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真空度測量裝置制造方法

文檔序號:6078020閱讀:175來源:國知局
真空度測量裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種真空度測量裝置,用于測量聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度。該真空度測量裝置包括加熱圈、導(dǎo)熱件、真空規(guī)管、以及熱電偶。導(dǎo)熱件環(huán)繞真空規(guī)管設(shè)置,加熱圈設(shè)置在導(dǎo)熱件外部,熱電偶與真空規(guī)管熱連通,且真空規(guī)管與真空沉積腔室流體連通。采用本實用新型能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的在測量真空腔室的真空度時反應(yīng)中的分子沉積到電阻絲表面的問題。
【專利說明】真空度測量裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng),具體涉及用于聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度測量裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]聚對二甲苯是具有聚二甲結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜的統(tǒng)稱,具有極其優(yōu)良的電性能、化學(xué)穩(wěn)定性和生物相容性,在微電子機械系統(tǒng)、電子元器件、醫(yī)療器材等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。聚對二甲苯薄膜均采用氣相沉積法(CVD工藝)制造,工藝如下:對二甲苯二聚體在180°C下升華為氣體,經(jīng)過高溫700°C裂解為對二甲苯單體,再導(dǎo)入內(nèi)部沉積裝置中在室溫下沉積聚合于產(chǎn)品表面,內(nèi)部沉積裝置又稱為真空腔室。這種工藝使得聚對二甲苯薄膜具有無殘余應(yīng)力、完全同形、高度均勻、滲透力強等優(yōu)勢。
[0003]由上述工藝可知,真空腔室的壓力監(jiān)控可以實現(xiàn)對沉積反應(yīng)速率的控制,從而控制成膜品質(zhì)。在現(xiàn)有技術(shù)中,真空腔室真空度的測試裝置是將規(guī)管探頭通過接口法蘭與容器相連接,通過傳感器中的電阻絲在不同壓力下的電阻變化值的變化曲線,換算出內(nèi)部的壓力值,從而檢測腔室的內(nèi)部壓力。然而,在該測試裝置中,由于傳感器直接與反應(yīng)容器相連,反應(yīng)中的分子會沉積到電阻絲表面,從而使傳感器靈敏度下降甚至失效。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的是提供一種用于聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度測量裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的在測量真空腔室的真空度時反應(yīng)中的分子沉積到電阻絲表面的問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了一種真空度測量裝置,用于測量聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度,所述真空度測量裝置包括加熱圈、導(dǎo)熱件、真空規(guī)管、以及熱電偶,所述導(dǎo)熱件環(huán)繞所述真空規(guī)管設(shè)置,所述加熱圈設(shè)置在所述導(dǎo)熱件外部,所述熱電偶與所述真空規(guī)管熱連通,且所述真空規(guī)管與所述真空沉積腔室流體連通。
[0006]較佳地,所述導(dǎo)熱件由兩塊鋁塊構(gòu)成,每一個所述鋁塊設(shè)置有槽,所述兩塊鋁塊裝配后兩個鋁塊的槽共同形成用于容納所述真空規(guī)管的規(guī)管腔室。
[0007]較佳地,所述兩塊鋁塊通過螺釘固定連接。
[0008]較佳地,所述兩塊鋁塊包圍所述真空規(guī)管并且形成有用于連接熱電偶的熱電偶接口和用于與真空腔室連通的真空腔室接入口。
[0009]較佳地,所述熱電偶與所述鋁塊螺紋連接。
[0010]較佳地,所述兩塊鋁塊裝配后呈圓筒形。
[0011 ] 較佳地,所述兩塊鋁塊裝配后所形成的所述規(guī)管腔室的一端封閉。
[0012]較佳地,所述真空規(guī)管通過管件與所述真空沉積腔室流體連通。
[0013]本實用新型的有益效果是:
[0014]1、摒棄傳統(tǒng)的規(guī)管本體加裝加熱圈結(jié)構(gòu),采用鋁塊完整包覆規(guī)管,通過加熱鋁塊達到加熱規(guī)管的目的,由于與外部環(huán)境隔絕,同時熱容增大,有利于保持傳感器的溫度穩(wěn)定性,減少環(huán)境溫度變化引起的測量值變動。
[0015]2、采用了加熱塊后,增加對傳感器法蘭接口的加熱,避免了膜在規(guī)管頸部的堆積,延長了規(guī)管的使用壽命。
[0016]3、采用熱電偶固定在加熱塊上的結(jié)構(gòu),使熱電偶與被測量規(guī)管保持緊密接觸,以高測量穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型真空度測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2為第二加熱塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖3為真空度測量裝置的裝配示意圖。

【具體實施方式】
[0020]以下將結(jié)合附圖對本實用新型的較佳實施例進行詳細說明,以便更清楚理解本實用新型的目的、特點和優(yōu)點。應(yīng)理解的是,附圖所示的實施例并不是對本實用新型范圍的限制,而只是為了說明本實用新型技術(shù)方案的實質(zhì)精神。
[0021]我們通過深入研宄后發(fā)現(xiàn),通過對傳感器加熱,使分子不能沉積在傳感器表面從而可以保護傳感器的敏感元件,進而使得聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度測量值更加準(zhǔn)確。目前規(guī)管的加熱保護是采用在規(guī)管本體加裝加熱圈和熱電偶,規(guī)管、加熱圈和熱電偶都暴露在空氣中,規(guī)管表面溫度分布不均勻,且易受環(huán)境溫度的影響,難以保持數(shù)值的穩(wěn)定性。同時其法蘭接口尺寸小,形狀特殊無法直接安裝加熱圈。會導(dǎo)致接口處溫度低,引起膜層堆積,減少規(guī)管使用壽命。
[0022]本實用新型的用于聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度測量裝置包括加熱圈、導(dǎo)熱件、真空規(guī)管、以及熱電偶,所述導(dǎo)熱件環(huán)繞所述真空規(guī)管設(shè)置,所述加熱圈設(shè)置在所述導(dǎo)熱件外部,在所述導(dǎo)熱件上還設(shè)有真空規(guī)管接口、測量值輸出接口和熱電偶固定接口。
[0023]如圖1所示,本實用新型的用于聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度測量裝置(以下簡稱為真空度測量裝置)包括真空規(guī)管10、加熱圈8、導(dǎo)熱件1、真空規(guī)管2、以及熱電偶6。在本實施方式中,導(dǎo)熱件I為鋁塊,然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解,導(dǎo)熱件I也可以其它導(dǎo)熱件。
[0024]如圖2所不,銷塊I由弟一銷塊7和弟一■銷塊9構(gòu)成。弟一銷塊7和弟一■銷塊9分別設(shè)有凹槽,從而當(dāng)?shù)谝讳X塊7和第二鋁塊9裝配好后,該凹槽構(gòu)成容納真空規(guī)管10的真空規(guī)管接口 2,從而規(guī)管10可以安裝于該真空規(guī)管接口 2內(nèi)。
[0025]鋁塊I還設(shè)有真空沉積腔室接入口 3和熱電偶接口 5。真空沉積腔室接入口 3通過管件11與真空沉積腔室12流體連通,真空規(guī)管10通過真空沉積腔室12測量出真空沉積腔室12內(nèi)的真空度。
[0026]熱電偶6位于熱電偶接口 5內(nèi),熱電偶接口 5與真空規(guī)管接口 2連通,從而可以通過熱電偶6檢測真空規(guī)管10的溫度。在本實施方式中,熱電偶6設(shè)有外螺紋,熱電偶接口5設(shè)有內(nèi)螺紋,從而當(dāng)熱電偶6安裝于熱電偶接口 5以后,熱電偶6與熱電偶接口 5緊密結(jié)合,使得熱電偶6所測出的溫度即為規(guī)管實際的溫度。
[0027]發(fā)明人經(jīng)過很多次實驗發(fā)現(xiàn),將真空規(guī)管的溫度控制在120-200攝氏度之間時,最有利于準(zhǔn)確測量真空沉積腔室12的真空度。更佳的是將該溫度控制在135-140度之間。
[0028]第一鋁塊和第二鋁塊之間通過螺紋緊密連接,然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解,第一鋁塊和第二鋁塊之間也可以通過別的方式連接。
[0029]使用時,將真空規(guī)管10安裝于真空規(guī)管接口 2內(nèi),并通過螺紋連接的方式將第一鋁塊7和第二鋁塊9緊密連接,從而使得真空規(guī)管10密封于所述鋁塊I內(nèi)。熱電偶5通過螺紋旋入的方式安裝于熱電偶接口 5內(nèi)。使用管件11將真空沉積腔室接入口 3與真空沉積腔室12流體連通。管件11可以使用本領(lǐng)域的通用管件。
[0030]運行時,通過熱電偶6反饋的信號將真空規(guī)管10的溫度控制在120-200攝氏度內(nèi),從而使得真空度測量裝置準(zhǔn)確測量出真空沉積腔室12內(nèi)的真空度。
[0031]以上已詳細描述了本實用新型的較佳實施例,但應(yīng)理解到,在閱讀了本實用新型的上述講授內(nèi)容之后,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實用新型作各種改動或修改。這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種真空度測量裝置,用于測量聚對二甲苯真空沉積系統(tǒng)的真空沉積腔室的真空度,其特征在于:所述真空度測量裝置包括加熱圈、導(dǎo)熱件、真空規(guī)管、以及熱電偶,所述導(dǎo)熱件環(huán)繞所述真空規(guī)管設(shè)置,所述加熱圈設(shè)置在所述導(dǎo)熱件外部,所述熱電偶與所述真空規(guī)管熱連通,且所述真空規(guī)管與所述真空沉積腔室流體連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述導(dǎo)熱件由兩塊鋁塊構(gòu)成,每一個所述鋁塊設(shè)置有槽,所述兩塊鋁塊裝配后兩個鋁塊的槽共同形成用于容納所述真空規(guī)管的規(guī)管腔室。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述兩塊鋁塊通過螺釘固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述兩塊鋁塊包圍所述真空規(guī)管并且形成有用于連接熱電偶的熱電偶接口和用于與真空腔室連通的真空腔室接入口。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述熱電偶與所述鋁塊螺紋連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述兩塊鋁塊裝配后呈圓筒形。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述兩塊鋁塊裝配后所形成的所述規(guī)管腔室的一端封閉。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空度測量裝置,其特征在于,所述真空規(guī)管通過管件與所述真空沉積腔室流體連通。
【文檔編號】G01L21/14GK204202809SQ201420735268
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】徐志淮 申請人:昆山彰盛奈米科技有限公司
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