專利名稱：金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種陶瓷壓力傳感器，尤其涉及一種金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)上尚無同類產(chǎn)品，對(duì)于40Mpa以上量程，大多采用濺射薄膜的芯體，由于該技術(shù)在國(guó)內(nèi)尚不能成熟量產(chǎn)，基本依賴從國(guó)外進(jìn)口，所以成本很高，由濺射薄膜芯體制成的變送器價(jià)格都要在700元以上，有的甚至要1000多元，不能滿足低成本、大批量生產(chǎn)和運(yùn)用的要求。而傳統(tǒng)的陶瓷壓力傳感器的成本很低，制成的變送器價(jià)格多在60-200元之間，具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。但陶瓷壓力傳感器的量程最大只能到40Mpa。所以開發(fā)一種既具有濺射薄膜的高量程性能，又擁有陶瓷厚膜成本優(yōu)勢(shì)的壓力傳感器具有非常大的意義。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種利用陶瓷壓力傳感器的技術(shù)生產(chǎn)40Mpa_250Mpa量程的金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器。為了解決上述問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型的金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器，包括由應(yīng)變區(qū)和邊緣支撐區(qū)構(gòu)成的金屬基體，金屬基體的表面設(shè)有類陶瓷絕緣層，類陶瓷絕緣層的表面設(shè)有厚膜電路。進(jìn)一步的，所述類陶瓷絕緣層是燒結(jié)在金屬基體表面上，類陶瓷絕緣層由介質(zhì)漿料燒結(jié)而成。進(jìn)一步的，所述厚膜電路是在絕緣層表面制作的惠斯頓電橋、以及溫度補(bǔ)償電路和零點(diǎn)修調(diào)電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型采用的金屬基體可以有更高的抗過載能力，通過減小受壓面積，可以使變形部分的厚度和邊緣部分的厚度比更大，在保證邊緣強(qiáng)度的同時(shí)，有更大的過載能力，可以達(dá)到與建設(shè)薄膜一樣的量程400Mpa。金屬基體可以與外殼焊接在一起，一是可以提高邊緣強(qiáng)度，如與殼體做成整體式，可以取消O型圈密封，避免因密封失效產(chǎn)生泄漏，在檢測(cè)易燃易爆或有毒氣體時(shí)有很好的優(yōu)勢(shì)。
圖I是本實(shí)用新型金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器的結(jié)構(gòu)剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。[0013]實(shí)施例I如圖I所示，一種金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器，包括由應(yīng)變區(qū)和邊緣支撐區(qū)構(gòu)成的金屬基體1，金屬基體I的表面設(shè)有類陶瓷絕緣層2，類陶瓷絕緣層2由介質(zhì)漿料燒結(jié)而成，類陶瓷絕緣層2采用厚膜工藝燒結(jié)在金屬基體I表面上，類陶瓷絕緣層2的表面設(shè)有厚膜電路3，厚膜電路3是在絕緣層表面制作的惠斯頓電橋、以及溫度補(bǔ)償電路和零點(diǎn)修調(diào)電路。金屬基體I主要起彈性元件的功能，它必須同時(shí)具備以下性能1.在一定的量程內(nèi)近似完全彈性，有足夠的彈性模量，無蠕變和遲滯現(xiàn)象；2.具有足夠的邊緣強(qiáng)度；3.具有良好的焊接性能，4.與介質(zhì)漿料有很好的清和力，保證與絕緣層有足夠的結(jié)合力，和盡可能相近的熱膨脹系數(shù)。類陶瓷絕緣層2 (由介質(zhì)漿料燒結(jié)而成)，它必須具備以下功能1.與基體有很好的結(jié)合力，在基體變形時(shí)無相對(duì)滑移，在長(zhǎng)期的交變壓力下不會(huì)出現(xiàn)剝落。2.很高的絕緣性，絕緣電阻至少大于100兆歐；3.良好的表面狀態(tài)，便于厚膜工藝。4.與基體相對(duì)近似的膨脹系數(shù)。厚膜電路3的主要功能是將彈性體的機(jī)械變形轉(zhuǎn)化為電壓量的變化。它必須具備陶瓷厚膜壓力傳感器的要求。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器，其特征在于包括由應(yīng)變區(qū)和邊緣支撐區(qū)構(gòu)成的金屬基體，所述金屬基體的表面設(shè)有類陶瓷絕緣層，所述類陶瓷絕緣層的表面設(shè)有厚膜電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器，其特征在于所述類陶瓷絕緣層是燒結(jié)在金屬基體表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器，其特征在于所述厚膜電路是在絕緣層表面制作的惠斯頓電橋、以及溫度補(bǔ)償電路和零點(diǎn)修調(diào)電路。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種陶瓷壓力傳感器，目的是提供一種利用陶瓷壓力傳感器的技術(shù)生產(chǎn)40Mpa-250Mpa量程的金屬基體復(fù)合陶瓷壓力傳感器，包括由應(yīng)變區(qū)和邊緣支撐區(qū)構(gòu)成的金屬基體，金屬基體的表面設(shè)有類陶瓷絕緣層，類陶瓷絕緣層的表面設(shè)有厚膜電路，厚膜電路是在絕緣層表面制作的惠斯頓電橋、以及溫度補(bǔ)償電路和零點(diǎn)修調(diào)電路。本實(shí)用新型采用的金屬基體可以有更高的抗過載能力，通過減小受壓面積，可以使變形部分的厚度和邊緣部分的厚度比更大，在保證邊緣強(qiáng)度的同時(shí)，有更大的過載能力，可以達(dá)到與建設(shè)薄膜一樣的量程400Mpa。
文檔編號(hào)G01L9/00GK202661202SQ201220252000
公開日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月31日
發(fā)明者薄衛(wèi)忠 申請(qǐng)人:無錫盛邁克傳感技術(shù)有限公司