爐管制作工藝的派工控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制作工藝方法，且特別是涉及一種爐管制作工藝的派工控 制方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在集成電路制作工藝當(dāng)中，許多步驟都必須在高溫環(huán)境下進行，例如成長氧化層 的熱氧化制作工藝等。上述的熱處理方法，一般都是將晶片置于晶舟（wafer boat)而送進 爐管反應(yīng)。
[0003] 批次爐管制作工藝由于負載效應(yīng)（loading effect)會導(dǎo)致不同擺放位置的晶片 出現(xiàn)電性或物性上的變異。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種爐管制作工藝的派工控制方法，其可降低多批晶片的 產(chǎn)品之間的特性差異。
[0005] 為達上述目的，本發(fā)明提出一種爐管制作工藝的派工控制方法，包括下列步驟。在 多批（lots)晶片進入爐管之前，算出各批晶片的特性變異值。將多批晶片依照特性變異值 的大小進行排序。將多批晶片依照特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于爐管中造成特性變異 值變小到變大的多個位置擺放在爐管中。
[0006] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，還包括 在多批晶片進入爐管之前，定義與產(chǎn)品相關(guān)的特性參數(shù)值。
[0007] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，特性參 數(shù)值例如是臨界電壓、飽和電流或電阻值。
[0008] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，特性變 異值可由特性變異值的函數(shù)所算出，特性變異值的函數(shù)例如是相關(guān)于柵極長度與用于形成 源極與漏極時的殘留氧化硅的厚度等中的至少一者。
[0009] 本發(fā)明所述的爐管制作工藝的派工控制方法，還包括對排序后的多批晶片進行挑 選。
[0010] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，對多批 晶片進行挑選的方法例如是對排序后的多批晶片按照平均批數(shù)間隔進行挑選。
[0011] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，對多批 晶片進行挑選的方法例如是將排序后的多批晶片依序編上批號，且對按照下列方程式計算 出的值進行四舍五入來挑選批號：
[0013] 其中，N為0以上的整數(shù)，且N的最大值為一批次（batch)的最大批數(shù)減1。
[0014] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，可由先 進制作工藝控制系統(tǒng)（advanced process control system, APC system)計算出多批晶片 的特性變異值。
[0015] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，可由派 工系統(tǒng)（dispatch system)決定一批次內(nèi)的多批晶片在爐管中的擺放位置。
[0016] 依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述的爐管制作工藝的派工控制方法中，可由制 造執(zhí)行系統(tǒng)（Manufacturing Execution System, MES)執(zhí)行多批晶片的派工。
[0017] 基于上述，由于在本發(fā)明所提出的爐管制作工藝的派工控制方法中，將多批晶片 依照特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于爐管中造成特性變異值變小到變大的多個位置擺 放在爐管中，所以由前制作工藝所造成的特性變異與由爐管制作工藝所造成的特性變異可 彼此交互作用而補償或減低特性變異，因此可降低多批晶片的產(chǎn)品之間的特性差異。
[0018] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附的附 圖作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0019] 圖1為本發(fā)明的一實施例的爐管制作工藝的派工控制方法的流程圖；
[0020] 圖2為本發(fā)明的一實施例的爐管的示意圖。
[0021] 符號說明
[0022] 100 :爐管
[0023] 102 :批
[0024] 104:晶片
[0025] S100、S110、S120、S130、S140 :步驟標號
【具體實施方式】
[0026] 圖1為本發(fā)明的一實施例的爐管制作工藝的派工控制方法的流程圖。圖2為本發(fā) 明的一實施例的爐管的示意圖。
[0027] 請參照圖1，本實施例的爐管制作工藝的派工控制方法包括下列步驟。首先，可選 擇性地進行步驟S100,在多批晶片進入爐管之前，定義與產(chǎn)品相關(guān)的特性參數(shù)值。特性參數(shù) 值例如是與產(chǎn)品的電性或物性等相關(guān)的特性參數(shù)值，如臨界電壓、飽和電流或電阻值。
[0028] 接著，進行步驟S110,在多批晶片進入爐管之前，算出各批晶片的特性變異值。特 性變異值可由特性變異值的函數(shù)所算出，特性變異值的函數(shù)例如是相關(guān)于柵極長度與用于 形成源極與漏極時的殘留氧化硅的厚度等中的至少一者。在一實施例中，可由先進制作工 藝控制系統(tǒng)計算出多批晶片的特性變異值。
[0029] 然后，進行步驟S120,將多批晶片依照特性變異值的大小進行排序。排序的方式可 由大至小或由小至大進行排序。
[0030] 接下來，可選擇性地進行步驟S130,對排序后的多批晶片進行挑選。對多批晶片進 行挑選的方法例如是對排序后的多批晶片按照平均批數(shù)間隔進行挑選。
[0031] 在一實施例中，對多批晶片進行挑選的方法例如是將排序后的多批晶片依序編上 批號，且對按照下列方程式計算出的值進行四舍五入來挑選批號：
[0033] 其中，N為0以上的整數(shù)，且N的最大值為一批次的最大批數(shù)減1。
[0034] 舉例來說，當(dāng)多批晶片的總批數(shù)為10批且一批次的最大批數(shù)為4批時，則在第一 批次中，N為0、1、2、3,依照上述方程式所選出的批號為第1批、第4批、第7批及第10批。 在進行第一批次的爐管制作工藝之后，在第二批次中的多批晶片的總批數(shù)剩下6批，重新 對排序后的多批晶片依序編上批號，N同樣為0、1、2、3,則依照上述方程式所選出的批號為 第1批、第3批、第4批及第6批。在進行第二批次的爐管制作工藝之后，在第三批次選出 剩下的2批晶片。
[0035] 基于上述可知，當(dāng)多批晶片的總批數(shù)大于一批次的最大批數(shù)時，依照上述挑選方 法可避免在進行一批次的爐管操作時挑選到特性變異值都偏大或都偏小的多批晶片。
[0036] 之后，進行步驟S140,將多批晶片依照特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于爐管中 造成特性變異值變小到變大的多個位置擺放在爐管中。亦即，將特性變異值大的此批晶片 擺放在爐管中造成特性變異值變小的位置，且將特性變異值小的此批晶片擺放在爐管中造 成特性變異值變大的位置。由于爐管的負載效應(yīng)會導(dǎo)致不同擺放位置的晶片出現(xiàn)特性變 異，因此可通過多批晶片的擺放位置的設(shè)定，而利用由上述爐管制作工藝所造成的特性變 異來補償或減低由前制作工藝所造成的特性變異，以降低多批晶片的產(chǎn)品之間的特性差 異。
[0037] 在一實施例中，可由派工系統(tǒng)決定一批次內(nèi)的多批晶片在爐管中的擺放位置。此 外，可由制造執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行多批晶片的派工。
[0038] 舉例來說，請參照圖2,爐管100在一批次的最大批數(shù)為五批102, 一批102中包括 5片晶片104,亦即在一批次的爐管操作中最多可擺放五批102的晶片104,在爐管100中共 擺放25片晶片104。爐管100例如是用于形成氧化硅的爐管，但本發(fā)明并不以此為限，于此
技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者可依照制作工藝需求而選擇爐管100的種類。爐管100例如是垂 直爐管或水平爐管。在本實施例中，爐管100是以垂直爐管為例進行說明。此外，爐管100 的負載效應(yīng)例如會造成位于不同擺放位置的多批102的晶片104的膜層的厚度或致密性等 性質(zhì)產(chǎn)生變異，進而造成多批102的晶片104的產(chǎn)品之間的特性差異（如，臨界電壓變異、 飽和電流變異或電阻值變異）。
[0039] 當(dāng)爐管100中由上而下的位置分別是造成特性變異值由變小到變大的位置時，則 可將排序后的五批102晶片104依照特性變異值由大到小的順序依序擺放在爐管100中由 上而下的位置。反之，當(dāng)爐管100中由上而下的位置分別是造成特性變異值由變大到變小 的位置時，則可將排序后的五批102晶片104依照特性變異值由小到大的順序依序擺放在 爐管100中由上而下的位置。在上述實施例中，雖然爐管100的一批次的最大批數(shù)為五批， 然而本發(fā)明并不以此為限，于此技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者可依據(jù)爐管100本身的規(guī)格及設(shè) 定而決定爐管100的一批次的最大批數(shù)。
[0040] 基于上述可知，在上述實施例所提出的爐管制作工藝的派工控制方法中，將多批 晶片依照特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于爐管中造成特性變異值變小到變大的多個位 置擺放在爐管中，所以由前制作工藝所造成的特性變異與由爐管制作工藝所造成的特性變 異可彼此交互作用而補償或減低特性變異，因此可降低多批晶片的產(chǎn)品之間的特性差異。
[0041] 雖然結(jié)合以上實施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā) 明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準。
【主權(quán)項】
1. 一種爐管制作工藝的派工控制方法，包括： 在多批晶片進入一爐管之前，算出各該批晶片的一特性變異值； 將該多批晶片依照該些特性變異值的大小進行排序；W及 將該多批晶片依照該些特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于該爐管中造成該特性變異 值變小到變大的多個位置擺放在該爐管中。2. 如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，還包括在該多批晶片進入該爐 管之前，定義與產(chǎn)品相關(guān)的一特性參數(shù)值。3. 如權(quán)利要求2所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中該特性參數(shù)值包括臨界電 壓、飽和電流或電阻值。4. 如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中該些特性變異值是由該特 性變異值的函數(shù)所算出，該特性變異值的函數(shù)相關(guān)于柵極長度與用于形成源極與漏極時的 殘留氧化娃的厚度中的至少一者。5. 如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，還包括對排序后的該多批晶片 進行挑選。6. 如權(quán)利要求5所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中該對該多批晶片進行挑選 的方法包括對排序后的該多批晶片按照平均批數(shù)間隔進行挑選。7. 如權(quán)利要求5所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中該對該多批晶片進行挑選 的方法包括將排序后的該多批晶片依序編上批號，且對按照下列方程式計算出的值進行四 舍五入來挑選批號：其中，N為0W上的整數(shù)，且N的最大值為一批次的最大批數(shù)減1。8. 如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中由先進制作工藝控制系統(tǒng) 計算出該多批晶片的該些特性變異值。9. 如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中由派工系統(tǒng)決定一批次內(nèi) 的該多批晶片在該爐管中的擺放位置。10. 如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中由制造執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行該 多批晶片的派工。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種爐管制作工藝的派工控制方法，包括下列步驟。在多批晶片進入爐管之前，算出各批晶片的特性變異值。將多批晶片依照特性變異值的大小進行排序。將多批晶片依照特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于爐管中造成特性變異值變小到變大的多個位置擺放在爐管中。
【IPC分類】G06Q10/06, H01L21/67
【公開號】CN105321030
【申請?zhí)枴緾N201410423861
【發(fā)明人】吳俊達, 蕭世宗, 陳建中
【申請人】力晶科技股份有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2014年8月26日
【公告號】US20160025414