允許通過(guò)嵌段共聚物的自組裝產(chǎn)生納米結(jié)構(gòu)體的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及通過(guò)嵌段共聚物的自組裝允許納米結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生的方法，其中所述嵌段共聚物的至少一個(gè)嵌段可以是結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相。
【專利說(shuō)明】允許通過(guò)嵌段共聚物的自組裝產(chǎn)生納米結(jié)構(gòu)體的方法
[0001] 本發(fā)明涉及使得能夠通過(guò)嵌段共聚物的自組裝產(chǎn)生納米結(jié)構(gòu)體的方法 (process)，所述嵌段共聚物的嵌段中的至少一種是可結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相。
[0002] 本發(fā)明還涉及這些材料在光刻（1 i thography)(光刻掩膜（1 ithography mask))領(lǐng) 域、信息儲(chǔ)存領(lǐng)域中，以及在多孔膜的生產(chǎn)中、或作為催化劑載體的用途。本發(fā)明還涉及根 據(jù)本發(fā)明方法得到的嵌段共聚物掩膜(mask)。
[0003] 納米科技的發(fā)展已使得在微電子且尤其在微-電子-機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域中不斷 地使產(chǎn)品小型化成為可能?，F(xiàn)在，傳統(tǒng)光刻技術(shù)已不再可能滿足這些小型化 (miniaturization)的持續(xù)需求，因?yàn)樗鼈儾豢赡苌a(chǎn)具有尺寸低于60nm的結(jié)構(gòu)體。
[0004] 因此，有必要調(diào)整(adapt)光刻技術(shù)并且產(chǎn)生使得產(chǎn)生具有高分辨率的越來(lái)越小 的圖案成為可能的蝕刻掩膜。使用嵌段共聚物，通過(guò)嵌段之間的相分離由此形成納米疇，使 得在低于50nm的尺度上構(gòu)造共聚物的組成嵌段的排列(arrangement)成為可能。由于該被 納米結(jié)構(gòu)化的能力，嵌段共聚物在電子或光電子領(lǐng)域中的應(yīng)用在現(xiàn)在是已知的。
[0005] 在研究的用于實(shí)施納米光刻的掩膜中，嵌段共聚物膜、特別是基于聚苯乙烯-聚 (甲基丙烯酸甲酯）（在下文中標(biāo)為PS-b-PMMA)的嵌段共聚物膜，表現(xiàn)為非常具有前景 (promising)的解決方法，因?yàn)樗鼈兪沟卯a(chǎn)生具有高分辨率的圖案成為可能。為了能夠使用 這樣的嵌段共聚物膜作為蝕刻掩膜，必須選擇性地去除共聚物中的一種嵌段，以便產(chǎn)生剩 下的嵌段的多孔膜，然后其圖案可通過(guò)蝕刻轉(zhuǎn)移到下面的層。對(duì)于PS-b-PMMA膜，占少數(shù)的 嵌段(也就是PMMA(聚（甲基丙烯酸酯）））被選擇性地去除以形成剩下的PS(聚苯乙烯）的掩 膜。
[0006] 為了產(chǎn)生這樣的掩膜，必須使納米疇垂直于下面的層的表面取向。所述疇的這樣 的結(jié)構(gòu)化需要特別的條件(例如制備下面的層的表面），還有嵌段共聚物的組成。
[0007] 嵌段之間的比例使得控制納米疇的形狀成為可能，且每種嵌段的摩爾質(zhì)量使得控 制嵌段的尺寸成為可能。另一個(gè)非常重要的因素是相偏析因子，也稱為Flory-Huggins相互 作用參數(shù)，且標(biāo)為"X"。具體而言，該參數(shù)使得控制納米疇的尺寸成為可能。更特別地，它限 定了嵌段共聚物的嵌段分離成納米疇的傾向。因此，聚合度N與Flory-Huggins參數(shù)X的乘積 xN給出了兩個(gè)嵌段相容性和它們是否會(huì)分離的指標(biāo)。例如，如果乘積xN大于10,對(duì)稱組成的 二嵌段共聚物分離成微疇(microdomain)。如果乘積xN小于10,嵌段混合在一起并且未觀測(cè) 到相分咼。
[0008] 由于對(duì)于小型化的持續(xù)需求，需要提高該相分離程度，以便生產(chǎn)使得獲得非常高 的分辨率、典型地低于20nm且優(yōu)選低于10nm成為可能的納米光刻掩膜。
[0009] 在Macromolecules，2008，41，9948中，Y· Zhao等為PS-b-PMMA嵌段共聚物估算了 Flory-Huggins參數(shù)。Flory-Huggins參數(shù)X服從以下等式:x = a+b/T，其中數(shù)值a和b是取決 于共聚物的嵌段的性質(zhì)的恒定的具體值且T是對(duì)嵌段共聚物施加的熱處理以使其能夠組織 (organise)自身（即為了獲得疇的相分離、疇的取向（orientation)和缺陷數(shù)量的減少）的 溫度。更特別地，數(shù)值a和b分別代表熵和焓的貢獻(xiàn)。因此，對(duì)于PS-b-PMMA嵌段共聚物，相偏 析因子服從以下等式:x = 〇. 0282+4.46/T。因此，即使該嵌段共聚物使得產(chǎn)生略低于20nm的 疇尺寸成為可能，但其不可能在疇尺寸方面有太多的降低，因?yàn)樗腇lory-Huggins相互作 用參數(shù)X的低的數(shù)值。
[0010]該Flory-Huggins相互作用參數(shù)的較低的數(shù)值因此限制了基于PS和PMMA的嵌段共 聚物用于生產(chǎn)具有非常高的分辨率的結(jié)構(gòu)體的優(yōu)點(diǎn)。
[0011] 為了避免這一問(wèn)題，M.D.Rodwogin等在ACS Nano,2010,4,725中表明了有可能改 變嵌段共聚物的兩種嵌段的化學(xué)性質(zhì)以極大的提高Flory-Huggins參數(shù)X并且獲得所需的 具有非常高分辨率的形貌，也就是說(shuō)其納米疇的尺寸低于20nm的。這些結(jié)果特別地已經(jīng)對(duì) 于PLA-b-PDMS-b-PLA(聚乳酸-聚二甲基硅氧烷-聚乳酸)三嵌段共聚物得到證明。
[0012] H.Takahashi 等在 Macromolecules ,2012,45,6253中研究了 Flory-Huggins 相互作 用參數(shù)X對(duì)共聚物組裝(assembly)和共聚物中缺陷的減少的動(dòng)力學(xué)的影響。他們特別地證 明了當(dāng)該參數(shù)X變得太大，通常會(huì)顯著地減慢組裝動(dòng)力學(xué)，相分離動(dòng)力學(xué)，還導(dǎo)致在疇的組 織化(organ i zat i on)時(shí)缺陷減少的動(dòng)力學(xué)的減慢。
[0013] 當(dāng)考慮包含多種在化學(xué)上都彼此不同的嵌段的嵌段共聚物的組織化動(dòng)力學(xué)時(shí)，還 面臨由S. Ji等在ACS Nano，2012，6，5440中報(bào)道的另一問(wèn)題。具體而言，聚合物鏈的擴(kuò)散的 動(dòng)力學(xué)和因此在自組裝的結(jié)構(gòu)中的組織化和缺陷減少的動(dòng)力學(xué)取決于多種嵌段中的每個(gè) 之間的偏析參數(shù)X。此外，這些動(dòng)力學(xué)還由于共聚物的多嵌段性質(zhì)而被減慢，因?yàn)榕c包括更 少嵌段的嵌段共聚物相比，聚合物鏈具有更少的用于組織化的自由度。
[0014] 專利US 8304493和US 8450418描述了改性嵌段共聚物的方法，和改性的共聚物。 這些改性的共聚物具有改變(modified)的Flory-Huggins相互作用參數(shù)X的值，使得嵌段共 聚物具有小尺寸的納米疇。
[0015] 由于PS-b-PMMA嵌段共聚物已經(jīng)使得得到20nm級(jí)別的尺寸成為可能的事實(shí)，申請(qǐng) 人已找到了用于對(duì)這類嵌段共聚物改性的方法以便獲得在Flory-Huggins相互作用參數(shù)X， 和自組裝速度和溫度之間良好的折衷。
[0016] 令人驚奇地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將嵌段共聚物(其嵌段中的至少一種是可結(jié)晶的或具有 至少一個(gè)液晶相)沉積在表面上時(shí)，其具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0017]-快速的自組裝動(dòng)力學(xué)（1-20分鐘），對(duì)于低分子質(zhì)量，導(dǎo)致在低溫(333K-603K，且 優(yōu)選373K-603K)遠(yuǎn)低于10nm的疇尺寸。
[0018]-在這樣的嵌段共聚物自組裝過(guò)程中，疇的取向不需要載體(支持物，support)的 制備(無(wú)中和層(neutralization layer))，疇的取向由沉積的嵌段共聚物的膜厚度控制。
[0019] 因此，在用于生產(chǎn)非常小的尺寸且具有非常好的蝕刻對(duì)比度(contrast)的蝕刻掩 膜的納米光刻以及生產(chǎn)多孔膜或作為催化劑載體的應(yīng)用中，這些材料表現(xiàn)出非常好優(yōu)點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】
：
[0020] 本發(fā)明涉及納米結(jié)構(gòu)化的組裝方法，所述方法使用包括嵌段共聚物的成分，所述 嵌段共聚物的嵌段中至少一種是可結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相，并且所述方法包括以下 步驟：
[0021] -在溶劑中溶解嵌段共聚物，
[0022]-在表面上沉積該溶液，
[0023]-退火。
【具體實(shí)施方式】：
[0024] 術(shù)語(yǔ)"表面"理解為指可為平的或不平的表面。
[0025] 術(shù)語(yǔ)"退火"理解為指在一定溫度下加熱的步驟，當(dāng)存在該步驟時(shí)，其能夠使得溶 劑蒸發(fā)，且其允許在給定時(shí)間內(nèi)建立所需的納米結(jié)構(gòu)化（自組裝）。術(shù)語(yǔ)"退火"還理解為指 當(dāng)嵌段共聚物膜經(jīng)受一種或多種溶劑蒸汽的受控的氛圍時(shí)(這些蒸汽給予聚合物鏈足夠的 活動(dòng)性(mobility)以通過(guò)其自身在表面上變?yōu)榻M織化的)所述膜的納米結(jié)構(gòu)化的建立。術(shù) 語(yǔ)"退火"還理解為指上述兩種方法任意的組合。
[0026] 任何嵌段共聚物(不管其相關(guān)的形貌)都能夠用在本發(fā)明中，無(wú)論是二嵌段、直鏈 或星形支化的三嵌段或支鏈、梳形(comb-shaped)或星形支化的多嵌段共聚物，只要嵌段共 聚物的嵌段中的至少一個(gè)是可結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相。優(yōu)選地，涉及二嵌段或三嵌 段共聚物且更優(yōu)選二嵌段共聚物。
[0027] 可以通過(guò)任何對(duì)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員已知的技術(shù)合成它們，其中可以提及縮聚 (polycondensation)、開環(huán)聚合、和陰離子、陽(yáng)離子或自由基聚合，這些技術(shù)可是受控的或 不受控的。當(dāng)通過(guò)自由基聚合制備共聚物時(shí)，自由基聚合可通過(guò)任何已知的技術(shù)控制，例如 匪P( "氮氧調(diào)控聚合"）、RAFT( "可逆加成和斷裂轉(zhuǎn)移"）、ATRP( "原子轉(zhuǎn)移自由基聚合"）、 INIFERTER( "引發(fā)劑-轉(zhuǎn)移-終止"）、RITP( "反向碘轉(zhuǎn)移聚合"）或ITP( "碘轉(zhuǎn)移聚合"）。
[0028] 術(shù)語(yǔ)"可結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相的嵌段"意圖指具有至少一個(gè)能夠由差示 掃面量熱法(differential scanning calorimetry)測(cè)量的轉(zhuǎn)變溫度的嵌段，其是晶體-> 近晶（smectic)、近晶_>向列相(namatic)、向列相_>各向同性、或晶體_>各向同性的液體的 轉(zhuǎn)變。
[0029] 具有液晶嵌段的嵌段共聚物可是具有溶致（lyotropic)或熱致(thermo tropic)嵌 段的嵌段共聚物。
[0030] 具有可結(jié)晶的嵌段的嵌段共聚物可是具有結(jié)晶的或半結(jié)晶的嵌段的嵌段共聚物。
[0031] 可結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相的嵌段可是任意類型，但優(yōu)選選擇它們使得嵌段 共聚物的Flory-Huggins參數(shù)X為0.01-100且優(yōu)選0.04-25。
[0032]不可結(jié)晶的或不具有液晶相的嵌段由以下單體組成：至少一種乙烯基、亞乙烯基、 二烯、烯屬、烯丙基或（甲基)丙烯酸類或環(huán)狀單體。這些單體更特別地選自：乙烯基芳族單 體，例如苯乙烯或取代的苯乙烯、特別是α-甲基苯乙烯;丙烯酸類單體、例如丙烯酸烷基、環(huán) 烷基或芳基酯，例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯或丙烯酸苯酯； 丙烯酸醚烷基酯，例如丙烯酸2-甲氧基乙酯;烷氧基或芳氧基聚亞烷基二醇丙烯酸酯，例如 甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇丙烯酸酯、甲氧基聚 乙二醇-聚丙二醇丙烯酸酯或它們的混合物;丙烯酸氨基烷基酯，例如丙烯酸2_(二甲基氨 基）乙酯(ADAME);氟代丙烯酸酯;含磷的丙烯酸酯，例如亞烷基二醇丙烯酸磷酸酯;丙烯酸 縮水甘油酯;或丙烯酸二環(huán)戊烯基氧基乙酯；甲基丙烯酸烷基、環(huán)烷基、烯基或芳基酯，例如 甲基丙烯酸甲酯(MMA)，甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸環(huán)己酯、甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙 烯酸苯酯或甲基丙烯酸萘基酯；甲基丙烯酸醚烷基酯，例如甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯;烷氧 基-或芳氧基聚亞烷基二醇甲基丙烯酸酯，例如甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯，乙氧基聚乙 二醇甲基丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇甲基丙烯酸酯，甲氧基聚乙二醇-聚丙二醇甲基丙烯酸 酯或它們的混合物；甲基丙烯酸氨基烷基酯，例如甲基丙烯酸2-(二甲基氨基）乙酯 (MADAME);氟代甲基丙烯酸酯，例如甲基丙烯酸2,2,2_三氟乙基酯；甲硅烷基化甲基丙烯酸 酯，例如3-甲基丙烯?；谆柰?含磷的甲基丙烯酸酯，例如亞烷基二醇甲基丙烯 酸磷酸酯;羥基乙基咪唑烷酮甲基丙烯酸酯;羥基乙基咪唑啉酮甲基丙烯酸酯;或2-(2-氧-1-咪唑烷基）乙基甲基丙烯酸酯;丙烯腈;丙烯酰胺或取代的丙烯酰胺;4-丙烯酰基嗎啉;N-羥甲基丙烯酰胺；甲基丙烯酰胺或取代的甲基丙烯酰胺;N-羥甲基甲基丙烯酰胺；甲基丙烯 酰胺基丙基三甲基銨氯化物(MAPTAC);甲基丙烯酸縮水甘油酯；甲基丙烯酸二環(huán)戊烯基氧 基乙酯；馬來(lái)酸酐；馬來(lái)酸或半馬來(lái)酸烷基酯或烷氧基或芳氧基聚亞烷基二醇馬來(lái)酸或半 馬來(lái)酸酯；乙烯基吡啶；乙烯基吡咯烷酮；（烷氧基）聚（亞烷基二醇）乙烯基醚或二乙烯基 醚，例如甲氧基聚（乙二醇）乙烯基醚或聚（乙二醇）二乙烯基醚;烯屬單體，其中可提及乙 烯、丁烯、己烯和1-辛烯，二烯單體，包括丁二烯或異戊二烯，且還例如氟代烯屬單體和亞乙 烯基單體，其中可提及偏氟乙烯；環(huán)狀單體，其中可提及內(nèi)酯，例如 ε-己內(nèi)酯、丙交酯、乙交 酯;環(huán)狀碳酸酯例如三亞甲基碳酸酯;娃氧烷，例如八甲基環(huán)四硅氧烷;環(huán)狀醚例如三喝燒； 環(huán)狀酰胺例如ε_(tái)己內(nèi)酰胺;環(huán)狀縮醛如1，3_二氧戊環(huán);磷腈例如六氯環(huán)三磷腈;Ν-羧酸酐； 含磷的環(huán)狀酯例如環(huán)狀的磷雜環(huán)己烷（cyclophosphorinane)、環(huán)狀的磷雜環(huán)戊烷 (cyclophospholane);或?惡唑啉，合適時(shí)單獨(dú)地或作為至少兩個(gè)上述單體的混合物保護(hù)以 使得與陰離子聚合方法相容。
[0033]優(yōu)選地，不可結(jié)晶或不具有液晶相的嵌段包括甲基丙烯酸甲酯，其重量比例高于 50%，且優(yōu)選高于80%且更優(yōu)選高于95%。
[0034] 一旦已經(jīng)合成了嵌段共聚物，將其溶解在合適的溶劑中然后根據(jù)所屬領(lǐng)域技術(shù)人 員已知的技術(shù)(例如旋轉(zhuǎn)涂布、刮刀涂布、刮片涂布系統(tǒng)或狹縫式模具涂布系統(tǒng)技術(shù))將其 沉積在表面上，但可使用任何其他的技術(shù)，例如干燥沉積，也就是說(shuō)不包括預(yù)先溶解 (predissolution)的沉積。因此所得的膜具有低于100nm的厚度。
[0035] 在有利的表面中，將提及硅、具有天然或熱氧化物層的硅、氫化的或鹵化的硅、鍺、 氫化的或鹵化的鍺、鉑和氧化鉑、鎢和氧化物、金、氮化鈦和石墨烯。優(yōu)選地，表面是無(wú)機(jī)的 且更優(yōu)選硅。仍更優(yōu)選地，表面是具有天然或熱氧化物層的硅。
[0036] 在本
【發(fā)明內(nèi)容】
中將注意到，即使沒(méi)有排除，但沒(méi)有必要通過(guò)使用合適選擇地統(tǒng)計(jì) 共聚物實(shí)施中和步驟(在現(xiàn)有技術(shù)中一般通常如此）。這代表了顯著的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樵撝泻筒?驟是不利的（特定組成的統(tǒng)計(jì)共聚物的合成，在表面上的沉積）。通過(guò)沉積的嵌段共聚物膜 的厚度限定嵌段共聚物的取向。其在1-20分鐘(包括端點(diǎn)）且優(yōu)選1-5分鐘相對(duì)較短的時(shí)間 和在333K-603K且更優(yōu)選在373K-603K且更優(yōu)選在373K-403K的溫度下得到。
[0037] 本發(fā)明的方法有利地應(yīng)用于使用嵌段共聚物掩膜的納米光刻領(lǐng)域或更一般地應(yīng) 用于用于電子工業(yè)的表面納米結(jié)構(gòu)化領(lǐng)域。
[0038] 本發(fā)明的方法還使得能夠制造多孔膜或催化劑載體，其中嵌段共聚物的疇中的一 個(gè)降解(degrade)以便獲得多孔結(jié)構(gòu)。
[0039] 實(shí)施例1:
[0040] 聚（1，1_二甲基硅雜環(huán)丁烷)-嵌段-PMMA(PDMSB-b-PMMA)的合成。
[0041] 1,1-二甲基硅雜環(huán)丁烷(DMSB)是式（I)的單體，其中 X = Si(CH3)2，Y = Z = T = CH2。
[0042] 在50/50(體積/體積）的THF/庚烷混合物中在-50°C下使用仲丁基鋰(sec-BuLi)引 發(fā)劑使用序列陰離子聚合進(jìn)行合成。這樣的合成對(duì)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。第一嵌段 根據(jù)由Yamaoka et coll ·在Macromolecules，1995，28，7029-7031 中所描述的方案制備。 [0043] 后續(xù)嵌段通過(guò)順序地加入MMA以同樣的方式而構(gòu)造，具有加入1，1_二苯基乙烯用 于控制活性中心的反應(yīng)性的步驟。
[0044] 典型地，將氯化鋰(85mg)、20mlTHF和20ml庚烷引入到250ml火焰干燥的配有磁力 攪拌器的圓底燒瓶中。將溶液冷卻到-50 °C。接著引入0.00025mo 1的sec-BuLi，然后加入 0.0 lmol的1，1-二甲基硅雜環(huán)丁烷。反應(yīng)混合物攪拌1小時(shí)，然后加入0.2ml的1，1-二苯基乙 烯。30分鐘后，加入0.043mo 1甲基丙烯酸甲酯，且將反應(yīng)混合物保持?jǐn)嚢鑜h。通過(guò)在-50°C加 入脫氣（degas)的甲醇完成反應(yīng)。接著，將反應(yīng)介質(zhì)通過(guò)蒸發(fā)濃縮，然后在甲醇中沉淀。隨 后，通過(guò)過(guò)濾回收產(chǎn)物，并在爐中在35 °C干燥過(guò)夜。
[0045] 實(shí)施例2.
[0046] 聚（1-丁基-1-甲基-硅雜環(huán)丁烷)-b_聚（甲基丙烯酸酯）的合成
[0047] 通過(guò)改變反應(yīng)物的量和使用1-丁基-1-甲基硅雜環(huán)丁烷(BMSB)，根據(jù)實(shí)施例1的方 案制備該聚合物。
[0048]分子質(zhì)量和分散度(對(duì)應(yīng)于重均分子質(zhì)量(Mw)與數(shù)均分子質(zhì)量(Μη)的比）通過(guò)SEC (尺寸排阻色譜發(fā)）如下獲得:使用串聯(lián)的兩個(gè)Agilent 3μηι ResiPore柱，在用BHT穩(wěn)定的 THF介質(zhì)中，在lml/分鐘的流速下，在40 °C下，使用在1 g/Ι的濃度下的樣品，具有采用 Easical PS-2制備包(prepared pack)的使用聚苯乙稀的分級(jí)樣品的在先校準(zhǔn)。
[0049] 結(jié)果在表1中給出：
[0050] 表 1
[0053] 來(lái)自實(shí)施例1和2的膜通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布由1.5wt %的在甲苯中的溶液制備，且膜的厚 度通過(guò)改變旋轉(zhuǎn)涂布的速度（1500-3000rpm)控制，典型地，低于100nm。通過(guò)在熱板上在 453K的短退火(5分鐘)獲得共聚物的嵌段之間的相分離所固有的自組裝的促進(jìn)。
[0054] 雖然實(shí)施例1的共聚物展現(xiàn)了相轉(zhuǎn)變，這通過(guò)DSC(圖1)是明顯可見(jiàn)的，但實(shí)施例2 的共聚物沒(méi)有表現(xiàn)出任何轉(zhuǎn)變，其表現(xiàn)為無(wú)定形的方式(圖2)。
[0055] 共聚物1表現(xiàn)出圖3中可見(jiàn)的自組裝，而共聚物2沒(méi)有表現(xiàn)出自組裝（圖4)。
[0056]圖1是在10°C/分鐘的氮?dú)庀碌募訜?冷卻-加熱循環(huán)過(guò)程中的共聚物1的DSC。呈現(xiàn) 的數(shù)據(jù)代表冷卻和第二次加熱。
[0057] 圖2是在10°C/分鐘的氮?dú)庀碌募訜?冷卻-加熱循環(huán)過(guò)程中的共聚物2的DSC。呈現(xiàn) 的數(shù)據(jù)代表冷卻和第二次加熱。
[0058] 圖3是來(lái)自實(shí)施例1的具有與基底垂直的取向的圓柱體的嵌段共聚物的薄膜自組 裝在AFM顯微鏡中取得的照片，所述膜具有低于1 OOnm的厚度。標(biāo)尺1 OOnm 〇
[0059] 圖4是在AFM顯微鏡中取得的照片，并且顯示來(lái)自實(shí)施例6的共聚物作為具有低于 lOOnm的厚度的薄膜不存在自組裝，線條是制圖外延法中用于促進(jìn)自組裝的導(dǎo)引（guides)。 標(biāo)尺1 OOnm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 納米結(jié)構(gòu)化組裝方法，所述方法使用包括嵌段共聚物的成分，所述嵌段共聚物的嵌 段中的至少一種是可結(jié)晶的或具有至少一個(gè)液晶相，并且所述方法包括以下步驟： -在溶劑中溶解嵌段共聚物， -在表面上沉積該溶液， _退火。2. 權(quán)利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物是二嵌段共聚物。3. 權(quán)利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物具有可結(jié)晶的嵌段。4. 權(quán)利要求1所述的方法，其中具有液晶相的嵌段是溶致的。5. 權(quán)利要求1所述的方法，其中具有液晶相的嵌段是熱致的。6. 權(quán)利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物的取向在1-20分鐘的時(shí)間期間實(shí)施，包括端 點(diǎn)。7. 權(quán)利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物的取向在333K-603K的溫度實(shí)施。8. 權(quán)利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物的取向在包括溶劑蒸氣的受控氣氛、或溶劑 氣氛/溫度的組合下實(shí)施。9. 權(quán)利要求1-8中一項(xiàng)的方法在光刻領(lǐng)域中、或更一般地在用于電子工業(yè)的表面納米 結(jié)構(gòu)化的領(lǐng)域中的用途。10. 權(quán)利要求1-8中一項(xiàng)的方法所獲得的嵌段共聚物掩膜。
【文檔編號(hào)】B82Y40/00GK105980494SQ201480068285
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2014年12月11日
【發(fā)明人】M.馬姆塔茲, K.艾蘇, C.布羅喬恩, E.克勞泰特, G.弗洛瑞, G.哈德齊奧阿諾, C.納瓦羅, C.尼科利特, X.希瓦利埃
【申請(qǐng)人】阿科瑪法國(guó)公司, 國(guó)家科學(xué)研究中心, 波爾多理工學(xué)院, 波爾多大學(xué)