本發(fā)明涉及一種經(jīng)表面處理的銅箔及其制造方法，尤其涉及一種通過(guò)對(duì)銅箔進(jìn)行表面處理而使之具有低粗糙度、高粘接強(qiáng)度的經(jīng)表面處理的銅箔及其制造方法。
背景技術(shù)：
：：近來(lái)，隨著電器/電子設(shè)備的小型化、輕量化的加速，在基板上形成的印刷電路趨于微細(xì)化、高集成化、小型化，因此對(duì)使用于印刷電路板的銅箔提出多方面的物性要求。使用于其中的柔性(flexible)基板、高密度貼裝用多層基板、高頻電路基板等(以下，將這些統(tǒng)稱為電路基板或印刷電路板)的制造中利用到的基板用復(fù)合材料由導(dǎo)體(銅箔)及對(duì)其提供支撐的絕緣基板(包括薄膜)構(gòu)成，絕緣基板能夠確保導(dǎo)體之間的絕緣，并具有能夠支撐部件的強(qiáng)度。并且，隨著傳遞到電路板的信號(hào)的速度加快，構(gòu)成電路板的絕緣材料的特性阻抗或信號(hào)傳遞速度等變得重要，于是要求絕緣材料的介電常數(shù)、介電體損失等特性提高。作為滿足這些條件的絕緣材料而被提供的基板用材料多使用酚醛樹(shù)脂材料，作為鍍金屬通孔則多使用環(huán)氧樹(shù)脂材料。而且，近來(lái)隨著信號(hào)的高速傳遞，需要介電常數(shù)低且介電體的損失少的絕緣材料，與之相關(guān)的材料已得到開(kāi)發(fā)。并且，作為必須具備耐熱性的電路板用絕緣材料，使用到耐熱性環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺等。此外，開(kāi)發(fā)出了尺寸穩(wěn)定性優(yōu)良的材料、彎曲或扭曲較少的材料、熱收縮較少的材料等。然而，在環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、液晶聚合物、聚醚醚酮系樹(shù)脂中，尤其液晶聚合物被公知為屬于與銅箔之間的粘接強(qiáng)度(拉伸強(qiáng)度)較低的樹(shù)脂。通常，這些樹(shù)脂等與銅箔之間的拉伸強(qiáng)度受到較大的銅箔表面粗糙度rz(在此，表面粗糙度rz是指jisb0601-1994“表面粗糙度的定義及表示”的5.1十點(diǎn)(tenpoint)平均粗糙度定義中規(guī)定的rz)的影響。當(dāng)考慮到銅箔的表面粗糙度時(shí)，可舉出經(jīng)表面處理的銅箔的表面粗糙度rz以及對(duì)銅箔表面實(shí)施粗糙化處理的粗糙化銅箔的rz。以往，為了提高粘接強(qiáng)度較低的樹(shù)脂的粘接強(qiáng)度，在進(jìn)行粗糙化處理時(shí)通過(guò)增大流過(guò)的電流，并增加粗糙化處理時(shí)的粒狀銅的貼附量而提高了表面粗糙度rz。然而，對(duì)于這種方法而言，雖然作為用于提高粘接強(qiáng)度的方法而適合，但卻并不適于慮及高頻特性的印刷電路板，如果為了提高粘接強(qiáng)度而過(guò)處理銅箔表面，則導(dǎo)致高頻信號(hào)傳輸方面的妨礙因素增加，從而出現(xiàn)對(duì)信號(hào)傳輸起到消極影響的問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種可通過(guò)利用mo、co、w、mn等金屬離子對(duì)電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理而提高銅箔的粘接強(qiáng)度的經(jīng)表面處理的銅箔及其制造方法。而且，本發(fā)明的目的在于提供一種通過(guò)利用mo、co、w、mn等金屬離子對(duì)電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理而實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的高頻特性的經(jīng)表面處理的銅箔及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例，提供一種經(jīng)表面處理的銅箔，所述經(jīng)表面處理的銅箔的表面粗糙度為2.5～3.0μm，貼附于所述銅箔的一個(gè)表面的凸粒的高度為1.0～3.0μm，凸粒與凸粒之間的間距為0.1～0.7μm，觀察剖面25μm內(nèi)的凸粒個(gè)數(shù)為10～60個(gè)。并且，所述經(jīng)表面處理的銅箔的表面粗糙度優(yōu)選具有2.5～2.8μm范圍。而且，所述經(jīng)表面處理的銅箔在lowdk用ppg中表現(xiàn)出0.7kgf以上的粘接強(qiáng)度。并且，所述經(jīng)表面處理的銅箔在lowdk用ppg中表現(xiàn)出1.0kgf以上的粘接強(qiáng)度。而且，用于形成所述凸粒的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、co1～10g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。并且，用于形成所述凸粒的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、mn0.1～0.5g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。而且，用于形成所述凸粒的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、na1～10g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。并且，在粗糙化處理面的凸粒顆粒上部形成有用于防止凸粒的脫落的外蓋鍍金屬層。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種經(jīng)表面處理的銅箔制造方法，包括如下步驟：第一步驟，準(zhǔn)備電解銅箔；第二步驟，對(duì)所述電解銅箔的表面進(jìn)行酸洗處理；第三步驟，在包含有mo、co、w、mn、cu、h2so4、na中的至少一種物質(zhì)的鍍?cè)≈袑?duì)所述經(jīng)酸洗處理的電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理，從而形成凸粒；第四步驟，在所述凸粒的上部形成用于防止凸粒的脫落的覆蓋鍍金屬層。所述電解銅箔的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、co1～10g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。而且，所述電解銅箔的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、mn0.1～0.5g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。并且，所述電解銅箔的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、na1～10g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供一種經(jīng)表面處理的銅箔制造方法，對(duì)電解銅箔的表面進(jìn)行酸洗處理，并在包含有mo、co、w、mn、cu、h2so4、na中的至少一種物質(zhì)的鍍?cè)≈袑?duì)得到所述酸洗處理的電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理而形成凸粒，從而執(zhí)行所述電解銅箔的表面處理，其中，所述經(jīng)表面處理的銅箔的表面粗糙度為2.5～2.8μm，貼附于所述銅箔的一個(gè)表面的凸粒的高度為1.0～3.0μm，凸粒與凸粒之間的間距為0.1～0.7μm，觀察剖面25μm內(nèi)的凸粒的個(gè)數(shù)為10～60個(gè)。而且，還可以包括如下的步驟：在所述凸粒的上部形成用于防止凸粒的脫落的外蓋鍍金屬層。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)利用mo、co、w、mn等金屬離子而對(duì)電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理，可以提高銅箔的粘接強(qiáng)度。并且，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)利用mo、co、w、mn等金屬離子而對(duì)電解銅箔進(jìn)行處理，可以獲得高頻特性良好的經(jīng)表面處理的銅箔。附圖說(shuō)明圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的表面處理銅箔的制造方法的順序圖。圖2為表示在包含有mo、co、w、cu、h2so4的鍍?cè)≈袑?duì)電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理后形成的凸粒的sem圖片。圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的表面處理銅箔的剖面的sem圖片。圖4為表示在根據(jù)本發(fā)明的表面處理銅箔的電解銅箔的表面形成有凸粒的情形的示意圖。具體實(shí)施方式以下，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地理解本發(fā)明的實(shí)施例，而參考附圖詳細(xì)記載必要事項(xiàng)。然而，在本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)的記載范圍內(nèi)，本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)為多種不同的形態(tài)，因此以下記載的實(shí)施例與表述無(wú)關(guān)地僅限于示例。在說(shuō)明實(shí)施例的過(guò)程中，如果認(rèn)為對(duì)相關(guān)公知功能或構(gòu)成要素的具體說(shuō)明有可能對(duì)本發(fā)明的要義造成不必要的混亂，則省略其詳細(xì)說(shuō)明。另外應(yīng)予說(shuō)明，在附圖中，倘若是相同的構(gòu)成要素，則即使圖示在不同的附圖中，也盡量用相同的附圖標(biāo)記及符號(hào)示出。并且，在附圖中，各個(gè)層的厚度或大小可能為了說(shuō)明的簡(jiǎn)便性和明確性而被夸張地表示，其可能與實(shí)際的層厚度或大小有所不同。以下，對(duì)關(guān)于本發(fā)明的一實(shí)施例的表面處理銅箔及其制造條件進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明。[表面處理銅箔]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的表面處理銅箔在銅箔的至少一個(gè)表面包括貼附有凸粒的粗糙化處理面，所述表面處理銅箔的表面粗糙度為2.5～3.0μm，在所述銅箔的一個(gè)表面上貼附著的凸粒的高度為1.0～3.0μm，凸粒與凸粒之間的間距為0.1～0.7μm，觀察剖面25μm內(nèi)的凸粒的個(gè)數(shù)為10～60個(gè)。在更加優(yōu)選的情況下，所述表面粗糙度為2.5～2.8μm。另外，所述表面處理銅箔在lowdk(低介電常數(shù))用ppg中表現(xiàn)出0.7kgf以上的粘接強(qiáng)度，更加優(yōu)選地，表現(xiàn)出1.0kgf以上的粘接強(qiáng)度。本發(fā)明中所述的凸粒高度是指銅箔表面與凸粒頂點(diǎn)之間的距離，優(yōu)選地，經(jīng)歷所述粗糙化處理的電解銅箔的表面所形成的凸粒的高度在1.0μm至3.0μm范圍。所述凸粒形成于電解銅箔的表面，在凸粒高度小于1.0μm的情況下，與樹(shù)脂粘接的凸粒的高度低，從而使粘接強(qiáng)度不良，于是并非優(yōu)選的。如果凸粒的高度超過(guò)3.0μm，則電解銅箔的表面的表面粗糙度偏差增加，因此無(wú)法持有穩(wěn)定的粘接強(qiáng)度，且會(huì)降低高頻特性，因此并非優(yōu)選范圍。并且，凸粒與凸粒之間的間距優(yōu)選在0.1μm至0.7μm范圍。如果凸粒與凸粒之間的間距小于0.1μm，則凸粒與凸粒之間的間距變窄，從而使與樹(shù)脂之間的結(jié)合部分不足，于是會(huì)降低粘接強(qiáng)度，因此并不優(yōu)選，如果凸粒與凸粒之間的間距超過(guò)0.7μm，則電解銅箔與凸粒之間的結(jié)合力變?nèi)?，于是凸粒易于從銅箔的表面脫落，從而使粘接強(qiáng)度減小，因此并不優(yōu)選。而且，凸粒的個(gè)數(shù)優(yōu)選在觀察剖面25μm內(nèi)存在10至60個(gè)。在觀察剖面25μm內(nèi)的凸粒的個(gè)數(shù)小于10個(gè)的情況下，電解銅箔的粘接強(qiáng)度變?nèi)醵嬖趩?wèn)題，因此并不優(yōu)選，如果凸粒的個(gè)數(shù)超過(guò)60個(gè)，則凸粒與凸粒之間的間距變窄，于是與樹(shù)脂之間的結(jié)合部分變得不足，從而使粘接強(qiáng)度降低，因此并不優(yōu)選。[經(jīng)表面處理的銅箔的制造方法]圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的表面處理銅箔的制造方法的順序圖。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理銅箔的制造方法包括如下步驟：第一步驟s100，準(zhǔn)備電解銅箔；第二步驟s200，對(duì)所述電解銅箔的表面進(jìn)行酸洗處理；第三步驟s300，在包含有mo、co、w、mn、cu、h2so4、na中的至少一種物質(zhì)的鍍?cè)≈袑?duì)所述經(jīng)酸洗處理的電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理，從而形成凸粒；第四步驟s400，在所述形成的凸粒上部形成外蓋鍍金屬層。在第一步驟s100中，準(zhǔn)備12μm的電解銅箔。在準(zhǔn)備電解銅箔的第一步驟s100中，為了制造電解銅箔而利用了能夠以20l/min循環(huán)的3l容量的電解槽系統(tǒng)。使用于銅箔的制造的銅電解液優(yōu)選具有cuso4·5h2o250～400g/l、h2so480～150g/l組成，并可額外地添加氯離子及添加劑。而且，使銅箔的制造中使用的銅電解液的溫度維持在45℃的恒定水平。銅箔制造的陽(yáng)極使用了厚度為5mm、大小為10×10cm2的dse(dimentionallystableelectrode；定常尺寸電極)極板，陰極也與陽(yáng)極相同地使用了厚度為5mm、大小為10×10cm2的鈦極板。并且，為了使cu2+離子的移動(dòng)順暢，以35a/dm2的電流密度實(shí)施了鍍覆，并將電解銅箔的厚度制造成12μm。然后，在第二步驟s200中對(duì)電解銅箔的表面進(jìn)行酸洗處理。所述第二步驟s200中的的對(duì)電解銅箔表面酸洗處理過(guò)程是用于去除銅箔表面的雜質(zhì)而清潔銅箔的步驟。在本發(fā)明中，優(yōu)選通過(guò)酸洗處理而清潔化銅箔。將電解銅箔的表面酸洗處理的方法只要是本領(lǐng)域中公知的方法就不特別限定，然而作為非限定性的示例可選擇性利用脫脂及研磨。所述脫脂是用于去除殘留在銅箔的雜質(zhì)的處理，可應(yīng)用堿脫脂、酸脫脂或電解脫脂。然后，在第三步驟s300中，在包含有mo、co、w、mn、cu、h2so4、na中的至少一種物質(zhì)的鍍?cè)≈袑?duì)被執(zhí)行所述酸洗處理并得到清潔化的電解銅箔執(zhí)行粗糙化處理而形成凸粒。在執(zhí)行所述電解銅箔的粗糙化處理時(shí)，在鍍?cè)≈邪琺o、co、w、mn、cu、h2so4、na中的至少一種金屬離子的鍍?cè)≈性?0a/dm2的電流密度下執(zhí)行4秒的粗糙化處理。在第三步驟s300中粗糙化處理的電解銅箔在表面形成凸粒。如果因粗糙化處理而在電解銅箔的表面形成凸粒，則電解銅箔的表面積將會(huì)增加，于是可以所述凸粒的粘接強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的經(jīng)表面處理的銅箔適于lowdk及高頻用印刷電路板，尤其在lowdkprepreg(半固化片)下表現(xiàn)出高粘接強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明而經(jīng)歷所述粗糙化處理的電解銅箔的表面粗糙度具有2.5～3.0μm的范圍，并在lowdkppg下表現(xiàn)出0.7kgf以上的粘接強(qiáng)度。更加優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明而經(jīng)歷粗糙化處理的電解銅箔的表面粗糙度優(yōu)選具有2.5～2.8μm的范圍，在lowdkppg下表現(xiàn)出1.0kgf以上的粘接強(qiáng)度則是更為優(yōu)選的。用于形成所述凸粒的粗糙化處理在包含有選自mo、co、w、mn、cu、h2so4、na中的至少一種金屬離子的鍍?cè)≈袑?shí)施。用于形成所述凸粒的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、co1～10g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。應(yīng)予說(shuō)明，圖2表示當(dāng)在由mo1～10g/l、co1～10g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?duì)電解銅箔執(zhí)行粗糙化處理時(shí)形成的凸粒的sem圖片。并且，用于形成所述凸粒的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、mn0.1～0.5g/l、w0.1～0.5g/l、cu10～20g/l、h2so4100～200g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。而且，用于形成所述凸粒的粗糙化處理可在由mo1～10g/l、na1～10g/l構(gòu)成的鍍?cè)≈袑?shí)施。另外，在所述第三步驟s300中經(jīng)歷粗糙化處理而形成于電解銅箔表面的凸粒的高度優(yōu)選在1.0μm至3.0μm的范圍內(nèi)。本發(fā)明中所述的凸粒高度是指銅箔表面與凸粒頂點(diǎn)之間的距離。在凸粒高度小于1.0μm的情況下，與樹(shù)脂接合的凸粒的高度較低，于是粘接強(qiáng)度并不優(yōu)良，因此并不優(yōu)選。如果凸粒的高度超過(guò)3.0μm，則電解銅箔的表面的表面粗糙度的偏差增加，從而無(wú)法持有穩(wěn)定的粘接強(qiáng)度，并降低高頻特性，因此并不優(yōu)選。而且，凸粒與凸粒之間的間距優(yōu)選為0.1μm至0.7μm的范圍。在凸粒與凸粒之間的間距小于0.1μm的情況下，凸粒之間的間距變窄，而使與樹(shù)脂之間的接合部分變得不足，從而降低粘接強(qiáng)度，因此并不優(yōu)選；如果凸粒與凸粒之間的間距超過(guò)0.7μm，則電解銅箔與凸粒之間的結(jié)合力變?nèi)?，而使凸粒容易從銅箔的表面脫落，從而使粘接強(qiáng)度減小，因此并不優(yōu)選。并且，凸粒的個(gè)數(shù)優(yōu)選在觀察剖面25μm內(nèi)存在10個(gè)至60個(gè)。如果觀察剖面25μm內(nèi)的凸粒個(gè)數(shù)小于10個(gè)，則存在電解銅箔的粘接強(qiáng)度減弱的問(wèn)題，因此并不優(yōu)選；如果凸粒的個(gè)數(shù)超過(guò)60個(gè)，則凸粒與凸粒之間的間距變窄，而使與樹(shù)脂之間的接合部分變得不足，從而使粘接強(qiáng)度降低，因此并不優(yōu)選。然后，在第四步驟s400中，在通過(guò)所述第三步驟s300而形成的凸粒的上部以15a/dm2的電流密度執(zhí)行3秒的鍍覆，從而形成外蓋鍍金屬層。在所述第四步驟s400中在凸粒的上部形成外蓋鍍金屬層的步驟是為了改善落粉特性、耐熱性、導(dǎo)電性。形成于凸粒上部的外蓋鍍金屬層優(yōu)選形成從由ni、ni合金、zn、zn合金、ag組成的群中選擇的一種以上的金屬鍍層，然而在凸粒上部形成鍍金屬層的方法并不局限于此，只要是本領(lǐng)域中公知的方法，就都可以選擇利用。應(yīng)予說(shuō)明，圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的經(jīng)表面處理的銅箔的剖面的sem圖片。如上所述地經(jīng)過(guò)包括第四步驟s400的鍍金屬層的形成的所有步驟的經(jīng)表面處理的銅箔如圖3所述地形成有凸粒。而且，圖4為表示在根據(jù)本發(fā)明的表面處理銅箔的電解銅箔表面形成有凸粒的情形的示意圖。參見(jiàn)圖4，在電解銅箔的粗糙面(matteside)形成有凸粒。以下，通過(guò)實(shí)施例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。為了測(cè)量根據(jù)本實(shí)施例的經(jīng)表面處理的銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz，而進(jìn)行了如下的測(cè)試。在根據(jù)本發(fā)明的經(jīng)表面處理的銅箔制造方法中，對(duì)電解銅箔表面進(jìn)行酸洗處理的步驟以及對(duì)粗糙化處理的凸粒的表面進(jìn)行鍍覆處理的步驟則在本領(lǐng)域中公知的通常使用的條件下進(jìn)行了實(shí)施。而且，如下所述的實(shí)施例和比較例中，給根據(jù)本發(fā)明的經(jīng)表面處理的銅箔的制造方法中的粗糙化處理的鍍?cè)〉慕饘匐x子構(gòu)成方式加以變化，而測(cè)量出本發(fā)明的經(jīng)表面處理的銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz并進(jìn)行了比較。[實(shí)施例]本發(fā)明的實(shí)施例和比較例的實(shí)驗(yàn)條件如下。(實(shí)施例1)首先，實(shí)施例1為如下的實(shí)施例：在電解銅箔的粗糙化處理時(shí)，選取如下條件的鍍液，mo2g/l、co2g/l、w0.3g/l、cu90g/l、h2so4130g/l，并將電流密度設(shè)定為20a/dm2，且將處理時(shí)間設(shè)定為4秒，從而在電解銅箔的表面形成凸粒，然后測(cè)量出電解銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz。(實(shí)施例2)實(shí)施例2為如下的實(shí)施例：在進(jìn)行電解銅箔的粗糙化處理時(shí)，選取如下條件的鍍液，mo3g/l、mn0.4g/l、w0.2g/l、cu90g/l、h2so4130g/l的條件，并將電流密度設(shè)定為20a/dm2，且將處理時(shí)間設(shè)定為4秒，從而在電解銅箔的表面形成凸粒，然后測(cè)量出電解銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz。(實(shí)施例3)實(shí)施例3是如下的實(shí)施例：在進(jìn)行電解銅箔的粗糙化處理時(shí)，選取如下條件的鍍液，mo5g/l、na0.4g/l，并將電流密度設(shè)定為20a/dm2，且將處理時(shí)間設(shè)定為4秒，從而在電解銅箔的表面形成凸粒，然后測(cè)量出電解銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz。(比較例1)比較例1是如下的實(shí)施例：在進(jìn)行電解銅箔的粗糙化處理時(shí)，選取如下條件的鍍液，mo2g/l、w0.3g/l、cu90g/l、h2so4130g/l的條件，并將電流密度設(shè)定為20a/dm2，且將處理時(shí)間設(shè)定為4秒，從而在電解銅箔的表面形成凸粒，然后測(cè)量出電解銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz。(比較例2)比較例2是如下的實(shí)施例：在進(jìn)行電解銅箔的粗糙化處理時(shí)，選取如下條件的鍍液，co2g/l、w0.3g/l、cu90g/l、h2so4130g/l的條件，并將電流密度設(shè)定為20a/dm2，且將處理時(shí)間設(shè)定為4秒，從而在電解銅箔的表面形成凸粒，然后測(cè)量出電解銅箔的粘接強(qiáng)度、表面粗糙度rz。下表1是以實(shí)施例1至實(shí)施例3、比較例1、比較例2的條件測(cè)量出經(jīng)表面處理后的電解銅箔的粘接強(qiáng)度(kgf)、表面粗糙度(rz)并示出的表。表面粗糙度rz根據(jù)jisb0601-1994規(guī)范進(jìn)行了測(cè)量。表面粗糙度rz的值越低表示凹凸越小。粘接強(qiáng)度以如下方式測(cè)量：在lowdk用無(wú)鹵半固化片中將準(zhǔn)備的試片以10×100mm的尺寸貼附，并在210℃下執(zhí)行30分鐘的熱壓加工，從而準(zhǔn)備粘接強(qiáng)度測(cè)量試片，并將制備的測(cè)量試片在u.t.m.設(shè)備中以每分鐘50mm的速度進(jìn)行測(cè)量。[表1]參考所述表1，使粗糙化處理鍍液由mo、co、w、cu、h2so4構(gòu)成而制造的實(shí)施例1的經(jīng)表面處理后銅箔而言，粗糙化處理之后的電解銅箔的表面粗糙度rz測(cè)量結(jié)果為2.6μm，粘接強(qiáng)度測(cè)量結(jié)果為1.08kgf，其表現(xiàn)出了最為優(yōu)良的表面粗糙度rz及粘接強(qiáng)度。這意味著如下的事實(shí)：如實(shí)施例1所述地，當(dāng)利用包含有mo、co、w、cu、h2so4的鍍液而對(duì)電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理而形成凸粒時(shí)，可制造出既具有低粗糙度并提高粘接強(qiáng)度的表面處理銅箔。相反地，對(duì)于使粗糙化處理鍍液由排除所述實(shí)施例1中的co的其余物質(zhì)即mo、w、cu、h2so4組成而制造出經(jīng)表面處理的銅箔的比較例1而言，粗糙化處理之后的電解銅箔的表面粗糙度rz的測(cè)量結(jié)果為3.12μm，粘接強(qiáng)度的測(cè)量結(jié)果為0.9kgf，其雖然表現(xiàn)出了良好的粘接強(qiáng)度，然而表面粗糙度rz卻并不優(yōu)良。并且，對(duì)于使粗糙化處理鍍液由除了所述實(shí)施例1中的mo的其余物質(zhì)即co、w、cu、h2so4組成而制造出表面處理銅箔的比較例2而言，粗糙化處理之后的電解銅箔的表面粗糙度rz的測(cè)量結(jié)果為4.0μm，粘接強(qiáng)度測(cè)量結(jié)果為1.09kgf，其表現(xiàn)為粘接強(qiáng)度優(yōu)良但表面粗糙度rz卻并不優(yōu)良。對(duì)于使粗糙化處理鍍液由mo、mn、w、cu、h2so4組成而制造出經(jīng)表面處理的銅箔的實(shí)施例2而言，粗糙化處理之后的電解銅箔的表面粗糙度rz被測(cè)定為2.91μm，粘接強(qiáng)度被測(cè)定為0.89kgf，其表現(xiàn)為表面粗糙度rz和粘接強(qiáng)度均優(yōu)良。這表明如下的事實(shí)：如實(shí)施例2所述地，當(dāng)利用包含有mo、mn、w、cu、h2so4的鍍液而對(duì)電解銅箔進(jìn)行粗糙化處理而形成凸粒時(shí)，可制造出既具備低粗糙度又提高了粘接強(qiáng)度的表面處理銅箔。對(duì)于使粗糙化處理鍍液由mo、na組成而制造出經(jīng)表面處理的銅箔的實(shí)施例3而言，粗糙化處理之后的電解銅箔的表面粗糙度rz被測(cè)定為2.52μm，粘接強(qiáng)度被測(cè)定為0.71kgf，其表現(xiàn)出優(yōu)良的表面粗糙度rz和粘接強(qiáng)度。這表明如下的事實(shí)：如實(shí)施例3所述地，當(dāng)利用包含有mo、na的鍍液而對(duì)電解銅箔執(zhí)行粗糙化處理而形成凸粒時(shí)，可制造出既具有低粗糙度又提高了粘接強(qiáng)度的表面處理銅箔。本發(fā)明的技術(shù)思想已根據(jù)上述的優(yōu)選實(shí)施例而進(jìn)行了具體的闡述，然而所述實(shí)施例僅用于對(duì)其說(shuō)明，須知其并非旨在限定本發(fā)明。而且，想必可以理解只要是本發(fā)明所屬的
技術(shù)領(lǐng)域：
：中具有基本知識(shí)的人員就能夠在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)多樣的變形例。如前所述的本發(fā)明的權(quán)利范圍由權(quán)利要求書(shū)確定，而不局限在說(shuō)明書(shū)正文的記載，屬于權(quán)利要求書(shū)的等價(jià)范圍的變形及變更均包含于本發(fā)明的范圍。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12