一種非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種快速制備微流芯片的技術(shù)，更具體涉及一種非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微流芯片在化學(xué)、食品、環(huán)境、醫(yī)學(xué)等科學(xué)領(lǐng)域提供了很大的分析檢驗(yàn)平臺(tái)，是微分析系統(tǒng)的核心。微流芯片的發(fā)明及應(yīng)用給促使了一些分析的微型化、高效化、自動(dòng)化及便捷化。極大的節(jié)省了一些生物和化學(xué)實(shí)驗(yàn)對(duì)貴重生物和化學(xué)試劑的消耗，也大大的提高了分析效率、降低了費(fèi)用。
[0003]通常制作微流芯片的主要材料有石英、玻璃和硅片以及一些高聚物等。使用高聚物制作的微流芯片，其制作方便，但是也具有本身的一些缺點(diǎn)，其缺點(diǎn)可以概括為耐熱性和穩(wěn)定性差，生物兼容性不夠廣，不能滿足長(zhǎng)期的一些檢測(cè)需求。而玻璃、石英制作的微流芯片其耐熱性和穩(wěn)定性較好，傳統(tǒng)的以玻璃、石英制作的微流芯片，其制作工藝包括光刻和化學(xué)刻蝕，但是這些工藝制作出來(lái)的微流芯片結(jié)構(gòu)過(guò)于線性單一、簡(jiǎn)單，不能制作出一些特殊非均勻形狀結(jié)構(gòu)的微流芯片。
[0004]目前制備的微流芯片主要采用光刻和化學(xué)刻蝕，如專利號(hào)為ZL200610019354.6，發(fā)明名稱為:一種微流芯片及利用微流芯片制備聚合物微球的一種方法，公開(kāi)日為:2008年11月12日和專利號(hào)為ZL 200510019720.3發(fā)明名稱為:微流控芯片的制備方法，公開(kāi)日為:2008年10月15日。主要使用的材料有石英、玻璃和高聚物等，使用高聚物制作的微流芯片多采用光刻制備的方法，刻蝕出來(lái)的微流芯片溝道形狀規(guī)矩，且光刻的工藝復(fù)雜成本高，不宜推廣應(yīng)用。在玻璃及石英等硅基介質(zhì)制作出來(lái)的微流芯片主要采用化學(xué)刻蝕的方法來(lái)制備，其制作出來(lái)的微流芯片穩(wěn)定性好，使用壽命長(zhǎng)。但是傳統(tǒng)的化學(xué)刻蝕的方法刻蝕出來(lái)的微流芯片的溝道都很規(guī)則，無(wú)法刻蝕出具有特殊形狀的微流溝道的微流芯片。傳統(tǒng)的刻蝕方法不能夠刻蝕出特殊形狀溝道的微流芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是在于提供了一種非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片的制備方法，方法易行，操作簡(jiǎn)便，加工簡(jiǎn)單，效率高，具有良好的生物化學(xué)穩(wěn)定性并且芯片細(xì)胞捕獲面大而且長(zhǎng)的特點(diǎn)的微流芯片。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
一種非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片的制備方法，其步驟是:
(I )、基底的選擇及處理:本發(fā)明的基底可以是玻璃、石英或硅片材質(zhì);將選擇好的基底進(jìn)行清洗，去除基底表面的油污等雜質(zhì)；
(2)、刻蝕掩膜制備:對(duì)清洗好的基底在50°C~100°C的烘箱中進(jìn)行烘干處理，烘干處理之后在基底的上下表面粘附防腐蝕膠膜，并且通過(guò)激光切割，把即將要刻蝕的區(qū)域部分切出來(lái)，除去切割出來(lái)的防腐蝕膠膜，得到要刻蝕的區(qū)域； (3)、濕法刻蝕:將選擇的基底經(jīng)過(guò)刻蝕掩膜制備處理之后，通過(guò)旋轉(zhuǎn)夾具，按照
0.0lmm/min-lmm/min的旋轉(zhuǎn)速率將基底緩慢的旋轉(zhuǎn)放入到刻蝕液中，可按不同的設(shè)計(jì)要求(如呈階梯形的等高面或者連續(xù)的等高面)，使基底在刻蝕液中的旋轉(zhuǎn)角度從0°到90°，通過(guò)調(diào)整旋轉(zhuǎn)夾具的旋轉(zhuǎn)速率，得到不同等高面的非均勻等高梯度的結(jié)構(gòu)。
[0007](4)、打孔:將經(jīng)過(guò)上述處理的基底去除掉其表面的刻蝕掩膜，使整個(gè)基底完整的裸露出來(lái)。對(duì)基底進(jìn)行清洗處理之后，對(duì)基底進(jìn)行打孔，在具有不同等高面的非均勻等高梯度的基底上的至少兩個(gè)不同等高面的區(qū)域打孔。
[0008](5)、蓋片與基底的組合:將經(jīng)過(guò)上述處理的基底進(jìn)行清洗處理之后，選取蓋片與基底進(jìn)行組合，得到具有得到不同等高面的非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片。
[0009]所述的濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是化學(xué)溶液腐蝕的一種概念，它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當(dāng)前薄膜就會(huì)停止，而不會(huì)損壞下面一層其他材料的薄膜。
[0010]所述的基底的刻蝕面具有ο.ο?μπι到900μπι非均勻的等高梯度面，具體的高度根據(jù)刻蝕液的濃度及旋轉(zhuǎn)速率及刻蝕時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。
[0011]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)和效果:
本發(fā)明改變了以線性或者完全浸泡腐蝕方法刻蝕出的微流芯片的結(jié)構(gòu)過(guò)于線性單一，簡(jiǎn)單以及芯片細(xì)胞捕獲面小并且短的現(xiàn)狀，通過(guò)調(diào)整旋轉(zhuǎn)夾具的旋轉(zhuǎn)速率，使浸入到刻蝕液中的基底的刻蝕面的各個(gè)部分刻蝕的時(shí)間和刻蝕面不同，先浸入到刻蝕液中的基底比后浸入到刻蝕液中的基底刻蝕的時(shí)間長(zhǎng)，先浸入到刻蝕液中的基底比后浸入到刻蝕液中的基底刻蝕面由小變大直至全部浸沒(méi)，最后使得整個(gè)基底刻蝕面呈現(xiàn)出非均勻等高梯度的關(guān)系，從而可以得到不同非均勻等高梯度并且芯片細(xì)胞捕獲面大、長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所采用的刻蝕方法對(duì)照現(xiàn)有的化學(xué)刻蝕的方法，加工工藝簡(jiǎn)單，可以有效的得到不同等高面的非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片。本發(fā)明制備出來(lái)的微流芯片具有微型化的特點(diǎn)，可廣泛的用于分析領(lǐng)域。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為一種非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片的制備方法方框示意圖。
[0013]其中:I一清洗好的基底，2—刻蝕掩膜制備處理后的基底，3-旋轉(zhuǎn)浸入刻蝕液中刻蝕的基底，4 一打孔后的基底，5—不同等高面的非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片。
[0014]圖2為實(shí)施例3制備的芯片捕獲細(xì)胞后的不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明你進(jìn)一步詳細(xì)描述，實(shí)施例中使用的刻蝕液為典型的緩沖氧化娃蝕刻液，其中含氟化錢(qián)，(Β0Ε: Buffer Oxide Etcher)與去離子水按1:10的質(zhì)量比例勾兌而成。
[0016]實(shí)施例1:(獲得刻蝕面連續(xù)平滑的基底)
一種非均勻等高梯度細(xì)胞捕獲芯片的制備方法，其步驟是:
1、基底的選擇及處理:基底選擇為石英，其中石英基底的長(zhǎng)度為75mm、寬度為25mm、厚度為2mm，將選擇好的基底在流動(dòng)的去離子水下進(jìn)行清洗，去除石英表面的油污等雜質(zhì)； 2、刻蝕掩膜制備:對(duì)清洗好的石英基底在75°C烘箱里進(jìn)行烘干處理，烘干處理之后在基底的上下表面黏貼保護(hù)膠紙，用激光雕刻機(jī)切出，一個(gè)長(zhǎng)度為60mm、寬度為20mm的區(qū)域，撕下該區(qū)域的保護(hù)膠紙，得到要刻蝕的區(qū)域；
3、濕法刻蝕:所述的濕法刻蝕是指將選擇的基底經(jīng)過(guò)刻蝕掩膜制備處理之后，通過(guò)旋轉(zhuǎn)夾具，按照0.0lmm/min的旋轉(zhuǎn)速率勻速將基底緩慢的旋轉(zhuǎn)放入到刻蝕液中，使基底在刻蝕液中的旋轉(zhuǎn)角度從0°到90°，刻蝕350min，得到刻蝕后的基底，此時(shí)基底的刻蝕面為高度依次漸變的平滑梯度面，高度從0.1ym到720μπι。
[0017]4、打孔:將經(jīng)過(guò)上述處理的石英基底去除掉其