1.一種無光刻制造方法，其特征在于，所述制造方法用于制造集成cmos接口電路的微流量傳感器，所述制造方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的無光刻制造方法，其特征在于，所述利用濕法刻蝕將微帶線組件所處金屬層周邊的金屬犧牲層完全刻蝕干凈，形成懸浮mems結構，并于腔體底部暴露硅基之后，還包括：
3.根據(jù)權利要求1或2所述的無光刻制造方法，其特征在于，所述利用濕法刻蝕將微帶線組件所處金屬層下方的金屬犧牲層完全刻蝕干凈，包括：
4.根據(jù)權利要求1或2所述的無光刻制造方法，其特征在于，所述采用反應性離子刻蝕以暴露所述初始傳感器芯片中位于所述微帶線組件一側的頂層平板電極，包括：
5.一種集成cmos接口電路的微流量傳感器，其特征在于，所述微流量傳感器應用如權利要求1-4任一項所述的無光刻制造方法制造得到；所述流量傳感器包括設置于基片上的微帶線組件及接口電路，所述接口電路包括控制電路、時鐘脈沖電路及讀取電路；
6.根據(jù)權利要求5所述的集成cmos接口電路的微流量傳感器，其特征在于，所述讀取電路還包括紋波抑制環(huán)路電路；所述紋波抑制環(huán)路電路包括第一斬波器、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第三跨導器及第四跨導器；
7.根據(jù)權利要求6所述的集成cmos接口電路的微流量傳感器，其特征在于，所述讀取電路還包括第九電容、第十電容、第十一電容、第十二電容、第二斬波器及反饋斬波器；
8.根據(jù)權利要求7所述的集成cmos接口電路的微流量傳感器，其特征在于，所述讀取電路還包括第一串聯(lián)電路及第二串聯(lián)電路；所述第一串聯(lián)電路串聯(lián)設置于所述第二跨導器的一個輸入端與一個輸出端之間，所述第二串聯(lián)電路串聯(lián)設置于所述第二跨導器的另一輸入端與另一輸出端之間；
9.根據(jù)權利要求5所述的集成cmos接口電路的微流量傳感器，其特征在于，所述補償電路包括相串聯(lián)的第十五電容及第九電阻；所述第十五電容未連接所述第九電阻的一端作為所述補償電路的第一端，所述第九電阻未連接所述第十五電容的一端作為所述補償電路的第二端。
10.根據(jù)權利要求5所述的集成cmos接口電路的微流量傳感器，其特征在于，所述時鐘電路包括方波產生電路及分頻電路；