本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法。

背景技術(shù)：

MIM(metal-insulator-metal)電容由由下至上依次堆疊的下極板、絕緣層及上極板構(gòu)成，MIM電容主要有平坦MIM電容及層疊MIM電容兩種類型。由于層疊MIM電容相較于傳統(tǒng)MIM電容(即平坦MIM電容)可以節(jié)省很多芯片空間，其已得到廣泛的應(yīng)用。

為了檢測所述平坦MIM電容及所述層疊MIM電容的性能，需要設(shè)置相應(yīng)的檢測結(jié)構(gòu)對其進(jìn)行檢測。所述平坦MIM電容及所述層疊MIM電容的檢測結(jié)構(gòu)分別如圖1及圖2所示。由圖1可知，現(xiàn)有的平坦MIM電容的檢測結(jié)構(gòu)包括第一MIM電容單元11及第二MIM電容單元12，所述第一MIM電容單元11及所述第二MIM電容單元12均包括由下至上依次層疊的下極板111、絕緣層112及上極板113；所述第一MIM電容單元11及所述第二MIM電容單元12的下極板111由同一層金屬層構(gòu)成，所述第一MIM電容單元11及所述第二MIM電容單元12的下極板111通過金屬插塞13與另一金屬層14相連通后連接于第一電極(未示出)，所述第一MIM電容單元11及所述第二MIM電容單元12的上極板113通過金屬插塞13與另一金屬層14相連通后連接于第二電極(未示出)。由圖2可知，現(xiàn)有的層疊MIM電容的檢測結(jié)構(gòu)包括第一MIM電容單元11及第二MIM電容單元12，所述第一MIM電容單元11及所述第二MIM電容單元12均包括由下至上依次層疊的下極板111、絕緣層112及上極板113；所述第一MIM電容單元11及所述第二MIM電容單元12的下極板111由不同的金屬層構(gòu)成，所述第二MIM電容單元12的下極板111及上電極113分別通過金屬插塞13與另一金屬層14相連通后連接于第一電極(未示出)及第二電極(未示出)；所述第一MIM電容單元11的上電極113與所述第二MIM電容單元12的下電極111通過金屬插塞13相連接，所述第一MIM電容單元11的下極板113通過金屬插塞13與另一金屬層14相連通后連接于第二電極(未示出)。所述平坦MIM電容及所述層疊MIM電容的電路圖均如圖3所示，所述第一MIM電容單元與所述第二MIM電容單元并聯(lián)后連接于所述第一電極15與所述第二電極16之間。

在對于上述兩種檢測結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測時(shí)，若發(fā)現(xiàn)檢測結(jié)構(gòu)失效，可以通過兩種方法判斷是哪一個(gè)或哪一層的MIM單元失效：一為通過在線檢查檢測結(jié)構(gòu)所完成的所有工藝記錄，以確定是在哪道工序出現(xiàn)問題；二為逐個(gè)或逐層進(jìn)行失效分析，以最終找到失效的MIM單元。然而，上述兩種方法中整個(gè)檢測過程比較繁瑣，耗時(shí)較長，必定會(huì)造成人力財(cái)力的浪費(fèi)。

因此，有必要提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法，以改變上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的MIM檢測結(jié)構(gòu)在檢測哪一個(gè)或哪一層MIM單元失效的檢測過程比較繁瑣、耗時(shí)較長的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括第一電極及第二電極，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括：第一MIM電容單元、第二MIM電容單元及二極管；其中

所述第一MIM電容單元及所述第二MIM單元二者中任一者與所述二極管串聯(lián)以形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，另一者與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)以形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)；所述并聯(lián)結(jié)構(gòu)連接于所述第一電極與所述第二電極之間。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一MIM電容單元與所述二極管串聯(lián)以形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述第二MIM電容單元并聯(lián)以形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)包括N型摻雜區(qū)域及P型摻雜區(qū)域，所述P型摻雜區(qū)域包圍所述N型摻雜區(qū)域形成所述二極管；

所述第一MIM電容單元及所述第二MIM電容單元依次由下至上形成于所述半導(dǎo)體襯底上；所述第一MIM電容單元及所述第二MIM電容單元經(jīng)由金屬插塞相連接；所述第二MIM電容單元與所述第一電極及第二電極相連接，所述第一MIM電容單元與所述P型摻雜區(qū)域相連接；所述N型摻雜區(qū)域與所述第二電極相連接。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一MIM電容單元及所述第二MIM電容單元均為層疊結(jié)構(gòu)，由下至上依次包括下極板、絕緣層及上極板；

所述第二MIM電容單元的下極板與所述第一電極及所述第一MIM電容單元的上極板相連接，所述第二MIM電容單元的上極板與所述第二電極相連接；所述第一MIM電容單元的下極板與所述P型摻雜區(qū)域相連接。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第二MIM電容單元與所述二極管串聯(lián)以形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述第一MIM電容單元并聯(lián)以形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)包括N型摻雜區(qū)域及P型摻雜區(qū)域，所述P型摻雜區(qū)域包圍所述N型摻雜區(qū)域形成所述二極管；

所述第一MIM電容單元及所述第二MIM電容單元依次由下至上形成于所述半導(dǎo)體襯底上；所述第一MIM電容單元及所述第二MIM電容單元經(jīng)由金屬插塞相連接；所述第一MIM電容單元與所述第二電極相連接，所述第二MIM電容單元與所述第二電極及所述N型摻雜區(qū)域相連接；所述P型摻雜區(qū)域與所述第一電極相連接。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一MIM電容單元及所述第二MIM電容單元均為層疊結(jié)構(gòu)，由下至上依次包括下極板、絕緣層及上極板；

所述第二MIM電容單元的下極板與所述N型摻雜區(qū)域及所述第一MIM電容單元的上極板相連接，所述第二MIM電容單元的上極板與所述第二電極相連接；所述第一MIM電容單元的下極板與所述第二電極相連接。

本發(fā)明還提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法，所述檢測方法包括：

S1：提供如上述方案中中任一項(xiàng)所述的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，在所述第一電極施加正向電壓，在所述第二電極施加負(fù)向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)是否失效，若所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)未失效，檢測結(jié)束；若所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)失效，則執(zhí)行步驟S2；

S2：重新在所述第一電極施加負(fù)向電壓，在所述第二電極施加正向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷所述第一MIM電容單元或所述第二MIM電容單元失效。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法的一種優(yōu)選方案，判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)是否失效的具體方法為：若電路中無電流通過，則判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)未失效；若電路中有電流通過，則判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)失效。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法的一種優(yōu)選方案，判斷所述第一MIM電容單元或所述第二MIM電容單元失效的具體方法為：若電路中無電流通過，則判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元失效；若電路中有電流通過，則判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效。

本發(fā)明還提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法，所述檢測方法包括：

S1：提供如上述方案中任一項(xiàng)所述的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，在所述第一電極施加負(fù)向電壓，在所述第二電極施加正向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元是否失效，若與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效，檢測結(jié)束；若與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元未失效，則執(zhí)行步驟S2；

S2：重新在所述第一電極施加正向電壓，在所述第二電極施加負(fù)向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元是否失效。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法的一種優(yōu)選方案，判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu) 并聯(lián)的MIM電容單元是否失效的具體方法為：若電路中無電流通過，則判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元未失效；若電路中有電流通過，則判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效。

作為本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法的一種優(yōu)選方案，判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元是否失效的具體方法為：若電路中無電流通過，則判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元未失效；若電路中有電流通過，則判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元失效。

如上所述，本發(fā)明的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法，具有以下有益效果：通過在一層MIM電容單元上串聯(lián)二極管，可以簡便快捷地檢測出失效的MIM電容單元，大大節(jié)省了檢測時(shí)間，進(jìn)而提高了檢測效率。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的平坦MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的平坦MIM電容檢測結(jié)構(gòu)及層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖4顯示為本發(fā)明實(shí)施例一中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明實(shí)施例一中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖6顯示為本發(fā)明實(shí)施例二中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明實(shí)施例二中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖8顯示為本發(fā)明實(shí)施例三中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法的流程圖。

圖9至圖10顯示為本發(fā)明實(shí)施例三中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法中以實(shí)施例一中提供的檢測結(jié)構(gòu)為示例的電路圖。

圖11顯示為本發(fā)明實(shí)施例四中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法的流程圖。

圖12至圖13顯示為本發(fā)明實(shí)施例四中提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法中以實(shí)施例一中提供的檢測結(jié)構(gòu)為示例的電路圖。

元件標(biāo)號說明

11 第一MIM電容單元

111 下極板

112 絕緣層

113 上極板

12 第二MIM電容單元

13 金屬插塞

14 金屬層

15 第一電極

16 第二電極

21 第一MIM電容單元

211 下極板

212 絕緣層

213 上極板

22 第二MIM電容單元

23 金屬插塞

24 金屬層

25 第一電極

26 第二電極

27 半導(dǎo)體襯底

28 二極管

281 N型摻雜區(qū)域

282 P型摻雜區(qū)域

具體實(shí)施方式

以下由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。

請參閱圖4至圖13。須知，本說明書所附圖示所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中部”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。

請參閱圖4至圖7，本發(fā)明提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括第一電極25及第二電極26，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括：第一MIM電容單 元21、第二MIM電容單元22及二極管28；其中

所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM單元22二者中任一者與所述二極管28串聯(lián)以形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，另一者與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)以形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)；所述并聯(lián)結(jié)構(gòu)連接于所述第一電極25與所述第二電極26之間。為了便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對本發(fā)明提供的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)具體陳述。

實(shí)施例一

請參閱圖4至圖5，本發(fā)明提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括第一電極25及第二電極26，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括：第一MIM電容單元21、第二MIM電容單元22及二極管28；其中，所述第一MIM電容單元21與所述二極管28串聯(lián)以形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述第二MIM電容單元22并聯(lián)以形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)；所述并聯(lián)結(jié)構(gòu)連接于所述第一電極25與所述第二電極26之間。

作為示例，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底27，所述半導(dǎo)體襯底27內(nèi)包括N型摻雜區(qū)域281及P型摻雜區(qū)域282，所述P型摻雜區(qū)域282包圍所述N型摻雜區(qū)域281形成所述二極管28；所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22依次由下至上形成于所述半導(dǎo)體襯底27上；具體的，所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22依次由下至上形成于所述半導(dǎo)體襯底27上的不同金屬層24上，圖4以所述第一MIM電容單元21形成于所述半導(dǎo)體襯底27上的第三金屬層上、所述第二MIM電容單元22形成于所述半導(dǎo)體27上的第四金屬層上示例。所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22均為層疊結(jié)構(gòu)，由下至上依次包括下極板211、絕緣層212及上極板213；所述第二MIM電容單元22的下極板211與所述第一電極25通過金屬插塞23及一金屬層24相連接，且所述第二MIM電容單元22的下極板211與所述第一MIM電容單元21的上極板213通過金屬插塞23相連接，所述第二MIM電容單元22的上極板213與所述第二電極26通過金屬插塞23及一金屬層24相連接；所述第一MIM電容單元21的下極板211與所述P型摻雜區(qū)域282通過金屬插塞23相連接；所述N型摻雜區(qū)域281與所述第二電極26通過金屬插塞23及一金屬層24相連接。

作為示例，所述N型摻雜區(qū)域281為重?fù)诫s區(qū)域，所述P型摻雜區(qū)域281位輕摻雜區(qū)域；即所述N型摻雜區(qū)域281內(nèi)的離子摻雜濃度大于或等于1E18cm^-3，所述P型摻雜區(qū)域282內(nèi)的離子摻雜濃度小于或等于1E16cm^-3。

作為示例，連接所述N型摻雜區(qū)域281及所述第二電極26的所述金屬插塞23串接有至少與所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22所在的金屬層24相對應(yīng)的多層金屬層24，連接所述N型摻雜區(qū)域281及所述第二電極26的所述金屬插塞23串接的所述 金屬層24與連接所述P型摻雜區(qū)域282、所述第一MIM電容單元21、所述第二MIM電容單元22及所述第一電極25的金屬插塞23串接的所述金屬層24間隔有一定的間距。

作為示例，所述第一電極25為陽極，所述第二電極26為陰極。

作為示例，所述第一電極25為陰極，所述第二電極26為陽極。

通過在所述第一MIM電容單元21上串聯(lián)所述二極管28，可以簡便快捷地檢測出是所述第一MIM單元21失效還是所述第二MIM單元22失效，大大節(jié)省了檢測時(shí)間，進(jìn)而提高了檢測效率。

實(shí)施例二

請參閱圖6至圖7，本發(fā)明還提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括第一電極25及第二電極26，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括：第一MIM電容單元21、第二MIM電容單元22及二極管28；其中，所述第二MIM電容單元22與所述二極管28串聯(lián)以形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述第一MIM電容單元21并聯(lián)以形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)；所述并聯(lián)結(jié)構(gòu)連接于所述第一電極25與所述第二電極26之間。

作為示例，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底27，所述半導(dǎo)體襯底27內(nèi)包括N型摻雜區(qū)域281及P型摻雜區(qū)域282，所述P型摻雜區(qū)域282包圍所述N型摻雜區(qū)域281形成所述二極管28；所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22依次由下至上形成于所述半導(dǎo)體襯底27上；具體的，所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22依次由下至上形成于所述半導(dǎo)體襯底27上的不同金屬層24上，圖6同樣以所述第一MIM電容單元21形成于所述半導(dǎo)體襯底27上的第三金屬層上、所述第二MIM電容單元22形成于所述半導(dǎo)體27上的第四金屬層上示例。所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22均為層疊結(jié)構(gòu)，由下至上依次包括下極板211、絕緣層212及上極板213；所述第二MIM電容單元22的下極板211與所述N型摻雜區(qū)域281及所述第一MIM電容單元21的上極板213通過金屬插塞23相連接，所述第二MIM電容單元22的上極板213與所述第二電極26通過金屬插塞23及一金屬層24相連接；所述第一MIM電容單元21的下極板211與所述第二電極26通過金屬插塞23及金屬層24相連接；所述P型摻雜區(qū)域282與所述第一電極25通過金屬插塞23及一金屬層24相連接。

作為示例，所述N型摻雜區(qū)域281為重?fù)诫s區(qū)域，所述P型摻雜區(qū)域281位輕摻雜區(qū)域；即所述N型摻雜區(qū)域281內(nèi)的離子摻雜濃度大于或等于1E18cm^-3，所述P型摻雜區(qū)域282內(nèi)的離子摻雜濃度小于或等于1E16cm^-3。

作為示例，連接所述N型摻雜區(qū)域281及所述第一電極25的所述金屬插塞23串接有至少與所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22所在的金屬層24相對應(yīng)的多 層金屬層24，連接所述N型摻雜區(qū)域281及所述第二MIM電容單元22的所述金屬插塞23串接的所述金屬層24與連接所述P型摻雜區(qū)域282及所述第一電極25的金屬插塞23串接的所述金屬層24間隔有一定的間距。

作為示例，所述第一電極25為陽極，所述第二電極26為陰極。

作為示例，所述第一電極25為陰極，所述第二電極26為陽極。

通過在所述第二MIM電容單元22上串聯(lián)所述二極管28，可以簡便快捷地檢測出是所述第一MIM單元21失效還是所述第二MIM單元22失效，大大節(jié)省了檢測時(shí)間，進(jìn)而提高了檢測效率。

實(shí)施例三

請參閱圖8只圖10，本實(shí)施例還提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法，所述檢測方法包括：

S1：提供層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，在所述第一電極25施加正向電壓，在所述第二電極26施加負(fù)向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)是否失效，若所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)未失效，檢測結(jié)束；若所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)失效，則執(zhí)行步驟S2；

S2：重新在所述第一電極25施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷所述第一MIM電容單元21或所述第二MIM電容單元22失效。

具體的，在本實(shí)施例中，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為實(shí)施例一或?qū)嵤├兴龅膶盈BMIM電容檢測結(jié)構(gòu)，為了便于描述，本實(shí)施例中的所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)以實(shí)施例一中所述的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為示例進(jìn)行說明。此時(shí)，與所述二極管28串聯(lián)的MIM電容單元即為第一MIM電容單元21，與串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元即為第二MIM電容單元22。所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)請參閱實(shí)施例一，這里不再累述。

執(zhí)行步驟S1，請參閱圖8中的S1步驟及圖9，提供層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，在所述第一電極25施加正向電壓，在所述第二電極26施加負(fù)向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)是否失效，若所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)未失效，檢測結(jié)束；若所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)失效，則執(zhí)行步驟S2。

具體的，在所述第一電極25施加正向電壓，在所述第二電極26施加負(fù)向電壓，所述二極管28處于正向?qū)顟B(tài)，此時(shí)所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22所在的支路均處于導(dǎo)通狀態(tài)，若所述第一MIM電容單元21或所述第二MIM電容單元22中有任一者出現(xiàn)失效，此時(shí)所述第一MIM電容單元21或所述第二MIM電容單元22即會(huì)被擊 穿，在整個(gè)檢測電路中即可以檢測到有電流通過，因此，判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)是否失效的具體方法即為檢測電路中是否有電流通過，若電路中無電流通過，則判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)未失效；若電路中有電流通過，則判斷所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)失效。

執(zhí)行步驟S2，請參閱圖,8中的S2步驟及圖10，重新在所述第一電極25施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷所述第一MIM電容單元21或所述第二MIM電容單元22失效。

具體的，重新在所述第一電極25施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓后，所述二極管28處于反向截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)所述第一MIM電容單元21所在的支路處于截止?fàn)顟B(tài)，而所述第二MIM電容單元22所在的支路處于導(dǎo)通狀態(tài)。由于此時(shí)只有所述第二MIM電容單元22所在的支路導(dǎo)通，若電路中有電流通過，則可以判斷所述第二MIM電容單元22失效，即與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效；若電路中無電流通過，則判斷所述第一MIM電容單元21失效，即與所述二極管28串聯(lián)的MIM電容單元失效。

在整個(gè)檢測過程中，只需要在所述第一電極25及所述第二電極26上分兩次分別施加上正向或反向電壓后檢測電路中是否有電流通過即可判斷是所述第一MIM電容單元21失效還是所述第二MIM電容單元22失效，整個(gè)檢測過程方便快捷，大大節(jié)省了檢測時(shí)間，進(jìn)而提高了檢測效率。

以實(shí)施例二中的所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為示例進(jìn)行檢測的方法與以實(shí)施例一中的所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為示例的檢測方法類似，這里不再累述。

實(shí)施例四

請參閱圖11至圖13，本實(shí)施例還提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)的檢測方法，所述檢測方法包括：

S1：提供層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，在所述第一電極25施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元是否失效，若與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效，檢測結(jié)束；若與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元未失效，則執(zhí)行步驟S2；

S2：重新在所述第一電極25施加正向電壓，在所述第二電極26施加負(fù)向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元是否失效。

具體的，在本實(shí)施例中，所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為實(shí)施例一或?qū)嵤├兴龅膶盈BMIM電容檢測結(jié)構(gòu)，為了便于描述，本實(shí)施例中的所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)以實(shí)施例一中所述的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為示例進(jìn)行說明。此時(shí)，與所述二極管28串聯(lián)的MIM電容單元即為第一MIM電容單元21，與串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元即為第二MIM電容單 元22。所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)請參閱實(shí)施例一，這里不再累述。

執(zhí)行步驟S1，請參閱圖11中的S1步驟及圖12，提供一實(shí)施例一中所述的層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)，在所述第一電極25施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元是否失效，若與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效，檢測結(jié)束；若與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元未失效，則執(zhí)行步驟S2。

具體的，在所述第一電極2施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓，所述二極管28處于反向截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)所述第一MIM電容單元21所在的支路處于截止?fàn)顟B(tài)，而所述第二MIM電容單元22所在的支路處于導(dǎo)通狀態(tài)。由于此時(shí)只有所述第二MIM電容單元22所在的支路導(dǎo)通，若電路中有電流通過，則可以判斷所述第二MIM電容單元22失效，即與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元失效；若電路中無電流通過，則判斷與所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)的MIM電容單元未失效。

執(zhí)行步驟S2，請參閱圖,11中的S2步驟及圖13，重新在所述第一電極25施加正向電壓，在所述第二電極26施加負(fù)向電壓，檢測電路中是否有電流通過，進(jìn)而判斷與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元是否失效。

具體的，重新在所述第一電極25施加正向電壓，在所述第二電極26施加負(fù)向電壓，所述二極管28處于正向?qū)顟B(tài)，此時(shí)所述第一MIM電容單元21及所述第二MIM電容單元22所在的支路均處于導(dǎo)通狀態(tài)。由于S1步驟中以判定所述第二MIM電容單元22未失效，即無論如何所述第二MIM電容單元22所在的支路均不會(huì)有電流通過，因此，若電路中有電流通過，則可以判斷所述第一MIM電容單元21失效，即與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元失效；若電路中無電流通過，則判斷所述第一MIM電容單元21未失效，即與所述二極管串聯(lián)的MIM電容單元未失效，亦即整個(gè)所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)未失效。

在整個(gè)檢測過程中，若未串聯(lián)所述二極管28的所述第二MIM電容單元22失效，只需要在所述第一電極25施加負(fù)向電壓，在所述第二電極26施加正向電壓，而后通過檢測電路中是否有電流通過，一步即可檢測出來；即使第一步未檢測出來所述第二MIM電容單元22失效，也不能判定所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)是否失效，此時(shí)只需將所述施加在所述第一電極25及所述第二電極26上的電壓互調(diào)，并檢測電路中是否有電流通過，即可判斷所述第一MIM電容單元21是否失效，整個(gè)檢測過程方便快捷，大大節(jié)省了檢測時(shí)間，進(jìn)而提高了檢測效率。

以實(shí)施例二中的所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為示例進(jìn)行檢測的方法與以實(shí)施例一中的所述層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)為示例的檢測方法類似，這里不再累述。

綜上所述，本發(fā)明提供一種層疊MIM電容檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法，通過在一層MIM電容單元上串聯(lián)二極管，可以簡便快捷地檢測出失效的MIM電容單元，大大節(jié)省了檢測時(shí)間，進(jìn)而提高了檢測效率。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。