專利名稱：一種中空結(jié)構(gòu)的微陣列電極的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種中空結(jié)構(gòu)的微陣列電極的制備方法，屬于微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著新興的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)發(fā)展對(duì)高精度微型機(jī)械的迫切需求，由此伴隨而來的是大量形狀各異的微小尺寸結(jié)構(gòu)和高精度零件的不斷增加。微細(xì)群孔陣列作為一種典型的微細(xì)結(jié)構(gòu)在MEMS、航空航天、精密儀器、化纖等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，如高速打印機(jī)噴嘴板、光纖連接器、化纖噴絲板等。微細(xì)加工是微細(xì)結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)和技術(shù)關(guān)鍵。電解加工具有不受材料力學(xué)性能的限制，加工速度快，可達(dá)到較好的表面粗糙度，加工過程中不存在內(nèi)應(yīng)力、變形和飛邊毛刺，加工后的金相組織基本上不發(fā)生變化，陰極工具不存在損耗等優(yōu)點(diǎn)，使得電解加工成為微細(xì)加工方法中具有重要應(yīng)用價(jià)值的一種方法。但是，電化學(xué)微加工 (EMM)的間隙值很小，只有幾十微米，加工過程中反應(yīng)物消耗難以補(bǔ)充，電極反應(yīng)產(chǎn)物累積難以清除，這在很大程度上阻礙了加工的正常進(jìn)行，并嚴(yán)重影響工件的成型精度。要改善電解加工的加工參量，就要使用具有中空結(jié)構(gòu)的微電極。經(jīng)過對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，中國(guó)專利公開號(hào)(CN102092674A)，名稱為“一種微電極陣列的制備方法”的發(fā)明，提出一種微電極陣列的制備方法，其步驟包括1)首先在導(dǎo)電的纖維材料表面涂布絕緣材料以形成絕緣層；2)將有絕緣層的導(dǎo)電纖維單層取向排列并用高分子材料固定形成片材；3)將片材沿纖維取向相互疊加并用高分子材料固定形成塊材；4)將塊材沿纖維軸向的垂直方向進(jìn)行機(jī)械切割、打磨獲得含有兩個(gè)絕緣高分子材料間隔的導(dǎo)電材料點(diǎn)陣列平面的薄片；5)將薄片的一個(gè)導(dǎo)電材料點(diǎn)陣列平面作為電極電接觸部分，而另一面布線、封裝即得到平板微陣列電極。但由于其中用到機(jī)械切割和磨削而會(huì)使加工表面存在變質(zhì)層和微裂紋，難以實(shí)現(xiàn)微電極陣列的異性化，其次對(duì)于微米級(jí)的異性電極采用機(jī)械加工的難度較大，而且其無法制備出中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具有中空微結(jié)構(gòu)的電極陣列制備方法，既適用于制備具有中空結(jié)構(gòu)微單電極，也適用于具有中空結(jié)構(gòu)微電極陣列，特別適合制備出各種形狀的微電極陣列，如圓形、橢圓形、矩 形、三角形及異形電極等。所制作出的電極可有效的改善間隙內(nèi)的流場(chǎng)并調(diào)節(jié)反應(yīng)物濃度以及溫升等影響電解加工成型精度的參量。本發(fā)明的技術(shù)方案如下
本發(fā)明提供一種具有中空結(jié)構(gòu)微陣列電極的制備方法，包括以下步驟
1)制作掩膜版，可以用菲林版，精度較高的用鉻板；
2)在玻璃片上，濺射金屬Ti薄層，并作氧化處理，將濺射氧化處理的玻璃片烘干后，再在此玻璃片上依次進(jìn)行甩負(fù)膠、前烘、曝光、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)微電極陣列底板支撐層的圖形化；
3)在以去膠機(jī)去除片上的殘留負(fù)膠后，進(jìn)行活化清洗，然后采用電沉積技術(shù)，得到鎳微電極底板支撐層；
4)將電鍍得到的鎳微陣列電極底板以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，進(jìn)行活化清洗，并進(jìn)行烘干，隨后再次甩負(fù)膠、前烘曝光、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)電極光刻膠結(jié)構(gòu)的圖形化；
5)重復(fù)3)，得到鎳中空微電極陣列；
6)將電沉積得到的鎳微陣列電極后以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，在其表面濺射一層 Gr/Cu導(dǎo)電層；
7)將上述濺射了Gr/Cu導(dǎo)電層的玻璃片進(jìn)行烘干后，在其表面甩正膠、前烘、曝光、顯影，實(shí)現(xiàn)電極端面約束孔的圖形化；
8)在以去膠機(jī)去除片上的殘留正膠后，進(jìn)行活化清洗，然后再次用電沉積技術(shù)得到鎳中空微電極陣列的第三層；
9)在進(jìn)行平坦化處理后，將該電鑄件去負(fù)膠、去殘留玻璃、Ti濺射層、Gr/Cu導(dǎo)電層，再進(jìn)行清洗得到光滑的具有中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列。本發(fā)明所述及的電鍍工藝中，其鍍液為氨基磺酸鎳，其中添加少量光亮劑糖精和丁炔二醇，溫度為45°C，PH為4 ；所述及的光刻為UV-LIGA工藝，其每一層的曝光的時(shí)間分別為 180s，60s，20s。所述電極的形狀與尺寸均由掩膜版上圖形的尺寸決定，也可做成單個(gè)或陣列排布。所述微電極底板支撐層、中空微電極以及中空微電極陣列第三層均采用氨基磺酸鎳電鍍工藝制備鎳電鍍層，其環(huán)境參數(shù)為溫度45°C，PH為4，鍍液循環(huán)，電鍍厚度為 20-300um。所述步驟2)、4)、7)的烘干溫度和時(shí)間分別為180°C 4h、60°C 2h、60°C濁。所述步驟3)中，采用的活化清洗液為1 1的HCl溶液，時(shí)間aiiin。所述步驟4)中，采用的活化清洗液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-10%的NaOH溶液，時(shí)間5min。本發(fā)明上述步驟2)中，在一玻璃片上濺射Ti薄層，并作氧化處理，以保證其與負(fù)膠的結(jié)合力。本發(fā)明上述步驟6)中，濺射Gr/Cu導(dǎo)電層，濺射Gr保證了濺射Cu層和圖形化正光刻膠之間的良好的結(jié)合力，而濺射Cu可以克服濺射的Gr層電阻率較高的缺陷。本發(fā)明上述步驟3)、5)、8)中，均采用電沉積技術(shù)得到Ni層，Ni具有較低的應(yīng)力， 良好的機(jī)械強(qiáng)度以及鍍厚能力，易于實(shí)現(xiàn)微電極陣列的成型加工。本發(fā)明上述步驟7)中，在電極端面增加此約束孔可減小中空結(jié)構(gòu)孔的口徑，降低開孔對(duì)于工件成形的影響，進(jìn)一步提高成形精度。本發(fā)明的微陣列電極直徑和形狀，由光刻掩膜版的形狀和尺寸決定，改變掩膜版上掩膜的尺寸，可得到不同直徑的微電極和微電極內(nèi)開的孔，而改變掩膜版上掩膜的形狀， 可以得到不同形狀的微電極和所開的孔。為保證微電極和所開孔的直徑公差，掩膜版上掩膜的尺寸應(yīng)偏小，一般比設(shè)計(jì)尺寸小5-10 um。本發(fā)明以微電鑄金屬材料技術(shù)與UV-LIGA技術(shù)制備具有中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列，不需要LIGA技術(shù)所必需的同步輻射光源，而利用普通紫外光源，借助負(fù)膠優(yōu)異的高深寬比結(jié)構(gòu)成型能力，使用普通掩膜版就可以提供普通鉆孔技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的中空結(jié)構(gòu)成型能力和更好的線寬控制精度，且一次光刻可以加工厚度300um、線寬40um的微結(jié)構(gòu)陣列，同時(shí)改變掩膜版的設(shè)計(jì)，可以豐富微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)形式，獲得各種形狀(三角形、矩形、多邊形等)的中空結(jié)構(gòu)微電極模具。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、成本低，而且制備的微陣列電極形狀多樣化，使用壽命較長(zhǎng)。


圖1具有中空微結(jié)構(gòu)的微細(xì)電解加工用圓形單電極示意圖2微細(xì)電解加工中使用具有中空結(jié)構(gòu)的微單電極電解液噴流示意圖； 圖2中各標(biāo)號(hào)1-單電極支撐底板；2-中空結(jié)構(gòu)圓形單電極；3-單電極端面約束孔； 4-工件；5-電解液。圖3具有中空結(jié)構(gòu)圓形微電極陣列示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說明本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。本發(fā)明利用UV-LIGA工藝和電沉積工藝，將此二者巧妙結(jié)合，從而制作出具有中空微結(jié)構(gòu)的微電極陣列。如圖1所示，具有中空微結(jié)構(gòu)的微細(xì)電解加工用圓形單電極示意圖；如圖2所示，微細(xì)電解加工中使用具有中空結(jié)構(gòu)的微單電極電解液噴流示意圖；圖中 1-單電極支撐底板；2-中空結(jié)構(gòu)圓形單電極；3-單電極端面約束孔；4-工件；5-電解液。實(shí)施例1
1)制作掩膜版；
電極的制作分為三層，第一層的掩膜版可用菲林版，第二，三層的掩膜版則用精度較高的鉻板，第二、三層掩膜版上掩膜為矩形；
2)在3英寸的玻璃片上，濺射Ium的Ti，并在65°C下，在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%Na0H和1% 的混合液中氧化3min，形成均勻、致密的黑色TW2薄膜，以保證基片與光刻膠良好的粘結(jié)力，在180°C下烘干4h，然后甩SU-8-50負(fù)性光刻膠300um，其后依次進(jìn)行前烘、曝光180s、 中烘、顯影，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)微電極陣列底板支撐層的圖形化；
3)在以去膠機(jī)去除片上的殘留負(fù)膠后，進(jìn)行活化清洗(采用的活化清洗液為1 1的HCl 溶液，時(shí)間2min)，利用電沉積來沉積Ni，鍍液采用氨基磺酸鎳溶液，其組分為氨基磺酸鎳 500g/L，氯化鎳 5g/L，硼酸 20g/L，添加光亮劑(0. 1-0. 2g/L 的 1，4 丁炔二醇和 1. 2-2. 5g/L 的糖精)。在溫度為45°C，PH為4，10mA/cm2的電流密度下，電鍍Mh，得到光亮、均勻、厚約 300um的微陣列電極底板支撐層；
4)將電鍍得到的鎳微陣列電極底板以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，進(jìn)行活化清洗(采用的活化清洗液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-10%Na0H的溶液，時(shí)間5min)，并進(jìn)行烘干(60°C 2h),隨后再次甩SU8-8-50膠300um、前烘、曝光60s、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)微陣列電極光刻膠結(jié)構(gòu)矩形圖形化；5)重復(fù)3)，電鍍Mh，得到中空結(jié)構(gòu)矩形微電極陣列；
6)將電沉積得到的鎳微陣列電極后以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，在其表面濺射一層 Gr/Cu導(dǎo)電層控制Gr層約450 Cu層約950 A;；
7 )將上述濺射了 Gr/Cu導(dǎo)電層的玻璃片進(jìn)行烘干(80。C 4h )后，在其表面甩正膠、前烘、 曝光20s、顯影，實(shí)現(xiàn)端面矩形約束孔的圖形化；
8)在以去膠機(jī)去除片上的殘留正膠后，進(jìn)行活化清洗，然后再次用電沉積技術(shù)，電鍍池得到鎳中空矩形微電極陣列的第三層；
9)將模具電鑄件的端面進(jìn)行磨削、拋光處理，磨去不平的M金屬層，得到滿足要求、平整的模具，在進(jìn)行平坦化處理后，分別采用專用去膠劑去SU-8-50膠、用50% (V/V)水溶液腐蝕掉殘留玻璃、Ti濺射層、Gr/Cu導(dǎo)電層，再進(jìn)行清洗得到光滑的具有中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列，該陣列電極的端面粗糙度Ra=300 在顯微鏡下觀察，可以看到微陣列電極層間無
開裂、分層現(xiàn)象，說明層間結(jié)合力良好。實(shí)施例2
1)制作掩膜版；電極的制作分為三層，第一層的掩膜版可用菲林版，第二，三層的掩膜版則用精度較高的鉻板，第二、三層掩膜版上掩膜為三角形；
2)在4英寸的玻璃片上，濺射8001的Ti，其后重復(fù)實(shí)例1的步驟2)，實(shí)現(xiàn)微電極陣列底板支撐層的圖形化；
3)在以去膠機(jī)去除片上的殘留負(fù)膠后，進(jìn)行活化清洗，利用電沉積來沉積M，鍍液同實(shí)施例1步驟3)。在溫度為45°C，PH為4，15mA/cm2的電流密度下，電鍍16h，得到光亮、均勻、厚約300um的微陣列電極底板；
4)將電鍍得到的鎳微陣列電極底板以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，進(jìn)行活化清洗，并進(jìn)行烘干(60°C 2h)，隨后再次甩SU8-8-50膠300um、前烘、曝光60s、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)微陣列電極光刻膠結(jié)構(gòu)三角形圖形化；
5)重復(fù)3)，電鍍16h，得到中空結(jié)構(gòu)三角形微電極陣列；
6)將電沉積得到的鎳微陣列電極后以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，在其表面濺射一層 Gr/Cu導(dǎo)電層，控制Gr層約550 A, Cu層約850 I1 ；
7 )將上述濺射了 Gr/Cu導(dǎo)電層的玻璃片進(jìn)行烘干(80。C 4h )后，在其表面甩正膠、前烘、 曝光、顯影，實(shí)現(xiàn)端面三角形約束孔的圖形化；
8)在以去膠機(jī)去除片上的殘留正膠后，進(jìn)行活化清洗，然后再次用電沉積技術(shù)，電鍍 1.證得到鎳三角形中空微電極陣列的第三層；
9)按照實(shí)例1中步驟9)的方法進(jìn)行平坦化處理后，去SU-8-50膠、殘留玻璃、Ti濺射層、Gr/Cu導(dǎo)電層，再進(jìn)行清洗得到光滑的電化學(xué)加工用具有中空結(jié)構(gòu)的微陣列電極，該陣列電極的端面粗糙度Ra=280 Α,在顯微鏡下觀察，可以看到微陣列電極層間無開裂、分層現(xiàn)
象，說明層間結(jié)合力良好。實(shí)施例3
1)制作掩膜版；電極的制作分為三層，第一層的掩膜版可用菲林版，第二，三層的掩膜版則用精度較高的鉻板，第二、三層掩膜版上掩膜為圓形；
2)在6英寸的玻璃片上，濺射900人:的Ti，其后重復(fù)實(shí)例1的步驟2)，實(shí)現(xiàn)微電極陣列底板支撐層的圖形化；
3)在以去膠機(jī)去除片上的殘留負(fù)膠后，進(jìn)行活化清洗，利用電沉積來沉積M，鍍液同實(shí)施例1步驟3)。在溫度為45°C，PH為4，20mA/cm2的電流密度下，電鍍12h，得到光亮、均勻、厚約300um的微陣列電極底板；
4)將電鍍得到的鎳微陣列電極底板以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，進(jìn)行活化清洗，并進(jìn)行烘干，隨后再次甩SU8-8-50膠300um、前烘、曝光60s、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)微陣列電極光刻膠結(jié)構(gòu)圓形圖形化；
5)重復(fù)3)，電鍍12h，得到中空結(jié)構(gòu)圓形微電極陣列；
6)將電沉積得到的鎳微陣列電極后以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，在其表面濺射一層 Gr/Cu導(dǎo)電層，控制Gr層約500 A1, Cu層約900 Ai ；
7)將上述濺射了Gr/Cu，導(dǎo)電層的玻璃片進(jìn)行烘干(80°C 4h)后，在其表面甩正膠、前烘、曝光、顯影，實(shí)現(xiàn)端面圓形約束孔的圖形化；
8)在以去膠機(jī)去除片上的殘留正膠后，進(jìn)行活化清洗，然后再次用電沉積技術(shù)，電鍍Ih 得到鎳中空?qǐng)A形微電極陣列的第三層；
9)按照實(shí)例1中步驟9)的方法進(jìn)行平坦化處理后，去SU-8-50膠、殘留玻璃、Ti濺射層、Gr/Cu導(dǎo)電層，再進(jìn)行清洗得到光滑的電化學(xué)加工用具有中空結(jié)構(gòu)的微陣列電極(附圖 3)，該陣列電極的端面粗糙度Ra=290 A.，在顯微鏡下觀察，可以看到微陣列電極層間無開裂、分層現(xiàn)象，說明層間結(jié)合力良好。 盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種中空結(jié)構(gòu)的微陣列電極的制備方法，其特征在于包括以下步驟1)制作掩膜版；2)在玻璃片上，濺射金屬Ti薄層，并作氧化處理，將濺射氧化處理的玻璃片烘干后，再在此玻璃片上依次進(jìn)行甩負(fù)膠、前烘、曝光、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀， 實(shí)現(xiàn)微電極陣列底板支撐層的圖形化；3)在以去膠機(jī)去除片上的殘留負(fù)膠后，進(jìn)行活化清洗，然后采用電沉積技術(shù)，得到鎳微電極底板支撐層；4)將電鍍得到的鎳微陣列電極底板以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，進(jìn)行活化清洗，并進(jìn)行烘干，隨后再次甩負(fù)膠、前烘曝光、中烘、顯影處理，根據(jù)掩膜版設(shè)計(jì)的電極形狀，實(shí)現(xiàn)電極光刻膠結(jié)構(gòu)的圖形化；5)重復(fù)3)，得到鎳中空微電極陣列；6)將電沉積得到的鎳微陣列電極后以平面加工技術(shù)進(jìn)行平坦化后，在其表面濺射一層 Gr/Cu導(dǎo)電層；7)將上述濺射了Gr/Cu導(dǎo)電層的玻璃片進(jìn)行烘干后，在其表面甩正膠、前烘、曝光、顯影，實(shí)現(xiàn)電極端面約束孔的圖形化；8)在以去膠機(jī)去除片上的殘留正膠后，進(jìn)行活化清洗，然后再次用電沉積技術(shù)得到鎳中空微電極陣列的第三層；9)在進(jìn)行平坦化處理后，將該電鑄件去負(fù)膠、去殘留玻璃、Ti濺射層、Gr/Cu導(dǎo)電層，再進(jìn)行清洗得到光滑的具有中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于所述電極的形狀與尺寸均由掩膜版上圖形的尺寸決定，做成單個(gè)或陣列排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于所述微電極底板支撐層、中空微電極以及中空微電極陣列第三層均采用氨基磺酸鎳電鍍工藝制備鎳電鍍層，其環(huán)境參數(shù)為溫度45°C，PH為4，鍍液循環(huán)，電鍍厚度為20-300um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于 所述電鍍工藝中，其鍍液采用氨基磺酸鎳溶液，其組分為氨基磺酸鎳500g/L，氯化鎳5g/L， 硼酸20g/L，添加光亮劑0. 1-0. 2g/L的1，4 丁炔二醇和1. 2-2. 5g/L的糖精。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于所述步驟2)、4)、7)中，曝光的時(shí)間分別為180s，60s，20s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于 所述步驟2)中，烘干溫度和時(shí)間為180°C、4h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于所述步驟3)中，采用的活化清洗液為1:1的HCl溶液，時(shí)間aiiin。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于所述步驟4)中，采用的活化清洗液為5-10%Na0H溶液，時(shí)間5min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或5或8所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于所述步驟4)中，烘干溫度和時(shí)間分別為60°C、2h。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種中空結(jié)構(gòu)的微電極陣列的制備方法，其特征在于 所述步驟7)中，烘干溫度和時(shí)間為60°C、2h。
全文摘要
本發(fā)明公開一種微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域的中空結(jié)構(gòu)的微陣列電極的制備方法，步驟:1)制作掩膜版；2)在玻璃片上，濺射金屬Ti薄層，并作氧化處理，進(jìn)行甩SU8膠、前烘等處理，實(shí)現(xiàn)電極光刻膠結(jié)構(gòu)的圖像化；3)采用電沉積技術(shù)形成微電極支撐底板；4)再次進(jìn)行甩SU8膠光刻；5)采用電沉積技術(shù)形成中空?qǐng)A柱為電極；6)濺射Gr/Cu導(dǎo)電層；7)甩正膠光刻；8)電沉積得到微電極第三層；9)進(jìn)行平坦化，去除光刻膠等。本發(fā)明可用于制備任意形狀，高精度的微細(xì)電化學(xué)加工用具有中空結(jié)構(gòu)的微電極，且易于批量化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102320559SQ20111027114
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
發(fā)明者丁桂甫, 吳靜, 汪紅, 趙小林 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)