點處通過電絕緣層中斷。具有金屬氮氧化物的接觸結(jié)構(gòu)橋接或接觸最初電 分離的這些電極。
[0020] 除了透明電極在其相交點處的橋接接觸之外，具有金屬氮氧化物層的根據(jù)本發(fā)明 的接觸結(jié)構(gòu)也可提供透明電極與用于進一步處理電信號的控制及分析單元的電連接。結(jié)合 金屬層，以此方式可在觸控傳感器裝置的可見范圍中實現(xiàn)具有高電導率的接觸，該電導率 同時滿足關(guān)于光學反射率的高要求。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明，觸控傳感器裝置可形成觸控傳感器顯示單元的一部分(所謂的觸控 面板）。在此，觸控傳感器裝置可實施為單獨的單元，且可附接至例如液晶（LCD)顯示屏或 0LED(有機發(fā)光二極體)顯示屏的顯示單元，形成所謂的"外掛式(out-cell)"觸控傳感器裝 置，參見JP2013/20347的圖3a。為了形成具有較小厚度的觸控面板，觸控傳感器裝置可以以 較大程度整合到顯示單元中。因此，例如，觸控傳感器裝置的單個組件(例如透明基板)可同 時形成LCD顯示屏的組件（"外嵌式(on-cell)"觸控傳感器裝置，該觸控傳感器裝置因此與 位于其后方的顯示屏共用基板，且不具有與顯示屏分離的基板，參見JP2013/20347的圖 3b)，或者可以以更大的程度整合到顯示單元中（"內(nèi)嵌式（in-cell)"觸控傳感器裝置，參見 US8243027)。應(yīng)注意，在由金屬層及金屬氮氧化物層制成的、根據(jù)本發(fā)明的接觸結(jié)構(gòu)的多層 實施方式的情況下，在這些層的序列中，具有金屬氮氧化物的層比金屬層與金屬層的顯示 單元間隔得遠。在觸控面板的使用者的檢視方向上，金屬氮氧化物層因此安裝于金屬層上 游且隱藏金屬層。
【具體實施方式】
[0022]下文將參照圖la、圖lb、圖2a及圖2b借助一個實施例更詳細地描述本發(fā)明。圖la及 圖2a相同且示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的觸控傳感器裝置的構(gòu)造的俯視圖，其中在圖lb及 圖2b中，以放大的橫截面來分別展示接觸結(jié)構(gòu)的層狀構(gòu)造。觸控傳感器裝置的一部分在此 在圖la及圖2a中由虛線示出。觸控傳感器裝置10為觸控面板的部分且具有由電絕緣材料制 成(例如由玻璃或透明塑料制成）的光學透明的基板1。在設(shè)計作為"外嵌式"觸控傳感器裝 置的范圍中，觸控傳感器裝置的基板同時形成LCD顯示屏的濾色基板，然而該基板亦可實施 為單獨的基板。該實施例基于觸摸的電容式檢測，且在功能及結(jié)構(gòu)上對應(yīng)于JP2013/20347 中的投影電容式觸控面板。對于電容式檢測所必需的電極由多個分層觸控傳感器元件2x及 2y形成，這些元件以棋盤狀的圖案設(shè)置在基板的同一側(cè)上的、由列及行組成的柵格中，且由 光學透明的導電材料(例如，氧化銦錫（ITO))建構(gòu)。為了說明，圖中示出了具有不同陰影的 兩個電極。這兩個電極在相交點處通過電絕緣層3而彼此隔離。在此，觸控傳感器元件的一 個群組(例如2y)在垂直方向上在各個拐角處彼此導電地連接，而觸控傳感器元件的另一群 組2x目前為電中斷。此后接著為電絕緣層3。觸控傳感器元件的群組2x在水平方向上通過橋 接用的接觸結(jié)構(gòu)4而電接觸。該接觸結(jié)構(gòu)在本實施例中以三層的形式構(gòu)建并具有由氮氧化 鉬制成的層5及由高傳導性金屬（比如A1、Mo、Cu、Ag或Au或者基于