膜狀膠粘劑、帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供可以防止對半導(dǎo)體晶片的熱影響、可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲的膜狀膠粘劑、帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶及半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明涉及一種膜狀膠粘劑，其含有熱塑性樹脂及導(dǎo)電性粒子，所述膜狀膠粘劑在40℃下粘貼于鏡面硅晶片后，在25℃下測定的密合力為0.5N/10mm以上。
【專利說明】膜狀膠粘劑、帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及膜狀膠粘劑、帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體裝置的制造中，關(guān)于將半導(dǎo)體元件與金屬引線框等粘接的方法(所謂的芯片接合法)，從以往的金-硅共晶起始發(fā)展為利用焊料、樹脂糊劑方法?，F(xiàn)在正在利用使用導(dǎo)電性樹脂糊劑的方法。
[0003]但是，使用樹脂糊劑的方法存在如下問題:由于孔隙導(dǎo)致導(dǎo)電性下降，或者樹脂糊劑的厚度不均一，由于樹脂糊劑的擠出而導(dǎo)致焊盤受到污染。為了解決這些問題，有時使用膜狀膠粘劑代替樹脂糊劑。
[0004]例如，專利文獻(xiàn)I中提出了一種膠粘膜，所述膠粘膜通過配合特定的聚酰亞胺樹月旨，從而能夠在低溫下進(jìn)行芯片接合時的熱處理。另外，專利文獻(xiàn)2中提出了一種膠粘膜，所述膠粘膜通過配合玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10~50°C的丙烯酸共聚物等來賦予撓性，且作業(yè)性良好。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開平6-145639號公報
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本專利第4137827號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明所要解決的課題
[0010]但是，出于增加容量的目的，近年來的半導(dǎo)體裝置已輕薄短小化，單片化前的半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體晶片)的厚度為100 μ m以下，非常薄，因此半導(dǎo)體晶片易翹曲，其操作也難。
[0011]專利文獻(xiàn)2的膠粘膜由于使用了玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10°c以上的丙烯酸共聚物，因此彈性模量高，為了與半導(dǎo)體晶片牢固地粘貼，需要在高溫下進(jìn)行粘貼。但是，若在高溫下進(jìn)行粘貼，則由于其熱，因此半導(dǎo)體晶片會發(fā)生翹曲。另外，專利文獻(xiàn)2中對于半導(dǎo)體晶片的操作性進(jìn)行了研究。另外，專利文獻(xiàn)2中由于單獨(dú)對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行拾取，因此也存在產(chǎn)生芯片破裂、芯片缺損的可能性。
[0012]本發(fā)明的目的在于，解決上述課題，提供可以防止對半導(dǎo)體晶片的熱影響、可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲的膜狀膠粘劑、帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0013]用于解決課題的方法
[0014]本發(fā)明涉及一種膜狀膠粘劑，其含有熱塑性樹脂及導(dǎo)電性粒子，所述膜狀膠粘劑在40°C下粘貼于鏡面硅晶片后，在25°C下測定的密合力為0.5N/10mm以上。所述膜狀膠粘劑由于可以在40°C左右的低溫下與半導(dǎo)體晶片良好地進(jìn)行粘接，因此不需要在高溫下進(jìn)行粘貼。因此，可以防止對半導(dǎo)體晶片的熱影響、可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲。
[0015]所述熱塑性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為-40~-10°C。由此，可以良好地得到低溫粘貼性。
[0016]所述膜狀膠粘劑優(yōu)選含有固化性樹脂。由此，可以提高熱穩(wěn)定性。
[0017]所述固化性樹脂優(yōu)選含有在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂及在25°C下為液態(tài)的固化性樹脂，且在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂的重量/在25°C下為液態(tài)的固化性樹脂的重量所表示的重量比率為49/51~10/90。由此，可以良好地得到低溫粘貼性。
[0018]所述膜狀膠粘劑的厚度優(yōu)選為5~100 μ m。由此，與半導(dǎo)體晶片等的粘接面積穩(wěn)定。另外，可以抑制膜狀膠粘劑的擠出。
[0019]25°C下的儲能模量優(yōu)選為5MPa以上。由此，可以良好地進(jìn)行拾取。
[0020]所述膜狀膠粘劑優(yōu)選作為芯片貼裝膜而被使用。 [0021]本發(fā)明還涉及一種帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶，其中，在切割膠帶上層疊有所述膜狀膠粘劑。
[0022]若在半導(dǎo)體裝置的制造中使用所述帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶，則可以對粘貼于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行操作，因此可以減少對半導(dǎo)體晶片單體進(jìn)行操作的機(jī)會。因此，即使是近年來的薄型半導(dǎo)體晶片，也可以良好地進(jìn)行操作。另外，在使用所述帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的情況下，是將半導(dǎo)體晶片粘貼于膜狀膠粘劑，由于使用了所述膜狀膠粘劑，因此可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲。
[0023]就所述帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶而言，在剝離溫度為25°C、剝離速度為300mm/min的條件下，從所述切割膠帶剝離所述膜狀膠粘劑時的剝離力優(yōu)選為0.01~
3.00N/20mm。由此，可以防止芯片飛散，并且可以良好地進(jìn)行拾取。
[0024]本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括使用所述膜狀膠粘劑將半導(dǎo)體芯片貼裝于被粘物的工序。
[0025]本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置，其通過所述制造方法而得到。
[0026]發(fā)明效果
[0027]根據(jù)本發(fā)明，可以在40°C左右的低溫下將膜狀膠粘劑粘貼于半導(dǎo)體晶片，因此可以防止對半導(dǎo)體晶片的熱影響、可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的剖面示意圖。
[0029]圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施方式所涉及的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的剖面示意圖。
[0030]圖3是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]本發(fā)明的膜狀膠粘劑在40°C下粘貼于鏡面硅晶片后，在25°C下測定的密合力為0.5N/10mm以上、優(yōu)選為0.6N/10mm以上、更優(yōu)選為4N/10mm以上。若為0.5N/10mm以上，則膜狀膠粘劑可以在40°C左右的低溫下與半導(dǎo)體晶片良好地粘接，因此可以防止對半導(dǎo)體晶片的熱影響、可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲。另一方面，若小于0.5N/10mm，則密合力低，具有半導(dǎo)體晶片從膜狀膠粘劑剝離的可能性。密合力的上限沒有特別限定，但例如為10N/10_以下。
[0032]在本說明書中，密合力是指將膜狀膠粘劑從鏡面硅晶片剝離時的剝離力，可以利用實(shí)施例所述的方法進(jìn)行測定。
[0033]膜狀膠粘劑的25°C下的儲能模量優(yōu)選為5MPa以上、更優(yōu)選為2X IO2MPa以上。若小于5MPa，則與切割膠帶的密合力增高，具有拾取性下降的傾向。膜狀膠粘劑的25°C下的儲能模量優(yōu)選為5X IO3MPa以下、更優(yōu)選為3X IO3MPa以下、進(jìn)一步優(yōu)選為2.5X IO3MPa以下。若超過5 X IO3MPa,則不易進(jìn)行結(jié)合。
[0034]儲能模量可以利用實(shí)施例所述的方法進(jìn)行測定。
[0035]膜狀膠粘劑的100°C下的儲能模量優(yōu)選為0.01MPa以上、更優(yōu)選為0.05MPa以上。若為0.01MPa以上，則膜狀膠粘劑在芯片貼裝時不易擠出。另一方面，膜狀膠粘劑的100°C下的儲能模量優(yōu)選為IMPa以下、更優(yōu)選為0.SMPa以下。若為IMPa以下，則在芯片貼裝時不易咬入孔隙，易于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的芯片貼裝。
[0036]膜狀膠粘劑的表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為0.1~lOOOnm。若小于0.1nm,則不易結(jié)合。另一方面，若超過lOOOnm，則具有低溫粘貼性下降的可能性。另外，具有芯片貼裝時與被粘物的粘貼性也下降的可能性。
[0037]在175°C下加熱 5小時后、在測定溫度25°C下的電阻率越低則越為優(yōu)選，例如為1Χ10_2Ω.πι以下。若為1Χ10_2Ω.m，則導(dǎo)電性好，可以應(yīng)對小型、高密度安裝。
[0038]在175°C下加熱5小時后、在測定溫度25°C下的導(dǎo)熱率越高則越為優(yōu)選，例如為0.5W/m*K以上。若為0.5W/m.K以上，則散熱性好，可以應(yīng)對小型、高密度安裝。另一方面，若小于0.5ff/m.K，則散熱性差，熱滯留，具有導(dǎo)電性變差的可能性。
[0039]膜狀膠粘劑含有熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，可舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者氟樹脂等。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸系樹脂。
[0040]作為上述丙烯酸系樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等，上述丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4~18的直鏈或支鏈烷基。作為上述烷基，可以列舉例如:甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
[0041]另外，作為形成聚合物(丙烯酸系共聚物)的其他單體，沒有特別限制，可以列舉例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙基酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者2-羥基乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w。
[0042]丙烯酸系樹脂中，優(yōu)選重均分子量為10萬以上的樹脂、更優(yōu)選30萬~300萬的樹月旨、進(jìn)一步優(yōu)選50萬~200萬的樹脂。其原因在于，若在上述數(shù)值范圍內(nèi)，則粘接性及耐熱性優(yōu)異。需要說明的是，重均分子量為通過GPC(凝膠滲透色譜法)進(jìn)行測定、并通過聚苯乙烯換算而計(jì)算出的值。
[0043]熱塑性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為-40°C以上、更優(yōu)選為-35V以上、進(jìn)一步優(yōu)選為-25°C以上。若小于-40°C，則膜狀膠粘劑變得過粘，具有過度粘附于切割膠帶從而拾取性變差的傾向。另外，熱塑性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為-1o°c以下、更優(yōu)選為-11°C以下。若超過-10°C，則彈性模量變高，具有不易在40°C左右的低溫下將膜狀膠粘劑粘貼于半導(dǎo)體晶片(低溫粘貼性下降)的傾向。
[0044]在本說明書中，熱塑性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是指利用Fox公式求出的理論值。
[0045]另外，作為求出玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的其他方法，還有如下方法:由利用差示掃描量熱計(jì)(DSC)測定的最大吸熱峰時的溫度求出熱塑性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。具體而言，使用差示掃描量熱計(jì)(TA Instruments制造，“Q-2000”)，在比預(yù)測的試樣的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(預(yù)測溫度)高約50°C的溫度下將待測試樣加熱10分鐘，然后冷卻到比預(yù)測溫度低50°C的溫度進(jìn)行預(yù)處理，然后，在氮?dú)夥障?，?°C /分鐘的升溫速度升溫并測定吸熱起始點(diǎn)溫度，將其作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
[0046]膜狀膠粘劑優(yōu)選含有熱固化性樹脂等固化性樹脂。由此，可以提高熱穩(wěn)定性。
[0047]作為固化性樹脂，可舉出酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂、或熱固化性聚酰亞胺樹脂等。特別優(yōu)選腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少的環(huán)氧樹脂。另外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選酚醛樹脂。
[0048]環(huán)氧樹脂沒有特別限制，可以使用例如:雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛型、鄰甲酚酚醛型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等二官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹脂或四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。其原因在于，這些環(huán)氧樹脂富于與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性，并且耐熱性等優(yōu)異。
[0049]酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂的固化劑起作用，可舉出例如:苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、叔丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等線性酚醛型酚醛樹脂、甲階酚醛型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在于可以提高半導(dǎo)體裝置的連接可靠性。
[0050] 環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如以相對于環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基I當(dāng)量、酚醛樹脂中的羥基為0.5~2.0當(dāng)量的方式進(jìn)行配合是適當(dāng)?shù)?。更適當(dāng)?shù)氖?.8~1.2當(dāng)量。即，其原因在于，若兩者的配比例在上述范圍以外，則固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，固化物的特性容易變差。[0051 ] 膜狀膠粘劑優(yōu)選含有在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂及在25°C下為液態(tài)的固化性樹脂。由此，可以得到良好的低溫粘貼性。
[0052]在本說明書中，在25°C下為液態(tài)是指在25°C下粘度小于5000Pa*s。另一方面，在25°C下為固態(tài)是指在25°C下粘度為5000Pa.s以上。
[0053]需要說明的是，粘度可以使用Thermo Scientific公司制的型號HAAKE RotoVISCOl進(jìn)行測定。
[0054]膜狀膠粘劑中，在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂的重量/在25°C下為液態(tài)的固化性樹脂的重量優(yōu)選為49/51~10/90、更優(yōu)選為45/55~40/60。
[0055]若在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂的比率大于49/51，則具有不易在40°C左右的低溫下將膜狀膠粘劑粘貼于半導(dǎo)體晶片(低溫粘貼性下降)的傾向。另一方面，若在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂的比率小于10/90，則膜狀膠粘劑變得過粘，具有過度粘附于切割膠帶從而拾取性變差的傾向。
[0056]膜狀膠粘劑中的熱塑性樹脂及固化性樹脂的總含量優(yōu)選為5重量％以上、更優(yōu)選為10重量％以上。若為5重量％以上，則容易保持作為膜的形狀。另外，熱塑性樹脂及固化性樹脂的總含量優(yōu)選為70重量％以下、更優(yōu)選為60重量％以下。若為70重量％以下，則導(dǎo)電性粒子可適當(dāng)?shù)乇憩F(xiàn)出導(dǎo)電性。
[0057]膜狀膠粘劑中，熱塑性樹脂的重量/固化性樹脂的重量優(yōu)選為50/50~10/90、更優(yōu)選為40/60~15/85。若熱塑性樹脂的比率大于50/50，則具有熱穩(wěn)定性變差的傾向。另一方面，若熱塑性樹脂的比率小于10/90，則具有不易膜化的傾向。
[0058]膜狀膠粘劑含有導(dǎo)電性粒子。作為導(dǎo)電性粒子，沒有特別限定，可舉出鎳粒子、銅粒子、銀粒子、金粒子、鋁粒子、炭黑粒子、作為纖維狀粒子的碳納米管、以導(dǎo)電性材料包覆核粒子的表面而成的粒子等。
[0059]核粒子可以是導(dǎo)電性、非導(dǎo)電性中的任意一種，可以使用例如玻璃粒子等。作為包覆核粒子的表面的導(dǎo)電性材料，可以使用鎳、銅、銀、金、鋁等金屬。
[0060]導(dǎo)電性粒子的形狀沒有特別限定，可以使用例如薄片狀、針狀、絲狀、球狀、鱗片狀的形狀等。其中，從分散性、充填率的提高方面考慮，優(yōu)選薄片狀。
[0061]導(dǎo)電性粒子的平均粒徑?jīng)]有特別限定，相對于膜狀膠粘劑的厚度而優(yōu)選為0.001倍以上(膜狀膠粘劑的厚度X0.001以上)、更優(yōu)選為0.1倍以上。若小于0.001倍，則不易形成導(dǎo)電通道，具有導(dǎo)電性不穩(wěn)定的傾向。另外，導(dǎo)電性粒子的平均粒徑相對于膜狀膠粘劑的厚度而優(yōu)選為I倍以下(膜狀膠粘劑的厚度以下)、更優(yōu)選為0.8倍以下。若超過I倍，則具有引起芯片破裂的危險性。
[0062]需要說明的是，導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為利用光度式粒度分布計(jì)(H0RIBA制、裝置名；LA-910)求出的值。
[0063]導(dǎo)電性粒子的比重優(yōu)選為0.7以上、更優(yōu)選為I以上。若小于0.7，則導(dǎo)電性粒子在制作膠粘劑組合物溶液(清漆)時浮起，具有導(dǎo)電性粒子的分散變得不均一的可能性。另外，導(dǎo)電性粒子的比重優(yōu)選為22以下、更優(yōu)選為21以下。若超過22，則導(dǎo)電性粒子容易沉降，具有導(dǎo)電性粒子的分散變得不均一的可能性。
[0064]膜狀膠粘劑中導(dǎo)電性粒子的含量優(yōu)選為30重量％以上、更優(yōu)選為40重量％以上。若小于30重量％，則具有不易形成導(dǎo)電通道的傾向。另外，導(dǎo)電性粒子的含量優(yōu)選為95重量％以下、更優(yōu)選為94重量％以下。若超過95重量％，則具有不易膜化的傾向。另外，具有與晶片的密合力下降的傾向。
[0065]膜狀膠粘劑除上述成分以外還可以適當(dāng)含有膜制造中通常使用的配合劑，例如交聯(lián)劑等。
[0066]本發(fā)明的膜狀膠粘劑可以利用通常的方法進(jìn)行制造。例如，制作含有上述各成分的膠粘劑組合物溶液，在基材隔離件上以達(dá)到規(guī)定厚度的方式涂布膠粘劑組合物溶液而形成涂布膜后，使該涂布膜干燥，由此可以制造膜狀膠粘劑。
[0067]作為膠粘劑組合物溶液中使用的溶劑，沒有特別限定，優(yōu)選可以使上述各成分均一地溶解、混煉或分散的有機(jī)溶劑?？膳e出例如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮系溶劑、甲苯、二甲苯等。涂布方法沒有特別限定。作為溶劑涂敷的方法，可舉出例如狹縫式涂布機(jī)、凹版涂布機(jī)、輥涂機(jī)、反轉(zhuǎn)涂布機(jī)、逗點(diǎn)型涂布機(jī)、Dr.Pipe涂布機(jī)、絲網(wǎng)印刷等。其中，從涂布厚度的均一性高的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選狹縫式涂布機(jī)。
[0068]作為基材隔離件，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或者利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進(jìn)行表面涂布后的塑料膜或紙等。作為膠粘劑組合物溶液的涂布方法，可舉出例如輥涂敷、絲網(wǎng)涂敷、凹版涂敷等。另外，涂布膜的干燥條件沒有特別限定，例如可以在干燥溫度70~160°C、干燥時間I~5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0069]作為本發(fā)明的膜狀膠粘劑的制造方法，例如也適合采用如下的方法等:將上述各成分用混合機(jī)混合，將 所得到的混合物壓制成形來制造膜狀膠粘劑。作為混合機(jī)，可舉出行星式混合機(jī)等。
[0070]膜狀膠粘劑的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為5μπι以上、更優(yōu)選為15μπι以上。若小于5 μ m，則有時產(chǎn)生無法與出現(xiàn)翹曲的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片粘接部位，從而粘接面積變得不穩(wěn)定。另外，膜狀膠粘劑的厚度優(yōu)選為100 μ m以下、更優(yōu)選為50 μ m以下。若超過100 μ m,則有時膜狀膠粘劑由于芯片貼裝的載荷而過度擠出，從而污染焊盤。
[0071]本發(fā)明的膜狀膠粘劑可以適合用于半導(dǎo)體裝置的制造。其中，特別適合作為將引線框等被粘物與半導(dǎo)體芯片粘接的(進(jìn)行芯片貼裝的)芯片貼裝膜使用。作為被粘物，可舉出引線框、中介層>夕一*°一〒)、半導(dǎo)體芯片等。其中，優(yōu)選引線框。
[0072]本發(fā)明的膜狀膠粘劑優(yōu)選與切割膠帶一體地使用。即，優(yōu)選以帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的形態(tài)使用。若以該形態(tài)使用，則可以對粘貼于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行操作，因此可以減少對半導(dǎo)體晶片單體進(jìn)行操作的機(jī)會，操作性良好。因此，即使是近年來的薄型的半導(dǎo)體晶片，也可以良好地進(jìn)行操作。另外，在以該形態(tài)進(jìn)行使用的情況下，是將半導(dǎo)體晶片粘貼于膜狀膠粘劑，由于使用了上述的膜狀膠粘劑，因此可以抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲。
[0073][帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶]
[0074]以下對本發(fā)明的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的剖面示意圖。圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施方式所涉及的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的剖面示意圖。
[0075]如圖1所示，帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10具有在切割膠帶11上層疊有膜狀膠粘劑3的構(gòu)成。切割膠帶11通過在基材I上層疊粘合劑層2而構(gòu)成，膜狀膠粘劑3設(shè)置在該粘合劑層2上。另外，本發(fā)明如圖2所示的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶12那樣，也可以是僅在工件(半導(dǎo)體晶片等)粘貼部分處形成有膜狀膠粘劑3’的構(gòu)成。
[0076]基材I成為帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10、12的強(qiáng)度母體，優(yōu)選具有紫外線透射性。作為基材I，可舉出例如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯基硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、硅酮樹脂、金屬(箔)、紙等。
[0077]為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材I的表面可以實(shí)施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學(xué)或物理處理、利用底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))的涂敷處理。
[0078]基材I的厚度沒有特別限制,可以適當(dāng)確定,一般為5μηι~200 μ m左右。
[0079]粘合劑層2的形成中使用的粘合劑沒有特別限制，例如，可以使用丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等一般的壓敏性膠粘劑。作為壓敏性膠粘劑，從半導(dǎo)體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的、利用超純水或醇等有機(jī)溶劑的清潔洗滌性等方面考慮，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物為基礎(chǔ)聚合物的丙稀Ife系粘合劑。
[0080]作為丙烯酸系 聚合物，可舉出例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子數(shù)I~30、特別是碳原子數(shù)4~18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)中的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。需要說明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的“(甲基)”全部具有同樣的含義。
[0081]為了改善凝聚力和耐熱性等，丙烯酸系聚合物可以根據(jù)需要而含有能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚的其他單體成分所對應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、甲基丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙基酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2_羥基乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w；丙烯酰胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。
[0082]另外，為了進(jìn)行交聯(lián)，丙烯酸系聚合物也可以根據(jù)需要含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能性單體，可舉出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用一種或者兩種以上。從粘合特性等觀點(diǎn)考慮，多官能性單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。
[0083]上述丙烯酸系聚合物可以通過將單一單體或者兩種以上單體混合物聚合而得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進(jìn)行。從防止污染潔凈的被粘物等方面考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該觀點(diǎn)考慮，丙烯酸系聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為30萬以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40萬~300萬左右。
[0084]另外，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸系聚合物等的數(shù)均分子量，上述粘合劑中可以適當(dāng)使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體方法，可舉出:添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑進(jìn)行反應(yīng)的方法。在使用外部交聯(lián)劑的情況下，其使用量可以根據(jù)與應(yīng)交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡、以及作為粘合劑的使用用途來適當(dāng)確定。一般而言，相對于上述基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選配合5重量份左右以下，更優(yōu)選配合0.1~5重量份。另外，根據(jù)需要，除上述成分之外，在粘合劑中還可以使用現(xiàn)有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。
[0085]粘合劑層2可以利用放射線固化型粘合劑形成。放射線固化型粘合劑可以通過照射紫外線等放射線使交聯(lián)度增大，從而易于使其粘合力下降。
[0086]通過僅對圖1所示的粘合劑層2的對應(yīng)于工件粘貼部分的部分2a照射放射線，可以設(shè)置與其它部分2b的粘合力的差。此時，利用未固化的放射線固化型粘合劑而形成的上述部分2b與膜狀膠粘劑3粘合，可以確保切割時的保持力。
[0087]另外，通過配合圖2所示的膜狀膠粘劑3’使放射線固化型的粘合劑層2固化，可以形成粘合力顯著下降的上述部分2a。此時，可以將晶片環(huán)固定于利用未固化的放射線固化型粘合劑而形成的上述部分2b。
[0088]即，利用放射線固化型粘合劑形成粘合劑層2時，優(yōu)選對上述部分2a進(jìn)行放射線照射，使得粘合劑層2中上述部分2a的粘合力<其他部分2b的粘合力。
[0089]放射線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等放射線固化性官能團(tuán)、并且顯示出粘合性的粘合劑。作為放射線固化型粘合劑，可例示例如:在上述丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等通常的壓敏性粘合劑中配合有放射線固化性的單體成分、低聚物成分的添加型的放射線固化型粘合劑。
[0090]作為所配合的放射線固化性的單體成分，可以列舉例如:氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射線固化性的低聚物成分可舉出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量在100~30000左右的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。放射線固化性的單體成分或低聚物成分的配合量，可以根據(jù)上述粘合劑層的種類來適當(dāng)確定能夠使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為5~500重量份、優(yōu)選40~150重量份左右。[0091]另外，作為放射線固化型粘合劑，除上述說明過的添加型的放射線固化型粘合劑以外，還可舉出:使用在聚合物側(cè)鏈或者主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型的放射線固化型粘合劑。就內(nèi)在型的放射線固化型粘合劑而言，其不需要含有或者不大量含有作為低分子成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會經(jīng)時地在粘合劑中移動，從而可以形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，因此優(yōu)選。
[0092]上述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、并且具有粘合性的基礎(chǔ)聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可舉出上述例示的丙烯酸系聚合物。
[0093]在上述丙烯酸系聚合物中引入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，但在聚合物側(cè)鏈上引入碳-碳雙鍵在分子設(shè)計(jì)方面比較容易。例如可舉出下述方法:預(yù)先使具有官能團(tuán)的單體與丙烯酸系聚合物共聚后，使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)、及碳-碳雙鍵的化合物，在保持碳-碳雙鍵的放射線固化性的狀態(tài)下進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)。
[0094]作為這些官能團(tuán)的組合例，可以列舉:羧基與環(huán)氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團(tuán)的組合中，從容易追蹤反應(yīng)的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，只要是通過這些官能團(tuán)的組合而生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能團(tuán)可以在丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任意一側(cè)，就上述優(yōu)選組合而言，優(yōu)選丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基的情形。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可舉出例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可以使用將上述例示的含羥基單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的丙烯酸系聚合物。
[0095]上述內(nèi)在型的放射線固化型粘合劑，可以單獨(dú)使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，也可以在不損害特性的程度下配合上述放射線固化性的單體成分、低聚物成分。放射線固化性的低聚物成分等通常相對于基礎(chǔ)聚合物100重量份在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選O~10重量份的范圍。
[0096]上述放射線固化型粘合劑4中，在通過紫外線等而固化的情況下含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可舉出例如:4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、a - 15? - α , α 二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮、1_羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2’- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2’- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶酰二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲?；郊姿帷?，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；趸ⅲ货；⑺狨?等。相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，光聚合引發(fā)劑的配合量例如為0.05重量份~20重量份左右。
[0097]另外，作為放射線固化型粘合劑，可舉出例如日本特開昭60-196956號公報中公開的橡膠系粘合劑、丙烯酸系粘合劑等，上述橡膠系粘合劑、丙烯酸系粘合劑等包含:具有兩個以上不飽和鍵的加聚性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物；和羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過氧化物、胺、鎗鹽系化合物等光聚合引發(fā)劑。
[0098]上述放射線固化型的粘合劑層2中，可以根據(jù)需要含有通過放射線照射而著色的化合物。通過在粘合劑層2中含有通過放射線照射而著色的化合物，可以僅使被放射線照射后的部分著色。通過放射線照射而著色的化合物為，在放射線照射前為無色或淺色、但通過紫外線照射而變?yōu)橛猩幕衔?，可舉出例如無色染料(口 4 -染料)。通過放射線照射而著色的化合物的使用比例可以適當(dāng)設(shè)定。
[0099]粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從兼具防止芯片切斷面的缺損和膠粘層的固定保持等方面考慮，優(yōu)選為I μ m~50 μ m左右。更優(yōu)選2 μ m~30 μ m、進(jìn)一步優(yōu)選5 μ m~25 μ m0
[0100]帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10、12的膜狀膠粘劑3、3’優(yōu)選用間隔件來保護(hù)(未圖示)。間隔件具有作為在供與實(shí)際應(yīng)用之前保護(hù)膜狀膠粘劑3、3’的保護(hù)材料的功能。當(dāng)向帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑3、3’上粘貼工件時，將間隔件剝離。作為間隔件，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或者利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進(jìn)行表面涂布后的塑料薄膜或紙等。
[0101]帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10、12可以利用通常的方法進(jìn)行制造。例如，通過將切割膠帶11的粘合劑層2與膜狀膠粘劑3、3’貼合，從而可以制造出帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10、12。
[0102]在剝離溫度為25°C、剝離速度為300mm/min的條件下，從切割膠帶11剝離膜狀膠粘劑3、3’時的剝離力為0.01~3.00N/20mm。若小于0.01N/20mm,則具有在切割時產(chǎn)生芯片飛散的可能性。另一方面，若超過3.00N/20mm，則具有不易拾取的傾向。
[0103]該剝離力可以通過實(shí)施例中記載的方法進(jìn)行測定。
[0104][半導(dǎo)體裝置的制造方法]
[0105]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括使用膜狀膠粘劑將半導(dǎo)體芯片貼裝于被粘物的工序。
[0106]以下，對于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，邊參照圖3，邊以使用帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10來制造半導(dǎo)體裝置情況為例進(jìn)行說明。圖3為用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的圖。
[0107]首先，將半導(dǎo)體晶片4壓接在帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10中的膜狀膠粘劑3的半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a上，并將其粘接保持而固定(粘貼工序)。邊用壓接輥等按壓工具進(jìn)行按壓，邊進(jìn)行本工序。此時，可以在40°C左右的低溫下進(jìn)行壓接。具體而言，壓接溫度(粘貼溫度)優(yōu)選為35°C以上、更優(yōu)選為37°C以上。壓接溫度的上限優(yōu)選較低，優(yōu)選為50°C以下、更優(yōu)選為45°C以下、進(jìn)一步優(yōu)選為43°C以下。由于可以在40°C左右的低溫下而粘貼于半導(dǎo)體晶片4，因此可以防止對半導(dǎo)體晶片4的熱影響、可以抑制半導(dǎo)體晶片4的翹曲。
[0108]另外，壓力優(yōu)選為1\105~1\10乍&、更優(yōu)選為2\105~8父10乍&。另外，粘貼時間優(yōu)選為I秒~5分鐘、更優(yōu)選為I分鐘~3分鐘。
[0109]接著，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為規(guī)定的尺寸而將其單片化，制造半導(dǎo)體芯片5。切割例如可以按照常法從半導(dǎo)體晶片4的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。另外，該工序中，例如可以采用切入到帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10的稱為全切(7力力〃卜)的切割方式。作為本工序中使用的切割裝置，沒有特別限定，可以使用以往公知的裝置。另外，半導(dǎo)體晶片4通過帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10進(jìn)行粘接固定，因此可以抑制芯片缺損、芯片飛散，并且也可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。
[0110]為了將粘接固定于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10的半導(dǎo)體芯片5剝離，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取。拾取的方法沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的各種方法。例如可舉出:用針從帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶10側(cè)將各個半導(dǎo)體芯片5向上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。
[0111]在此，在粘合劑層2為紫外線固化型的情況下，在對該粘合劑層2照射紫外線后進(jìn)行拾取。由此，粘合劑層2對膜狀膠粘劑3的粘合力下降，半導(dǎo)體芯片5的剝離變得容易。結(jié)果，能夠在不損傷半導(dǎo)體芯片5的情況下進(jìn)行拾取。照射紫外線時的照射強(qiáng)度、照射時間等條件沒有特別限定，可以根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定。
[0112]拾取的半導(dǎo)體芯片5通過膜狀膠粘劑3粘接固定于被粘物6 (芯片貼裝)。
[0113]芯片貼裝溫度優(yōu)選為80°C以上、更優(yōu)選為90°C以上。另外，芯片貼裝溫度優(yōu)選為150°C以下、更優(yōu)選為130°C以下。通過設(shè)定為150°C以下從而可以防止芯片貼裝后的翹曲
的產(chǎn)生。
[0114]接著通過對膜狀膠粘劑3進(jìn)行加熱處理，使半導(dǎo)體芯片5與被粘物6粘接。
[0115]加熱處理的溫度優(yōu)選為80°C以上、更優(yōu)選為170°C以上。加熱處理的溫度優(yōu)選為200°C以下、更優(yōu)選為180°C以下。若加熱處理的溫度為上述范圍，則可以良好地進(jìn)行粘接。另外，加熱處理的時間可以適當(dāng)設(shè)定。
[0116]接著，進(jìn)行用焊線7將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的焊線接合工序。作為上述焊線7，可以使用例如金線、鋁線或銅線等。進(jìn)行焊線接合時的溫度優(yōu)選為80°C以上、更優(yōu)選為120°C以上，該溫度優(yōu)選為250°C以下、更優(yōu)選為175°C以下。另外，其加熱時間進(jìn)行幾秒~幾分鐘(例如I秒~I分鐘)。接線在加熱達(dá)到上述溫度范圍的狀態(tài)下、通過并用超聲波所產(chǎn)生的振動能與加壓所產(chǎn)生的壓接能來進(jìn)行。
[0117]接著，進(jìn)行利用密封樹脂8將半導(dǎo)體芯片5密封的密封工序。該工序是為了保護(hù)搭載于被粘物6的半導(dǎo)體芯片5、焊線7而進(jìn)行的。該工序通過用模具將密封用樹脂成形來進(jìn)行。作為密封樹脂8，例如使用環(huán)氧系樹脂。樹脂密封時的加熱溫度優(yōu)選為165°C以上、更優(yōu)選為170°C以上，該加熱溫度優(yōu)選為185°C以下、更優(yōu)選為180°C以下。
[0118]可以根據(jù)需要對密封物進(jìn)一步進(jìn)行加熱(后固化工序)。由此，可以將密封工序中固化不充分的密封樹脂8完全固化。加熱溫度可以適當(dāng)設(shè)定。
[0119]如上所述，在使用帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的情況下，通過包括以下工序的方法可以制造半導(dǎo)體裝置，上述工序?yàn)?將帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑和半導(dǎo)體晶片貼合的工序(I);切割半導(dǎo)體晶片而形成半導(dǎo)體芯片的工序(II);將由工序(II)形成的半導(dǎo)體芯片與膜狀膠粘劑一起拾取的工序(III);及將由工序(III)拾取的半導(dǎo)體芯片通過膜狀膠粘劑芯片貼裝于被粘物的工序(IV)。
[0120]實(shí)施例
[0121] 以下使用實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，本發(fā)明只要不超出其主旨則不限定于以下的實(shí)施例。另外，各例中，若無特別說明，則份均為重量基準(zhǔn)。[0122]對實(shí)施例中使用的成分進(jìn)行說明。
[0123]ARONTACK S-2060:東亞合成(株)制的ARONTACK S-2060 (丙烯酸系共聚物、Mw:55萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:_22°C )
[0124]Teisan Resin SG-70L:Nagase ChemteX(株)制的 Teisan Resin SG-70L(丙烯酸系共聚物、Mw:90萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:_13°C )
[0125]Teisan Resin SG-P3:Nagase ChemteX(株)制的 Teisan Resin SG_P3(丙烯酸系共聚物、Mw:85萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:12°C )
[0126]E0CN-1020-4:日本化藥(株)制的E0CN-1020-4(在25°C下為固態(tài)的環(huán)氧樹脂)
[0127]JER828:三菱化學(xué)(株)制的JER828 (在25°C下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂)
[0128]MEH-7851SS:明和化成公司制的MEH-7851SS(苯酚芳烷基樹脂)
[0129]1400YM:三井金屬礦業(yè)(株)制的1400YM(銅粉、平均粒徑4 μ m、比重8.9)
[0130]ES-6000 =Potters Ballotini (株)制的 ES-6000 (銀玻璃微珠、平均粒徑6 μ m、比重 3.9 ~4.0)
[0131]AUP-1000:大崎工業(yè)(株)制的AUP-1000 (金粉末、平均粒徑I μ m、比重19.3) [0132][膜狀膠粘劑及帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的制作]
[0133](實(shí)施例1~3及比較例I~3)
[0134]按照表1所述的配比，將表1中記載的各成分及溶劑(甲乙酮)投入混合攪拌機(jī)(KEYENCE制HM-500)的攪拌釜，以攪拌模式，攪拌、混合3分鐘。將所得到的清漆用狹縫式涂布機(jī)涂布于脫模處理膜(三菱樹脂(株)制的MRA50)后，使其干燥，制成膜狀膠粘劑。
[0135]將所得到的膜狀膠粘劑切出為直徑230mm的圓形，在25°C下粘貼到切割膠帶(日東電工(株)制的P2130G)的粘合劑層上，制成帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶。
[0136](實(shí)施例4~6及比較例4~6)
[0137]按照表2所述的配比，將表2中記載的各成分投入行星式混合機(jī)(PRMIX(株)制的T.K.HIVIS MIX“P-03”)的攪拌釜，在90°C下，攪拌、混合20分鐘。通過成形壓制機(jī)(北川精機(jī)(株)VH1-1572)以120°C、壓力lkg/cm2對所得到的混合物進(jìn)行加壓，制成膜狀膠粘劑。
[0138]將所得到的膜狀膠粘劑切出為直徑230mm的圓形，在25°C下粘貼到切割膠帶(日東電工(株)制的P2130G)的粘合劑層上，制成帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶。
[0139][鏡面硅晶片的制作]
[0140]使用晶圓磨背機(jī)((株)DISC0制的DFG-8560)，進(jìn)行磨削以使硅晶片(信越化學(xué)工業(yè)(株)制、厚度0.6mm)的厚度達(dá)到0.05mm,制作出鏡面娃晶片。
[0141][評價]
[0142]使用所得到的膜狀膠粘劑、帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶、鏡面硅晶片進(jìn)行以下的評價。結(jié)果如表1及表2所示。
[0143][低溫粘貼性評價(I)]
[0144]使用晶圓貼片機(jī)(日東精機(jī)(株)制的MA-3000III)以10mm/min的粘貼速度、40°C的粘貼溫度將鏡面硅晶片貼合于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑上。
[0145]將通過貼合得到的所得物以鏡面硅晶片為下側(cè)(地面?zhèn)?的方式進(jìn)行配置，即使一部分鏡面硅晶片從膜狀膠粘劑脫落的情況也判定為X，將沒有脫落的情況判定為〇。[0146][低溫粘貼性評價⑵]
[0147]出于保持目的而將聚酯粘合帶(日東電工(株)制的BT-315)貼合于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑上后，以IOmm寬度切斷。接著，從聚酯粘合帶上將由膜狀膠粘劑及切割膠帶構(gòu)成的層疊體進(jìn)行分離。用2kg輥將40°C的鏡面硅晶片粘貼于層疊體的膜狀膠粘劑面后，在40°C下放置2分鐘。然后，在常溫(25°C )下放置20分鐘，得到樣品。
[0148]使用拉伸試驗(yàn)機(jī)((株)島津制作所制的AGS-J)，在剝離角度180度、剝離溫度25°C、剝離速度300mm/min下對樣品進(jìn)行剝離試驗(yàn)(鏡面硅晶片與膜狀膠粘劑之間的剝離試驗(yàn))。
[0149][粘接性評價]
[0150]使用晶圓貼片機(jī)(日東精機(jī)(株)制的MA-3000III)以10mm/min的粘貼速度、40°C的粘貼溫度將鏡面硅晶片貼合于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑上。
[0151]使用切片機(jī)((株)DISCO制的DFD-6361)，將通過貼合得到的所得物切割(單片化)為IOmmX IOmm見方，得到單片。使用芯片接合機(jī)(株)新川制的SPA-300)在120°C、
0.lMPa、l秒下將單片(由芯片及膜狀膠粘劑構(gòu)成的單片)芯片貼裝于引線框。芯片貼裝后用掃描型電子顯微鏡觀察單片的側(cè)面，若單片與引線框之間無空隙，則判定為“無”，若有空隙則判定為“有”。
[0152][擠出評價] [0153]使用晶圓貼片機(jī)(日東精機(jī)(株)制的MA-3000III)以10mm/min的粘貼速度、40°C的粘貼溫度將鏡面硅晶片貼合于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑上。
[0154]使用切割機(jī)((株)DISCO制的DFD-6361)將通過貼合得到的所得物切割(單片化)為IOmmX IOmm見方，得到單片。使用芯片接合機(jī)(株)新川制的SPA-300)在120°C、
0.4MPa、l秒下將單片(由芯片及膜狀膠粘劑構(gòu)成的單片)芯片貼裝于引線框。芯片貼裝后用光學(xué)顯微鏡從上表面觀察單片，測定膜狀膠粘劑從芯片的端面擠出的距離(擠出距離)。
[0155][25°C的儲能模量評價]
[0156]將膜狀膠粘劑從帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶分離，將膜狀膠粘劑重疊直至厚度達(dá)到300 μ m,制作出由膜狀膠粘劑構(gòu)成的層疊體。從該層疊體切出寬度10_的條狀樣品。
[0157]使用動態(tài)粘彈性測定裝置(Rheometric Scientific公司制的RSAIII),以夾盤間距20mm、升溫速度10°C /分鐘、拉伸測定模式在O~50°C下對該樣品進(jìn)行測定，求出25°C時的儲能模量。
[0158][膜狀膠粘劑與切割膠帶之間的剝離力的測定]
[0159]出于保持目的而將聚酯粘合帶(日東電工(株)制的BT-315)貼合于帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶的膜狀膠粘劑上后，以IOOmmX IOOmm寬度進(jìn)行切割，制作出樣品。對于該樣品，在300mm/min的剝離速度、25°C的剝離溫度下，以T剝離將膜狀膠粘劑從切割膠帶剝離，測定剝離力。
[0160][綜合判定]
[0161]將滿足以下的全部條件的情形判定為〇，將任意一個不滿足的情形判定為X。
[0162]條件⑴:低溫粘貼性評價⑴的判定結(jié)果為〇。
[0163]條件⑵:低溫粘貼性評價(2)中測定的密合力為0.5N/10mm以上。
[0164]條件(3):粘接性評價的判定結(jié)果為“無”。[0165]條件(4):擠出評價中測定的擠出距離為100 μ m以下。
[0166]條件(5):25°C的儲能模量評價的測定結(jié)果為5MPa以上。
[0167]條件(6):膜狀膠粘劑與切割膠帶之間的剝離力測定的測定結(jié)果為0.01~
3.00N/20m m。
【權(quán)利要求】
1.一種膜狀膠粘劑，其含有熱塑性樹脂及導(dǎo)電性粒子， 所述膜狀膠粘劑在40°c下粘貼于鏡面硅晶片后，在25°C下測定的密合力為0.5N/10mm以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑，其中，所述熱塑性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-40 ~-10 °C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑，其含有固化性樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的膜狀膠粘劑，其中， 所述固化性樹脂含有在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂及在25°C下為液態(tài)的固化性樹脂，且 在25°C下為固態(tài)的固化性樹脂的重量/在25°C下為液態(tài)的固化性樹脂的重量所表示的重量比率為49/51~10/90。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑，其厚度為5~100μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑，其中，25°C下的儲能模量為5MPa以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑，其作為芯片貼裝膜而被使用。
8.一種帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶，其中，在切割膠帶上層疊有權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶有膜狀膠粘劑的切割膠帶，其中，在剝離溫度為25°C、剝離速度為300mm/min的條件下，從所述切割膠帶剝離所述膜狀膠粘劑時的剝離力為0.01~3.00N/20mm。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括使用權(quán)利要求1所述的膜狀膠粘劑將半導(dǎo)體芯片貼裝于被粘物的工序。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其通過權(quán)利要求10所述的制造方法而得到。
【文檔編號】C09J133/00GK103992755SQ201410054163
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年2月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月20日
【發(fā)明者】菅生悠樹, 木村雄大 申請人:日東電工株式會社