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一種陶瓷參比電極的制作方法

文檔序號:40626552發(fā)布日期:2025-01-10 18:32閱讀:2來源:國知局
一種陶瓷參比電極的制作方法

本技術屬于參比電極,特別涉及一種陶瓷參比電極。


背景技術:

1、參比電極測量各種電極電勢時作為參照比較的電極。常見的深比電極主要由銅/長效參比電極、高純鋅電極以及銀/氯化銀電極三種。長效參比電極的滲透率決定長效參比電極的使用年限。

2、現(xiàn)有的長效參比電極具有滲透率高,硫酸銅晶體滲透在外壁,若長期浸泡在潮濕土壤或水中使用時。會導致硫酸銅晶體大量流出,使其達不到硫酸銅飽和溶液的基本要求,導致最后測試及控制數(shù)據(jù)不準確。

3、鑒于此,如何解決上述技術方案中存在的缺陷,成為參比電極技術領域亟待解決的問題之一。


技術實現(xiàn)思路

1、鑒于背景技術中存在的問題,本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,提供一種陶瓷參比電極,以解決現(xiàn)有的參比電極具有滲透率高,硫酸銅晶體滲透在外壁,若長期浸泡在潮濕土壤或水中使用時。會導致硫酸銅晶體大量流出,使其達不到硫酸銅飽和溶液的基本要求,導致最后測試及控制數(shù)據(jù)不準確的問題。

2、本實用新型通過以下技術方案實現(xiàn),本實用新型公開了一種陶瓷參比電極,包括參比電極本體,所述參比電極本體設置有管體和設置于所述管體內(nèi)的電極絲,且所述管體設置有外管體和內(nèi)管體;所述外管體套設于所述內(nèi)管體外側,且所述外管體和所述內(nèi)管體由具有微孔的陶瓷制品制成。

3、優(yōu)選的,所述外管體和所述內(nèi)管體的微孔孔徑為1.25-1.6um,優(yōu)選

4、1.25um。

5、優(yōu)選的,所述外管體和所述內(nèi)管體相鄰兩組微孔孔間距為2.5um。

6、優(yōu)選的,所述管體兩端分別設置有密封件和保護套,且設置于所述管體內(nèi)的電極絲一端固定安裝至密封件上。

7、優(yōu)選的,所述外管體上通過固定連接的方式安裝有所述護套,且所述護套上設置有連接帶,且所述連接帶與所述護套呈一體化設置,所述連接帶上內(nèi)外兩側均設置有定位柱。

8、優(yōu)選的,設置于所述護套一側的所述外管體上固定設置有套環(huán),且所述套環(huán)、所述外管體和所述內(nèi)管體上設置有貫穿的孔,且所述孔內(nèi)設置有所述定位柱,通過所述定位柱對所述孔內(nèi)進行密封。

9、優(yōu)選的,所述密封件設置有密封帽,且所述密封帽螺紋連接安裝于所述內(nèi)管體內(nèi),且所述內(nèi)管體與所述密封帽之間設置有第二密封環(huán)。

10、優(yōu)選的,所述密封帽設置有貫穿孔,貫穿孔用于所述導線通過。

11、優(yōu)選的,所述內(nèi)管體螺紋連接所述保護套,所述保護套與所述內(nèi)管體之間設置有第一密封環(huán)。

12、綜上所述,本實用新型的有益效果是:

13、通過采用具有微孔的陶瓷制品制成的管體,且當所述外管體和所述內(nèi)管體的微孔孔徑為1.25um時,此時管體的密封性能最優(yōu),能避免填充液通過孔徑流出,同時足夠離子以及電子通過,進而能夠有效防止硫酸銅晶體的流失,提高測試數(shù)據(jù)的準確性。



技術特征:

1.一種陶瓷參比電極,其特征在于,包括參比電極本體,所述參比電極本體設置有管體和設置于所述管體內(nèi)的電極絲,且所述管體設置有外管體和內(nèi)管體;所述外管體套設于所述內(nèi)管體外側,且所述外管體和所述內(nèi)管體由具有微孔的陶瓷制品制成。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

3.根據(jù)權利要求2所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

4.根據(jù)權利要求1所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

5.根據(jù)權利要求1所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

6.根據(jù)權利要求5所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

7.根據(jù)權利要求4所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

8.根據(jù)權利要求7所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,

9.根據(jù)權利要求1所述的一種陶瓷參比電極,其特征在于,


技術總結
本申請?zhí)峁┮环N陶瓷參比電極,包括參比電極本體,所述參比電極本體設置有管體和設置于所述管體內(nèi)的電極絲,且所述管體設置有外管體和內(nèi)管體;所述外管體套設于所述內(nèi)管體外側,且所述外管體和所述內(nèi)管體由具有微孔的陶瓷制品制成。通過采用具有微孔的陶瓷制品制成的管體,且當所述外管體和所述內(nèi)管體的微孔孔徑為1.25um時,此時管體的密封性能最優(yōu),能避免填充液通過孔徑流出,同時足夠離子以及電子通過,進而能夠有效防止硫酸銅晶體的流失,提高測試數(shù)據(jù)的準確性。

技術研發(fā)人員:魏兆波,遲延濤,藍光勇,蘇紅俊
受保護的技術使用者:青島海孚防腐科技開發(fā)有限公司
技術研發(fā)日:20240612
技術公布日:2025/1/9
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