本發(fā)明屬于發(fā)動(dòng)機(jī)電子控制技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,本發(fā)明涉及一種電控單體泵電磁閥驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法。
背景技術(shù):
環(huán)境污染問題成為近年來困擾著世界各國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、改善人們生活環(huán)境急需解決的難題,特別是發(fā)展中國(guó)家,環(huán)境問題尤為突出。因此,各國(guó)政府通過加嚴(yán)乘用車和非道路發(fā)動(dòng)機(jī)排放法規(guī),促使相關(guān)生產(chǎn)廠商對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。電控單體泵系統(tǒng)具有較高的噴射壓力,能夠適應(yīng)現(xiàn)有的排放法規(guī)要求降低排放。我國(guó)是內(nèi)燃機(jī)生產(chǎn)大國(guó),而單缸或小型非道路柴油機(jī)又是我國(guó)內(nèi)燃機(jī)行業(yè)的一大特色,具有年產(chǎn)量和社會(huì)保有量大、減排空間巨大的特點(diǎn)。隨著非道路柴油機(jī)排放法規(guī)的加嚴(yán),電控單體泵系統(tǒng)的應(yīng)用將更加廣泛。
電控單體泵中的電磁閥是電控系統(tǒng)中的主要執(zhí)行器,也是實(shí)現(xiàn)燃油噴射的主要控制對(duì)象。電磁閥驅(qū)動(dòng)從能耗、性能等方面考慮采用經(jīng)典的Peak&Hold驅(qū)動(dòng)方式,即高壓快速關(guān)斷閥門,低電壓保持閥門關(guān)閉狀態(tài)同時(shí)保證快速泄流。從驅(qū)動(dòng)電壓波形來看,主要的控制要點(diǎn)在于高壓的快速開啟及保持階段電壓波動(dòng)控制,同時(shí)兼顧其他驅(qū)動(dòng)要求。
電磁閥驅(qū)動(dòng)電路主要包括四個(gè)部分,分別是DC/DC升壓電路、高端低端控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路、續(xù)留/泄流電路和電流采樣電路。其中續(xù)留/泄流電路用于在電磁閥關(guān)斷過程中降低驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)態(tài)誤差,降低相應(yīng)元器件的工作噪聲,并在電磁閥開啟的時(shí)刻快速釋放掉電磁閥線圈中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。電流采樣電路則在電磁閥工作工程中對(duì)電路中的電壓電流進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并反饋到單片機(jī),實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁閥驅(qū)動(dòng)電壓的準(zhǔn)確控制。
傳統(tǒng)的電磁閥驅(qū)動(dòng)電路中電流采樣電路多采用精密電阻來進(jìn)行電壓電流監(jiān)測(cè),并通過運(yùn)放輸入到MCU,稱之為電阻采樣方式。電阻采樣方式具有一定的優(yōu)點(diǎn),但其缺點(diǎn)也是很明顯的,主要是響應(yīng)速度慢,運(yùn)放電路比較多,容易受到干擾,電阻的溫漂比較嚴(yán)重等。本發(fā)明的電流采樣電路可以采用霍爾電流傳感器,即霍爾采樣方式,具有響應(yīng)速度快、溫漂小、線性度好和外圍電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明對(duì)現(xiàn)有的電控單體泵電磁閥驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn),即驅(qū)動(dòng)電路中電流采樣方式采用霍爾采樣,并對(duì)續(xù)留/泄流回路進(jìn)行了優(yōu)化,結(jié)合相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)控制方法使電控單體泵電磁閥在滿足Peak&Hold驅(qū)動(dòng)方式的同時(shí),能夠快速關(guān)斷和打開閥門,對(duì)電壓波動(dòng)進(jìn)行了很好的控制。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種電控單體泵電磁閥驅(qū)動(dòng)電路,包括電源、DC/DC升壓模塊、MOS管QA、高端驅(qū)動(dòng)芯片、二極管DA、MOS管QB、低端驅(qū)動(dòng)芯片、電磁閥、二極管DB、霍爾電流傳感器H和單片機(jī);
所述電源的輸出端口連接到DC/DC升壓模塊的輸入端口,所述DC/DC升壓模塊將電源的電壓升壓后輸入到MOS管QA的漏極,所述MOS管QA的柵極與高端驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端口相連,對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行調(diào)制;所述高端驅(qū)動(dòng)芯片輸入端口與單片機(jī)的PWM模塊相連,提升來自單片機(jī)高端控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)力;所述MOS管QA的源極輸入到二極管DA的正極,所述二極管DA的負(fù)極與MOS管QB的漏極相連,所述MOS管QB的柵極與低端驅(qū)動(dòng)芯片輸出端口相連,通過低端控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)電磁閥驅(qū)動(dòng)電路的選通、建立續(xù)流回路和快速泄流;所述低端驅(qū)動(dòng)芯片輸入端口與單片機(jī)的PWM模塊相連,提升來自單片機(jī)低端控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)力;所述MOS管QB的源極與電磁閥的正極相連,所述電磁閥的負(fù)極分別與二極管DB的正極、霍爾電流傳感器H的輸入端口相連接,所述二極管DB的負(fù)極連接到MOS管QB的漏極,所述霍爾電流傳感器H的輸出端口連接到單片機(jī)的A/D模塊,用于對(duì)電磁閥的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行檢測(cè)并反饋到單片機(jī)中構(gòu)成閉環(huán)控制;所述單片機(jī)的電源輸入引腳連接到電源的輸出端口。
上述方案中,所述DC/DC升壓模塊采用的芯片是LM3488。
上述方案中,所述二極管DB為肖特基二極管。
上述方案中,所述MOS管QB與電磁閥、二極管DB建立續(xù)流回路和實(shí)現(xiàn)快速泄流。
一種電控單體泵電磁閥驅(qū)動(dòng)電路的控制方法,單片機(jī)控制高端和低端兩路控制信號(hào)輸出,霍爾電流傳感器H獲得的電流采樣信號(hào)輸入到單片機(jī),具體如下:
(1)目標(biāo)驅(qū)動(dòng)電壓及脈寬取決于確定工況下既定的相關(guān)噴油參數(shù),并作為PID控制器的目標(biāo)參考值;
(2)霍爾電流傳感器的輸出值作為PID控制器的反饋值;
(3)PID控制器基于目標(biāo)參考值和反饋值做出誤差控制輸入到PWM調(diào)制模塊中,PWM調(diào)制模塊產(chǎn)生高端控制信號(hào),用于控制電路電壓的調(diào)制及電路的通斷;
(4)低端控制信號(hào)控制電路的選通,并建立續(xù)流回路及實(shí)現(xiàn)快速泄流控制;低端控制信號(hào)由噴油脈寬參數(shù)確定,在電磁閥關(guān)斷的時(shí)候,低端控制信號(hào)控制建立續(xù)留回路;在電磁閥打開的瞬間,低端控制信號(hào)斷開續(xù)留回路,實(shí)現(xiàn)快速泄流。
本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明所提供的驅(qū)動(dòng)電路,電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單且性能穩(wěn)定;MOS管QB與電磁閥、二極管DB建立的續(xù)流回路能夠減少電路中驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)態(tài)波動(dòng)、降低穩(wěn)態(tài)誤差及MOS管QA的開關(guān)頻率,從而減少工作噪聲,并且通過低端控制信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)快速泄流,提高電磁閥控制下的燃油噴射穩(wěn)定性;驅(qū)動(dòng)電路采用霍爾電流傳感器實(shí)現(xiàn)了對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的閉環(huán)控制,具有響應(yīng)時(shí)間少、溫漂小、輸出線性好和耐用性高等優(yōu)點(diǎn)。另外,基于電磁閥驅(qū)動(dòng)電路的控制方法具有針對(duì)性的電壓誤差控制,使實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)目標(biāo)參考電壓具有快速響應(yīng)和趨向的優(yōu)點(diǎn)。
附圖說明
圖1為電控單體泵電磁閥Peak&Hold驅(qū)動(dòng)方式示意圖;
圖2為本發(fā)明電磁閥驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明高、低端控制信號(hào)示例波形圖,圖3(a)為高端控制信號(hào)示例波形圖,圖3(b)為低端控制信號(hào)示例波形圖;
圖4為基于本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路的控制方法流程圖;
圖5為本發(fā)明基于高、低端控制信號(hào)下續(xù)留/泄流回路仿真驅(qū)動(dòng)電壓波形效果圖。
圖中:1-電源;2-DC/DC升壓模塊;3-MOS管QA;4-高端驅(qū)動(dòng)芯片;5-二極管DA;6-MOS管QB;7-低端驅(qū)動(dòng)芯片;8-電磁閥;9-二極管DB;10-霍爾電流傳感器H;11-單片機(jī)。
具體實(shí)施方式
為了便于理解本發(fā)明,下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明,下述僅作為示例性不限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實(shí)施例:
圖1所示為電控單體泵電磁閥采用Peak&Hold驅(qū)動(dòng)方式,將其劃分為五個(gè)階段:需要供給大電壓使電磁閥門快速閉合的第一階段,保持峰值電壓以便閥門快速落座的第二階段,峰值電壓向低電壓過渡的第三階段,保持電磁閥閉合狀態(tài)的低壓保持第四階段和實(shí)現(xiàn)快速泄流的第五階段;其中在二、四階段需要配合霍爾電流傳感器對(duì)電壓波動(dòng)進(jìn)行準(zhǔn)確控制,在第五階段配合圖2中的泄流電路(圖2中虛線部分)實(shí)現(xiàn)電磁閥的快速泄流。
圖2所示為本發(fā)明電磁閥驅(qū)動(dòng)電路,包括電源1、DC/DC升壓模塊2、MOS管QA 3、高端驅(qū)動(dòng)芯片4、二極管DA 5、MOS管QB 6、低端驅(qū)動(dòng)芯片7、電磁閥8、肖特基二極管DB 9、霍爾電流傳感器H10和單片機(jī)11,DC/DC升壓模塊2采用的芯片是LM3488;
電源1的輸出端口連接到DC/DC升壓模塊2的輸入端口,DC/DC升壓模塊2將蓄電池12/24V電壓升壓到60V以驅(qū)動(dòng)單體泵電磁閥快速閉合,并受控于高端控制信號(hào)提供各個(gè)驅(qū)動(dòng)階段的調(diào)制電壓;DC/DC升壓模塊2的輸出端口連接到MOS管QA 3的漏極,MOS管QA 3的柵極與高端驅(qū)動(dòng)芯片4的輸出端口相連,并受控于單片機(jī)11的高端控制信號(hào)(PWM信號(hào),占空比85%,頻率1kHz,高端控制信號(hào)示例波形圖如圖3(a)所示)實(shí)現(xiàn)對(duì)電路驅(qū)動(dòng)電壓的調(diào)制,使電壓滿足各個(gè)驅(qū)動(dòng)階段的電壓要求;高端驅(qū)動(dòng)芯片4輸入端口與單片機(jī)11的PWM模塊相連,接收單片機(jī)11的高端控制信號(hào)并提升其驅(qū)動(dòng)力;MOS管QA 3的源極輸入到二極管DA 5的正極,二極管DA 5的負(fù)極與MOS管QB 6的漏極相連,MOS管QB 6的柵極與低端驅(qū)動(dòng)芯片7輸出端口相連,并受控于單片機(jī)11的低端控制信號(hào)(示例波形圖如圖3(b)所示)實(shí)現(xiàn)電磁閥驅(qū)動(dòng)電路的選通、建立續(xù)流回路(圖2中虛線部分)和快速泄流;低端驅(qū)動(dòng)芯片7輸入端口與單片機(jī)11的PWM模塊相連,接收單片機(jī)11的低端控制信號(hào)并提升其驅(qū)動(dòng)力;MOS管QB 6的源極與電磁閥8的正極相連,電磁閥8的負(fù)極分別與肖特基二極管DB 9的正極、霍爾電流傳感器H 10的輸入端口相連接,肖特基二極管DB 9的負(fù)極連接到MOS管QB 6的漏極,霍爾電流傳感器H 10的輸出端口連接到單片機(jī)11的A/D模塊,用于對(duì)電磁閥8的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行檢測(cè)并反饋到單片機(jī)11中構(gòu)成閉環(huán)控制;MOS管QB 6與電磁閥8、二極管DB 9建立續(xù)流回路和實(shí)現(xiàn)快速泄流,同時(shí)可降低驅(qū)動(dòng)電壓穩(wěn)態(tài)誤差、減少電壓波動(dòng)、降低電路工作噪聲;單片機(jī)11的電源輸入引腳連接到電源1的輸出端口,電源1將蓄電池電壓進(jìn)行降壓輸入到單片機(jī)11。
本發(fā)明電磁閥驅(qū)動(dòng)電路的工作過程為:
電源1通過DC/DC升壓模塊2將蓄電池電壓進(jìn)行升壓,在噴油時(shí)刻到來之前,高端控制信號(hào)輸出低電平控制MOS管QA 3斷開狀態(tài)。當(dāng)噴油時(shí)刻到來時(shí),高端控制信號(hào)輸出高電平控制MOS管QA 3處于導(dǎo)通狀態(tài),由于在不同噴射階段(即圖1中的二、三、四階段),電磁閥對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求也不相同,這時(shí)通過輸出一定占空比和頻率的PWM高端控制信號(hào),對(duì)應(yīng)MOS管QA 3不停地開關(guān)動(dòng)作,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)來自DC/DC升壓模塊2的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行調(diào)制,獲得所需要的目標(biāo)電壓,電路中電壓的波動(dòng)情況由霍爾電流傳感器H 10反饋到單片機(jī)11,最終輸出確定的高端控制信號(hào)。MOS管QB 6、電磁閥8和二極管DB 9則在電磁閥導(dǎo)通狀態(tài)(即圖1中一、二、三、四階段)構(gòu)成續(xù)留回路,此時(shí)低端控制信號(hào)輸出高電平,MOS管QB 6處于導(dǎo)通狀態(tài),目的在于當(dāng)MOS管QA 3處于斷開狀態(tài)時(shí),電磁閥8中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)通過續(xù)留回路的作用不會(huì)迅速降低,從而降低電壓波動(dòng)。當(dāng)噴油時(shí)刻結(jié)束時(shí)(即圖1中第五階段),此時(shí),高端控制信號(hào)輸出低電平控制MOS管QA 3斷開,同時(shí)低端控制信號(hào)輸出低電平控制MOS管QB 6斷開,即斷開續(xù)留回路,此時(shí)電磁閥8中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)迅速下降,稱為泄流。電路中高端驅(qū)動(dòng)芯片4、低端驅(qū)動(dòng)芯片7作用在于提升高、低端控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力,霍爾電流傳感器H 10作用是在圖1中一、二、三、四階段對(duì)電路中的電壓進(jìn)行檢測(cè)和反饋,實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓波動(dòng)的閉環(huán)控制。
圖4所示為針對(duì)本發(fā)明電路的電磁閥驅(qū)動(dòng)控制方法,對(duì)應(yīng)兩路控制信號(hào)輸出,即高端控制信號(hào)和低端控制信號(hào),對(duì)應(yīng)一個(gè)電流采樣信號(hào)的輸入,具體為:
(1)目標(biāo)驅(qū)動(dòng)電壓及脈寬取決于確定工況下既定的相關(guān)噴油參數(shù),并作為PID控制器的目標(biāo)參考值;
(2)霍爾電流傳感器的輸出值作為PID控制器的反饋值;
(3)PID控制器基于目標(biāo)參考值和反饋值做出誤差控制輸入到PWM調(diào)制模塊中,PWM調(diào)制模塊產(chǎn)生高端控制信號(hào),用于控制電路電壓的調(diào)制及電路的通斷;
(4)低端控制信號(hào)控制電路的選通,并建立續(xù)流回路及實(shí)現(xiàn)快速泄流控制;低端控制信號(hào)由噴油脈寬參數(shù)確定,在電磁閥關(guān)斷的時(shí)候,低端控制信號(hào)控制建立續(xù)留回路;在電磁閥打開的瞬間,低端控制信號(hào)斷開續(xù)留回路,實(shí)現(xiàn)快速泄流。
在圖4中由輸入到單片機(jī)11的轉(zhuǎn)速油門信號(hào)確定發(fā)動(dòng)機(jī)當(dāng)前運(yùn)行工況,執(zhí)行當(dāng)前工況下對(duì)應(yīng)的噴油方法,確定下一個(gè)曲軸周期對(duì)應(yīng)的噴油脈寬,噴油脈寬再轉(zhuǎn)變成對(duì)應(yīng)的高端和低端兩路控制信號(hào),分別控制MOS管QA 3和MOS管QB 6;低端控制信號(hào)直接輸入到低端驅(qū)動(dòng)芯片7以提升驅(qū)動(dòng)能力并最終作用到MOS管QB 6,高端控制信號(hào)則主要由高端目標(biāo)信號(hào)輸入到PID控制器與來自霍爾電流傳感器H 10采集到的電流信號(hào)做PID控制,通過PID控制器實(shí)現(xiàn)實(shí)際電壓信號(hào)對(duì)高端目標(biāo)信號(hào)的響應(yīng)與追蹤,并將PID輸出用于PWM調(diào)制,最終得到高端控制信號(hào)經(jīng)高端驅(qū)動(dòng)芯片4提升驅(qū)動(dòng)力作用于MOS管QA 3,實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的控制。低端控制信號(hào)用于電路的導(dǎo)通,建立續(xù)流回路和實(shí)現(xiàn)快速泄流,其輸出電平在噴油開始前為低電平,使得MOS管QB 6為截止?fàn)顟B(tài);在整個(gè)噴油階段輸出高電平,與肖特基二極管DB 9一起建立續(xù)流回路,可以顯著降低驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)態(tài)誤差、降低電壓波動(dòng)及高端控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)頻率(如圖5所示,圖中a為本發(fā)明電磁閥驅(qū)動(dòng)電路中續(xù)留/泄流回路仿真驅(qū)動(dòng)電壓波形,b為半橋電路仿真驅(qū)動(dòng)電壓波形),從而降低電路噪聲;噴油結(jié)束后,低端控制信號(hào)則輸出低電平,電路斷路,電磁閥8內(nèi)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)迅速下降實(shí)現(xiàn)快速泄流。本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路中電流采樣元件采用了霍爾電流傳感器H 10,具有響應(yīng)時(shí)間短、溫漂小,電路線性度好,耐用度高等特點(diǎn),同時(shí)由于其采用霍爾效應(yīng)原理,不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生壓降等影響,從而能夠保證測(cè)量精度。
如上所述實(shí)施例為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式,但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式,在不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容的情況下,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠做出的任何顯而易見的改進(jìn)、替換或變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。