倍，達(dá)到金催化劑的水平。
[0033]實(shí)施例3
以銀片作為工作電極，在I M氯化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為6 μ m的致密AgCl層，然后將工作電極取出來(lái)，以乙醇-鹽酸的混合溶液(乙醇和0.1M鹽酸的體積比為I:I)為電解液，以2mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至80nm左右的納米多孔銀。
[0034]實(shí)施例4
以銀片作為工作電極，在I M溴化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為9 μ m的致密AgBr層，然后將工作電極取出來(lái)，以乙醇-鹽酸的混合溶液(乙醇和0.1M鹽酸的體積比為9:I)為電解液，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至20nm左右的納米多孔銀。
[0035]實(shí)施例5
以銀片作為工作電極，在I M溴化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為9 μ m的致密AgBr層，然后將工作電極取出來(lái)，以乙醇-鹽酸的混合溶液(乙醇和0.1M鹽酸的體積比為9:I)為電解液，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至30nm左右的納米多孔銀。
[0036]實(shí)施例6
以銀片作為工作電極，在I M溴化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為9 μ m的致密AgBr層，然后將工作電極取出來(lái)，以乙腈為溶劑，加入TBAPF6電解質(zhì)，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至20nm左右的納米多孔銀。
[0037]實(shí)施例7
以銀片作為工作電極，在I M溴化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為9 μ m的致密AgBr層，然后將工作電極取出來(lái)，以二甲基乙酰胺為溶劑，加入TBAPF6電解質(zhì)，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至20nm左右的納米多孔銀。
[0038]實(shí)施例8
以銀片作為工作電極，在I M溴化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為9 μ m的致密AgBr層，然后將工作電極取出來(lái)，以碳酸丙烯酯為溶劑，加入高氯酸鋰為電解質(zhì)，以0.02mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至50nm左右的納米多孔銀。
[0039]實(shí)施例9
以銀片作為工作電極，在I M氯化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為6 μ m的致密AgCl層，然后將工作電極取出來(lái)，以碳酸丙烯酯-水(體積比3:7)為混合溶劑，加入高氯酸鋰為電解質(zhì)，以I mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至50nm左右的納米多孔銀。
[0040]實(shí)施例10
以銀片作為工作電極，在I M氯化鈉溶液中電化學(xué)氧化3 h，得到厚度約為6 μ m的致密AgCl層，然后將工作電極取出來(lái)，以碳酸丙烯酯-水(體積比1:9)為混合溶劑，加入高氯酸鋰為電解質(zhì)，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至60nm左右的納米多孔銀。[0041 ] 實(shí)施例11
將氯化銀粉末壓成50μπι左右薄片，以銀網(wǎng)包覆制備固態(tài)陰極，以乙醇-鹽酸的混合溶液(乙醇和0.1M鹽酸的體積比為9: I)為電解液，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至30nm左右的納米多孔銀。
[0042]實(shí)施例12
將氯化銀加熱熔融，涂敷在銀基底表面，氯化銀層厚度約50μπι左右以乙醇-鹽酸的混合溶液(乙醇和0.1M鹽酸的體積比為9:1)為電解液，以4 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至30nm左右的納米多孔銀。
[0043]實(shí)施例13
將氯化銀與氯化銅按3:1加熱熔融，涂敷在銀基底表面，氯化物層厚度約50μπι左右以乙醇-鹽酸的混合溶液(乙醇和0.1M鹽酸的體積比為9:1)為電解液，以3 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至50nm左右的納米多孔金屬，XRD顯示為Cu與Ag的混合物。
[0044]實(shí)施例14
將氯化銀與氯化銅按摩爾比3:1加熱熔融，涂敷在銀基底表面，氯化物層厚度約50μπι左右。以碳酸丙烯酯為溶劑，加入高氯酸鋰為電解質(zhì)，以0.05 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至30nm左右的納米多孔金屬，XRD顯示為Cu與Ag的混合物。
[0045]實(shí)施例15
將氯化銀與無(wú)水二氯化錫按摩爾比3:1加熱熔融，涂敷在銀基底表面，得到氯化物層厚度約50μπι左右的固態(tài)陰極。以碳酸丙烯酯為溶劑，加入TBAPF6電解質(zhì)，以2 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至20nm左右的納米多孔銀錫合金。
[0046]實(shí)施例16
將氯化銀與無(wú)水二氯化鈷按摩爾比9:1加熱熔融，涂敷在銀基底表面，得到氯化物層厚度約50μπι左右的固態(tài)陰極。以碳酸丙烯酯為溶劑，加入TBAPF6電解質(zhì)，以2 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至20nm左右的納米多孔銀鈷合金。
[0047]實(shí)施例17
將氯化銀與無(wú)水二氯化鈷按摩爾比9:1加熱熔融，涂敷在銀基底表面，得到氯化物層厚度約50μπι左右的固態(tài)陰極。以碳酸丙烯酯+水(體積比9:1)為溶劑，加入高氯酸鉀電解質(zhì)，以
2mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至40nm左右的納米多孔銀鈷合金。
[0048]實(shí)施例18
將氯化銀熔融，通入TiCl4氣體，得到Ag2TiCl6復(fù)合氯化物，涂敷在銀基底表面，得到氯化物層厚度約50μηι左右的固態(tài)陰極。以碳酸丙稀酯為溶劑，加入LiCKk電解質(zhì)，以2 mA/cm2的電流密度進(jìn)行還原，得到顆粒尺寸小至20nm左右的納米多孔銀鈦合金。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種納米多孔銀基金屬催化劑的電化學(xué)制備方法，其特征在于，以有機(jī)溶劑或者有機(jī)溶劑和水的混合溶液作為溶劑，將鹵化銀或者鹵化銀和其它金屬鹵化物的復(fù)合鹽作為固態(tài)陰極，以0.02mA/cm2以上的電流密度電化學(xué)還原來(lái)制備納米多孔銀基金屬催化劑； 所述的有機(jī)溶劑為甲醇、乙醇、三氟乙醇、乙腈、碳酸丙烯酯、硝基甲烷、丙酮、環(huán)丁砜、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一種或者多種。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的鹵化銀，為氯化銀，溴化銀，碘化銀中的一種或者多種，所述的其它金屬鹵化物為氯化物、溴化物、碘化物中的一種或者多種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑和水的混合溶液中，有機(jī)溶劑和水的體積比例在1:9以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的其它金屬包括Ti，Zr，Hf,Cr,Mo,ff,V,Nb,Ta,Fe,Co,Ni,Mn,Cu,Zn,Si,Ge,Pb,Sn,Ag,Au,Pt,Pd,Rh,Ir,Ru,Os,Re,Al，B，Ga，In，Tl，Te，Sb，Bi，Sc，Y，U，鑭系，錒系中的一種或者多種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的鹵化銀由金屬銀在鹵素離子溶液中電化學(xué)氧化生長(zhǎng)而成。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的復(fù)合鹽是鹵化銀與其他金屬鹵化物的混合物或復(fù)合化合物。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的固態(tài)陰極為粉末壓片或熔融混合而成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所制備的納米多孔銀基金屬催化劑為純金屬、半金屬、合金、金屬間化合物或者金屬混合物。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，所述的固態(tài)陰極中添加堿金屬鹵化物。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)制備方法，其特征在于，電化學(xué)還原的電流密度為0.2?4mA/cm2ο
【專利摘要】本發(fā)明屬于納米多孔材料制備領(lǐng)域，尤其涉及一種納米多孔銀基金屬催化劑的電化學(xué)制備。本發(fā)明在有機(jī)溶劑或者有機(jī)溶劑/水的混合溶劑體系中通過(guò)電解還原難溶性銀鹽或銀與其他元素的混合鹽來(lái)制備納米多孔銀基金屬催化劑。該方法工藝簡(jiǎn)單、環(huán)境友好，可以獲得金屬原生粒子尺寸低至20納米的納米多孔銀基金屬催化劑。所制備的納米多孔銀基金屬催化劑用于二氧化碳電催化還原時(shí)，其整體催化活性顯著高于現(xiàn)有關(guān)于銀基催化劑的報(bào)道。
【IPC分類(lèi)】B82Y40/00, C25C5/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105603465
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610020041
【發(fā)明人】金先波, 王志勇, 張琳
【申請(qǐng)人】武漢大學(xué)
【公開(kāi)日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2016年1月13日