所屬的技術(shù)人員知道，本申請可以實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本公開可以具體實(shí)現(xiàn)為以下形式，即：可以是完全的硬件、也可以是完全的軟件(包括固件、駐留軟件、微代碼等)，還可以是硬件和軟件結(jié)合的形式，本文一般稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。此外，在一些實(shí)施例中，本申請還可以實(shí)現(xiàn)為在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中包含計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼?？梢圆捎靡粋€(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀的介質(zhì)的任意組合。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是計(jì)算機(jī)可讀信號(hào)介質(zhì)或者計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)例如可以是一一但不限于——電、磁、光、電磁、紅外線、或半導(dǎo)體的系統(tǒng)、裝置或器件，或者任意以上的組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的更具體的例子(非窮舉的列表)包括:具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線的電連接、便攜式計(jì)算機(jī)磁盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram),只讀存儲(chǔ)器(rom)、可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(eprom或閃存)、光纖、便攜式緊湊磁盤只讀存儲(chǔ)器(cd-rom)、光存儲(chǔ)器件、磁存儲(chǔ)器件、或者上述的任意合適的組合。在本文件中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以是任何包含或存儲(chǔ)程序的有形介質(zhì)，該程序可以被指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本申請的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本申請的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本申請的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。在此基礎(chǔ)上，可以對本申請進(jìn)行多種替換和改進(jìn)，這些均落入本申請的保護(hù)范圍內(nèi)。

背景技術(shù)：

1、當(dāng)前第三代半導(dǎo)體如氮化鎵和碳化硅高壓功率器件產(chǎn)品，因其高壓大電流產(chǎn)品特性，需要進(jìn)行晶圓級(jí)wafer(晶片)的電性篩選檢測，并高壓和大電流檢測，高壓一般在650v以上，大電流一般為數(shù)安培到數(shù)十安培。其中，高壓容易發(fā)生電弧放電甚至擊穿，影響晶圓的測試質(zhì)量和可靠性，甚至導(dǎo)致晶圓本身的損傷。

2、為了防止高壓測試環(huán)境容易出現(xiàn)電弧放電的現(xiàn)象，一般采用在測試的探針卡測試機(jī)面加吹氮?dú)獾难b置，探針卡晶圓面一般采用氮?dú)猸h(huán)的裝置。在測試時(shí)候吹氮?dú)猓卺樇饨咏A時(shí)，氮?dú)庥捎诔隹诒欢伦?，壓力升大，氮?dú)猸h(huán)被氣流托起而抬升在離晶圓50um，但此時(shí)氮?dú)饷芏纫呀?jīng)滿足高壓絕緣條件，測試時(shí)不再打火，從而不會(huì)因?yàn)殡娀》烹姸鴤Φ骄A。

3、但是這種方法有一定缺陷，隨著測試次數(shù)增加，氮?dú)猸h(huán)由于外部因素容易卡住，不能自由上下移動(dòng)。氮?dú)猸h(huán)被卡住時(shí)容易造成三個(gè)問題，一是容易壓傷晶圓表面；二是如果卡住的位置太高，這時(shí)候氮?dú)饷芏炔粔颍斐呻娀》烹姄舸┚A上的芯片(die)；三是即使氮?dú)猸h(huán)沒有卡住，由于抬升高度只有50um,有些晶圓做雪崩測試時(shí)會(huì)飛濺一些金屬顆粒到氮?dú)猸h(huán)上，測試時(shí)容易壓傷晶圓。

4、目前已經(jīng)出現(xiàn)了不用氮?dú)猸h(huán)的裝置，就是用個(gè)方框或圓桶裝置罩著探針，探針高出圓桶/方框200um左右，測試時(shí)候針壓在50～70um時(shí)，晶圓離開方框或圓桶的最下端的在130～150um左右。但是這種裝置存在另外一個(gè)缺陷，一是如果針長變短，圓桶/方框容易傷害到晶圓，二是如果針壓誤輸入過大，也是容易造成針卡或晶圓損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，用以解決集成電路晶圓測試中損傷晶圓的問題。

2、本申請?zhí)峁┝艘环N可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，包括：氮?dú)猸h(huán)，其中，

3、所述氮?dú)猸h(huán)包括氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和氮?dú)馔猸h(huán)，所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)套裝滑動(dòng)連接，所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間設(shè)置有導(dǎo)向機(jī)構(gòu)和固定機(jī)構(gòu)，

4、所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)，用于對所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的滑動(dòng)進(jìn)行導(dǎo)向；

5、所述固定機(jī)構(gòu)，用于在調(diào)整所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的相對位置后對所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)進(jìn)行固定。

6、在上述技術(shù)方案中，通過在所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間設(shè)置導(dǎo)向機(jī)構(gòu)和固定機(jī)構(gòu)，所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)，用于對所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的滑動(dòng)進(jìn)行導(dǎo)向；所述固定機(jī)構(gòu)，用于在調(diào)整所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的相對位置后對所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)進(jìn)行固定；能夠根據(jù)實(shí)際情況來調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)的高度，避免氮?dú)猸h(huán)被卡住位置距離pcb太高而造成的氮?dú)饷芏炔粔蚨斐纱蚧饐栴}傷害晶圓；避免氮?dú)猸h(huán)被卡住而位置距離pcb太低而壓傷晶圓；避免氮?dú)猸h(huán)上有金屬顆粒(做雪崩測試時(shí)會(huì)飛濺一些金屬顆粒到氮?dú)猸h(huán)上)而壓傷晶圓；能夠提高針卡壽命，針短了，可以手動(dòng)調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度。

7、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)為設(shè)置在所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)上的導(dǎo)向面。

8、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述導(dǎo)向面為平面或凸面。

9、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述固定機(jī)構(gòu)為設(shè)置在所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的固定柱。

10、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述固定柱穿過所述氮?dú)馔猸h(huán)與所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)抵接。

11、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述固定柱為螺栓或定位銷。

12、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述固定柱的數(shù)量為多個(gè)。

13、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)均采用特種工程塑料制成。

14、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，所述特種工程塑料包括聚醚醚酮樹脂。

15、在一個(gè)具體可實(shí)施方案中，還包括針卡pcb板，其中，

16、所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)的一端與所述針卡pcb板固定連接，所述針卡pcb板的探針穿裝設(shè)置于所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)，且所述針卡pcb板的探針的末端穿過所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)。

技術(shù)特征：

1.一種可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，包括：氮?dú)猸h(huán)，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)為設(shè)置在所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)上的導(dǎo)向面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述導(dǎo)向面為平面或凸面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述固定機(jī)構(gòu)為設(shè)置在所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的固定柱。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述固定柱穿過所述氮?dú)馔猸h(huán)與所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)抵接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述固定柱為螺栓或定位銷。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述固定柱的數(shù)量為多個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)均采用特種工程塑料制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，所述特種工程塑料包括聚醚醚酮樹脂。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，其特征在于，還包括針卡pcb板，其中，

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡，該可調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)高度的高電壓探針卡包括：氮?dú)猸h(huán)，所述氮?dú)猸h(huán)包括氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和氮?dú)馔猸h(huán)，所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)套裝滑動(dòng)連接，所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間設(shè)置有導(dǎo)向機(jī)構(gòu)和固定機(jī)構(gòu)，所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)，用于對所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的滑動(dòng)進(jìn)行導(dǎo)向；所述固定機(jī)構(gòu)，用于在調(diào)整所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)之間的相對位置后對所述氮?dú)鈨?nèi)環(huán)和所述氮?dú)馔猸h(huán)進(jìn)行固定。在上述技術(shù)方案中，能夠根據(jù)實(shí)際情況來調(diào)節(jié)氮?dú)猸h(huán)的高度，避免氮?dú)猸h(huán)被卡住位置距離PCB太高而造成的氮?dú)饷芏炔粔蚨斐纱蚧饐栴}傷害晶圓；避免氮?dú)猸h(huán)被卡住而位置距離PCB太低而壓傷晶圓。

技術(shù)研發(fā)人員：陳保滿,肖佳龍,何鵬,吳光明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京確安科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9