專利名稱：晶片搬運(yùn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片搬運(yùn)裝置，特別涉及具有調(diào)整保持晶片的真空壓力的壓力調(diào)整手段的晶片搬運(yùn)裝置。
背景技術(shù)：
裝在磨削裝置上保持并搬運(yùn)晶片的現(xiàn)有的晶片搬運(yùn)裝置作成構(gòu)成如專利文獻(xiàn)1所述的結(jié)構(gòu)。
如圖7所示，現(xiàn)有的晶片搬運(yùn)裝置90包括保持部91、吸附墊92、通氣路93、接口94和臂95。在吸附著晶片W的保持部91上有與晶片W接觸并吸引保持的、如由多孔部件組成的吸附墊92。該吸附墊92通過(guò)通氣路93、接口94與吸引源(未作圖示)連通。這樣的晶片搬運(yùn)裝置90通過(guò)從上方吸引晶片W并使臂95轉(zhuǎn)動(dòng)把晶片W搬運(yùn)到規(guī)定的場(chǎng)所。在搬運(yùn)晶片W時(shí)，由吸引源施加吸引作用，晶片W由保持部92吸引保持。另一方面，搬運(yùn)晶片W后，解除吸引源的吸引作用、松開(kāi)晶片W，放到規(guī)定的場(chǎng)所(特開(kāi)平8-55896號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題在搬運(yùn)晶片W時(shí)，為了不給晶片W沖擊，在專利文獻(xiàn)1中記載了在晶片搬運(yùn)裝置90上使用緩沖材料。因此，可以事先防止吸引晶片W時(shí)的晶片W的破損。
但是，在這樣的晶片W和吸附墊92接觸的接觸方式的晶片搬運(yùn)裝置90中，晶片W在搬運(yùn)時(shí)與由多孔部件組成的吸附墊92接觸。因此，若在將晶片W分割成芯片狀后測(cè)定其抗折強(qiáng)度，判明由用晶片搬運(yùn)裝置90搬運(yùn)的晶片W分割成的芯片和不與吸附墊92接觸的由搬運(yùn)前的晶片W分割成的芯片比較，抗折強(qiáng)度下降。即，判明該抗折強(qiáng)度下降的主要原因在于在保持部上吸引保持搬運(yùn)晶片W。這可以認(rèn)為是由于晶片W與保持部91接觸而發(fā)生的。
為了避免這樣的問(wèn)題，例如可以考慮使用利用伯努利原理的非接觸搬運(yùn)裝置。而卡盤(pán)臺(tái)由于是具有多孔性的多孔部件，加工時(shí)產(chǎn)生的屑會(huì)進(jìn)入該孔。為了去除這些屑，卡盤(pán)臺(tái)從多孔部件的下側(cè)(與晶片W的放置面的相反側(cè))噴水洗凈。因此，在卡盤(pán)臺(tái)上殘留有水，若在其上放置晶片W，由表面張力形成晶片W很難從卡盤(pán)臺(tái)上剝離的狀態(tài)。因而，在使用用于從磨削裝置的卡盤(pán)臺(tái)搬運(yùn)晶片W的非接觸搬運(yùn)裝置時(shí)，由于非接觸搬運(yùn)裝置的吸引力沒(méi)有可以剝離作用表面張力的晶片W的足夠的吸引力，故不能使用非接觸搬運(yùn)裝置。
另外，為減輕晶片W和吸附墊92的接觸力，也研究了使多孔部件組成的吸附墊92的材質(zhì)變?nèi)彳浀膯?wèn)題。但是，若吸附墊92的材質(zhì)變?nèi)彳?，在由磨削造成晶片W部分磨損時(shí)，其破片會(huì)吸進(jìn)吸附墊92，不易排除。因此，存在必須更換吸附墊92，不能使用晶片搬運(yùn)裝置90的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明是鑒于這些問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種新的改進(jìn)型的晶片搬運(yùn)裝置，其即使在用真空吸附在保持部上吸引保持晶片時(shí)，也能減輕由接觸造成的晶片抗折強(qiáng)度的下降。
解決問(wèn)題的方法為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的觀點(diǎn)，提供一種晶片搬運(yùn)裝置，其具有用真空吸附吸引保持晶片的保持部和把用保持部保持的晶片搬運(yùn)到規(guī)定位置的搬運(yùn)部。規(guī)定保持部中的真空壓力為表壓-70kPa到30kPa的范圍內(nèi)。
這種結(jié)構(gòu)的晶片搬運(yùn)裝置是接觸式晶片搬運(yùn)裝置，由于在搬運(yùn)晶片時(shí)吸附墊與晶片接觸，使晶片的抗折強(qiáng)度下降。因此，通過(guò)把用保持部保持晶片時(shí)的真空壓力定為-70kPa到30kPa的范圍內(nèi)(表壓)時(shí)，比現(xiàn)有的真空壓力弱，可以防止用保持部吸附晶片時(shí)晶片的抗折強(qiáng)度明顯下降。
為如上述把真空壓力調(diào)整到表壓-70kPa到-30kPa的范圍內(nèi)，例如所述晶片搬運(yùn)裝置具有真空泵；連接真空泵和保持部的配管；使該配管分支、在該分支的配管上調(diào)整保持部的真空壓力的壓力調(diào)整裝置。而用該壓力調(diào)整裝置使配管內(nèi)的真空泵的吸氣向外部漏泄，而調(diào)整真空壓力。這時(shí)，作為壓力調(diào)整裝置包括用于調(diào)整到所希望的真空壓力的流量調(diào)整閥和用于漏泄吸氣的配管開(kāi)放部。這樣，通過(guò)在連通真空泵和保持部的現(xiàn)有的配管上增加新的配管，就可以不用大幅改變現(xiàn)有的晶片搬運(yùn)裝置的結(jié)構(gòu)而設(shè)置調(diào)整壓力裝置。
發(fā)明效果如上所說(shuō)明的，根據(jù)本發(fā)明，即使通過(guò)真空吸附在保持部上吸引保持晶片時(shí)，也可以減輕由于接觸造成的晶片抗折強(qiáng)度下降。


圖1是第一實(shí)施方式的磨削裝置的整體立體圖；圖2是表示平均抗折強(qiáng)度和真空壓力的關(guān)系的曲線；圖3是表示使真空壓力變化時(shí)的晶片的抗折強(qiáng)度的曲線；圖4是對(duì)該實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置的配管結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖；圖5是該實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置的側(cè)面圖；圖6是實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置的保持部的剖面圖；圖7是現(xiàn)有的晶片搬運(yùn)裝置中的保持部的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在本說(shuō)明書(shū)和附圖中，通過(guò)對(duì)于實(shí)質(zhì)上具有相同機(jī)能的結(jié)構(gòu)要素賦予相同的編號(hào)，而省略重復(fù)說(shuō)明。另外，下面的真空壓力的規(guī)定為表壓。
第一實(shí)施方式首先，對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式的磨削裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖1是本實(shí)施方式的磨削裝置的立體示意圖。磨削裝置1構(gòu)成作為磨削加工被加工物、例如晶片W里面的裝置。晶片W是如八英寸、十二英寸等的大致圓板狀的硅晶片。磨削裝置1磨削加工該晶片W的里面(與電路面相反側(cè)的面)，例如薄到100～50μm的厚度。
具體說(shuō)明磨削裝置1的各結(jié)構(gòu)要素。如圖1所示，磨削裝置1例如包括箱體2、粗磨削單元3、精磨削單元4、設(shè)在轉(zhuǎn)臺(tái)5上的例如三個(gè)卡盤(pán)臺(tái)6、盒11、12、定位臺(tái)13、搬運(yùn)臂17、18、搬運(yùn)裝置20和旋轉(zhuǎn)清洗裝置30。
粗磨削單元3通過(guò)在轉(zhuǎn)動(dòng)裝在軸3a的下端的磨削輪3b的同時(shí)按壓保持在卡盤(pán)臺(tái)6上的晶片W的里面，對(duì)晶片W的里面進(jìn)行粗磨削加工。同時(shí)，精加工磨削單元4通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)裝在軸4a的下端的磨削輪4b按壓上述粗磨削后的晶片W的里面，高精度精磨削該晶片W的里面。這樣，本實(shí)施方式的磨削裝置1具有兩個(gè)磨削單元3、4，但不限于此例，磨削裝置1也可以構(gòu)成具有一個(gè)或大于三個(gè)磨削單元。
轉(zhuǎn)臺(tái)5是設(shè)在箱體2上面的圓板上的臺(tái)，能在水平方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。在該轉(zhuǎn)臺(tái)5上例如以120度的相位角等間隔配置例如三個(gè)卡盤(pán)臺(tái)6。該卡盤(pán)臺(tái)6在其上面裝有真空卡盤(pán)，真空吸附并保持放置的晶片W。該卡盤(pán)臺(tái)6在磨削加工時(shí)用轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未作圖示)可在水平方向轉(zhuǎn)動(dòng)。這樣結(jié)構(gòu)的卡盤(pán)臺(tái)6通過(guò)轉(zhuǎn)臺(tái)5的轉(zhuǎn)動(dòng)順次移動(dòng)到搬入搬出區(qū)域A、粗磨削加工區(qū)域B、精磨削加工區(qū)域C、搬入搬出區(qū)域A。
盒11、12是具有多個(gè)縫隙的晶片用的收容器。盒11放置磨削加工前的晶片W，而盒12放置磨削加工后的晶片W定位臺(tái)13是臨時(shí)放置從盒11取出的晶片W的臺(tái)。該定位臺(tái)13具有中心位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，其通過(guò)例如6根銷(xiāo)向著臺(tái)的中心同時(shí)縮徑運(yùn)動(dòng)使晶片W中心位置與臺(tái)中心吻合。
構(gòu)成晶片搬運(yùn)裝置100的搬運(yùn)臂17、18包括從上方吸附晶片W的保持部、支持保持部的臂部和使臂部在水平方向轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部。搬運(yùn)臂17搬運(yùn)放在定位臺(tái)13上的磨削加工前的晶片W，放在位于搬入搬出區(qū)域A的卡盤(pán)臺(tái)6上。而搬運(yùn)臂18搬運(yùn)放在位于搬入搬出區(qū)域A的卡盤(pán)臺(tái)6上的磨削加工后的晶片W，放在旋轉(zhuǎn)洗凈裝置30的旋轉(zhuǎn)臺(tái)32上。對(duì)于作為本發(fā)明特征的晶片搬運(yùn)裝置100的詳細(xì)情況，將在下面敘述。
搬運(yùn)裝置20是裝備設(shè)有吸附墊(未作圖示)的晶片保持部22(例如C字形柄)的搬運(yùn)裝置20。該搬運(yùn)裝置20用晶片保持部22吸附保持晶片W并吸住。之后，把磨削加工前的晶片W從盒11向定位臺(tái)13搬運(yùn)；把磨削加工后的晶片W從旋轉(zhuǎn)臺(tái)32向盒12搬運(yùn)。
以上根據(jù)圖1對(duì)本實(shí)施方式的磨削裝置1進(jìn)行了說(shuō)明。隨著用這樣的磨削裝置1進(jìn)行磨削的晶片W進(jìn)一步薄層化，在晶片W分割成芯片狀時(shí)具有足夠的抗折強(qiáng)度是重要的。檢測(cè)該抗折強(qiáng)度下降的主要原因的結(jié)果，判明用保持部吸引吸引保持并搬運(yùn)晶片W時(shí)，由于晶片W與保持部接觸，晶片W的抗折強(qiáng)度下降。
用于減輕晶片抗折強(qiáng)度下降的最理想的搬運(yùn)方式是晶片與保持部不接觸的非接觸方式。但是，非接觸方式的搬運(yùn)是裝置如上所述由于殘留在卡盤(pán)臺(tái)上的水的表面張力，剝離放在卡盤(pán)臺(tái)上的晶片W很困難。根據(jù)該理由由于不能使用非接觸方式的搬運(yùn)裝置，本申請(qǐng)發(fā)明者研究了使用接觸方式可以抑制抗折強(qiáng)度下降的方法。
其結(jié)果，本申請(qǐng)發(fā)明者研究了使吸附墊的材質(zhì)柔軟而減少晶片和吸附墊的接觸力。但是，在由磨削造成晶片破損時(shí)，其破片進(jìn)入吸附墊不易排除。因而，由于不更換吸附墊就不能使用晶片搬運(yùn)裝置，所以存在生產(chǎn)率顯著下降的問(wèn)題。
根據(jù)該理由，本申請(qǐng)發(fā)明者著眼于吸引保持晶片時(shí)的真空壓力的大小。通常用大約-100～-80kPa的真空壓力在保持部上吸引晶片。但是不一定需要這樣的真空壓力，可以考慮通過(guò)減輕該吸引力，是否能減少晶片和保持部的吸附墊接觸力。若減少晶片和吸附墊的接觸力就可以使給予晶片的應(yīng)力變小，可以減輕晶片抗折強(qiáng)度的下降。由于這樣的原因，本申請(qǐng)發(fā)明者研究了用比一般真空壓力小的壓力保持晶片。
根據(jù)該宗旨，本申請(qǐng)發(fā)明者對(duì)吸引保持晶片的真空壓力和晶片的抗折強(qiáng)度的關(guān)系進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。在該實(shí)驗(yàn)中使用了八英寸的晶片，改變保持晶片的真空壓力，測(cè)量吸附后的各晶片抗折強(qiáng)度。在圖2中表示根據(jù)該實(shí)驗(yàn)的平均抗折強(qiáng)度和真空壓力的的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)結(jié)果判明，由于大約-70kPa到-30kPa的范圍內(nèi)與通常的真空壓力(約-100kPa～-80kPa)相比弱，可以把晶片的抗折強(qiáng)度的下降抑制在容許范圍內(nèi)。
若真空壓力超過(guò)-30kPa，由于真空壓力弱，在晶片發(fā)生翻轉(zhuǎn)等變形時(shí)，不能保持晶片。而若真空壓力在小于或等于-70kPa，由于與現(xiàn)有的真空壓力的大小接近不能得到認(rèn)可的效果。具體而言，若晶片的平均抗折強(qiáng)度不至少大于或等于3000MPa，就可以認(rèn)為沒(méi)有充分的效果，根據(jù)圖2所示平均抗折強(qiáng)度與真空壓力的關(guān)系曲線，判斷真空壓力必須小于或等于-30kPa。由上所述，考慮能吸引保持晶片且吸引保持后的晶片有足夠的抗折強(qiáng)度的真空壓力的范圍大約為-70～-30kPa。
為了證實(shí)通過(guò)設(shè)定真空壓力大約為-70～-30kPa范圍的效果，測(cè)量了晶片分割成芯片狀時(shí)的抗折強(qiáng)度。在此，通過(guò)把用真空壓力為-50kPa吸引保持的晶片、用以往的真空壓力-86kPa吸引保持的晶片和完全沒(méi)有真空吸附的晶片分別分割成芯片狀，從分割成的芯片中分別任意選擇10塊芯片，決定測(cè)量對(duì)象。分割的晶片分別使用8英寸晶片。結(jié)果顯示在圖3和表1中。
表1

根據(jù)表1，沒(méi)有真空壓力(完全沒(méi)有真空吸附)時(shí)的平均抗折強(qiáng)度是4714MPa。但是，用以往的真空壓力-86kPa吸引保持的晶片的平均抗折強(qiáng)度是2608MPa，抗折強(qiáng)度也下降了2106MPa。另一方面，用真空壓力-50kPa吸引保持的晶片的平均抗折強(qiáng)度是3764MPa，抗折強(qiáng)度限于下降950MPa。
由于用-50kPa吸引保持時(shí)的平均抗折強(qiáng)度大約維持在3000MPa，可以說(shuō)有足夠的抗折強(qiáng)度。這樣，通過(guò)把吸引保持晶片時(shí)的真空壓力設(shè)定在-70kPa到-30kPa的范圍內(nèi)，可以將晶片的抗折強(qiáng)度的下降抑制在以往的不到一半的程度。
其次，對(duì)用于把吸引保持晶片W的真空壓力調(diào)整到大約在-70kPa到-30kPa范圍的晶片搬運(yùn)裝置100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。在此，只要專門(mén)使用真空泵作為晶片搬運(yùn)裝置100的保持部，也可以使用真空壓力大約在-70kPa到-30kPa范圍的真空泵。但是如特開(kāi)2004-200440號(hào)公報(bào)所述，在磨削裝置中使用的真空泵不只用于晶片搬運(yùn)裝置也與卡盤(pán)臺(tái)和其它搬運(yùn)裝置等通用。因此，不能減弱真空泵自身的真空壓力。
因此，在本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置100中，在連通真空泵和保持部的配管上設(shè)有調(diào)整真空壓力的壓力調(diào)整裝置。下面，根據(jù)圖4～圖6對(duì)本實(shí)施方式的壓力調(diào)整裝置進(jìn)行說(shuō)明。在此，圖4是表示本實(shí)施方式的保持部的真空吸引的配管的說(shuō)明圖。圖5是本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置的側(cè)面圖，圖6是表示晶片搬運(yùn)裝置中的保持部的剖面圖。
首先，根據(jù)圖4對(duì)本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置100的配管結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖4中虛線包圍的部分是在現(xiàn)有的配管上增加的部分，是本申請(qǐng)發(fā)明的特征部分。
首先，吸附墊133與現(xiàn)有的一樣，通過(guò)由吸附墊133連通的第一配管143與真空泵160連接。該吸附墊133通過(guò)真空泵160吸氣或排氣，吸引保持或松開(kāi)晶片W。另外，設(shè)有用于確認(rèn)配管內(nèi)壓力的壓力表145。
而在與真空泵160連通的配管上設(shè)有配管分支部151，為了調(diào)整吸引晶片W時(shí)的吸引壓力新增加第二配管153。在第二配管153上裝有調(diào)節(jié)吸引保持晶片W時(shí)的真空壓力的壓力調(diào)整裝置155。壓力調(diào)整裝置155包括止回閥156、流量調(diào)整閥157和配管開(kāi)放部158。關(guān)于壓力調(diào)整裝置155的詳細(xì)情況將在后面闡述。
其次，根據(jù)圖5及圖6對(duì)本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置100進(jìn)行說(shuō)明。在此圖5是本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置100的側(cè)面圖。圖6是本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置100的保持部120中的剖面圖。
如圖5所示，本實(shí)施方式的晶片搬運(yùn)裝置100具有搬運(yùn)晶片W的搬運(yùn)部110、保持晶片W的保持部120和壓力調(diào)整裝置155。
搬運(yùn)部110具有轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部111和臂部113。轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部111可以在圖5的紙面上下運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而能形成軸轉(zhuǎn)動(dòng)。而臂部113安裝在轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部111上，可以通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部111的軸轉(zhuǎn)動(dòng)在水平方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。
如圖6所示，保持部120具有軸部121、固定部122和圓盤(pán)部123。在搬運(yùn)部110的臂部113上用于安裝保持部120的安裝部117在例如臂部113的前端附近形成。通過(guò)在該安裝部117上插通軸部121，用固定部122固定軸部121的上端(與晶片保持面相反側(cè))安裝保持部120。另外，在圓盤(pán)部123上，在圓盤(pán)部123的開(kāi)口開(kāi)口部分(吸附晶片W側(cè))安裝由多孔材料制成的吸附墊133。通過(guò)使用這樣的由多孔材料制成的吸附墊133可以均勻地吸引晶片W的整個(gè)面。另外，在安裝部117上與軸部121同心地形成凹槽115，在凹槽115和圓盤(pán)部123的上面之間也可以設(shè)置例如線圈彈簧等緩沖材料131。用該緩沖材料131可以吸收晶片W和吸附墊133接觸時(shí)的沖擊，防止接觸時(shí)損傷晶片W。
在吸附墊133的上面(與吸附晶片W的面相反側(cè)的面)有通氣口124，從該通氣口124向著固定部122在軸部121的中央形成通氣路。該通氣路在配管分支路151中分成連通真空泵160的第一配管143和連通壓力調(diào)整裝置155的第二配管153。
第一配管143例如在臂部113的內(nèi)部配管，與真空泵160連通。通過(guò)借助第一配管143把真空泵160的吸氣或排氣作用傳遞給吸附墊133，可以吸引保持或松開(kāi)晶片W。
另一方面，第二配管153例如固定在臂部113上，并裝有壓力調(diào)整裝置155。如圖5所示，壓力調(diào)整裝置155包括止回閥156、流量調(diào)整閥157和配管開(kāi)放部158。用該壓力調(diào)整裝置155可以調(diào)節(jié)吸引晶片W的真空壓力。
止回閥156設(shè)置成真空泵160吸引時(shí)開(kāi)放排氣時(shí)關(guān)閉。在用于解除由吸附墊133對(duì)晶片W的吸引，真空泵160排氣時(shí)，排氣被引導(dǎo)到第二配管153。止回閥156設(shè)置成使該排氣不逆流到流量調(diào)整閥157和配管開(kāi)放部158。
流量調(diào)整閥157例如有用于調(diào)節(jié)流量的調(diào)節(jié)螺紋159。該流量調(diào)整閥157通過(guò)調(diào)整真空吸附晶片W時(shí)的漏泄量調(diào)整真空到達(dá)度。例如開(kāi)閉設(shè)在流量調(diào)整閥157上的調(diào)節(jié)螺紋159，可以調(diào)整到大約-70kPa到-30kPa范圍的真空壓力。
配管開(kāi)放部158為了使配管內(nèi)部的真空壓力向外部漏泄，例如形成向大氣中開(kāi)口的孔。通過(guò)在該配管開(kāi)放部158中漏泄配管內(nèi)部的真空壓力，可以形成用流量調(diào)整閥157設(shè)定的真空壓力。
用裝有壓力調(diào)整裝置155的晶片搬運(yùn)裝置100吸引保持或松開(kāi)晶片W。用真空泵160吸引晶片W時(shí)真空到達(dá)度高的場(chǎng)合(例如-80kPa)，若用該真空壓力吸引保持晶片W，晶片W的抗折強(qiáng)度下降。因此，為了減弱吸引保持晶片W的真空壓力，用壓力調(diào)整裝置155設(shè)定適當(dāng)?shù)恼婵諌毫Γ创蠹s為-70kPa到-30kPa的范圍。真空壓力的調(diào)整可以通過(guò)開(kāi)閉流量調(diào)整閥157的調(diào)節(jié)螺紋159，由調(diào)整配管開(kāi)放部158漏泄量進(jìn)行。而在設(shè)定適當(dāng)?shù)恼婵諌毫r(shí)，該調(diào)節(jié)螺紋159被固定。這樣，吸引晶片W時(shí)的真空壓力經(jīng)常可以成為用流量調(diào)整閥157調(diào)節(jié)的真空壓力。
在松開(kāi)晶片W時(shí)，真空泵160進(jìn)行排氣動(dòng)作。這時(shí)，閉鎖止回閥156，以便排氣不通過(guò)第二配管153向流量調(diào)整閥157和配管開(kāi)放部158逆流。
使用這樣的結(jié)構(gòu)可以使連通真空泵160和保持部120的配管內(nèi)部的真空壓力調(diào)整到大約-70kPa到-30kPa范圍。因此，可以把晶片W的抗折強(qiáng)度的降低抑制到容許范圍內(nèi)。進(jìn)而可以用在現(xiàn)有的晶片搬運(yùn)裝置上增加用于調(diào)整壓力的配管這樣簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。因而，即使用與其它搬運(yùn)裝置通用的真空泵160，也可以用壓力調(diào)整裝置155調(diào)整到大約-70kPa到-30kPa范圍的適當(dāng)?shù)恼婵諌毫?，吸引晶片W。
以上參照附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行了說(shuō)明，當(dāng)然不限于本發(fā)明的例。只要是從業(yè)者就明白在權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以想到各種變更例或改正例，應(yīng)該理解對(duì)于這些當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
例如，在上述實(shí)施方式中把晶片搬運(yùn)裝置100用于磨削裝置，但不限于本申請(qǐng)發(fā)明例，也能用于整個(gè)加工裝置。
在上述實(shí)施方式中把用于壓力調(diào)整的第二配管153設(shè)在臂部113上，但不限于本發(fā)明例，例如也可以通過(guò)臂部113的內(nèi)部設(shè)置在外部顯現(xiàn)流量調(diào)整閥157和配管開(kāi)放部158。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明可用于晶片搬運(yùn)裝置，特別能用于具有調(diào)整保持晶片的真空壓力的壓力調(diào)整裝置的晶片搬運(yùn)裝置。
權(quán)利要求
1.一種晶片搬運(yùn)裝置，其包括通過(guò)真空吸附吸引保持晶片的保持部和把用所述保持部保持的所述晶片搬運(yùn)到規(guī)定位置的搬運(yùn)部，其特征在于，把所述保持部中的真空壓力定為表壓-70kPa到-30kPa的范圍內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片搬運(yùn)裝置，其特征在于，為把所述保持部的真空壓力定為表壓-70kPa到-30kPa的范圍內(nèi)，裝有真空泵和連接所述真空泵和所述保持部的配管，在所述配管上裝有調(diào)整所述保持部中的真空壓力的壓力調(diào)整裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片搬運(yùn)裝置。其即使在真空吸附晶片并吸引保持在保持部上時(shí)，也能減輕由接觸造成的晶片抗折強(qiáng)度的下降。在具有用真空吸附吸引保持晶片的保持部(120)和把用保持部(120)保持的晶片搬運(yùn)到規(guī)定位置的搬運(yùn)部(110)的晶片搬運(yùn)裝置(100)中，規(guī)定保持部(120)中的真空壓力為表壓－70Pa到－30Pa的范圍內(nèi)。為了調(diào)整該真空壓力，具有真空泵(160)、連接真空泵(160)和保持部(120)的第二配管(153)；在第二配管(153)中裝有調(diào)整保持部(120)中的真空壓力的壓力調(diào)整裝置(155)。據(jù)此，即使在用真空吸附晶片W吸引保持在保持部(120)上時(shí)也可以減輕由于接觸而產(chǎn)生的晶片W抗折強(qiáng)度的下降。
文檔編號(hào)B65G49/07GK1820897SQ20061000451
公開(kāi)日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2006年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月18日
發(fā)明者山中聰 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科