一種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法及裝置制造方法
【專利摘要】一種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法及裝置。其特征在于：將基材經(jīng)過預(yù)處理后置入電鍍槽中，通過超聲發(fā)生器、脈沖電磁場發(fā)生器和脈沖電源為鍍槽施加超聲場、電磁場和電場，實現(xiàn)多場耦合電沉積，具體過程：加熱超聲波介質(zhì)，放入電沉積裝置，打開脈沖電源、超聲波發(fā)生器、脈沖電磁場發(fā)生器，將經(jīng)過前處理的基材放入所配置好的復(fù)合鍍液中進行電沉積；然后進行鍍件的后處理，將第二步沉積完成的鍍件進行超聲清洗，丙酮清洗，無水乙醇清洗。本方法的復(fù)合鍍液中均勻分布有鎳離子和不溶性納米陶瓷顆粒，施加脈沖電磁場和正負脈沖電流或電壓的狀態(tài)下使納米陶瓷顆粒和基質(zhì)金屬離子共沉積而得到由基質(zhì)金屬鎳與納米顆粒構(gòu)成的金屬基納米陶瓷復(fù)合材料。
【專利說明】一種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法及裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種在實驗室內(nèi)制備復(fù)合材料的方法以及專用裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，工業(yè)領(lǐng)域?qū)Σ牧闲阅芴岢龈?、更苛刻的要求，例如，耐高溫、高強度、高顯微硬度、優(yōu)異的耐磨性能和耐腐蝕性能等。當(dāng)前作為單一的金屬、陶瓷、聚合物等材料各自固有的局限性而不能滿足現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的需要，納米復(fù)合材料就是為了滿足以上高新技術(shù)發(fā)展的需求而開發(fā)的高性能先進材料，而金屬基納米陶瓷復(fù)合鍍層因具備金屬和非金屬材料的優(yōu)異性能，已成為納米復(fù)合材料研究和關(guān)注的重點，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域。
[0003]與傳統(tǒng)的金屬基復(fù)合材料相比，金屬基納米陶瓷復(fù)合鍍層的顯微硬度、強度、耐磨、耐腐蝕、導(dǎo)熱性能等均有大幅度提高。以金屬基納米陶瓷復(fù)合鍍層取代金屬零件表面常用的金屬鍍層，不僅克服了金屬鍍層的缺陷(如鍍層薄、顯微硬度低、耐磨性能差等)，延長金屬零件的使用壽命，而且納米科技的進一步發(fā)展及生產(chǎn)應(yīng)用也具有重要的學(xué)術(shù)價值。但是，這種新型材料由于其生產(chǎn)工藝的復(fù)雜，現(xiàn)有的實驗室中還沒有一種簡單可行的制備方法，所以導(dǎo)致目前在高校實驗室內(nèi)還不能按照需要而獲得金屬基納米陶瓷材料。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決【背景技術(shù)】中所提到的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法及裝置，利用該裝置實施本發(fā)明所述方法后，使得鎳離子和不溶性納米陶瓷顆粒在復(fù)合鍍液中均勻分布，在施加脈沖電磁場和正負脈沖電流或電壓的狀態(tài)下使納米陶瓷顆粒和基質(zhì)金屬離子共沉積而得到由基質(zhì)金屬鎳與納米顆粒共同構(gòu)成的金屬基納米陶瓷復(fù)合材料，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，為在高校內(nèi)開展相應(yīng)的科學(xué)研究提供了便利條件。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:該種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的裝置，包括帶有內(nèi)容腔的超聲波發(fā)生器、能夠輸出正負脈沖的脈沖電源、脈沖電磁場發(fā)生器以及加熱裝置。
[0006]其中，在超聲波發(fā)生器的內(nèi)容腔側(cè)壁上固定有墊塊，在墊塊上固定有水平的網(wǎng)狀隔板，在網(wǎng)狀隔板上固定有縱截面呈“U”字型的盆狀鍍槽，鍍槽的底腳插入網(wǎng)狀隔板上的固定孔而實現(xiàn)固定；在超聲波發(fā)生器的內(nèi)容腔頂端固定有一塊防蒸發(fā)絕緣蓋板，防蒸發(fā)絕緣蓋板上開有若干螺栓孔并配有若干用于實現(xiàn)導(dǎo)體連接的空心雙層螺栓以及采用導(dǎo)電材料制成的上、下接頭，螺栓孔內(nèi)開有內(nèi)螺紋，上、下接頭的外面開有外螺紋；所述空心雙層螺栓由兩層材料復(fù)合而成，其中外層采用絕緣材料制成，并開有與所述螺栓孔上的內(nèi)螺紋相配合的外螺紋，內(nèi)層采用導(dǎo)體制成，并開有與所述上、下接頭上的外螺紋相配合的內(nèi)螺紋；脈沖電源和脈沖電磁場發(fā)生器的電源輸出端分別經(jīng)由導(dǎo)線與對應(yīng)的上接頭進行電連接。
[0007]在鍍槽外側(cè)的兩個相反方向處分別固定有脈沖電磁場發(fā)生器的兩個輸出線圈，所述輸出線圈的電連接端經(jīng)過絕緣導(dǎo)線電連接至與其對應(yīng)的一對下接頭上；在鍍槽里側(cè)的兩個相反方向處分別固定有陰極板固定夾和陽極板固定夾；陰極板固定夾和陽極板固定夾的結(jié)構(gòu)相同，均采用絕緣材料制成，由上夾板、立板以及下夾板依次連接后構(gòu)成，其中，在立板的上端固定連接有一個L形彎板，在上夾板和下夾板上對應(yīng)開有極板上卡槽和極板下卡槽，在上夾板的中央還開有一個供極板連接導(dǎo)線穿過的導(dǎo)引槽，L形彎板卡在鍍槽的側(cè)邊上實現(xiàn)對陰極板固定夾和陽極板固定夾的固定，固定于陰極板固定夾和陽極板固定夾上的陰極板和陽極板的電連接端分別經(jīng)過極板連接導(dǎo)線電連接至與其對應(yīng)的另一對下接頭上。
[0008]所述空心雙層螺栓固定于螺栓孔內(nèi)，已對應(yīng)連接完畢的全部下接頭旋入對應(yīng)空心雙層螺栓的底部，已對應(yīng)連接完畢的全部上接頭旋入對應(yīng)空心雙層螺栓的上部。
[0009]加熱裝置的電加熱管位于超聲波發(fā)生器的內(nèi)容腔中，處于網(wǎng)狀隔板的下方，所述電加熱管的連接導(dǎo)線經(jīng)過絕緣密封墊密封后引出，連接至加熱裝置電源的電流輸出端。
[0010]利用以上裝置在實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法，該方法由如下步驟組成: 第一步，對作為試樣的基材依次進行除油、除銹、電解拋光以及活化；
第二步，按照如下比例配制復(fù)合鍍液，即十六烷基溴化碘0.5mg/l?2mg/l、十二烷基硫酸鈉 0.2g/l ?0.9g/l、CG-550 偶聯(lián)劑 2g/l ?5g/l、糖精鈉(C7H4NO3S) 2g/l ?6g/l、納米顆粒 2g/l ?15g/l、硼酸(H3BO3) 20g/l ?40g/l、氯化鎳(NiCl2.6H20) 30g/l ?50g/l、硫酸鎳(NiSO4.6H20) 300g/l?400g/l，其余成分為水；
所述納米顆粒為氮化鈦TiN、三氧化二鋁Al2O3、碳化硅SiC中的一種或幾種，納米顆粒的粒徑范圍為20nm?80nm ；
第三步，啟動加熱裝置，加熱位于超聲波發(fā)生器的內(nèi)容腔中的超聲波介質(zhì)，控制超聲波介質(zhì)的溫度范圍在45攝氏度到55攝氏度之間；
第四步，將經(jīng)第一步處理好的基材固定在裝置中的陰極板固定夾上，陽極板固定夾上固定鎳板或其他二價純金屬的金屬板；
第五步，將經(jīng)第二步配制好的復(fù)合鍍液倒入權(quán)利要求1所述裝置中的鍍槽內(nèi)；
第六步，啟動裝置中的超聲波發(fā)生器、脈沖電磁場發(fā)生器以及脈沖電源，對第四步固定好的基材進行電沉積；所述電沉積過程按照如下方式進行:
脈沖電流的電流密度值范圍在5 A/dm2?9A/dm2，脈沖寬度范圍在O ms?200ms之間，脈沖間歇范圍在O ms?100ms之間，脈沖占空比在1:10?9:10之間，脈沖頻率范圍在10 Hz?4000Hz之間，脈沖波形為矩形；極間距范圍在15 mm?50mm之間，PH值在3?5.5之間，溫度范圍在45°C?60°C之間，電沉積時間范圍在10 min?90min之間。
[0011]第七步，對經(jīng)第六步電沉積后的基材鍍件進行清洗處理。
[0012]本發(fā)明具有如下有益效果:
本發(fā)明所述的一種多場耦合電沉積制備金屬基納米陶瓷復(fù)合材料的方法及其實驗裝置，其中采用的超聲波可以抑制納米粒子團聚，促進粒子沉積，細化基質(zhì)晶粒；采用的磁場對復(fù)合鍍液可產(chǎn)生磁流體力學(xué)效應(yīng)，減小擴散層厚度，促進氫氣排出，還可以提高電流效率和沉積速率；采用的電場可以控制晶粒成核、生長，提高鍍層結(jié)合力，從而獲得表面致密均勻的金屬基納米陶瓷鍍層。在實驗室內(nèi)利用本發(fā)明所述方法及裝置制備金屬基納米陶瓷鍍層，簡單易行，成本低，不僅克服了常規(guī)實驗室內(nèi)獲得的金屬鍍層的缺陷，例如鍍層薄、顯微硬度低、耐磨性能差等問題，而且延長了金屬零件的使用壽命。而且可以按照實驗的需要制備出相應(yīng)的納米涂層，對納米科技的進一步發(fā)展及生產(chǎn)應(yīng)用研究也具有重要的價值。
[0013]【專利附圖】

【附圖說明】:
圖1是本發(fā)明所述裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是本發(fā)明所述防蒸發(fā)絕緣蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖3是本發(fā)明所述空心雙層螺栓的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖4是本發(fā)明所述上接頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖5是本發(fā)明所述下接頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖6是本發(fā)明所述陰極板固定夾的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖7是本發(fā)明所述陰極板固定夾的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖8是本發(fā)明一個具體實施例下脈沖電源輸出的電流波形圖。
[0021]圖中1-超聲波發(fā)生器，2-網(wǎng)狀隔板，3-7jC，4-鍍槽，5-鍍液，6-脈沖電源，7-陰極板固定夾，8-陽極板固定夾，9-脈沖電磁場發(fā)生器，10-防蒸發(fā)絕緣蓋板，11-墊塊，12-加熱裝置，13-絕緣密封墊，14-加熱裝置電源，15-螺栓孔，16-內(nèi)層，17-外層，18-上接頭，19-下接頭,20-L形彎板,21-上夾板，22-導(dǎo)引槽,23-極板上卡槽,24-立板，25-下夾板，26-極板下卡槽，27-極板，28-極板連接導(dǎo)線。
[0022]【具體實施方式】:
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明:
由圖1所示，該種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的裝置，包括帶有內(nèi)容腔的超聲波發(fā)生器1、能夠輸出正負脈沖的脈沖電源6、脈沖電磁場發(fā)生器9以及加熱裝置12。
[0023]其中，在超聲波發(fā)生器I的內(nèi)容腔側(cè)壁上固定有墊塊11，在墊塊11上固定有水平的網(wǎng)狀隔板2，在網(wǎng)狀隔板2上固定有縱截面呈“U”字型的盆狀鍍槽4，鍍槽4的底腳插入網(wǎng)狀隔板2上的固定孔而實現(xiàn)固定；在超聲波發(fā)生器I的內(nèi)容腔頂端固定有一塊防蒸發(fā)絕緣蓋板10，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，防蒸發(fā)絕緣蓋板10上開有若干螺栓孔15并配有若干用于實現(xiàn)導(dǎo)體連接的空心雙層螺栓以及采用導(dǎo)電材料制成的上接頭18、下接頭19，上接頭18和下接頭19的結(jié)構(gòu)圖如圖4、圖5所示，螺栓孔15內(nèi)開有內(nèi)螺紋，上接頭18、下接頭19的外面開有外螺紋；所述空心雙層螺栓由兩層材料復(fù)合而成，其結(jié)構(gòu)如圖3所示，其中外層17采用絕緣材料制成，并開有與所述螺栓孔15上的內(nèi)螺紋相配合的外螺紋，內(nèi)層16采用導(dǎo)體制成，并開有與所述上、下接頭上的外螺紋相配合的內(nèi)螺紋；脈沖電源6和脈沖電磁場發(fā)生器9的電源輸出端分別經(jīng)由導(dǎo)線與對應(yīng)的上接頭18進行電連接。
[0024]在鍍槽4外側(cè)的兩個相反方向處分別固定有脈沖電磁場發(fā)生器9的兩個輸出線圈，所述輸出線圈的電連接端經(jīng)過絕緣導(dǎo)線電連接至與其對應(yīng)的一對下接頭上；在鍍槽4里側(cè)的兩個相反方向處分別固定有陰極板固定夾7和陽極板固定夾8 ;陰極板固定夾7和陽極板固定夾8的結(jié)構(gòu)相同，均采用絕緣材料制成，其結(jié)構(gòu)如圖6和圖7所示，由上夾板21、立板24以及下夾板25依次連接后構(gòu)成。其中，在立板24的上端固定連接有一個L形彎板20，在上夾板21和下夾板25上對應(yīng)開有極板上卡槽23和極板下卡槽26，在上夾板21的中央還開有一個供極板連接導(dǎo)線28穿過的導(dǎo)引槽22，L形彎板20卡在鍍槽4的側(cè)邊上實現(xiàn)對陰極板固定夾7和陽極板固定夾8的固定，固定于陰極板固定夾7和陽極板固定夾8上的陰、陽兩種極板27的電連接端分別經(jīng)過極板連接導(dǎo)線28電連接至與其對應(yīng)的另一對下接頭上。
[0025]所述空心雙層螺栓固定于螺栓孔15內(nèi)，已對應(yīng)連接完畢的全部下接頭19旋入對應(yīng)空心雙層螺栓的底部，已對應(yīng)連接完畢的全部上接頭18旋入對應(yīng)空心雙層螺栓的上部。這樣，在一次操作過程中，可以完成對多塊極板的固定和實施制備涂層。
[0026]加熱裝置12的電加熱管位于超聲波發(fā)生器I的內(nèi)容腔中，處于網(wǎng)狀隔板2的下方，所述電加熱管的連接導(dǎo)線經(jīng)過絕緣密封墊13密封后引出，連接至加熱裝置電源14的電流輸出端。
[0027]下面給出利用上述裝置在實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法，該方法由如下步驟組成:
第一步，對作為試樣的基材依次進行除油、除銹、電解拋光以及活化。
[0028]具體過程如下:用砂紙將試件表面的毛刺、氧化物等異物打磨干凈，減少表面粗糙度。對基材進行除油的溶液配方如下:氫氧化鈉80g/l、洗潔精3g/l、溫度70°C、時間9min。采用的除銹液配方:硫酸220g/l、鹽酸50g/l、硫脲4g/l、十二烷基硫酸鈉0.03g/l、溫度為常溫、時間9min。電解拋光溶液配方及工藝參數(shù):磷酸75%、鉻酸21%、水4%、電流密度50A/dm2、溫度70°C、時間4min?；罨?用5%的稀鹽酸，室溫下進行，時間為60s。
[0029]第二步，按照如下比例配制復(fù)合鍍液，即十六烷基溴化碘0.5mg/l?2mg/l、十二烷基硫酸鈉 0.2g/l ?0.9g/l、CG-550 偶聯(lián)劑 2g/l ?5g/l、糖精鈉(C7H4NO3S)2g/l ?6g/l、納米顆粒 2g/l ?15g/l、硼酸(H3BO3) 20g/l ?40g/l、氯化鎳(NiCl2.6H20) 30g/l ?50g/
1、硫酸鎳(NiSO4.6H20) 300g/l?400g/l，其余成分為水；
所述納米顆粒為氮化鈦TiN、三氧化二鋁Al2O3、碳化硅SiC中的一種或幾種，納米顆粒的粒徑范圍為20nm?80nm ；
第三步，啟動權(quán)利要求1所述裝置中的加熱裝置(12)，加熱位于超聲波發(fā)生器(I)的內(nèi)容腔中的超聲波介質(zhì)(3)，控制超聲波介質(zhì)(3)的溫度范圍在45攝氏度到55攝氏度之間。
[0030]第四步，將經(jīng)第一步處理好的基材固定在權(quán)利要求1所述裝置中的陰極板固定夾7上，陽極板固定夾8上固定鎳板或其他二價純金屬的金屬板；
第五步，將經(jīng)第二步配制好的復(fù)合鍍液倒入權(quán)利要求1所述裝置中的鍍槽(4)內(nèi)；第六步，啟動權(quán)利要求1所述裝置中的超聲波發(fā)生器1、脈沖電磁場發(fā)生器9以及脈沖電源6，對第四步固定好的基材進行電沉積；所述電沉積過程按照如下方式進行:
脈沖電流的電流密度值范圍在5 A/dm2?9A/dm2，脈沖寬度范圍在O ms?200ms之間，脈沖間歇范圍在O ms?100ms之間，脈沖占空比在1:10?9:10之間，脈沖頻率范圍在10 Hz?4000Hz之間，脈沖波形為矩形；極間距范圍在15 mm?50mm之間，PH值在3?
5.5之間，溫度范圍在45°C?60°C之間，電沉積時間范圍在10 min?90min之間。
[0031]另外需要盡量滿足以下條件超聲波的波向為:X，Y，X+Y ;功率為O?360W ;電磁場方向 X，Υ，Χ+Υ ;電磁場強度O?1Τ。
[0032]第七步，對經(jīng)第六步電沉積后的基材鍍件進行清洗處理。主要包括超聲清洗、丙酮清洗和無水乙醇清洗。
[0033]之后，便可以得到適于實驗室內(nèi)應(yīng)用的被鍍上金屬基納米陶瓷鍍層的可用材料。所得到的納米復(fù)合鍍層的表面平整光亮，表面粗糙度很小，并且具有很高的顯微硬度和磁性能等優(yōu)良性能。
【權(quán)利要求】
1.一種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的裝置，包括帶有內(nèi)容腔的超聲波發(fā)生器(1)、能夠輸出正負脈沖的脈沖電源(6)、脈沖電磁場發(fā)生器(9)以及加熱裝置(12)； 其中，在超聲波發(fā)生器(1)的內(nèi)容腔側(cè)壁上固定有墊塊(11)，在墊塊(11)上固定有水平的網(wǎng)狀隔板(2)，在網(wǎng)狀隔板(2)上固定有縱截面呈“U”字型的盆狀鍍槽(4)，鍍槽(4)的底腳插入網(wǎng)狀隔板(2)上的固定孔而實現(xiàn)固定；在超聲波發(fā)生器(1)的內(nèi)容腔頂端固定有一塊防蒸發(fā)絕緣蓋板(10)，防蒸發(fā)絕緣蓋板(10)上開有若干螺栓孔(15)并配有若干用于實現(xiàn)導(dǎo)體連接的空心雙層螺栓以及采用導(dǎo)電材料制成的上、下接頭(18，19)，螺栓孔(15)內(nèi)開有內(nèi)螺紋，上、下接頭(18，19)的外面開有外螺紋；所述空心雙層螺栓由兩層材料復(fù)合而成，其中外層(17)采用絕緣材料制成，并開有與所述螺栓孔(15)上的內(nèi)螺紋相配合的外螺紋，內(nèi)層(16)采用導(dǎo)體制成，并開有與所述上、下接頭上的外螺紋相配合的內(nèi)螺紋；脈沖電源(6)和脈沖電磁場發(fā)生器(9)的電源輸出端分別經(jīng)由導(dǎo)線與對應(yīng)的上接頭(18)進行電連接； 在鍍槽(4)外側(cè)的兩個相反方向處分別固定有脈沖電磁場發(fā)生器(9)的兩個輸出線圈，所述輸出線圈的電連接端經(jīng)過絕緣導(dǎo)線電連接至與其對應(yīng)的一對下接頭上；在鍍槽(4 )里側(cè)的兩個相反方向處分別固定有陰極板固定夾(7 )和陽極板固定夾(8 );陰極板固定夾(7)和陽極板固定夾(8)的結(jié)構(gòu)相同，均采用絕緣材料制成，由上夾板(21)、立板(24)以及下夾板(25)依次連接后構(gòu)成，其中，在立板(24)的上端固定連接有一個L形彎板(20)，在上夾板(21)和下夾板(25)上對應(yīng)開有極板上卡槽(23)和極板下卡槽(26)，在上夾板(21)的中央還開有一個供極板連接導(dǎo)線(28)穿過的導(dǎo)弓|槽(22)，L形彎板(20)卡在鍍槽(4)的側(cè)邊上實現(xiàn)對陰極板固定夾(7)和陽極板固定夾(8)的固定，固定于陰極板固定夾(7)和陽極板固定夾(8)上的陰極板和陽極板的電連接端分別經(jīng)過極板連接導(dǎo)線(28)電連接至與其對應(yīng)的另一對下接頭上； 所述空心雙層螺栓固定于螺栓孔(15)內(nèi)，已對應(yīng)連接完畢的全部下接頭(19)旋入對應(yīng)空心雙層螺栓的底部，已對應(yīng)連接完畢的全部上接頭(18)旋入對應(yīng)空心雙層螺栓的上部; 加熱裝置(12)的電加熱管位于超聲波發(fā)生器(1)的內(nèi)容腔中，處于網(wǎng)狀隔板(2)的下方，所述電加熱管的連接導(dǎo)線經(jīng)過絕緣密封墊(13)密封后引出，連接至加熱裝置電源(14)的電流輸出端。
2.一種實驗室內(nèi)制備金屬基納米陶瓷的方法，該方法由如下步驟組成: 第一步，對作為試樣的基材依次進行除油、除銹、電解拋光以及活化； 第二步，按照如下比例配制復(fù)合鍍液，即十六烷基溴化碘0.5mg/l?2mg/l、十二烷基硫酸鈉 0.2g/l ?0.9g/l、CG-550 偶聯(lián)劑 2g/l ?5g/l、糖精鈉(C7H4N03S) 2g/l ?6g/l、納米顆粒 2g/l ?15g/l、硼酸(H3B03) 20g/l ?40g/l、氯化鎳(NiCl2.6H20) 30g/l ?50g/l、硫酸鎳(NiS04.6H20) 300g/l?400g/l，其余成分為水； 所述納米顆粒為氮化鈦TiN、三氧化二鋁A1203、碳化硅SiC中的一種或幾種，納米顆粒的粒徑范圍為20nm?80nm ；第三步，啟動權(quán)利要求1所述裝置中的加熱裝置(12)，加熱位于超聲波發(fā)生器(1)的內(nèi)容腔中的超聲波介質(zhì)(3)，控制超聲波介質(zhì)(3)的溫度范圍在45攝氏度到55攝氏度之間；第四步，將經(jīng)第一步處理好的基材固定在權(quán)利要求1所述裝置中的陰極板固定夾(7)上，陽極板固定夾(8)上固定鎳板或其他二價純金屬的金屬板； 第五步，將經(jīng)第二步配制好的復(fù)合鍍液倒入權(quán)利要求1所述裝置中的鍍槽(4)內(nèi)；第六步，啟動權(quán)利要求1所述裝置中的超聲波發(fā)生器(1)、脈沖電磁場發(fā)生器(9)以及脈沖電源(6)，對第四步固定好的基材進行電沉積；所述電沉積過程按照如下方式進行: 脈沖電流的電流密度值范圍在5 A/dm2?9A/dm2，脈沖寬度范圍在0 ms?200ms之間，脈沖間歇范圍在0 ms?1000ms之間，脈沖占空比在1:10?9:10之間，脈沖頻率范圍在.10 Hz?4000Hz之間，脈沖波形為矩形；極間距范圍在15 mm?50mm之間，PH值在3?.5.5之間，溫度范圍在45°C?60°C之間，電沉積時間范圍在10 min?90min之間； 第七步，對經(jīng)第六步電沉積后的基材鍍件進行清洗處理。
【文檔編號】C25D5/20GK104451830SQ201410698010
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月27日
【發(fā)明者】夏法鋒, 田濟語, 馬春陽, 萬宇佳, 張曉光, 于心瀧, 劉濱瑜 申請人:東北石油大學(xué)