一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場(chǎng)傳感器?；魻栃?yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是霍爾(A.H.Hall，1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)，而半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)比金屬?gòu)?qiáng)得多，利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件，廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、載流子濃度及載流子迀移率等重要參數(shù)。
[0003]目前，由于現(xiàn)有半導(dǎo)體霍爾元件結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大、使用壽命短、響應(yīng)速度慢、靈敏度低，極大的限制了半導(dǎo)體霍爾元件的應(yīng)用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、靈敏度高的霍爾元件。
[0005]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中心設(shè)置有絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)中設(shè)置有十字形霍爾元件，所述十字形霍爾元件連接有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端，所述絕緣環(huán)兩側(cè)分別設(shè)置有磁性體安裝區(qū)，所述磁性體安裝區(qū)中設(shè)置有磁性條。
[0006]所述半導(dǎo)體霍爾元件的霍爾電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化，磁場(chǎng)越強(qiáng)，電壓越高，磁場(chǎng)越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個(gè)毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào)。所述磁性體安裝區(qū)中設(shè)置的磁性條用于集中磁力線和提高元件靈敏度，它的體積越大，元件的輸出靈敏度越高。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0008]進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底，所述單晶硅襯底迀移率高有利于半導(dǎo)體霍爾元件響應(yīng)速度、靈敏度的提高。
[0009]進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體十字形霍爾元件為銻化銦元件，所述銻化銦光譜范圍寬，作為磁敏電阻有利于拓寬霍爾元件的響應(yīng)范圍。
[0010]進(jìn)一步，所述第一輸入端、第二輸入端為電流輸入端，所述第一輸出端、第二輸出端為電壓輸出端，所述第一輸出端、第二輸出端構(gòu)成外部回路，產(chǎn)生霍爾效應(yīng)。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、靈敏度高。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:1、半導(dǎo)體襯底，2、十字形霍爾元件，3、絕緣環(huán)，4、磁性體安裝區(qū)，5、磁性條，6、第一輸入端，7、第二輸入端，8、第一輸出端，9、第二輸出端。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0015]如圖1所示，一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，包括半導(dǎo)體襯底I，所述半導(dǎo)體襯底I中心設(shè)置有絕緣環(huán)3，所述絕緣環(huán)3中設(shè)置有十字形霍爾元件2，所述十字形霍爾元件2連接有第一輸入端6、第二輸入端7、第一輸出端8、第二輸出端9，所述絕緣環(huán)3兩側(cè)分別設(shè)置有磁性體安裝區(qū)4，所述磁性體安裝區(qū)4中設(shè)置有磁性條5。
[0016]所述半導(dǎo)體霍爾元件的霍爾電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化，磁場(chǎng)越強(qiáng)，電壓越高，磁場(chǎng)越弱，電壓越低?；魻栯妷褐岛苄?，通常只有幾個(gè)毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào)。所述磁性體安裝區(qū)4中設(shè)置的磁性條5用于集中磁力線和提高元件靈敏度，它的體積越大，元件的輸出靈敏度越高。
[0017]所述半導(dǎo)體襯底I為單晶硅襯底，所述單晶硅襯底迀移率高有利于半導(dǎo)體霍爾元件響應(yīng)速度、靈敏度的提高。所述半導(dǎo)體十字形霍爾元件2為銻化銦元件，所述銻化銦光譜范圍寬，作為磁敏電阻有利于拓寬霍爾元件的響應(yīng)范圍。所述第一輸入端6、第二輸入端7為電流輸入端，所述第一輸出端8、第二輸出端9為電壓輸出端，所述第一輸出端8、第二輸出端9構(gòu)成外部回路，產(chǎn)生霍爾效應(yīng)。
[0018]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中心設(shè)置有絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)中設(shè)置有十字形霍爾元件，所述十字形霍爾元件連接有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端，所述絕緣環(huán)兩側(cè)分別設(shè)置有磁性體安裝區(qū)，所述磁性體安裝區(qū)中設(shè)置有磁性條。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體十字形霍爾元件為銻化銦元件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，其特征在于，所述第一輸入端、第二輸入端為電流輸入端，所述第一輸出端、第二輸出端為電壓輸出端。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中心設(shè)置有絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)中設(shè)置有十字形霍爾元件，所述十字形霍爾元件連接有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端，所述絕緣環(huán)兩側(cè)分別設(shè)置有磁性體安裝區(qū)，所述磁性體安裝區(qū)中設(shè)置有磁性條。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、靈敏度高。
【IPC分類】G01R33/07
【公開(kāi)號(hào)】CN205333836
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620020936
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】重慶三零三科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2016年1月12日