專利名稱：：鎵酞菁晶體及其制造方法、感光體和圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及鎵酞菁晶體及其制造方法、處理盒和圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
：就用于例如復(fù)印機(jī)、打印機(jī)和數(shù)字復(fù)合機(jī)等圖像形成裝置的感光體而言，使用有機(jī)光導(dǎo)電材料作為電荷生成材料在目前占主導(dǎo)地位。使用有機(jī)光導(dǎo)電材料的感光體在環(huán)境污染控制措施方面是有效的，并且具有例如高生產(chǎn)率和低成本的優(yōu)點(diǎn)?？赏ㄟ^對(duì)根據(jù)多種合成方法得到的酞菁顏料前體的粗制晶體施加例如磨碎處理、酸糊化處理、溶劑處理或熱處理等處理得到作為電荷生成材料的酞菁顏料。例如JP-A-3-269061(如本文中使用的術(shù)語"JP-A"是指"未經(jīng)審查的日本專利申請(qǐng)公開")公開了制造在X射線衍射圖案中在27.3°的布拉格角(26±0.2°)具有衍射峰的鈦氧基酞菁晶體的方法，該方法包括利用基于乙醇的溶劑、基于芳烴的溶劑、或基于乙醇或基于芳烴的溶劑與水的混合溶劑處理無定形的或半無定形的鈦氧基酞菁。就氯鎵酞菁(chlorogalliumphthalocyanine)顏料而言，報(bào)告了其晶形和電子照相特性，并且例如在JP-A-5-98181中，描述了CuKot特征X射線中至少在7.4。、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(26士0.2°)具有衍射峰的氯鎵酞菁晶體，和使用該顏料的電子照相感光體。就羥基鎵酞菁顏料而言，許多報(bào)告是關(guān)于晶形與其電子照相特性之間的關(guān)系，例如，在JP-A-5-263007和JP-A-7-53892中，報(bào)告了在使用CuKa特征X射線的X射線衍射圖案中至少在7.5°、9.9°、12.5。、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°的布拉格角(29±0,2°)具有衍射峰的羥基鎵酞菁顏料，以及使用該顏料的電子照相感光體。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供具有小粒徑和窄粒度分布的鎵酞菁晶體。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了這樣一種鎵酞菁晶體其在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供如本發(fā)明的第一方面所述的鎵酞菁晶體，其中在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)或約7卯nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所述峰值是在約600nm到約900nm范圍內(nèi)的第一或第二最大峰值。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供如本發(fā)明的第一方面所述的鎵酞菁晶體，該鎵酞菁晶體具有約lOnm到約300nm的粒徑。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供如本發(fā)明的第一方面所述的鎵酞菁晶體，該鎵酞菁晶體具有約1.0到約3.0的體積平均粒徑分布GSDv。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供如本發(fā)明的第一方面所述的鎵酞菁晶體，該鎵酞菁晶體為在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值的II型氯鎵酞菁晶體。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供如本發(fā)明的第一方面所述的鎵酞菁晶體，該鎵酞菁晶體為在約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值的V型羥基鎵酞菁晶體。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供如本發(fā)明的第六方面所述的鎵酞菁晶體，該V型羥基鎵酞菁晶體在約791nm到約805nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供包括功能層的感光體，所述功能層包含根據(jù)本發(fā)明第一到第七方面中任一方面所述的鎵酞菁晶體。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供如本發(fā)明的第八方面所述的感光體，該感光體還包括導(dǎo)電基體，其中，所述功能層是包括電荷生成層和電荷傳輸層的感光層，并且所述電荷生成層包含所述鎵酞菁晶體。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供如本發(fā)明的第九方面所述的感光體，該感光體還包括底層，該底層至少包含金屬氧化物顆粒和粘合劑。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供如本發(fā)明的第十方面所述的感光體，該感光體還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層防止在對(duì)所述感光體進(jìn)行充電時(shí)所述電荷傳輸層發(fā)生化學(xué)變化，或者改善所述感光層的機(jī)械強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供如本發(fā)明的第十方面所述的感光體，該感光體還包括中間層，所述中間層設(shè)置在所述感光層和所述底層之間，并且提高所述感光體的電氣特性、或者提高圖像質(zhì)量、或者提高所述感光層的粘著性。根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，提供一種處理盒，該處理盒包括如本發(fā)明第八方面所述的感光體以及選自下述群組中的至少一個(gè)部件，所述群組包括對(duì)所述感光體表面進(jìn)行充電的充電裝置、在所述感光體表面上形成潛像的潛像形成裝置、利用調(diào)色劑對(duì)潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像的顯影裝置以及清潔所述感光體表面的清潔裝置。根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，提供一種圖像形成裝置，該圖像形成裝置包括如本發(fā)明的第八方面所述的感光體；充電裝置，其對(duì)所述感光體表面進(jìn)行充電；潛像形成裝置，其在所述感光體表面上形成潛像；顯影裝置，其利用調(diào)色劑對(duì)潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像；轉(zhuǎn)印裝置，其將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印介質(zhì)上；以及定影裝置，其將調(diào)色劑圖像定影在記錄介質(zhì)上。根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，提供一種制造鎵酞菁晶體的方法，該方法包括將鎵酞菁化合物溶解在良溶劑中以制備溶液；以及在微通道中將所制備的溶液與鎵酞菁化合物的不良溶劑進(jìn)行混合，以獲得鎵酞菁化合物的晶體。根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，提供如本發(fā)明的第十五方面所述的方法，其中所述良溶劑包括選自下述群組中的一種溶劑，所述群組包括N-甲基吡咯垸酮、二甲亞砜、二甲基乙酰胺、二甲基磺酰胺以及N，N-二甲基甲酰胺。根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，提供如本發(fā)明的第十五方面所述的方法，其中相對(duì)于每1重量份的所述鎵酞菁化合物，所述良溶劑為約20重量份到約10，000重量份。根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，提供如本發(fā)明的第十五方面所述的方法，其中所述不良溶劑包括選自下述群組中的一種溶劑，所述群組包括己烷、苯、甲苯、水、丙酮、甲乙酮以及甲基異丁基酮。根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，提供如本發(fā)明的第十五方面所述的方法，其中在雙管式微反應(yīng)器中進(jìn)行所制備的溶液與鎵酞菁化合物的不良溶劑的混合。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使該鎵酞菁晶體具有小的粒徑和窄的粒度分布。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使該鎵酞菁晶體具有更小的粒徑和更窄的粒度分布。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，該鎵酞菁晶體可以適合于用作電荷生成材料。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，該鎵酞菁晶體可以適合于用作電荷生成材料。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使該II型氯鎵酞菁晶體具有小的粒徑和窄的粒度分布。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使該v型羥基鎵酞菁晶體具有小的粒徑和窄的粒度分布。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，該v型羥基鎵酞菁晶體可以適合于用作電荷生成材料。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，與沒有考慮電荷生成材料的情況相比，可以減少起始狀態(tài)的電氣特性的變化以及電氣特性隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，與沒有考慮電荷生成材料的情況相比，可以減少起始狀態(tài)的電氣特性的變化以及電氣特性隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，與沒有考慮電荷生成材料的情況相比，可以進(jìn)一步減少起始狀態(tài)的電氣特性的變化以及電氣特性隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，與沒有考慮電荷生成材料的情況相比，可以進(jìn)一步減少起始狀態(tài)的電氣特性的變化以及電氣特性隨時(shí)間的變化，并且特別是可以進(jìn)一步減少電氣特性隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，與沒有考慮電荷生成材料的情況相比，可以進(jìn)一步減少起始狀態(tài)的電氣特性的變化以及電氣特性隨時(shí)間的變化，并且特別是可以進(jìn)一步減少電氣特性隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以減少圖像形成時(shí)調(diào)色劑的飛散并且可以實(shí)現(xiàn)良好地再現(xiàn)細(xì)線。根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以減少調(diào)色劑的飛散并且可以實(shí)現(xiàn)良好地再現(xiàn)細(xì)線。根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以得到具有小粒徑和窄粒度分布的鎵酞菁晶體，并且可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的晶形控制。根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以獲得更優(yōu)良的生產(chǎn)率。根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以獲得更優(yōu)良的生產(chǎn)率。根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以獲得更優(yōu)良的生產(chǎn)率。根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，與沒有這種結(jié)構(gòu)的情況相比，可以獲得良好的反應(yīng)效率和優(yōu)良的生產(chǎn)率。參考以下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中圖1是示出具有微型反應(yīng)器的裝置的一個(gè)實(shí)例的示意構(gòu)造圖，該微型反應(yīng)器適合用于本發(fā)明示例性實(shí)施例中的鎵酞菁晶體的制造方法；圖2是示出具有雙管式微型反應(yīng)器的裝置的一個(gè)實(shí)例的示意構(gòu)造圖，該雙管式微型反應(yīng)器適合用于本發(fā)明示例性實(shí)施例中的鎵酞菁晶體的制造方法；圖3是示出用于圖2中的雙管式微型反應(yīng)器的放大示意圖4是示出本發(fā)明示例性實(shí)施例中的感光體的第一示例性實(shí)施例的剖視圖5是示出本發(fā)明示例性實(shí)施例中的感光體的第二示例性實(shí)施例的剖視圖6是示出本發(fā)明示例性實(shí)施例中的感光體的第三示例性實(shí)施例的剖視圖7是示出本發(fā)明示例性實(shí)施例中的感光體的第四示例性實(shí)施例的剖視圖8是示意性地示出本發(fā)明示例性實(shí)施例中的圖像形成裝置的一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖9是示意性地示出圖8中所示的本發(fā)明示例性實(shí)施例中的圖像形成裝置的另一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖IO是示意性地示出作為本發(fā)明示例性實(shí)施例中的圖像形成裝置之一的全色打印機(jī)的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖11是示意性地示出本發(fā)明示例性實(shí)施例中的處理盒的一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖12是示出在實(shí)例1中得到的本發(fā)明示例性實(shí)施例中的II型氯鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案；圖13示出了在實(shí)例1中得到的本發(fā)明的II型氯鎵酞菁晶體的分光吸收光譜；圖14是示出圖2和圖3中通道L6的端部72附近區(qū)域的放大示意圖15示出了在實(shí)例3中得到的本發(fā)明示例性實(shí)施例中的V型羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案；以及圖16示出了在實(shí)例3中得到的本發(fā)明示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體的分光吸收光譜。具體實(shí)施例方式本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造鎵酞菁晶體的方法包括將鎵酞菁化合物溶解在良溶劑中以制備溶液的溶液制備步驟；以及在微通道中將鎵酞菁化合物的不良溶劑與溶液制備步驟中制備的溶液混合以獲得鎵酞菁化合物晶體的晶體形成步驟。以下參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明示例性實(shí)施例。(鎵酞菁晶體)本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體適合于用作電荷生成材料。該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的分光吸收光譜可通過公知的方法測(cè)量。具體優(yōu)選的實(shí)例包括在室溫下(25'C)將lmg鎵酞菁晶體超聲分散在lmL丙酮中以制備測(cè)量溶液，以及使用由Hitachi,Ltd.制造的U-2000型分光光度計(jì)測(cè)量該測(cè)量溶液。如果其中測(cè)量分光吸收光譜的波長(zhǎng)范圍使得能夠測(cè)量是否在預(yù)定波長(zhǎng)范圍中存在峰值，則該范圍可能是充分的，但是優(yōu)選的是600到900nm的范圍。預(yù)定的波長(zhǎng)范圍是約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍。具體地，在II型氯鎵酞菁晶體的情況下，預(yù)定的波長(zhǎng)范圍為約760nm到約773nm，在V型羥基鎵酞菁晶體的情況下為約7卯nm到約809nm。在該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體中，上述波長(zhǎng)范圍內(nèi)的峰值優(yōu)選是約600nm到約900nm范圍內(nèi)的第一或第二最大峰值，更優(yōu)選為第二最大峰值。該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的粒徑(中位粒徑(中間直徑))優(yōu)選為約10nm到約300nm，更優(yōu)選為約15nm到約250nm。此外，該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的GSDv優(yōu)選為約1.0到約3.0，更優(yōu)選為約1.0到約2.5。順便地，假定相對(duì)于由分割所測(cè)量的粒徑分布而產(chǎn)生的粒徑范圍(通道)從小粒徑繪制累積分布時(shí)，達(dá)到16%的體積累積的粒徑為體積D^v，而達(dá)到84%的體積累積的粒徑為體積D84V，則體積平均粒徑分布GSDv是由D84v/D,6v確定的數(shù)值。(n型氯鎵酞菁晶體)本發(fā)明示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體在760nm到773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。該示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體適合于用作電荷生成材料。該示例性實(shí)施例中II型氯鎵酞菁晶體的分光吸收光譜的測(cè)量與上述鎵酞菁晶體的分光吸收光譜的測(cè)量相同。在該示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體中，在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的峰值優(yōu)選的是在約600nm到約900nm范圍內(nèi)的第一或第二最大峰值，更優(yōu)選的是第二最大峰值。當(dāng)氯鎵酞菁晶體為II型晶形時(shí)，這可以通過在使用CuKa特征X射線測(cè)量的X射線衍射譜中至少在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(29±0.2°)具有衍射峰而得到確認(rèn)。該示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體的原料的實(shí)例包括I型氯鎵酞菁。對(duì)可用于該示例性實(shí)施例的I型氯鎵酞菁沒有特別限制，而是可以通過已知的方法合成，例如可以通過這樣的已知方法合成將1，3-二亞氨基異吲哚與三氯化鎵在有機(jī)溶劑中加熱和縮合的二亞氨基異吲哚法。通過上述方法合成的I型氯鎵酞菁具有對(duì)于CuKa特征X射線為27.1°布拉格角(26±0.2°)的衍射峰?？梢酝ㄟ^隨后描述的制造鎵酞菁晶體的方法適當(dāng)?shù)刂圃煸撌纠詫?shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體。該示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體的粒徑(中位粒徑(中間直徑))優(yōu)選為約10nm到300nm，更優(yōu)選為15nm到250nm。此外，該示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體的GSDv優(yōu)選為1.0到3.0，更優(yōu)選為1.0到2.5。(V型羥基鎵酞菁晶體)本發(fā)明示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體在約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。此外，在該示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體中，分光吸收光譜的峰值優(yōu)選在約791nm到約805nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)。該示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體適合于用作電荷生成材料。該示例性實(shí)施例中V型羥基鎵酞菁晶體的分光吸收光譜的測(cè)量與上述鎵酞菁晶體的分光吸收光譜的測(cè)量相同。在該示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體中，在約790nm到約809nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的峰值優(yōu)選的是在600nm到900nm范圍內(nèi)的第一或第二最大峰值，更優(yōu)選的是第二最大峰值。當(dāng)羥基鎵酞菁晶體為V型晶形時(shí)，這可以通過在使用CuKa特征X射線測(cè)量的X射線衍射譜中至少在7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°的布拉格角(26±0.2°)具有衍射峰而得到確認(rèn)。該示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體的原料的實(shí)例包括I型羥基鎵酞菁。對(duì)可用于該示例性實(shí)施例的I型羥基鎵酞菁沒有特別限制，而可通過已知的方法合成，這些方法的實(shí)例包括通過例如使鄰苯二甲腈或1，3-二亞氨基異吲哚與三氯化鎵在預(yù)定的溶劑中反應(yīng)的方法(I型氯鎵酞菁法)或?qū)⑧彵蕉纂?、烷氧基鎵和乙二醇在預(yù)定的溶劑中加熱和反應(yīng)以合成酞菁二聚物的方法(酞菁二聚物法)來制備粗鎵酞菁，以及通過酸糊化處理(acidpastingtreatment)將得到的粗鎵酞菁粉碎并且同時(shí)轉(zhuǎn)化為I型羥基鎵酞菁。具體地，如本文中使用的"酸糊化處理"是指如下處理其中將溶于酸例如硫酸或形成酸性鹽例如硫酸鹽的粗鎵酞菁傾倒在堿水溶液或水或冰水中，從而重結(jié)晶。用于酸糊化處理的酸優(yōu)選的是硫酸，更優(yōu)選的是濃度為70到100%(更優(yōu)選的是95到100%)的硫酸。通過上述方法合成的I型羥基鎵酞菁在CuKa特征X射線在6.8到7.4°、13.2至(jl4.2。、16.2至ljl6.6°以及26.5到27,5°的布拉格角(20±0.2°)具有衍射峰和在615到635nm的范圍內(nèi)和850到890nm的范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的吸收峰?？梢酝ㄟ^在隨后描述的本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造鎵酞菁晶體的方法來適當(dāng)?shù)刂圃煸撌纠詫?shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體。該示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體的粒徑(中位粒徑(中間直徑))優(yōu)選為10nm到300nm，更優(yōu)選為20nm到250nm。此外，該示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體的GSDv優(yōu)選為l.O到2.8，更優(yōu)選為l.O到2.4。(鎵酞菁晶體的制造方法)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造鎵酞菁晶體方法包括將鎵酞菁化合物溶解在良溶劑中以制備溶液的溶液制備步驟；以及在微型反應(yīng)器中將鎵酞菁化合物的不良溶劑與溶液制備步驟中制備的溶液混合以得到鎵酞菁化合物晶體的晶體形成步驟。在該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法中，借助于上述結(jié)構(gòu)，可以得到具有小粒徑和窄粒度分布的晶體，并且可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的晶形控制。本發(fā)明示例性實(shí)施例II型氯鎵酞菁晶體和本發(fā)明示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體優(yōu)選通過該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法來制造?！慈芤褐苽洳襟E〉在該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法中，溶液制備步驟是將鎵酞菁化合物溶解于良溶劑以制備溶液的步驟。通過溶液制備步驟得到的溶液優(yōu)選是其中鎵酞菁化合物充分溶解的溶液。借助于充分的溶解，可以得到具有高晶形純度的鎵酞菁化合物晶體。對(duì)可用于溶液制備步驟的鎵酞菁化合物沒有特別限制，可使用所期望的鎵酞菁化合物。例如，在制造本發(fā)明示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體的情況下，考慮到合成的容易性和可用性，優(yōu)選的是I型氯鎵酞菁，并且在本發(fā)明示例性實(shí)施例中制造V型羥基鎵酞菁晶體的情況下，考慮到合成的容易性和可用性，優(yōu)選的是I型羥基鎵酞菁°良溶劑是鎵酞菁化合物的良溶劑，并且是允許鎵酞菁化合物的高溶解度的溶劑。此外，隨后描述的鎵酞菁化合物的不良溶劑是允許鎵酞菁化合物低溶解度或不溶解鎵酞菁化合物的溶劑。鎵酞菁化合物的良溶劑的具體優(yōu)選實(shí)例包括介電常數(shù)為30或更大的非質(zhì)子性極性溶劑，例如N-甲基吡咯垸酮、二甲亞砜、二甲基乙酰胺、二甲基磺酰胺和N，N-二甲基甲酰胺。可以單獨(dú)使用一種類型的良溶劑，或者可以將兩種或多種類型的良溶劑組合使用。就鎵酞菁化合物和良溶劑之間的混合比例而言，優(yōu)選的是相對(duì)于每1重量份的鎵酞菁化合物，良溶劑為約20到約10，000重量份、更優(yōu)選為約30到約5,000重量份。在上述范圍內(nèi)，鎵酞菁化合物大量溶解并且生產(chǎn)率優(yōu)良。溶液的液體粘度優(yōu)選是250mPa，s或更低。在溶解之后，優(yōu)選的是將溶液經(jīng)過過濾或離心分離處理，以除去不溶性物質(zhì)。對(duì)于在溶液制備步驟中制備溶液，可適當(dāng)?shù)厥褂靡阎幕旌涎b置或已知的攪拌裝置。、'在溶液制備步驟中制備溶液時(shí)，在將鎵酞菁化合物與良溶劑混合之后，優(yōu)選的是使用已知的過濾裝置例如過濾器和紙過濾器、或已知的離心分離裝置除去不溶性物質(zhì)或雜質(zhì)。過濾器的具體實(shí)例包括聚四氟乙烯制的膜過濾器。過濾器或紙過濾器的孔徑大小優(yōu)選為0.10至U0.50,。還優(yōu)選的是在將鎵酞菁化合物和良溶劑混合時(shí)進(jìn)行加熱。此外，根據(jù)需要，可以在加熱溶液的同時(shí)引入晶體形成步驟的微型反應(yīng)器。這時(shí)，優(yōu)選的是在微型反應(yīng)器中也保持液體溫度。優(yōu)選的是使用微型反應(yīng)器制備可用于溶液制備步驟的鎵酞菁化合物。就微型反應(yīng)器而言，可適當(dāng)?shù)厥褂秒S后關(guān)于晶體形成步驟描述的微型反應(yīng)器。在制造顏料或顏料液體分散體的常規(guī)方法中，重復(fù)地進(jìn)行干燥步驟和分散(或磨碎)步驟。然而，在使用微型反應(yīng)器的情況下，無須重復(fù)這些步驟。例如，在使用酸糊化的?；襟E使用微型反應(yīng)器，并且使溶液通過微混合器時(shí)，可以非常有效地制造出高純度的鎵酞菁化合物，該微混合器中設(shè)置有離子交換膜或過濾器，以進(jìn)行洗滌和除去作為反應(yīng)副產(chǎn)物而產(chǎn)生的諸如硫酸銨等鹽。為了增加顏料濃度和連續(xù)地進(jìn)行晶體形成步驟，優(yōu)選地使用微型反應(yīng)器進(jìn)行溶劑置換。在晶體形成步驟完成之后，優(yōu)選地使用不同的溶劑同時(shí)進(jìn)行溶劑置換和洗滌，并且更優(yōu)選的是使用微型反應(yīng)器進(jìn)行洗滌。還可以在洗漆之后不進(jìn)行干燥步驟，進(jìn)行溶劑置換以置換為用于制備涂層溶液(所述涂層溶液用于制造感光體)的溶劑，并將該溶液與其中溶解有樹脂的溶液混合并且調(diào)節(jié)為預(yù)定的顏料濃度，更優(yōu)選的是使用微型反應(yīng)器進(jìn)行溶劑置換。在使用微型反應(yīng)器連續(xù)地進(jìn)行這一系列步驟時(shí)，抑制了干燥步驟中顏料的聚集并且得到具有窄粒度分布和小粒徑的液體分散體。此外，在洗滌步驟中，在顏料通過微通道(通道的一半由離子交換膜或具有微孔的過濾器組成)時(shí)，顏料在通道的外側(cè)流動(dòng)，包含雜質(zhì)的液體從離子交換膜或過濾器的內(nèi)側(cè)排出系統(tǒng)，從而增強(qiáng)洗滌效率并且減少離子交換膜的劣化或過濾器的堵塞。在制造鎵酞菁化合物顆粒時(shí)，在將靜止混合器用于將顏料溶解在諸如硫酸等溶劑中并且將溶液加入到水或堿性水溶液中以形成顆粒的?；^程(酸糊化)時(shí)，可以以良好的效率形成顆粒。為此，這些方法的具體優(yōu)選的實(shí)例包括在圓筒形通道中布置一個(gè)或多個(gè)成螺旋形的扭曲板的方法。此外，優(yōu)選的是通過對(duì)成螺旋形的扭曲板進(jìn)行布置并且在中途反轉(zhuǎn)扭曲方向而使硫酸溶液和水或堿性水溶液形式的顏料沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)，然后沿相反方向旋轉(zhuǎn)。該示例性實(shí)施例有利于增強(qiáng)攪拌混合的作用。優(yōu)選的是布置成螺旋形的板的數(shù)目為1到8，更優(yōu)選的是2到4。螺旋形的板在伸出方向的長(zhǎng)度優(yōu)選為圓筒形通道的半徑的30%到90%，更優(yōu)選的是50%到80%，這是因?yàn)榭梢酝ㄟ^產(chǎn)生充分高的旋轉(zhuǎn)力進(jìn)行適當(dāng)?shù)幕旌系木壒?。?duì)于螺距沒有特別限制，可以根據(jù)目的而變化。(晶體形成步驟)在該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法中，晶體形成步驟是下述步驟即，在微型反應(yīng)器中將鎵酞菁化合物的不良溶劑與溶液制備步驟中制備的溶液混合，以得到鎵酞菁化合物晶體。鎵酞菁化合物的不良溶劑是允許鎵酞菁化合物的低溶解度的溶劑或不允許鎵酞菁化合物溶解的溶劑。對(duì)于鎵酞菁化合物的不良溶劑的具體優(yōu)選的實(shí)例而言，除了非極性溶劑例如己烷、苯和甲苯之外，還包括水、丙酮、甲乙酮和甲基異丁基酮。在這些溶劑中，更優(yōu)選的是水。特別地，水優(yōu)選地為離子交換水。可以單獨(dú)使用一種類型的不良溶劑，或者可以將兩種或多種類型的不良溶劑組合使用。在晶體形成步驟中，在微型反應(yīng)器中將溶液制備步驟中得到的溶液與不良溶劑混合，以得到酞菁化合物的晶體。用于該示例性實(shí)施例的微型反應(yīng)器是用于進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的小型的三維結(jié)構(gòu)體。微型反應(yīng)器有時(shí)稱為微通道反應(yīng)器，并且用于混合目的的微型反應(yīng)器有時(shí)稱為微混合器。這種反應(yīng)裝置近年來受到關(guān)注并且在例如WolfgangEhrfeld，VolkerHesselandHolgerLoewe，MicroreactorsNewTechnologyforModernChemistry,WILEY-VCH(2000)中有所描述。在結(jié)晶形成步驟中，例如可以適當(dāng)?shù)厥褂靡韵挛⑿头磻?yīng)器。圖1是示出具有微型反應(yīng)器的裝置的一個(gè)實(shí)例的示意構(gòu)造圖，該微型反應(yīng)器適合用于該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法。圖1中所示的裝置10包括兩個(gè)槽12和16、微型反應(yīng)器20、送液泵P1和P2、容器24以及連接這些裝置的通道。槽12容納通過將鎵酞菁化合物溶解在良溶劑中制備的溶液作為第一流體14，而槽16容納鎵酞菁化合物的不良溶劑作為第二流體18。槽12中的第一流體14和槽16中的第二流體18分別通過送液泵Pl和P2泵入通道Ll和L2并輸送到微型反應(yīng)器20中，并且這些流體在通道L3中匯合。在通道L3中，進(jìn)行鎵酞菁化合物的結(jié)晶，并且得到包含鎵酞菁晶體的混合溶液22?；旌先芤?2被回收在容器24中。在微型反應(yīng)器20中布置有加熱器26，并且該微型反應(yīng)器20的溫度通過溫度控制單元28進(jìn)行調(diào)節(jié)。作為加熱器，可以使用金屬電阻、多晶硅等，并且可以將加熱器26內(nèi)置于該單元內(nèi)。根據(jù)需要，加熱器26可以為另外的加熱單元，或者也可以為冷卻裝置或溫度調(diào)節(jié)單元。此外，為了控制溫度，可以將整個(gè)裝置10或整個(gè)微型反應(yīng)器20置于溫度受控的容器中。微型反應(yīng)器20的通道L1、L2和L3是微規(guī)模的。可以通過微細(xì)加工技術(shù)適當(dāng)?shù)卦诠腆w基板上制造出這種微型反應(yīng)器20。對(duì)于微細(xì)加工技術(shù)沒有特別限制，但是這些加工技術(shù)的實(shí)例包括使用X射線的LIGA技術(shù)、利用光刻技術(shù)而使用抗蝕部分作為結(jié)構(gòu)體的方法、進(jìn)一步蝕刻抗蝕部分中的開口的方法、微放電加工方法、激光加工方法以及使用由硬質(zhì)材料例如金剛石形成的微工具的機(jī)械顯微硬度劃痕方法。可以單獨(dú)使用這些技術(shù)之中的一種，或者可將其中的一些技術(shù)組合使用。在微型反應(yīng)器20中的通道Ll和L2的接合點(diǎn)處，第一流體14的溫度優(yōu)選為3(TC或更高，更優(yōu)選為35'C或更高，更優(yōu)選為4(TC或更高。在通道Ll和L2的接合點(diǎn)處的第二流體18的溫度優(yōu)選為30'C或更低，更優(yōu)選為2(TC或更低。就微型反應(yīng)器20的通道L3中的流體溫度而言，其優(yōu)選的溫度范圍與第二流體相同。順便地，調(diào)節(jié)每種流體的溫度為不引起溶液固化的溫度。圖2是示出具有雙管式微型反應(yīng)器的裝置的一個(gè)實(shí)例的示意構(gòu)造圖，該雙管式微型反應(yīng)器適合用于該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法。圖3是示出圖2的雙管式微型反應(yīng)器的擴(kuò)大示意圖。圖2中所示的裝置40包括兩個(gè)槽42和54、雙管式微型反應(yīng)器60、送液泵P3和P4、容器70以及連接這些裝置的通道。裝備有用于溫度控制的夾套44的槽42容納通過將鎵酞菁化合物溶解在良溶劑中制備的溶液作為第一流體46，以及裝備有用于溫度控制的夾套58的槽54容納鎵酞菁化合物不良溶劑作為第二流體58。此外，槽42具有由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)48、旋轉(zhuǎn)軸50和多個(gè)固定于旋轉(zhuǎn)軸50上的攪拌槳葉52構(gòu)成的攪拌裝置。根據(jù)需要，該攪拌裝置可被裝備在每個(gè)槽中。槽42中的第一流體46和槽54中的第二流體58分別通過送液泵P3和P4泵入通道L4和L5，并且輸送到微型反應(yīng)器60中。從通道L4和L5輸送的第一流體46和第二流體58通過連接部分62分別輸送到通道L6和L7。第一通道形成部件64形成通道L6，位于該第一通道形成部件64外周的第二通道形成部件66形成具有環(huán)狀橫截面形狀的通道L7。通過通道L6輸送的第一流體46和通過通道L7輸送的第二流體58在位于通道L6的端部74下游的具有圓形截面形狀的通道L8處匯合。在通道L8中，進(jìn)行鎵酞菁化合物的結(jié)晶，并且得到包含鎵酞菁晶體的混合溶液68?；旌先芤?8穿過用于調(diào)節(jié)排放速度的閥72并且被回收在容器70中。雙管式微型反應(yīng)器的流出速度有時(shí)由于重力作用而增加超過預(yù)定速度，使得難以在通道中形成層流，因此，如圖2所示，在通道L8的端部78上安裝用于調(diào)節(jié)排放速度的閥72，從而可以形成層流。通過設(shè)置用于調(diào)節(jié)排放速度的閥72，即使當(dāng)流速增加時(shí)也可以容易地形成層流，并且這適合于高速和/或大規(guī)模處理。第一通道形成部件64的內(nèi)徑和外徑以及第二通道形成部件66的內(nèi)徑(也就是通道L6、L7和L8的直徑)如果是微規(guī)模的(2，OOOpm或更小)，則通道的直徑各自可為足夠的，也可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)剡x擇通道直徑。從連接部分的端部76到通道L6的端部74的長(zhǎng)度Hl和從連接部分的端部76到通道L8的端部78的長(zhǎng)度H2各自可以通過考慮鎵酞菁化合物結(jié)晶的進(jìn)度而適當(dāng)?shù)剡x擇。除了圖1、2和3中所示的微型反應(yīng)器之外，優(yōu)選的可用于結(jié)晶形成步驟的微型反應(yīng)器的實(shí)例包括在JP-A-2005-288254和JPA-2006-342304中描述的微型反應(yīng)器、在JP-T-9-512742(如本文中使用的術(shù)語〃JP-T"是指〃PCT專利申請(qǐng)的公布日語譯文")和國際公開No.00/76648小冊(cè)子中公開的微混合器、以及購自德國的IMM(InstitutfuerMikrotechnikMainzGmbH)禾卩Forschungs—zentrumKarlsruhe的那些微型反應(yīng)器。如果微型反應(yīng)器是微規(guī)模的，則微型反應(yīng)器中通道的直徑或長(zhǎng)邊(通道尺寸)可為足夠的，并且在每個(gè)通道中，直徑或長(zhǎng)邊為2，000|im或更小，優(yōu)選為10至Ul,000|im，更優(yōu)選為30至U500|mi。順便地，當(dāng)通道的橫截面不是圓形或正方形或矩形時(shí)，通道直徑定義為根據(jù)通過垂直于流向的表面切割通道而獲得的橫截面積所確定的等效圓的尺寸(直徑)。通道的深度優(yōu)選為10到500pm。通道的長(zhǎng)度可通過考慮鎵酞菁化合物結(jié)晶進(jìn)度而適當(dāng)?shù)剡x擇。對(duì)于通道的形狀沒有特別限制，例如，垂直于流向方向上的橫截面形狀可為期望的形狀，例如圓形、橢圓形、多邊形(包括矩形)、環(huán)形或桶形(barrel)。對(duì)于溶液(即在溶液制備步驟中制備的溶液，以下同)和不良溶劑各自的液體輸送速度沒有特定限制，可以根據(jù)通道尺寸、溶液濃度、通道溫度等適當(dāng)?shù)剡x擇不使鎵酞菁的結(jié)晶化引起任何故障的速度。溶液的液體輸送速度Vi和不良溶劑的液體輸送速度V2優(yōu)選滿足下式(l)表示的條件<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(1)當(dāng)V2/V,在上述范圍內(nèi)時(shí)，鎵酞菁化合物的結(jié)晶化順利并連續(xù)地進(jìn)行。微型反應(yīng)器的材料可為任何材料，只要其不在液體(例如上述的溶液或不良溶劑)輸送過程中和鎵酞菁化合物的結(jié)晶化過程中產(chǎn)生任何問題即可，材料的實(shí)例包括金屬、陶瓷、玻璃、熔融石英、硅樹脂和合成樹脂。也可使用具有耐溶劑性的合成樹脂、或經(jīng)過耐溶劑處理的合成樹脂。這些材料中，優(yōu)選的是熔融石英和合成樹脂?？紤]到優(yōu)良的耐熱性和耐化學(xué)性，更優(yōu)選的是玻璃和熔融石英，而考慮到可加工性，更優(yōu)選的是合成樹脂。從耐沖擊性、耐熱性、耐化學(xué)性、透明度等方面考慮，可用作微型反應(yīng)器材料的特別優(yōu)選的合成樹脂的實(shí)例包括聚酯樹脂、苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯-丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂、基于二烯的樹脂、酚醛樹脂、萜烯樹脂、香豆素樹脂、酰胺樹脂、酰胺酰亞胺樹脂、丁醛樹脂、聚氨酯樹脂以及乙烯-醋酸乙烯樹脂，更優(yōu)選的是環(huán)氧樹脂。此外，就熱固性樹脂、可熱固的樹脂和熱塑性樹脂而言，根據(jù)需要，也可適當(dāng)?shù)厥褂迷贙obunshiDai-Jiten(ComprehensiveDictionaryofPolymers)，Maruzene(1994)中描述的那些樹脂。可根據(jù)所需要用途適當(dāng)?shù)卦O(shè)定微型反應(yīng)器的尺寸。根據(jù)用途，微型反應(yīng)器可以有具有例如分離、純化、分析和洗滌功能的部位。此外，在微型反應(yīng)器中，根據(jù)需要，優(yōu)選的是設(shè)置例如用于將液體輸送到每個(gè)通道中的液體輸送口、以及用于從微型反應(yīng)器回收液體的回收口。此外，可根據(jù)用途，通過將多個(gè)微型反應(yīng)器組合、或?qū)⑽⑿头磻?yīng)器與具有例如分離、純化、分析或洗滌功能的單元、液體輸送單元、回收單元、另一個(gè)微通道裝置等組合來構(gòu)建適合用于該示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的制造方法的裝置或系統(tǒng)。(感光體)本發(fā)明示例性實(shí)施例的感光體具有包含鎵酞菁晶體的功能層，該功能層包括例如本發(fā)明示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體或本發(fā)明示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體。以下，"本發(fā)明示例性實(shí)施例的n型氯鎵酞菁晶體和/或本發(fā)明示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體"有時(shí)稱為"本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體"。該示例性實(shí)施例的感光體優(yōu)選包含本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體作為功能層中的電荷生成材料。該示例性實(shí)施例的感光體可以適合于用作電子照相感光體。該示例性實(shí)施例的感光體中的功能層可由單層或兩個(gè)或多個(gè)層構(gòu)成，并且優(yōu)選為感光層。感光層可由單層或兩個(gè)或多個(gè)層構(gòu)成，并且優(yōu)選為通過將電荷生成層與電荷傳輸層層疊而得到的層，更優(yōu)選為通過將包含本發(fā)明示例性實(shí)施例的II型氯鎵酞菁晶體或本發(fā)明示例性實(shí)施例的V型羥基鎵酞菁晶體的電荷生成層與電荷傳輸層層疊而得到的層?！锤泄怏w的層結(jié)構(gòu)〉該示例性實(shí)施例的感光體在導(dǎo)電基體上具有至少一個(gè)感光層。在這里，"在"導(dǎo)電基體上是足夠的，只要感光層位于導(dǎo)電基體的上側(cè)。也就是說，感光層不必須與導(dǎo)電基體接觸。感光層可與導(dǎo)電基體接觸，或者可以在導(dǎo)電基體與感光層之間設(shè)置其它層。該示例性實(shí)施例的感光體中的感光層優(yōu)選包含本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體作為電荷生成材料。以下參考附圖描述優(yōu)選的示例性實(shí)施例，但是該示例性實(shí)施例的感光體的層結(jié)構(gòu)不限于此。在附圖中，相同的或?qū)?yīng)的部分由相同的參考標(biāo)號(hào)或符號(hào)表示，并且省略了多余的描述。(1)第一示例性實(shí)施例圖4是示出該示例性實(shí)施例的感光體的第一示例性實(shí)施例的剖視圖。如圖4所示，感光體1由導(dǎo)電基體2、感光層3以及構(gòu)成感光層3的電荷生成層5和電荷傳輸層6構(gòu)成。(2)第二示例性實(shí)施例圖5是示出該示例性實(shí)施例的感光體的第二示例性實(shí)施例的剖視圖。如圖5所示，感光體1由導(dǎo)電基體2、底層(subbinglayer，或稱作"膠層")4、感光層3以及構(gòu)成感光層3的電荷生成層5和電荷傳輸層6構(gòu)成。底層4是至少包含金屬氧化物顆粒和粘合劑的層。(3)第三示例性實(shí)施例圖6是示出該示例性實(shí)施例的感光體的第三示例性實(shí)施例的剖視圖。圖6中所示的感光體1具有與圖5中所示的感光體1相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在感光層3上設(shè)置有保護(hù)層7。保護(hù)層7用于防止在對(duì)感光體1進(jìn)行充電時(shí)電荷傳輸層6發(fā)生化學(xué)變化或者更進(jìn)一步改善感光層3的機(jī)械強(qiáng)度。保護(hù)層7可以以如下方式形成通過將導(dǎo)電材料添加到適當(dāng)?shù)恼澈蟿┲幸灾苽渫繉尤芤?，并將涂層溶液涂布在感光?上。(4)第四示例性實(shí)施例圖7是示出該示例性實(shí)施例的感光體的第四示例性實(shí)施例的剖視圖。圖7所示的感光體1具有與圖5所示的感光體1相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在感光層3和底層4之間設(shè)置有中間層8。設(shè)置中間層8用于提高感光體1的電氣特性、提高圖像質(zhì)量以及提高感光層3的粘著性。對(duì)中間層8的構(gòu)成物質(zhì)沒有特別限制，可以任意地選自合成樹脂、有機(jī)物質(zhì)或無機(jī)物質(zhì)的粉末、電子傳輸物質(zhì)等。在該示例性實(shí)施例的感光體中，在感光層由兩層(電荷生成層和電荷傳輸層)構(gòu)成時(shí)，布置在用于獲得高分辨率的電荷生成層上側(cè)的層的厚度優(yōu)選為50pm或更小，更優(yōu)選為40pm或更小。在其中電荷傳輸層是厚度為20^im或更小的薄膜的情況下，構(gòu)造為使得在電荷傳輸層上布置與底層相似的高強(qiáng)度保護(hù)層的感光體特別有效?！锤泄鈱?電荷生成層)〉構(gòu)成感光層的電荷生成層是以如下方式形成的將本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體(作為電荷生成材料)與有機(jī)溶劑和粘合劑一起分散，并且對(duì)得到的分散體進(jìn)行涂布(以下有時(shí)稱為〃分散涂布〃)。在通過分散涂布形成電荷生成層的情況下，電荷生成材料與有機(jī)溶劑、粘合劑、添加劑等一起分散，并對(duì)得到的液體分散體進(jìn)行涂布，從而形成電荷生成層。(1)電荷生成材料就用于該示例性實(shí)施例的感光體的電荷生成層的電荷生成材料而言，至少使用本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體。電荷生成材料優(yōu)選地僅是本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體。可用于與該示例性實(shí)施例的感光體組合的不同于本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體的電荷生成材料的實(shí)例包括除了本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體之外的酞菁顏料、偶氮顏料例如氯丹藍(lán)(chlorodianblue)、苯醌顏料例如蒽嵌蒽醌溴化物和芘醌(pyrenequinone)、酉昆養(yǎng)顏半斗(quinocyaninepigment)、二蔡嵌苯顏料、靛青顏料、二苯并咪唑顏料、吡咯并吡咯顏料、奧鹽(azuleniumsalt)、方酸(squarylium)和喹吖啶酮。(2)粘合劑可用于電荷生成層的粘合劑(粘結(jié)劑樹脂、粘合樹脂)的實(shí)例包括聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚砜、聚酯、聚酰亞胺、聚酯碳酸酯、聚乙烯醇縮丁醛、甲基丙烯酸酯共聚物、醋酸乙烯酯均聚物或共聚物、纖維素酯、纖維素醚、聚丁二烯、聚氨酯、苯氧基樹脂、環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、氟樹脂及其部分交聯(lián)的固化產(chǎn)物?？蓡为?dú)使用可用于電荷生成層的這些粘合劑中的一種，或者可以將這些粘合劑中的兩種或多種組合使用。3)溶劑可用于制造電荷生成層的溶劑優(yōu)選為其中本發(fā)明示例性實(shí)施例的鎵酞菁晶體具有低溶解度的溶劑。該溶劑的具體實(shí)例包括甲醇、乙醇、正丁醇、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二氧己垸、甲苯、二甲苯和水。可以單獨(dú)使用這些溶劑的一種，或者可以使用這些溶劑中的兩種或多種的混合物。(4)混合量粘合劑溶液中的固體物的濃度優(yōu)選為0.1到10wt。/。(按重量百分比計(jì)，以下同)，更優(yōu)選為1.0到7.0wt。/。。在上述范圍內(nèi)，借助于液體分散體中電荷生成材料的適當(dāng)量，得到良好的感光度，另外，由于液體分散體的適當(dāng)粘性，因而涂布感光體時(shí)的生產(chǎn)率高。電荷生成材料和溶劑的混合溶液中的固體物的濃度優(yōu)選為o.1到20wt%，更優(yōu)選為1到15wt%。在上述范圍內(nèi)，薄膜涂層的粘著性或接觸性良好，從而得到在感光度或循環(huán)穩(wěn)定性方面優(yōu)良的電荷生成層。電荷生成材料和溶劑優(yōu)選預(yù)先經(jīng)過分散處理。在這種情況下，進(jìn)行分散處理的方法的實(shí)例包括砂磨機(jī)、膠體磨、碾磨機(jī)、球磨機(jī)、珠磨機(jī)(Dynomill)、高壓勻漿器、超聲分散器、co-ballmill砂磨機(jī)和輥軋機(jī)。(5)涂布方法就用于設(shè)置電荷生成層的涂布方法而言，可使用普通的方法，例如刮涂、線棒涂布、噴涂、浸涂、珠涂(beadcoating)、氣刀涂布和幕簾涂布等。在涂布電荷生成層之后，通過在干燥器中干燥或自然干燥除去薄膜中的溶劑。干燥溫度和時(shí)間可以任意地設(shè)定。(6)添加劑為了預(yù)防感光體由于圖像形成裝置中產(chǎn)生的臭氧或氧化性氣體或由于光和熱而劣化，可以向該示例性實(shí)施例的感光體的感光層中加入添加劑，例如抗氧化劑、光穩(wěn)定劑和/或熱穩(wěn)定劑?？寡趸瘎┑膶?shí)例包括受阻酚、受阻胺、對(duì)苯二胺、芳基烷、氫醌、螺色滿(spirochroman)、螺茚滿酮(spiroindanone)及其衍生物、有機(jī)硫化合物和有機(jī)磷化合物?？寡趸瘎┑木唧w實(shí)例包括甲酚、苯乙烯酚、正十八垸基-3-(3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯、2，2'_亞甲基-雙(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2-叔丁基-6-(3'-叔丁基-5，-甲基-2'-羥基芐基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4，4'-亞丁基-雙(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4，4'-硫代-雙-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1，3，5-三(4-叔丁基-3-羥基-2，6-二甲基芐基)異氰尿酸酯、四[亞甲基-3-(3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯]甲烷、以及3，9-雙{2-[3-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙?；鵢氧基]-1，1-二甲基乙基}-2，4，8，10-四氧雜螺[5，5]十一垸?；谑茏璋返幕衔锏膶?shí)例包括雙(2，2,6，6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、雙-(1，2，2，6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-{2-[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙?；趸鵠乙基}-4-[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙?；趸鵠-2,2，6,6-四甲基哌啶、8-芐基-7，7，9，9-四甲基-3-辛基-1，3，8-三氮雜螺[4,5]-十一烷-2，4-二酮、4-苯甲?；?氧基-2，2，6，6-四甲基哌啶、二甲基琥珀酸酯-1-(2-羥基乙基)-4-羥基-2，2，6，6-四甲基哌嗪縮聚物、聚-[{6-(1，1，3，3-四甲基丁基)亞胺基-1，3，5-三嗪-2，4-二戊基}{(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2，3，6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}](poly-[{6-(l,l,3,3-tetramethylbutyl)imino-l，3,5-triazine-2,4-diimyl}{(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)imino}hexamethylene{(2,3,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)imino}])、2-(3，5-二叔丁基-4-羥基芐基)-2-正丁基丙二酸雙(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)、以及N，N'-雙-{3-氨基丙基)乙二胺-2，4-雙[N-丁基-N-(1,2,2，6，6五甲基-4-哌啶基)氨基]-6-氯-1，3，5-三嗪縮合物?；谟袡C(jī)硫的抗氧化劑的實(shí)例包括3，3'-硫代雙丙酸二月桂酯、3,3'-硫代二丙酸二肉豆蔻酯、3,3'-硫代二丙酸雙十八酯、季戊四醇-四(((3-月桂基-硫代丙酸酯)、3，3'-硫代二丙酸雙十三酯以及2-巰基苯并咪唑。基于有機(jī)磷的抗氧化劑的實(shí)例包括三壬基苯基亞磷酸酯、三苯基亞磷酸酯、以及三(2，4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯?；谟袡C(jī)硫和基于有機(jī)磷的抗氧化劑被稱為副抗氧化劑，并且在與主抗氧化劑例如基于苯酚的或基于胺的抗氧化劑組合使用時(shí)，可以獲得協(xié)同效應(yīng)。光穩(wěn)定劑包括基于二苯甲酮的、基于苯并三唑的、基于二硫代氨基甲酸酯的和基于四甲基-哌啶的衍生物?；诙郊淄墓夥€(wěn)定劑的實(shí)例包括2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、以及2，2'-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮。基于苯并三唑的光穩(wěn)定劑的實(shí)例包括2-(2'-羥基-5'-甲基苯基)-苯并三唑、2-[2'-羥基-3'-(3〃，4〃，5〃，6〃-四氫鄰苯二甲酰亞胺基甲基)-5'-甲基苯基]-苯并三唑、2-(2'-羥基-3'-叔丁基-5'-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2'-羥基-3'-叔丁基-5'-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2'-羥基-3'，5'-叔丁基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-5'-叔辛基苯基)苯并三唑、以及2-(2'-羥基-3，，5'-二叔戊基苯基)苯并三唑。其它化合物的實(shí)例包括2,4-二叔丁基苯基-3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯甲酸酯和二丁基二硫代氨基甲酸鎳。另外，感光層可包含至少一種電子接受物質(zhì)，用于提高感光度、減少殘余電位、減少重復(fù)使用時(shí)的疲勞等?？捎糜谠撌纠詫?shí)施例的電子接受物質(zhì)的實(shí)例包括琥珀酸酐、馬來酐、二溴代馬來酐、酞酐、四溴鄰苯二甲酸酐、四氰基乙烯、四氰基對(duì)苯二醌二甲垸、鄰二硝基苯、間二硝基苯、四氯苯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、鄰硝基苯甲酸、對(duì)硝基苯甲酸以及酞酸。在這些電子接受物質(zhì)中，優(yōu)選的是基于芴酮或基于苯醌的化合物和包含吸電子基(例如-Cl、-CN和-N02)的苯衍生物。此外，在用于形成感光層的涂層溶液中，也可加入少量硅油作為均化劑，用于提高薄膜涂層的平坦性?！锤泄鈱?電荷傳輸層)〉電荷傳輸層包括電荷傳輸材料和粘合劑。(l)電荷傳輸材料該示例性實(shí)施例的感光體中的電荷傳輸層包含電荷傳輸材料。對(duì)于包含在電荷傳輸層中的電荷傳輸材料沒有特別限制，可以使用已知的物質(zhì)。電荷傳輸材料的實(shí)例包括空穴輸送物質(zhì)，例如嚼二唑衍生物(例如，2，5-雙(對(duì)-二乙基氨基苯基)-1，3，4-鵬二唑)、吡唑啉衍生物(例如，1，3，5-三苯基-吡唑啉、l-[吡啶基-(2)]-3-(對(duì)-二乙基氨基苯乙烯基)-5-(對(duì)-二乙基氨基苯乙烯基)吡唑啉)、芳族叔氨基化合物(例如，三苯基胺、三(對(duì)甲基)苯基胺、N，N'-雙(3，4-二甲基苯基)聯(lián)苯基-4-胺、二芐基苯胺、9，9-二甲基-N，N'-二(對(duì)腈)-芴酮-2-胺)、三甲酰基苯基胺芳族的叔二氨基化合物(例如，N，N'-二苯基-N，N'-雙(3-甲基苯基)-d，1-二苯基)-4，4'-二胺)、1，2，4-三嗪衍生物(例如，3-(4'-二甲基氨基苯基)-5，6-二-(4'-甲氧基苯基)-l，2，4-三嗪)、腙衍生物(例如，4-二乙基氨基苯甲醛-1，l-二苯基腙、4-二苯基氨基苯甲醛-1，l-二苯基腙、[對(duì)-(二乙基氨基)苯基](l-萘基)苯基腙)、喹唑啉衍生物(例如，2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉)、苯并呋喃衍生物(例如，6-羥基-2，3-二(對(duì)-甲氧基苯基)苯并呋喃)、a-二苯乙烯衍生物(例如，對(duì)-(2，2-二苯基乙烯基)-N，N，-二苯基苯胺)、烯胺衍生物、咔唑衍生物(例如，N-乙基咔唑)以及聚-N-乙烯基咔唑或其衍生物；以及電子傳輸物質(zhì)，例如基于苯醌的化合物(例如，四氯苯醌、四溴代對(duì)苯醌、蒽醌)、基于四氰基對(duì)苯二醌二甲烷的化合物、基于芴酮的化合物(例如，2，4，7-三硝基芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮)、基于賺二唑的化合物(例如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-瞎二唑、2，5-雙(4-萘基)-1,3，4-鵬二唑、2，5-雙(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4-鵬二唑)、基于卩占噸酮的化合物、基于噻吩的化合物以及基于二苯酚合苯醌的化合物(例如，3，3',5，5'-四叔丁基二苯酚合苯醌)。此外，電荷傳輸材料的實(shí)例包括在主鏈或側(cè)鏈具有上述化合物的基本結(jié)構(gòu)的聚合物?？梢詥为?dú)使用這些電荷傳輸材料中的一種，或者將這些電荷傳輸材料中的兩種或多種組合使用。電荷傳輸材料可為市售的化合物或可以合成。在合成電荷傳輸材料的情況下，優(yōu)選使用微型反應(yīng)器合成電荷傳輸材料。微型反應(yīng)器的優(yōu)選實(shí)例包括上述那些反應(yīng)器。使用微型反應(yīng)器合成的實(shí)例包括三甲?；交返暮铣?。通常，在其中使用三氯氧磷和二甲基甲酰胺進(jìn)行三甲?；院铣墒褂萌交返碾姾蓚鬏敳牧系那闆r下，由于產(chǎn)生二甲酰形式和三甲酰形式的混合物，因而作為目的物的三甲?；?三苯基胺的收率低并且純度低到約70%。然而，在這種反應(yīng)中使用微型反應(yīng)器時(shí)，收率得到提高。具體地，相對(duì)于三苯基胺，使二甲基甲酰胺和三氯氧磷的1:1混合物以反應(yīng)部位的5倍當(dāng)量或更多倍進(jìn)行反應(yīng)。這時(shí)，通過使用微混合器或微反應(yīng)器，三甲?；问降哪康奈锏氖章试黾拥?0%或更多。(2)粘合劑對(duì)于包含在電荷傳輸層中的粘合劑沒有特別限制，可使用己知的粘合劑，但是優(yōu)選的是能夠形成電絕緣薄膜的樹脂。粘合劑的實(shí)例包括聚碳酸酯樹酯、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙稀樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酐共聚物、有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅改性醇酸樹脂、酚酵樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂、聚-N-咔唑、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯基甲醛、聚砜、酪蛋白、明膠、聚乙烯醇、乙基纖維素、苯酚樹脂、聚酰胺、羧甲基纖維素、基于偏二氯乙烯的聚合物蠟、以及聚氨酯?？梢詥为?dú)使用這些粘合劑樹脂中的一種，或者將這些粘合劑樹脂中的兩種或多種混合并且使用。特別是，優(yōu)選聚碳酸酯樹酯、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂和丙烯酸樹脂，這是因?yàn)檫@些粘合劑樹脂在與電荷傳輸材料的相容性、在溶劑中的溶解度、以及強(qiáng)度方面是優(yōu)良的。(3)混合比例粘合劑與電荷傳輸材料之間的混合比例(重量比)可以在考慮到電氣特性的劣化和薄膜強(qiáng)度方面的降低之后任意地設(shè)定。電荷傳輸層的厚度優(yōu)選為5到50pm，更優(yōu)選為10到40pm。(4)制造方法可以通過如下方式形成電荷傳輸層將電荷傳輸材料、有機(jī)溶劑、粘合劑等混合以制備涂層溶液，將涂層溶液涂布在電荷生成層上，并將薄膜涂層干燥。在制備用于形成電荷傳輸層的涂層溶液時(shí)，將電荷傳輸材料與有機(jī)溶劑、粘合劑等混合。就將電荷傳輸材料高度分散在液體中的方法而言，可以使用例如輥軋機(jī)、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、碾磨機(jī)、砂磨機(jī)、膠體磨和涂料混合器等的分散方法。此外，考慮到成膜性能，包含在用于形成電荷傳輸層的涂層溶液中的顆粒的粒徑優(yōu)選為0.5pm或更小，更優(yōu)選為0.3pm或更小，更優(yōu)選為0.15pm。在顆粒的粒徑為0.5pm或更小時(shí)，電荷傳輸層的成膜性能優(yōu)良并且很少產(chǎn)生圖像質(zhì)量缺陷。就形成電荷傳輸層的涂層溶液中使用的溶劑而言，可單獨(dú)使用普通的有機(jī)溶劑，例如二氧雜環(huán)己烷、四氫呋喃、二氯甲垸、氯仿、氯苯以及甲苯等中的一種，或?qū)⑦@些溶劑中的兩種和多種混合并且使用。就電荷傳輸層的涂布方法而言，可使用普通的方法，例如刮涂、線棒涂布、噴涂、浸涂、珠涂、氣刀涂布和幕簾涂布等。此外，用于設(shè)置電荷傳輸層的涂布方法優(yōu)選為使用浸涂裝置的方法，在所述浸涂裝置中，對(duì)通過至少分散電荷傳輸材料而制備的涂層溶液進(jìn)行循環(huán)，并且在對(duì)涂層溶液進(jìn)行循環(huán)的循環(huán)系統(tǒng)的中途裝備有微混合器或微型反應(yīng)器。<感光層(單層型)>由單層構(gòu)成的感光層是包含以下物質(zhì)的層，該物質(zhì)同時(shí)包括分別包含在電荷生成層和電荷傳輸層中的電荷生成材料和電荷傳輸材料。在這種單層型感光層的情況下，相對(duì)于感光層的總重量，電荷生成材料的含量?jī)?yōu)選為0.1到50wt%，更優(yōu)選為1到20wt%。在上述范圍內(nèi)，得到適合的感光度并且不會(huì)產(chǎn)生諸如帶電性降低等故障。此外，在單層型感光層的情況下，從與空穴輸送物質(zhì)的相容性的觀點(diǎn)來看，粘合劑優(yōu)選為聚碳酸酯樹酯或甲基丙烯酸樹脂。粘合劑樹脂也可選自有機(jī)光導(dǎo)電材料，例如聚-N-乙烯基咔唑、聚蒽乙烯、聚乙烯基嵌二萘和聚硅烷?？梢詥为?dú)使用這些粘合劑樹脂中的一種、或者可以將這些粘合劑樹脂中的兩種或多種混合并使用。感光層也可以通過如下方式形成將上述電荷生成材料、上述電荷傳輸材料、上述有機(jī)溶劑、粘合劑樹脂等進(jìn)行混合以制備涂層溶液，以與上述相同的方法將該涂層溶液涂布在導(dǎo)電基體上，并對(duì)薄膜涂層進(jìn)行干燥。就單層型感光層的涂布方法而言，可使用普通的方法，例如刮涂、線棒涂布、噴涂、浸涂、珠涂、氣刀涂布和幕簾涂布等。<導(dǎo)電基體>對(duì)于導(dǎo)電基體沒有特別限制，只要其具有導(dǎo)電性，并且可使用例如由鋁、銅、鐵、鋅或鎳形成的金屬鼓、金屬片或金屬板即可。此外，可使用通過在聚合物制的片材、紙張、塑料或玻璃上汽相沉積例如鋁、銅、金、銀、鉑、鈀、鈦、鎳鉻合金、不銹鋼或銅銦等金屬并進(jìn)行導(dǎo)電處理而得到的鼓狀的、或片狀的或板狀的基體。此外，也可使用通過在聚合物制的片材、紙張、塑料或玻璃上汽相沉積例如氧化銦等導(dǎo)電金屬化合物或?qū)訅航饘俨⑦M(jìn)行導(dǎo)電處理而得到的鼓狀的、或片狀的或板狀的基體。除了這些方法外，也可使用例如通過如下方式對(duì)鼓狀的、片狀的、板狀的基體進(jìn)行導(dǎo)電處理將炭黑、氧化銦、氧化錫-氧化銻粉末、金屬粉末、碘化亞銅等分散在粘合劑中，并且將粘合劑涂布在聚合物制的片材、紙張、塑料或玻璃上。在使用金屬管作為導(dǎo)電基體的情況下，該金屬管的表面可為未經(jīng)處理的，但是優(yōu)選的是通過鏡面拋光、蝕刻、陽極氧化、粗加工、無心研磨、噴砂、濕法絎磨或著色預(yù)先處理的。通過實(shí)施表面處理以使基體表面變粗糙，可以防止在使用例如激光束等相干光時(shí)在感光體中產(chǎn)生木紋狀的密度不規(guī)則。<底層〉該示例性實(shí)施例的感光體優(yōu)選在導(dǎo)電基體與感光層之間具有底層，更優(yōu)選的是底層包含無機(jī)顆粒。通過設(shè)置底層，可以防止電荷從支撐體注入到感光層中，從而可以防止出現(xiàn)例如黑點(diǎn)和白點(diǎn)等圖像質(zhì)量缺陷，并且可以提高導(dǎo)電基體和感光層之間的粘著性以改善耐久性。在底層中包含無機(jī)顆粒時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)環(huán)境特性和循環(huán)特性的穩(wěn)定化并防止莫爾條紋。此外，底層在防止圖像質(zhì)量缺陷方面起到主要作用，并且是用于減少由于基體的缺陷或污染或在感光層中的薄膜涂層缺陷或不均勻而引起的圖像質(zhì)量缺陷的重要的層。優(yōu)選以如下方式形成底層將上述經(jīng)表面涂覆處理的金屬氧化物顆粒、粘合劑和添加劑分散以制備用于底層的涂層溶液，并將該涂層溶液涂布在導(dǎo)電基體上。(l)金屬氧化物顆粒在該示例性實(shí)施例中，優(yōu)選的是將平均粒徑為0.5)im或更小的導(dǎo)電粉末用作金屬氧化物顆粒。如本文中使用的粒徑是指平均一次粒徑。底層必須具有適當(dāng)?shù)碾娮枰员惬@得防漏性能，為此，優(yōu)選的是金屬氧化物顆粒具有約102到10HQcm的粉末電阻。具體地，優(yōu)選使用具有上述電阻值的諸如二氧化鈦、氧化鋅和氧化錫等金屬氧化物顆粒。在上述范圍內(nèi)，獲得優(yōu)良的防漏性能，并且可以抑制殘余電位的增加?？梢詥为?dú)使用這些金屬氧化物顆粒中的一種，或者將這些金屬氧化物顆粒中的兩種或多種混合并且使用。通過利用表面處理劑對(duì)金屬氧化物顆粒進(jìn)行表面處理，金屬氧化物顆粒與樹脂的濕潤(rùn)性和相容性得到改善，并且樹脂的分散性有利地得到提高。用于該示例性實(shí)施例中的"金屬氧化物顆粒的表面處理"是指通過表面處理劑與金屬氧化物顆粒表面反應(yīng)以覆蓋金屬氧化物顆粒表面的至少一部分。在該示例性實(shí)施例中用作表面處理劑的化合物的實(shí)例包括但不特別局限于有機(jī)鋯化合物，例如鋯螯合物、烷氧基鋯化合物和鋯偶聯(lián)劑；有機(jī)鈦化合物，例如鈦螯合物、烷氧基鈦化合物和鈦酸酯偶聯(lián)劑；有機(jī)鋁化合物，例如鋁螯合物和鋁偶聯(lián)劑；反應(yīng)性有機(jī)金屬化合物，例如垸氧基銻化合物、烷氧基鍺化合物、垸氧基銦化合物、銦螯合物、烷氧基錳化合物、錳螯合物、垸氧基錫化合物、錫螯合物、垸氧基鋁硅化合物、烷氧基鋁鈦化合物和烷氧基鋁鋯化合物；以及硅烷偶聯(lián)劑。在這些有機(jī)金屬化合物中，優(yōu)選的是有機(jī)鋯化合物、有機(jī)鈦化合物和有機(jī)鋁化合物。具體地，由于殘余電位低和表現(xiàn)出良好的電子照相特性，優(yōu)選的是烷氧基鋯化合物、鋯螯合物、垸氧基鈦化合物、鈦螯合物和/或硅烷偶聯(lián)劑。尤其是，在提高電氣特性、提高環(huán)境穩(wěn)定性和提高圖像質(zhì)量方面，更優(yōu)選的是硅烷偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑可為任何硅烷偶聯(lián)劑，只要得到期望的感光體特性即可。硅烷偶聯(lián)劑的具體實(shí)例包括但不局限于乙烯基三甲氧基硅垸、Y-甲基丙烯酰氧基丙基-三(P-甲氧基乙氧基)硅烷、(3-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸、y-環(huán)氧丙氧基丙基-三甲氧基硅垸、乙烯基三乙酰氧基硅烷、廠巰基—丙基三甲氧基硅垸、Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-p-(氨基乙基)，-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-P-(氨基乙基)-廠氨基丙基甲基甲氧基硅垸、N，N-雙(|3-羥基乙基)，-氨基丙基三乙氧基硅烷以及Y-氯丙基三甲氧基硅烷。此外，可以將這些硅垸偶聯(lián)劑中的兩種或多種混合并且使用。金屬氧化物顆粒的表面處理也可在溶劑中進(jìn)行。溶劑可任意地選自芳族化合物、鹵代烴、酮、酮醇、醚和酯。例如，可使用普通的有機(jī)溶劑，例如二甲苯、甲苯、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二氧雜環(huán)己烷、四氫呋喃、二氯甲垸、氯仿和氯苯等。就此處所用的溶劑而言，可以單獨(dú)使用一種溶劑，或者可以將這些溶劑中的兩種或多種混合并且使用。在該示例性實(shí)施例中，表面處理劑相對(duì)于金屬氧化物顆粒的量?jī)?yōu)選為充分大以得到期望的電子照相特性的量。電子照相特性受表面處理之后附著于金屬氧化物顆粒的表面處理劑的量所影響，并且在使用硅垸偶聯(lián)劑的情況下，表面處理劑的添加量由熒光X射線分析中的Si強(qiáng)度和金屬氧化物的主要金屬元素的強(qiáng)度決定。熒光X射線分析中的Si強(qiáng)度優(yōu)選為金屬氧化物中主要金屬元素強(qiáng)度的1.0X10—5到1.0X10—2倍。在上述范圍內(nèi)，可以抑制電荷從底層注入到感光層(電荷生成層)中并且可以抑制殘余電位，因此獲得優(yōu)良的圖像質(zhì)量。表面處理后的金屬氧化物顆粒可經(jīng)過烘焙處理。這種處理允許表面處理劑的脫水縮合反應(yīng)令人滿意地進(jìn)行。烘焙處理可在任意的溫度條件下進(jìn)行，只要溫度足夠高以得到期望的電子照相特性即可，但是在使用上述表面處理劑的情況下，烘焙處理優(yōu)選在IOO'C或更高的溫度下進(jìn)行，更優(yōu)選的是在150到250。C的溫度下進(jìn)行。在上述范圍內(nèi)，可以令人滿意地進(jìn)行面處理劑的脫水縮合反應(yīng)而不會(huì)發(fā)生由于加熱引起的分解。此后，根據(jù)需要，將表面處理后的金屬氧化物顆粒磨碎。通過這種處理，金屬氧化物顆粒的聚集體可以被磨碎，因此可以提高底層中金屬氧化物顆粒的分散性。(2)粘合劑就用于形成底層的涂層溶液的粘合劑(粘合劑樹脂、粘合樹脂)而言，可使用已知的聚合樹脂化合物，例如縮醛樹脂(例如，聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、酪蛋白、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酐樹脂、有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅改性醇酸樹脂、苯酚樹脂、酚醛樹脂、蜜胺樹脂和聚氨酯樹脂；具有電荷傳輸基團(tuán)的電荷傳輸樹脂；以及導(dǎo)電樹脂例如聚苯胺。具體地，優(yōu)選使用不溶解于覆蓋層的涂層溶劑的樹脂。尤其是，優(yōu)選苯酚樹脂、酚醛樹脂、蜜胺樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂等。用于形成底層的涂層溶液中金屬氧化物顆粒與粘合劑之間的比例可以在其中獲得期望的電子照相感光體特性的范圍內(nèi)任意地設(shè)定。(3)添加劑在用于形成底層的涂層溶液中，可使用各種添加劑來提高電氣特性、提高環(huán)境穩(wěn)定性和提高圖像質(zhì)量?？墒褂玫奶砑觿┑膶?shí)例包括電子傳輸化合物，例如醌化合物(例如，四氯苯醌、四溴代對(duì)苯醌、蒽醌)、四氰基對(duì)苯二醌二甲烷化合物、芴酮化合物(例如，2，4，7-三硝基芴酮，2，4，5，7-四硝基-9-芴酮)，噁二唑化合物(例如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-鵬二唑，2，5-雙-(4-萘基)-1,3，4-賺二唑，2，5-雙(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4-嚼二唑)，咕噸酮化合物、噻吩化合物以及二苯酚合苯醌化合物(例如，3,3'，5，5'-四叔丁基二苯酚合苯醌)；電子傳輸顏料，例如多環(huán)的縮合化合物和偶氮化合物；以及已知的材料，例如鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、烷氧基鈦化合物、有機(jī)鈦化合物和硅垸偶聯(lián)劑。在這些添加劑中，優(yōu)選諸如電子傳輸化合物和電子傳輸顏料等接受體化合物。鋯螯合物的實(shí)例包括丁氧基鋯、鋯乙酰醋酸乙酯、鋯三乙醇胺、乙?；猁}丁氧基鋯、乙酰醋酸乙酯丁氧基鋯、乙酸鋯、乙二酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)垸酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、異丁烯酸鹽丁氧基鋯、硬脂酸鹽丁氧基鋯以及異硬脂酸鹽丁氧基鋯。鈦螯合物的實(shí)例包括四異丙基鈦酸酯、四正丁基鈦酸酯、鈦酸丁酯二聚物、四(2-乙基己基)鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛基乙二醇鈦(titaniumoctyleneglycolate)、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、鈦乳酸鹽乙酯、鈦三乙醇胺化物(titaniumtriethanolaminate)以及多羥基硬脂酸鈦。鋁螯合物的實(shí)例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙醇鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰乙酸二異丙醇鋁以及三(乙酰乙酸乙酯)鋁(aluminumtris(ethylacetoacetatep。硅垸偶聯(lián)劑用于金屬氧化物顆粒的表面處理，但是可另外作為添加劑加入涂層溶液。這里使用的硅垸偶聯(lián)劑的具體實(shí)例包括乙烯基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基-三(p-甲氧基-乙氧基)硅垸、p-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸、r"環(huán)氧丙氧基氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅垸、Y-巰基丙基三甲氧基硅垸、Y-氨基丙基三乙氧基硅垸、N-(3-(氨基乙基)，-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-p-(氨基乙基)，-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N，N-雙(p-羥基乙基)-y-氨基丙基三乙氧基硅垸以及Y-氯丙基三甲氧基硅垸?？梢詥为?dú)使用這些添加劑中的一種，或者將這些添加劑中的兩種或多種混合并且使用。此外，可將添加劑作為多種化合物的混合物或縮聚物使用。相對(duì)于使用的金屬氧化物顆粒的量，用于底層的添加劑的量?jī)?yōu)選為0.1到10wt%。在上述范圍內(nèi)，分散性和涂層適應(yīng)性得到改善，并且有利地獲得例如增加感光度、降低殘余電位和減少重復(fù)使用時(shí)的疲勞等的效果。(4)溶劑就用于制備形成底層時(shí)使用的涂層溶液的溶劑而言，可使用已知的有機(jī)溶劑。例如，溶劑可任意地選自醇、芳族化合物、鹵代烴、酮、酮醇、醚和酯?？墒褂玫挠袡C(jī)溶劑的實(shí)例包括甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二氧雜環(huán)己烷、四氫呋喃、二氯甲垸、氯仿、氯苯以及甲苯。可以將用于分散體的這些溶劑中的一種單獨(dú)使用，或者將這些溶劑中的兩種或多種混合并且使用。在將溶劑混合的情況下，可使用任何溶劑，只要得到的混合溶劑可以溶解粘合劑即可。(5)分散方法作為用于將金屬氧化物顆粒分散在粘合劑中的方法，可使用例如輥軋機(jī)、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、碾磨機(jī)、砂磨機(jī)、膠體磨和顏料混合器等方法。(6)涂布方法就用于提供底層的涂布方法而言，可使用普通的方法，例如刮涂、線棒涂布、噴涂、浸涂、珠涂、氣刀涂布和幕簾涂布等。通過使用如此獲得的用于形成底層的涂層溶液在導(dǎo)電基體上成膜以形成底層。在涂布底層之后，優(yōu)選通過在干燥器中干燥或通過自然干燥除去薄膜中的溶劑。干燥溫度和時(shí)間可以根據(jù)需要任意地設(shè)定。(7)底層表面的硬度、厚度和表面粗糙度底層優(yōu)選具有35或更高的維氏硬度。底層的厚度優(yōu)選為15pm或更厚，更優(yōu)選為20到50pm。此外，為了避免莫爾像(Moireimage)，將底層的表面粗糙度調(diào)節(jié)為用于曝光的激光波長(zhǎng)X的1/4n(n為覆蓋層的折射率)到該波長(zhǎng)X的范圍內(nèi)。為了調(diào)節(jié)表面粗糙度，也可以向底層加入樹脂顆粒?？墒褂玫臉渲w粒的實(shí)例包括有機(jī)硅樹脂顆粒和交聯(lián)的聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)顆粒。此外，可將底層拋光以調(diào)節(jié)表面粗糙度?？墒褂玫膾伖夥椒ǖ膶?shí)例包括氈磨、噴砂、濕法珩磨和研磨。<中間層〉可以在底層和感光層之間設(shè)置中間層，該中間層用于提高電氣特性、提高圖像質(zhì)量、提高圖像質(zhì)量可保存性、提高感光層的粘著性等。對(duì)于中間層的構(gòu)成物質(zhì)沒有特別限制，可以任意地選自合成樹脂、有機(jī)或無機(jī)物質(zhì)粉末以及電子傳輸物質(zhì)。(l)包含在中間層中的化合物包含在中間層中的化合物的實(shí)例包括聚合樹脂化合物，例如縮醛樹脂(例如，聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、酪蛋白、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙稀樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酐樹脂、有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅改性醇酸樹脂、酚醛樹脂以及蜜胺樹脂；以及包含鋯、鈦、鋁、錳或硅原子的有機(jī)金屬化合物?？蓡为?dú)使用這些化合物中的一種，或者可使用這些化合物中的多種的混合物或縮聚物。尤其是，包含鋯或硅的有機(jī)金屬化合物在性能方面優(yōu)良，例如殘余電位低、由于環(huán)境引起的電位改變小、或者重復(fù)使用時(shí)電位變化較少。硅化合物的實(shí)例包括乙烯基三甲氧基硅垸，Y-甲基丙烯酰氧基丙基-三(p-甲氧基-乙氧基)硅烷、p-(3-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅垸、Y-巰基丙基三甲氧基硅烷、Y-氨基丙基三乙氧基硅垸，N-p-(氨基乙基)，-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-p-(氨基乙基)-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N，N-雙((5-羥基乙基)，-氨基丙基三乙氧基硅垸以及氯丙基三甲氧基硅垸。在這些硅化合物中，優(yōu)選的是乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基硅垸)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基-丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基-甲基二甲氧基硅垸、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅垸、3-巰基丙基三甲氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基硅垸。有機(jī)鋯化合物的實(shí)例包括丁氧基鋯、鋯乙酰醋酸乙酯、鋯三乙醇胺、乙?；猁}丁氧基鋯、乙酰醋酸乙酯丁氧基鋯、乙酸鋯、乙二酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)垸酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、異丁烯酸鹽丁氧基鋯、硬脂酸鹽丁氧基鋯以及異硬脂酸鹽丁氧基鋯。有機(jī)鈦化合物的實(shí)例包括四異丙基鈦酸酯、四正丁基鈦酸酯、鈦酸丁酯二聚物、四(2-乙基己基)鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛基乙二醇鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、鈦乳酸鹽乙酯、鈦三乙醇胺化物以及多羥基硬脂酸鈦。有機(jī)鋁化合物的實(shí)例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙醇鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰乙酸二異丙醇鋁以及三(乙酰乙酸乙酯)鋁。(2)添加劑在中間層中，可以加入多種有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的粉末，用于提高電氣特性、提高光散射特性等。特別有效的化合物的實(shí)例包括白色顏料，例如二氧化鈦、氧化鋅、鋅華、硫化鋅、鉛白和鋅鋇白，無機(jī)顏料作為增量劑，例如鋁土、碳酸鈣和硫酸鋇，聚四氟乙烯樹脂顆粒(例如，包括由DuPont制造的"Teflon"(注冊(cè)商標(biāo))等的樹脂的顆粒)、苯代三聚氰胺樹脂顆粒以及苯乙烯樹脂顆粒。就此處加入的粉末而言，使用粒徑為0.01到2pm的粉末。根據(jù)需要，加入粉末并且粉末的加入量(按重量比計(jì)算)相對(duì)于中間層中的固體物的總重量?jī)?yōu)選為10到90wt%，更優(yōu)選為30到80wt%?？紤]到降低殘余電位和環(huán)境穩(wěn)定性，將上述的電子傳輸物質(zhì)、電子傳輸顏料等添加到中間層也是有效的。除了改善在中間層上側(cè)層疊的層(例如，感光層)的涂布性之外，中間層在電氣阻斷方面起作用，并且如果厚度太大，則電氣屏障過度強(qiáng)化和感光度降低，或者由于循環(huán)而使電位增加。在形成中間層的情況下，厚度優(yōu)選為0.1到3pm。在制備用于形成中間層的涂層溶液時(shí)，在加入粉狀物質(zhì)的情況下，將該物質(zhì)加入到其中溶解有樹脂成分的溶液中并且使該物質(zhì)分散。就此處的分散方法而言，可使用例如輥軋機(jī)、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、碾磨機(jī)、砂磨機(jī)、膠體磨以及涂料混合器的方法。此外，可以通過將用于形成中間層的涂層溶液涂布在導(dǎo)電基體上并且將薄膜涂層干燥來形成中間層。就此處的涂布方法而言，可使用普通的方法，例如刮涂、線棒涂布、噴涂、浸涂、珠涂、氣刀涂布和幕簾涂布等。除了改善在中間層上形成的層的涂布性之外，中間層起到電氣阻斷層的作用，并且如果厚度太大，則電氣屏障過度強(qiáng)化和感光度降低，或由于循環(huán)而使電位增加。因此，在形成中間層的情況下，厚度優(yōu)選設(shè)定為0.1到3pm。在涂布中間層之后，優(yōu)選通過在干燥器中干燥或通過自然干燥除去薄膜中的溶劑。干燥溫度和時(shí)間可以任意地設(shè)定?！幢Ｗo(hù)層〉保護(hù)層用于防止在對(duì)感光體進(jìn)行充電時(shí)電荷傳輸層發(fā)生化學(xué)變化，或者進(jìn)一步改善感光體的機(jī)械強(qiáng)度?？梢酝ㄟ^將導(dǎo)電材料添加到適當(dāng)?shù)恼澈蟿┲兄苽渫繉尤芤翰⑶覍⑼繉尤芤和坎荚诟泄鈱由隙纬杀Ｗo(hù)層。保護(hù)層是例如包含可固化樹脂和電荷傳輸材料的硅氧垸樹脂固化薄膜，或者具有在適當(dāng)?shù)恼澈蟿渲邪瑢?dǎo)電材料的結(jié)構(gòu)。可固化的樹脂可為任何己知的樹脂，但是其實(shí)例包括苯酚樹脂、聚氨酯樹脂、蜜胺樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂和硅氧垸樹脂。在包含電荷傳輸材料的硅氧烷樹脂固化薄膜的情況下，可使用已知為電荷傳輸材料的任何材料。電荷傳輸材料的實(shí)例包括但不限于在JP-A-10-95787、JP-A-10-251277、JP-A-11-32716、JP-A-11-38656以及JP-A-11-236391中描述的化合物。在其中保護(hù)層為具有在適當(dāng)?shù)恼澈蟿渲邪瑢?dǎo)電材料的結(jié)構(gòu)的薄膜的情況下，對(duì)于導(dǎo)電材料沒有特別限制，并且導(dǎo)電材料的實(shí)例包括茂金屬化合物(例如，N、N'-二甲基二茂鐵)、芳香胺化合物(例如，N，N'-二苯基-N，N'-雙(3-甲基苯基)-(1，l'-二苯基)-4，4'-二胺)、氧化鉬、氧化鎢、氧化銻、氧化錫、二氧化鈦、氧化銦、氧化錫-銻、硫酸鋇和氧化銻的固態(tài)溶液的載體、上述金屬氧化物的混合物、上述金屬氧化物混合在二氧化鈦、氧化錫、氧化鋅或硫酸鋇的單個(gè)顆粒中的混合物、以及上述金屬氧化物涂覆在二氧化鈦、氧化錫、氧化鋅或硫酸鋇的單個(gè)顆粒上的涂層。對(duì)于用于保護(hù)層的粘合劑，使用己知的樹脂，例如聚酰胺樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酮樹脂、聚碳酸酯樹酯、聚乙烯基酮樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂以及聚酰胺亞胺。此外，根據(jù)需要，可將這些樹脂相互交聯(lián)并且使用。保護(hù)層可以包含抗氧化劑。對(duì)于用作抗氧化劑的化合物的具體實(shí)例，基于苯酚的抗氧化劑的實(shí)例包括2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚、苯乙烯酚、正十八垸基-3-(3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯、2，2'-亞甲基-雙(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2-叔丁基-6-(3'-叔丁基-5'-甲基-2'-羥基節(jié)基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4，4'-亞丁基-雙(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4，4'-硫代-雙-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1，3，5-三(4-叔丁基-3-羥基-2，6-二甲基-芐基)異氰尿酸酯、四[亞甲基-3-(3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯]-甲烷以及3，9_雙{2-[3-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙?；趸鵠-1，卜二甲基乙基}-2，4，8，10-四氧雜螺[5，5]H"^—垸?；谑茏璋返幕衔锏膶?shí)例包括雙(2，2，6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、雙-(l，2，2，6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-{2-[3-{3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙?；趸鵠乙基}-4-[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙?；趸鵠-2，2，6，6-四甲基哌啶、8-芐基-7，7，9，9-四甲基-3-辛基-1，3，8-三氮雜螺[4，5]-十一烷-2，4-二酮、4-苯甲酰基氧基-2，2，6,6-四甲基哌啶、琥珀酸二甲酯-1-(2-羥基乙基)-4-羥基-2,2，6，6-四甲基-哌嗪縮聚物、聚-[{6-(1，1，3，3-四甲基-丁基)亞胺基-1，3，5-三嗪-2，4-二戊基}{(2，2，6，6-四甲基-4-哌卩定基)亞胺基}六亞甲基{(2，3,6，6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]、2-(3，5-二叔丁基-4-羥基芐基)-2-正丁基丙二酸雙(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)以及N，N'-雙(3-氨基丙基)乙二胺-2，4-雙[N-丁基-N-(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)氨基]-6-氯-1，3，5-三嗪縮合物?；谟袡C(jī)硫的抗氧化劑的實(shí)例包括3,3'-硫代雙丙酸二月桂酯、3，3'-硫代二丙酸二肉豆蔻酯、3，3'-硫代二丙酸雙十八酯、季戊四醇-四((p-月桂基-硫代丙酸酯)、3，3'-硫代二丙酸雙十三酯以及2-巰基苯并咪唑?；谟袡C(jī)磷的抗氧化劑的實(shí)例包括己知的氧化劑，例如三壬基苯基亞磷酸酯、三苯基亞磷酸酯和三(2，4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯，以及具有能夠與硅氧烷樹脂結(jié)合的官能團(tuán)例如羥基或氨基或烷氧基甲硅垸基的抗氧化劑。保護(hù)層的厚度優(yōu)選為1到2(Him，更優(yōu)選為1到lOpm。就涂布用于形成保護(hù)層的涂層溶液的方法而言，可使用普通的方法，例如刮涂、線棒涂布、噴涂、浸涂、珠涂、氣刀涂布和幕簾涂布等。就用于形成保護(hù)層的涂層溶液的溶劑而言，可單獨(dú)使用一種普通的有機(jī)溶劑例如二氧雜環(huán)己垸、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯，或者將這些溶劑中的兩種或多種混合并且使用。優(yōu)選的是盡可能使用這種溶劑即，該溶劑幾乎不溶解其上涂布有這種涂層溶液的感光層。(處理盒和圖像形成裝置)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的處理盒和本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖像形成裝置(各自使用本發(fā)明的示例性實(shí)施例的感光體)如下所述。該示例性實(shí)施例的處理盒包括本發(fā)明的示例性實(shí)施例的感光體和選自于下述部件中的至少一個(gè)部件對(duì)所述感光體表面進(jìn)行充電的充電裝置、在所述感光體表面上形成潛像的潛像形成裝置、利用調(diào)色劑對(duì)潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像的顯影裝置以及清潔所述感光體表面的清潔裝置。另外，該示例性實(shí)施例的圖像形成裝置包括本發(fā)明的示例性實(shí)施例的感光體、對(duì)感光體表面進(jìn)行充電的充電裝置、在感光體表面上形成潛像的潛像形成裝置、利用調(diào)色劑對(duì)潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像的顯影裝置、將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印介質(zhì)上的轉(zhuǎn)印裝置以及用于將調(diào)色劑圖像定影在記錄介質(zhì)上的定影裝置。該示例性實(shí)施例的感光體可以安裝在利用近紅外光或可見光進(jìn)行發(fā)光的圖像形成裝置中，例如激光打印機(jī)、數(shù)碼復(fù)印機(jī)、LED打印機(jī)和激光傳真機(jī)，或安裝在被裝備于這種圖像形成裝置的處理盒中。對(duì)于激光束，為了獲得高清晰度圖像，優(yōu)選350到800nm的激光振動(dòng)光。此外，為了獲得高清晰度圖像，優(yōu)選的是激光束的光點(diǎn)尺寸為IX104^11112或更小，更優(yōu)選為3X103|11112或更小。該示例性實(shí)施例的感光體可與單組分或雙組分顯影劑或反轉(zhuǎn)顯影劑組合使用。此外，為了獲得清晰圖像，優(yōu)選的是調(diào)色劑的粒徑為lO]iim或更小，更優(yōu)選為8pm或更小。這種調(diào)色劑可以通過已知的制造方法獲得，但是特別優(yōu)選的是通過溶解懸浮方法或聚合方法獲得的球狀調(diào)色劑。在調(diào)色劑中，可加入表面潤(rùn)滑劑(金屬脂肪酸鹽)或具有研磨作用的顆粒。即使該示例性實(shí)施例的感光體在安裝到使用充電輥或充電刷的接觸充電系統(tǒng)的圖像形成裝置上時(shí)，也可以獲得較少出現(xiàn)電流泄漏的良好特性。圖8是示意地表示該示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖8中所示的圖像形成裝置200包括感光體207、充電裝置208(例如通過電暈放電系統(tǒng)為感光體207充電的電暈管或格柵電極(scorotron))、與充電裝置208連接的電源209、用于使通過充電裝置208充電的感光體207曝光以形成靜電潛像的曝光裝置210、用調(diào)色劑使由曝光裝置210形成的靜電潛像顯影以形成調(diào)色劑圖像的顯影裝置211、用于將由顯影裝置211形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印介質(zhì)上的轉(zhuǎn)印裝置212、清潔裝置213、除電器214以及定影裝置215。圖9是示意地表示圖8中所示的示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的另一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9中所示的圖像形成裝置200具有與圖8中所示圖像形成裝置相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于設(shè)置了通過接觸系統(tǒng)使感光體207帶電的充電裝置208并且采用了利用中間轉(zhuǎn)印方法的轉(zhuǎn)印系統(tǒng)。感光體具有優(yōu)良的耐磨性，因此優(yōu)選用于采用在直流電壓上疊加交流電壓的接觸式充電裝置的圖像形成裝置中。在這種情況下，有時(shí)不設(shè)置除電器214。充電裝置(用于充電的部件)208布置為與感光體207的表面接觸，并且對(duì)感光體均勻地施加電壓，從而使感光體表面被充電到預(yù)定電位。可用于充電裝置208的材料的實(shí)例包括金屬例如鋁、鐵和銅，導(dǎo)電聚合物材料例如聚乙炔、聚吡咯和聚噻吩，以及通過將碘化亞銅、碘化銀、硫化鋅、碳化硅金屬氧化物等分散在彈性材料例如聚氨酯橡膠、硅橡膠、氯醇橡膠、乙丙橡膠、丙烯酸橡膠、氟橡膠、丁苯橡膠和聚丁橡膠中獲得的材料。金屬氧化物的實(shí)例包括ZnO、Sn02、Ti02、ln203、Mo03及其復(fù)合氧化物。也可將通過在其中添加有高氯酸鹽而賦予導(dǎo)電性的彈性材料用于充電裝置208。此外，可以在充電裝置208的表面上設(shè)置涂層。用于形成涂層的材料的實(shí)例包括N-垸氧基甲基化的尼龍、纖維素樹脂、乙烯吡啶樹脂、苯酚樹脂、聚氨酯、聚乙烯醇縮丁醛以及蜜胺樹脂，并且可以單獨(dú)使用這些材料中的一種或?qū)追N組合使用。另外，也可使用基于乳液樹脂的材料，例如丙烯酸樹脂乳液、聚酯樹脂乳液和聚氨酯乳液，特別是通過無皂乳液聚合合成的乳液樹脂。在這種樹脂中，可以分散導(dǎo)電顆粒以進(jìn)一步調(diào)節(jié)電阻率。也可在其中添加抗氧化劑用于防止劣化。為了在形成涂層時(shí)改善成膜性能，可以在乳液樹脂中包含均化劑或表面活性劑。接觸充電部件的形狀的實(shí)例包括輥、刮板、帶和刷。充電裝置208的電阻值優(yōu)選為102到10"Qcm，更優(yōu)選為102到1012Qcm。對(duì)接觸充電部件施加的電壓可為直流或交流。電壓也可以以直流+交流的形式施加。圖IO是示意地示出圖8中所示的示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖10中所示的圖像形成裝置220是中間轉(zhuǎn)印系統(tǒng)的圖像形成裝置，并且在外殼400內(nèi)，四個(gè)感光體401a到401d(例如，感光體401a、感光體401b、感光體401c和感光體401d可以形成分別包括黃色、品紅色、藍(lán)綠色(青色)和黑色的圖像)沿著中間轉(zhuǎn)印帶409互相并列布置。安裝在圖像形成裝置220中的感光體401a到401d各自是該示例性實(shí)施例的感光體。例如，優(yōu)選安裝圖4到7中所示的任一個(gè)感光體。感光體401a到401d各自可以沿預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)(在紙面上為逆時(shí)針方向)，并且沿著旋轉(zhuǎn)方向布置有充電輥402a到402d、顯影裝置404a到404d、一次轉(zhuǎn)印輥410a到410d以及清潔刮板415a到415d?？梢詫⑷菁{在調(diào)色劑盒405a到405d內(nèi)的黑色、黃色、品紅色和藍(lán)綠色的四種顏色的調(diào)色劑分別提供給顯影裝置404a到404d，并且一次轉(zhuǎn)印輥410a到410d分別通過中間轉(zhuǎn)印帶409抵靠感光體401a到401d。此外，在外殼400中的預(yù)定位置處布置有激光源403(潛像形成裝置(曝光裝置))，并且從激光源403發(fā)射的激光可以照射在充電之后的感光體401a到401d的表面上。借助于這種結(jié)構(gòu)，在感光體401a到401d的旋轉(zhuǎn)步驟中，順序地進(jìn)行充電、曝光、顯影、一次轉(zhuǎn)印以及清潔步驟，從而將各顏色的調(diào)色劑圖像以重疊的方式轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶409上。中間轉(zhuǎn)印帶409由驅(qū)動(dòng)輥406、支撐輥408和張緊輥407以預(yù)定的張力支持，并且可以通過這些輥的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，而不會(huì)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)。此外，二次轉(zhuǎn)印輥413布置為通過中間轉(zhuǎn)印體409抵靠支撐輥408。中間轉(zhuǎn)印帶409的通過支撐輥408和二次轉(zhuǎn)印輥413之間的部分由例如布置在驅(qū)動(dòng)輥406附近的清潔刮板416進(jìn)行表面清潔，然后重復(fù)用于下一個(gè)圖像形成過程。在外殼400中的預(yù)定位置處設(shè)置有托盤(記錄介質(zhì)托盤)411，并且由傳送輥412將托盤411中的諸如紙張等記錄介質(zhì)500順序地傳送穿過中間轉(zhuǎn)印帶409和二次轉(zhuǎn)印輥413之間并進(jìn)一步傳送穿過彼此抵靠的兩個(gè)定影輥414之間，然后排出到外殼400的外部。在以上描述中，中間轉(zhuǎn)印帶409用作中間轉(zhuǎn)印部件，但是中間轉(zhuǎn)印部件可為如中間轉(zhuǎn)印帶409那樣的帶狀物，或可為鼓狀物。在帶狀物的情況下，用作中間轉(zhuǎn)印部件的樹脂可為通常已知的樹脂，樹脂的實(shí)例包括樹脂材料，例如聚酰亞胺樹脂、聚碳酸酯樹酯(PC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚對(duì)苯二甲酸亞垸基酯(PAT)、乙烯四氟乙烯共聚物(ETFE)/PC的混合材料、ETFE/PAT或PC/PAT、聚酯、聚醚醚酮和聚酰胺；以及包括這種樹脂材料作為主原料的樹脂材料。此外，可將樹脂材料和彈性材料混合并且使用。就彈性材料而言，可使用通過將一種或多種聚氨酯、氯化聚異戊二烯、NBR、氯嵌二萘橡膠(chloropyrenerubber)、EPDM、氫化聚丁二烯、丁基橡膠、硅橡膠等混合而得到的材料。在用于基材的這種樹脂材料或彈性材料中，根據(jù)需要，可單獨(dú)加入用于賦予電子電導(dǎo)率的導(dǎo)電劑或具有離子導(dǎo)電率的導(dǎo)電劑，或以兩種或多種導(dǎo)電劑組合的方式加入。在這些樹脂中，優(yōu)選在其中分散有導(dǎo)電劑的聚酰亞胺樹脂，這是由于該樹脂具有優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度的緣故。對(duì)于導(dǎo)電劑，可使用導(dǎo)電聚合物，例如炭黑、金屬氧化物和聚苯胺等。在其中采用如中間轉(zhuǎn)印帶409那樣的帶形結(jié)構(gòu)作為中間轉(zhuǎn)印部件的情況下，帶的厚度通常優(yōu)選為50到500nm，更優(yōu)選為60到15(Hun,但是可以根據(jù)材料的硬度適當(dāng)?shù)剡x擇帶的厚度。例如，在帶包括其中分散有導(dǎo)電劑的聚酰亞胺樹脂的情況下，如JP-A-63-311263所述，將5到20wt。/。的炭黑作為導(dǎo)電劑分散在作為聚酰亞胺前體的聚酰胺酸溶液中，接著將液體分散體散布在金屬鼓上，并且在干燥之后將薄膜從金屬鼓分離和在高溫下對(duì)該薄膜進(jìn)行拉伸，從而可以形成聚酰亞胺薄膜。通常，薄膜成形可通過如下方法進(jìn)行將其中分散有導(dǎo)電劑的聚酰胺酸溶液作為成膜用原液注入圓筒形模具中，并且在100到20(TC的溫度加熱下以500到2，000rpm的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)圓筒形模具的同時(shí)，通過離心成形法形成薄膜，接著從模具取出得到的半固化狀態(tài)的薄膜，接著將該薄膜置于鐵芯上并且通過在30(TC或更高的溫度下進(jìn)行聚酰亞胺反應(yīng)(聚酰胺酸的閉環(huán)反應(yīng))以使該薄膜完全固化。也可使用如下方法將成膜用原液在金屬片上散布為均勻厚度，接著以與上述相同的方法在100到20(TC的溫度下加熱以除去大部分溶劑，然后逐漸將溫度提高到30(TC或更高，以形成聚酰亞胺薄膜。此外，中間轉(zhuǎn)印部件也可具有表面層。在其中采用鼓形結(jié)構(gòu)作為中間轉(zhuǎn)印部件的情況下，優(yōu)選的是基材為由鋁、不銹鋼(SUS)、銅等形成的圓筒形基材。根據(jù)需要，可以在圓筒形基材上涂布彈性層，并且在彈性層上形成表面層。圖ll是示意地示出示例性實(shí)施例的處理盒的一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)的剖視圖。在處理盒300中，通過使用安裝軌216將感光體207與充電裝置208、顯影裝置211、清潔單元(清潔裝置)213、用于曝光的開口218和219、以及根據(jù)需要包括除電器(未示出)進(jìn)行結(jié)合并成一體。處理盒300可從包括轉(zhuǎn)印裝置212、定影裝置215和未示出的其它構(gòu)成部分的圖像形成裝置主體拆卸，并且與圖像形成裝置主體一起構(gòu)成圖像形成裝置。順便地，在處理盒300中，轉(zhuǎn)印裝置212的轉(zhuǎn)印方式(轉(zhuǎn)印系統(tǒng))優(yōu)選為這樣的方式(系統(tǒng))其中將調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印在中間轉(zhuǎn)印部件(未示出)上并將中間轉(zhuǎn)印部件上的一次轉(zhuǎn)印圖像二次轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印介質(zhì)上的中間轉(zhuǎn)印系統(tǒng)。此外，轉(zhuǎn)印裝置212優(yōu)選為利用這種中間轉(zhuǎn)印系統(tǒng)的中間轉(zhuǎn)印單元。同樣地，上述圖像形成裝置的轉(zhuǎn)印裝置也優(yōu)選為利用上述中間轉(zhuǎn)印系統(tǒng)的中間轉(zhuǎn)印單元?；谝韵聦?shí)例和比較例更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于以下各實(shí)例。在各實(shí)例中，"份"是指"重量份"。(合成實(shí)例l:I型氯鎵酞菁的合成)在攪拌的同時(shí)使30份的1，3-二亞胺基異二氫吲哚和9.l份的三氯化鎵在230份的二甲基亞砜中在160。C下反應(yīng)6小時(shí)，得到紫紅色晶體。將該晶體用二甲基亞砜洗滌，然后用離子交換水洗滌并且干燥，從而得到28份的I型氯鎵酞菁的粗晶體。(實(shí)例1)〈第一流體的制備〉將1份的上述制備的I型氯鎵酞菁與200份的二甲基亞砜混合并且在70。C的溫度下攪拌IO分鐘之后通過孔徑為0.45pm的聚四氟乙烯(PTFE)制成的膜過濾器濾除不溶性物質(zhì)。將得到的顏料溶液用作第一流體?！绰孺壧嫉木无D(zhuǎn)換〉然后使用圖1中所示的微型反應(yīng)器轉(zhuǎn)換氯鎵酞菁的晶形。將第一流體和作為第二流體的離子交換水分別裝入槽12和裝備有泵的槽16，并且供應(yīng)給玻璃制微型反應(yīng)器20的入口部分。在通過溫度控制單元調(diào)節(jié)為4(TC的微型反應(yīng)器20中，氯鎵酞菁的晶形發(fā)生轉(zhuǎn)換，并且將包含氯鎵酞菁晶體的混合溶液22回收到容器24中。在微型反應(yīng)器中，通道L1、L2和L3各自設(shè)定為具有300pm的寬度和50pm的深度，通道L3設(shè)定具有10cm的長(zhǎng)度。通過將第一流體的流量(輸送速度)設(shè)定為0.5ml/h和將第二流體的流量(輸送速度)設(shè)定為1.Oml/h從而輸送這些流體。使用動(dòng)態(tài)粘彈性粒徑分布測(cè)量裝置(LB500，由HoribaLtd.制造)測(cè)量如此得到的處理溶液中的氯鎵酞菁晶體的平均粒徑。此外，粒徑分布由通常使用的指標(biāo)GSDv表示(假定相對(duì)于由分割所測(cè)量的粒徑分布而產(chǎn)生的粒徑范圍(通道)從小粒徑繪制累積分布時(shí)，達(dá)到16%的體積累積的粒徑為體積D16V，而達(dá)到84%的體積累積的粒徑為體積D84V，則由D84v/D,6v確定的數(shù)值定義為體積平均粒徑分布GSDv)。得到的氯鎵酞菁晶體的平均粒徑(中位粒徑)和GSDv值示出在表1中。此外，得到的包含II型氯鎵酞菁晶體的處理溶液經(jīng)過離心分離以分離固體材料，通過使用真空干燥器將該固體材料在8(TC的溫度下真空干燥24小時(shí)，以回收0.9份的II型氯鎵酞菁晶體，并將該晶體通過粉末X射線衍射譜和分光吸收光譜進(jìn)行測(cè)量。圖12和13示出了得到的結(jié)果。從圖12可以確認(rèn)在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(29±0.2°)具有衍射峰，從圖13可以確認(rèn)在分光吸收光譜的658nm和769nm具有吸收峰?！粗圃旄泄怏w片〉使用得到的II型氯鎵酞菁晶體如下制造感光體。首先，準(zhǔn)備40mm(直徑)X319mm的鋁管作為導(dǎo)電基體。然后，將6份的聚乙烯醇縮丁醛(S-LECBM-l，商品名，由SekisuiChemicalCo.，Ltd.制造)、12份作為固化劑的封端異氰酸酯(Sumidule3175，商品名，由Sumitomo-BayerUrethane制造)、41份的一次粒徑為30nm的氧化鋅(NanoTechZnO，商品名，由C.I.KaseiCo.,Ltd.制造)、1份的硅樹脂球(Tospearl120，商品名，由ToshibaSiliconesCo.，Ltd.制造)、100ppm的均化劑(SiliconeOilSH29PA，商品名，由DowCorningToraySiliconeCo.,Ltd.制造)和52份的甲乙酮在間歇式磨機(jī)中混煉10小時(shí)以制備用于形成底層的涂層溶液。將用于形成底層的涂層溶液浸涂在50pm厚的鋁片上并且在150"的溫度下加熱干燥30分鐘，以形成薄膜厚度為20.0pm的底層。隨后，將通過將1份的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂(VMCH，商品名，由NipponUnicarCo.，Ltd.制造)溶解在100份的乙酸正丁酯中得到的溶液與1份的上述制備的II型氯鎵酞菁晶體混合并將混合物與150份的外徑為1.0mm的玻璃珠一起在砂磨機(jī)中分散5小時(shí)，以制備用于形成電荷生成層的涂層溶液。將得到的用于形成充電層的涂層溶液浸涂在底層上并且在100"C的溫度下加熱干燥10分鐘，以形成薄膜厚度為0.20pm的電荷生成層。此外，將4份的作為電荷傳輸材料的N，N'-二苯基-N，N'-雙(3-甲基苯基)-(1，1'-二苯基)-4，4'-二胺、6份的作為粘合劑樹脂的粘均分子量為30,000的雙酚Z-型聚碳酸酯樹酯、80份的四氫呋喃和0.2份的2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚混合，以制備用于形成電荷傳輸層的涂層溶液。將得到的用于形成電荷傳輸層的涂層溶液浸涂在電荷生成層的表面上并且在12(TC的溫度下加熱干燥40分鐘，以形成薄膜厚度為20pm的電荷傳輸層。這樣，得到了目標(biāo)感光體片?！粗圃旄泄夤摹低ㄟ^與上述制造感光體片相同的方法順序地形成底層、電荷生成層和電荷傳輸層以制造目標(biāo)感光鼓，不同之處在于使用研磨料(AluminaBeadCB-A30S(商品名，由ShowaTitaniumCo.，Ltd.制造，平均粒徑D5^30^im))對(duì)1mm厚的84mm(直徑)X347mm的鋁管進(jìn)行液體珩磨處理而使該鋁管的表面糙化成具有O.18pm的中線平均粗糙度Ra，并將所得到的鋁管用作導(dǎo)電支撐體。如下對(duì)上述制造的感光體片和感光鼓進(jìn)行評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示出在表1到3中?！锤泄怏w的電子照相特性的評(píng)價(jià)試驗(yàn)〉(1)使用的最初階段的特性評(píng)價(jià)為了評(píng)價(jià)實(shí)例和比較例的得到的感光體片的電子照相特性，通過以下方法測(cè)量電子照相特性。使用靜電復(fù)印紙?jiān)囼?yàn)裝置(EPA8200，由KawaguchiElectricWorksCo.，Ltd.制造)在20。C和50%RH的環(huán)境中，借助于直徑為20mm的小面積掩模以-5.0kV電暈放電而使感光體片帶負(fù)電。隨后，照射用干涉濾光器轉(zhuǎn)換為780nm光的鹵素?zé)艄猓栽诟泄怏w片的表面上產(chǎn)生5.0^iW/cn^的照度。這時(shí)，測(cè)量最初的表面電位VQ[V]、直到表面電位變?yōu)閂o的1/2時(shí)的半數(shù)曝光量E^[pJ/cm2]、以及根據(jù)KV。-V》/Vo)X100測(cè)定的暗衰減率(DDR)[%]，其中V！是測(cè)量表面電位V。后的一秒的表面電位。(2)重復(fù)特性的評(píng)價(jià)對(duì)重復(fù)上述充電、曝光和除電10,OOO次之后的感光體片測(cè)量表面電位Vo[V]、直到表面電位變成V。的1/2的半數(shù)曝光量E1/2[pj，/cm2]以及開始曝光之后的暗衰減率(DDR)[%]。(3)圖像質(zhì)量的評(píng)價(jià)試驗(yàn)將實(shí)例和比較例的感光體各自安裝在具有圖ll所示結(jié)構(gòu)的激光打印機(jī)中(DocuPrint260，由FujiXeroxCo.，Ltd.制造)并且如下評(píng)價(jià)圖像質(zhì)量。在32.5'C/90。/。RH的環(huán)境下輸出1點(diǎn)1空格的半色調(diào)圖像以及全白色圖像(背景圖像)，并且用眼和放大鏡觀察圖像，評(píng)價(jià)黑線部分中塌潰或調(diào)色劑飛散的程度。此外，測(cè)量感光體的暗電位Vd。在輸出20,000張其中以7mm的間隔縱向(豎直方向)和橫向(水平方向)打印寬度約2mm的線的圖像之后，以與上述相同的方法輸出半色調(diào)圖像和背景圖像，并且用眼和放大鏡觀察圖像，評(píng)價(jià)黑線部分中塌漬或調(diào)色劑飛散的程度。順便地，上述激光打印機(jī)使用輥式充電器(BCR)作為充電單元，使用具有780nm半導(dǎo)體激光器的ROS作為曝光單元，使用雙組分反轉(zhuǎn)顯影系統(tǒng)作為顯影系統(tǒng)，使用輥式轉(zhuǎn)印器(BTR)作為轉(zhuǎn)印單元，以及使用帶中間轉(zhuǎn)印系統(tǒng)作為轉(zhuǎn)印單元。(4)電荷生成材料的分散性的評(píng)價(jià)為了評(píng)價(jià)鎵酞菁晶體的分散性，在玻璃板上形成電荷生成層，并且通過顯微鏡觀察其分散狀態(tài)。就分散性的標(biāo)準(zhǔn)而言，"良好"是指在電荷生成層中沒有觀察到聚集體，"不良"是指觀察到聚集體或者薄膜涂層表面變粗糙。盡管使用感光體片進(jìn)行上述對(duì)(1)和(2)的評(píng)價(jià)和使用在玻璃板上形成的電荷生成層進(jìn)行(4)的評(píng)價(jià)，但是用于實(shí)例和比較例的感光鼓是由與感光體片和在玻璃板上形成電荷生成層相同的操作制造的，盡管形狀不同，但是在感光鼓中也得到與(l)、(2)和(4)相同的評(píng)價(jià)結(jié)果。(比較例1)將20份的I型氯鎵酞菁與400份的直徑為5mm的氧化鋁珠一起加入到氧化鋁制成的罐中。將這個(gè)罐設(shè)置在振動(dòng)磨(MB-1型，由ChuoKakohkiCo.，Ltd.制造)中，并且研磨晶體180小時(shí)，以得到18份的粉碎的氯鎵酞菁。其后，將0.5重量份的粉碎的氯鎵酞菁在20份的氯苯中與60份的1mm直徑的玻璃珠在在室溫下球磨研磨24小時(shí)，并且過濾以分離晶體并用IO份的甲醇洗滌，以制備II型氯鎵酞菁顏料(參考JP-A-5-98181的實(shí)例4進(jìn)行)。從得到的顏料可以確認(rèn)在X射線衍射譜中，在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(29±0.2°)具有衍射峰和在分光吸收光譜的662nm和788nm具有吸收峰。顏料的中位粒徑和GSDv值示出在表1中。此外，使用得到的顏料，以與實(shí)例1相同的方法制造感光體片和感光鼓并且以相同的方式評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示出在表1到3中。(實(shí)例2)使用圖2和3中所示的雙管式微型反應(yīng)器60轉(zhuǎn)換I型氯鎵酞菁的晶形。雙管式微型反應(yīng)器60具有其中將內(nèi)徑為250^im的二氧化硅管插入內(nèi)徑為l，OOOpm的玻璃管的結(jié)構(gòu)。使用圖2中所示的裝置，將在實(shí)例1制備的第一流體46(其被裝入槽42中，槽42具有由電動(dòng)機(jī)48驅(qū)動(dòng)的攪拌單元和被設(shè)定為5(TC的用于溫度控制的夾套44)和作為第二流體58的離子交換水(其被裝入槽54中，槽54具有被設(shè)定為2(TC的夾套56)分別以2ml/h和20ml/h的流速輸送到雙管式微型反應(yīng)器60的入口部分，并且在I型氯鎵酞菁的晶體轉(zhuǎn)化之后，將處理溶液回到在容器70中。雙管式微型反應(yīng)器60中的長(zhǎng)度H2和Hl分別為200mm和20mm。各個(gè)通道的通道直徑如圖14中所示，圖14為示出圖2和3中的通道L6的端部74的附近部分的放大示意圖。如此得到的處理溶液中的II型氯鎵酞菁晶體的中位粒徑和GSDv值示出在表1中。此外，得到的包含II型氯鎵酞菁晶體的處理溶液經(jīng)過離心分離，以分離固體材料，并使用真空干燥器將該固體材料在8(TC的溫度下真空干燥24小時(shí)，以得到0.9份的II型氯鎵酞菁晶體。得到的II型氯鎵酞菁晶體表現(xiàn)出與圖12的光譜相同的粉末X射線衍射譜并且表現(xiàn)出與圖13的光譜幾乎相同的分光吸收光譜。使用得到的顏料，以與實(shí)例1相同的方法制造感光體片和感光鼓并且以相同的方式評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示出在表1到3中。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table>(合成實(shí)例2:I型羥基鎵酞菁的合成)在攪拌的同時(shí)使30份的1，3二亞胺基異二氫卩引哚和9.l份的二氯化鎵在230份的二甲基亞砜中在16(TC下反應(yīng)6小時(shí)，得到紫紅色晶體。將該晶體用二甲基亞砜洗滌，然后用離子交換水洗滌并且干燥，得到28份的I型氯鎵酞菁的粗晶體。將2份的得到的I型氯鎵酞菁粗晶體在65'C下徹底地溶于80份的硫酸(濃度97%)中，將得到的溶液冷卻到25。C并且逐滴添加到包含150份25%氨水和IOO份離子交換水的混合溶液中。通過過濾收集沉淀的晶體，用離子交換水洗漆并且干燥，得到1.8份的I型羥基鎵酞菁。(實(shí)例3)〈第一流體的制備〉將l份的上述制備的I型羥基鎵酞菁與200份的N-甲基-2-吡咯烷酮攪拌混合，并且使用超聲洗滌機(jī)溶解，然后通過孔徑為0.45pm的PTFE制成的過濾器濾除不溶性物質(zhì)。將得到的顏料溶液用作第一流體。<羥基鎵酞菁顏料的晶體轉(zhuǎn)化>然后使用圖1中所示的微型反應(yīng)器進(jìn)行羥基鎵酞菁的晶體轉(zhuǎn)化。將第一流體和作為第二流體的離子交換水分別裝入槽12和裝備有泵的槽16中，并且輸送到玻璃制微型反應(yīng)器20的入口部分。在通過溫度控制單元調(diào)節(jié)為4(TC的微型反應(yīng)器20中，羥基鎵酞菁晶體的晶形發(fā)生轉(zhuǎn)化，并且將包含羥基鎵酞菁晶體的混合溶液22回收在容器24中。在該微型反應(yīng)器中，通道L1、L2和L3各自設(shè)定為具有300pm的寬度和50pm的深度，并且通道L3設(shè)定為具有10cm的長(zhǎng)度。通過設(shè)定第一流體的流量(輸送速度)為0.5ml/h和第二流體的流量(輸送速度)為1.Oml/h從而輸送這些流體。使用動(dòng)態(tài)粘彈性粒徑分布測(cè)量裝置(LB500，由HoribaLtd.制造)測(cè)量如此得到的處理溶液中的羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑。得到的羥基鎵酞菁晶體的平均粒徑和GSDv值示出在表4中。此外，得到的包含V型羥基鎵酞菁晶體的處理溶液經(jīng)過離心分離，以分離固體材料，使用真空干燥器使該固體材料在8(TC的溫度下真空干燥24小時(shí)，以回收0.9份的羥基鎵酞菁顏料，并且通過粉末X射線衍射譜和分光吸收光譜對(duì)這種顏料進(jìn)行測(cè)量。圖15和16示出了得到的結(jié)果。從圖15可以確認(rèn)該顏料在X射線衍射譜的7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6。、25.1°和28.3°的布拉格角(26±0.2°)具有衍射峰，以及從圖16可以確認(rèn)在分光吸收光譜的800nm具有吸收峰。〈制造感光體片〉使用得到的V型羥基鎵酞菁晶體如下制造感光體。首先，準(zhǔn)備40mm(直徑)X319mm的鋁管作為導(dǎo)電基體。然后，將6份的聚乙烯醇縮丁醛(S-LECBM-l，商品名，由SekisuiChemicalCo.，Ltd.制造)、12份的作為固化劑的封端異氰酸酯(Sumidule3175，商品名，由Sumitomo-BayerUrethane制造)、41份的一次粒徑為30nm的氧化鋅(NanoTechZnO，商品名，由C.I.KaseiCo.，Ltd.制造)、1份的硅樹脂球(Tospearl120,商品名，由ToshibaSiliconesCo.，Ltd.制造)、100ppm的均化劑(SiliconeOilSH29PA,商品名，由DowCorningToraySiliconeCo.,Ltd.制造)和52份的甲乙酮在間歇式磨機(jī)中混煉10小時(shí)，以制備用于形成底層的涂層溶液。用于形成底層的涂層溶液浸涂在50pm厚的鋁片上，并且在15(TC的溫度下加熱干燥30分鐘，以形成薄膜厚度為20.(Him的底層。隨后，將通過將1份的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂(VMCH，商品名，由NipponUnicarCo.，Ltd.制造)溶解在100份的乙酸正丁酯中得到的溶液與1份的上述制備的V型羥基鎵酞菁晶體混合并將混合物與150份的外徑為1.0mm的玻璃珠一起在砂磨機(jī)中分散5小時(shí)，以制備用于形成電荷生成層的涂層溶液。將得到的用于形成電荷生成層的涂層溶液浸涂在底層上并且在10(TC的溫度下加熱干燥IO分鐘，以形成薄膜厚度為0.2(Him的電荷生成層。此外，將4份的作為電荷傳輸材料的N,N'-二苯基-N，N'-雙(3-甲基苯基)-(1,l'-二苯基)-4，4'-二胺、6份的作為粘合劑樹脂的粘均分子量為30,000的雙酚Z-型聚碳酸酯樹酯、80份的四氫呋喃和0.2份的2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚混合，以制備用于形成電荷傳輸層的涂層溶液。將得到的用于形成電荷傳輸層的涂層溶液浸涂在電荷生成層的表面上并且在12(TC的溫度下加熱干燥40分鐘，以形成薄膜厚度為2(Him的電荷傳輸層。這樣，得到了目標(biāo)感光體片?！粗圃旄泄夤摹低ㄟ^與上述制造感光體片相同的方法順序地形成底層、電荷生成層和電荷傳輸層以制造目標(biāo)感光鼓，不同之處在于使用研磨料(AluminaBeadCB—A30S(商品名，由ShowaTitaniumCo.,Ltd.制造，平均粒徑D5Q=30(im))對(duì)1mm厚的84mm(直徑)X347mm的鋁管進(jìn)行液體珩磨處理而使該鋁管的表面糙化成具有0.18pm的中線平均粗糙度Ra，并將所得到的鋁管用作導(dǎo)電支撐體。使用得到的感光體片和感光鼓，進(jìn)行與實(shí)例1中相同的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示出在表4到6中。(比較例2)將通過合成實(shí)例2中的酸糊化處理得到的I型羥基鎵酞菁顏料在自動(dòng)研缽中研磨5.5小時(shí)，得到無定形的顏料。通過將5.0份的無定形顏料、150份的二甲基甲酰胺和直徑為1mm的玻璃珠研磨進(jìn)行晶形轉(zhuǎn)換處理24小時(shí)，得到4.5份的羥基鎵酞菁顏料，對(duì)顏料進(jìn)行各種試驗(yàn)和評(píng)價(jià)?？梢源_認(rèn)得到的羥基鎵酞菁顏料在X射線衍射譜的7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°禾口28.3°的布拉格角(20±0.2°)具有衍射峰和在分光吸收光譜的856nm具有吸收峰。該顏料的中位粒徑和GSDv值示出在表4中。此外，使用得到的顏料以與實(shí)例3中相同的方法制造感光體片和感光鼓并且以與實(shí)例1中相同的方法評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示出在表4到6中。(實(shí)例4)使用圖2和3中所示的雙管式微型反應(yīng)器60轉(zhuǎn)換I型羥基鎵酞菁的晶形。雙管式微型反應(yīng)器60具有其中將內(nèi)徑為250nm的二氧化硅管插入到內(nèi)徑為l，OOOpm的玻璃管中的結(jié)構(gòu)。使用圖2中所示的裝置，將在實(shí)例3制備的第一流體46(其被裝入槽42中，槽42具有由電動(dòng)機(jī)48驅(qū)動(dòng)的攪拌單元和用于溫度控制的被設(shè)定為5(TC的夾套44)和作為第二流體58的離子交換水(其被裝入槽54中，槽54具有被設(shè)定為2(TC的夾套56)分別以2ml/h和20ml/h的流速輸送到雙管式微型反應(yīng)器60的入口部分，并且在I型氯鎵酞菁的晶體轉(zhuǎn)化之后，將處理溶液回收在容器70中。雙管式微型反應(yīng)器60中的長(zhǎng)度H2和Hl分別為200mm和20mm。各個(gè)通道的通道直徑如圖14中所示，圖14為示出圖2和3中的通道L6的端部74的附近部分的放大示意圖。如此得到的處理溶液中的V型羥基鎵酞菁晶體的中位粒徑和GSDV值示出在表4中。此外，得到的包含V型羥基鎵酞菁晶體的處理溶液經(jīng)過離心分離，以分離固體材料，并且使用真空干燥器將該固體材料在80°C的溫度下真空干燥24小時(shí)，以得到0.9份的V型羥基鎵酞菁晶體。得到的V型羥基鎵酞菁晶體表現(xiàn)出與圖15的光譜相同的粉末X射線衍射譜并且表現(xiàn)出與圖16的光譜幾乎相同的分光吸收光譜。使用得到的顏料，以與實(shí)例3相同的方法制造感光體片和感光鼓并且以與實(shí)例l相同的方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果示出在表4到6中。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>權(quán)利要求1.一種鎵酞菁晶體，其在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎵酞菁晶體，其中，在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所述峰值是在約600nm到約900nm范圍內(nèi)的第一或第二最大峰值。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎵酞菁晶體，其具有約10nm到約300nm的粒徑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎵酞菁晶體，其具有約1.0到約3.0的體積平均粒徑分布GSDv。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎵酞菁晶體，其為在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值的II型氯鎵酞菁晶體。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的鎵酞菁晶體，其為在約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值的V型羥基鎵酞菁晶體。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鎵酞菁晶體，其中，所述V型羥基鎵酞菁晶體在約791nm到約805nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。8.—種感光體，包括功能層，其包含根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的鎵酞菁晶體。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的感光體，還包括導(dǎo)電基體，其中，所述功能層是包括電荷生成層和電荷傳輸層的感光層，并且所述電荷生成層包含所述鎵酞菁晶體。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的感光體，還包括底層，其至少包含金屬氧化物顆粒和粘合劑。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的感光體，還包括保護(hù)層，其防止在對(duì)所述感光體進(jìn)行充電時(shí)所述電荷傳輸層發(fā)生化學(xué)變化，或者改善所述感光層的機(jī)械強(qiáng)度。12.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的感光體，還包括中間層，其設(shè)置在所述感光層和所述底層之間，并且提高所述感光體的電氣特性、或者提高圖像質(zhì)量、或者提高所述感光層的粘著性。13.—種處理盒，包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的感光體；以及選自下述群組中的至少一個(gè)部件，所述群組包括對(duì)所述感光體表面進(jìn)行充電的充電裝置、在所述感光體表面上形成潛像的潛像形成裝置、利用調(diào)色劑對(duì)潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像的顯影裝置以及清潔所述感光體表面的清潔裝置。14.一種圖像形成裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的感光體；充電裝置，其對(duì)所述感光體表面進(jìn)行充電；潛像形成裝置，其在所述感光體表面上形成潛像；顯影裝置，其利用調(diào)色劑對(duì)潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像；轉(zhuǎn)印裝置，其將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印介質(zhì)上；以及定影裝置，其將調(diào)色劑圖像定影在記錄介質(zhì)上。15.—種制造鎵酞菁晶體的方法，包括將鎵酞菁化合物溶解在良溶劑中以制備溶液；以及在微通道中將所制備的溶液與鎵酞菁化合物的不良溶劑進(jìn)行混合，以獲得鎵酞菁化合物的晶體。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述良溶劑包括選自下述群組中的一種溶劑，所述群組包括N-甲基吡咯烷酮、二甲亞砜、二甲基乙酰胺、二甲基磺酰胺以及N，N-二甲基甲酰胺。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，相對(duì)于每1重量份的所述鎵酞菁化合物，所述良溶劑為約20重量份到約10，000重量份。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述不良溶劑包括選自下述群組中的一種溶劑，所述群組包括己烷、苯、甲苯、水、丙酮、甲乙酮以及甲基異丁基酮。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在雙管式微反應(yīng)器中進(jìn)行所制備的溶液與鎵酞菁化合物的不良溶劑的混合。全文摘要本發(fā)明公開一種鎵酞菁晶體，該鎵酞菁晶體在約760nm到約773nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)或約790nm到約809nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有分光吸收光譜的峰值。文檔編號(hào)C09B67/12GK101381528SQ200810087539公開日2009年3月11日申請(qǐng)日期2008年3月25日優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日發(fā)明者太田哲生,平野明,本鄉(xiāng)和哉申請(qǐng)人:富士施樂株式會(huì)社