一種低耗能的晶體生長熱場裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種低耗能的晶體生長熱場裝置，包括熱場爐本體、熱電控制裝置、觀察鏡、加熱棒、塞頭和盛放裝置，熱場爐本體由外層的鎢鉬材料層和內(nèi)層的氧化鋯纖維磚層組成，并在氧化鋯纖維磚層內(nèi)均勻分布若干組加熱棒，且熱場爐本體內(nèi)為鏤空結(jié)構(gòu)，塞頭設(shè)置在鏤空結(jié)構(gòu)的開口方向，并在鏤空結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有一組滑槽結(jié)構(gòu)，滑槽上設(shè)置有盛放裝置，盛放裝置上方設(shè)置有熱電控制裝置，熱電控制裝置由石英管筒和設(shè)置在石英管筒內(nèi)的熱電偶組成，觀察鏡設(shè)置在盛放裝置上方。通過裝置上設(shè)計的鎢鉬材料層和內(nèi)層的氧化鋯纖維磚層，以及加熱棒的加熱功能，還有熱電控制裝置的配合使用，達到有效實現(xiàn)裝置的節(jié)能，裝置使用操作簡單，可被進一步推廣應(yīng)用。
【專利說明】
一種低耗能的晶體生長熱場裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及晶體生長裝置領(lǐng)域，具體涉及一種低耗能的晶體生長熱場裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體生長是指物質(zhì)在一定溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等條件下由氣相、液相、固相轉(zhuǎn)化，形成特定線度尺寸晶體的過程。原理是基于物種晶相化學(xué)勢與該物種在相關(guān)物相中化學(xué)勢間準平衡關(guān)系的合理維持。
[0003]在現(xiàn)在的晶體生長方法是多樣的，如水熱法生長人工水晶，區(qū)域熔融法生長硅、鍺單晶、氫氧焰熔融法生長軸承用寶石，航天失重法培養(yǎng)晶體以及升華法；同質(zhì)或異質(zhì)外延生長法等。晶體生成的一般過程是先生成晶核，而后再逐漸長大。一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段:①介質(zhì)達到過飽和、過冷卻階段;②成核階段;②生長階段。
[0004]然而在實際晶體生長過程中，需要較多的設(shè)備儀器，對溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等多個條件進行控制，對能源的消耗較大，同時也對環(huán)境帶來了一定的影響，給企業(yè)的生產(chǎn)成本帶來壓力，不便于進一步工業(yè)化的生產(chǎn)加工。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供了一種低耗能的晶體生長熱場裝置，能夠有效實現(xiàn)裝置的節(jié)能，使用操作簡單，可被進一步推廣應(yīng)用。
[0006]為實現(xiàn)以上目的，本實用新型通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn):
[0007]—種低耗能的晶體生長熱場裝置，包括熱場爐本體、熱電控制裝置、觀察鏡、加熱棒、塞頭和盛放裝置，所述的熱場爐本體由外層的鎢鉬材料層和內(nèi)層的氧化鋯纖維磚層組成，并在氧化鋯纖維磚層內(nèi)均勻分布若干組加熱棒，且所述的熱場爐本體內(nèi)為鏤空結(jié)構(gòu)，塞頭設(shè)置在鏤空結(jié)構(gòu)的開口方向，并在鏤空結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有一組滑槽結(jié)構(gòu)，所述的滑槽上設(shè)置有盛放裝置，盛放裝置上方設(shè)置有熱電控制裝置，所述的熱電控制裝置由石英管筒和設(shè)置在石英管筒內(nèi)的熱電偶組成，觀察鏡設(shè)置在盛放裝置上方。
[0008]優(yōu)選地，所述的加熱棒為SiC加熱棒。
[0009]優(yōu)選地，所述的熱場爐本體鏤空結(jié)構(gòu)開口方向為側(cè)面。
[0010]優(yōu)選地，所述的盛放裝置為坩禍。
[0011]優(yōu)選地，所述的熱場爐本體上設(shè)置有與塞頭相配合的耳扣結(jié)構(gòu)。
[0012]本實用新型提供了一種低耗能的晶體生長熱場裝置，通過鎢鉬材料層和內(nèi)層的氧化鋯纖維磚層兩層保溫裝置，不僅能提高結(jié)構(gòu)強度，適應(yīng)晶體生長時的高壓環(huán)境，還能有效保證了 SiC加熱棒在進行加熱時，溫度有效提升，大大節(jié)省了加熱加壓時，減少能耗，鏤空結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有一組滑槽結(jié)構(gòu)，方便放置，拿取盛放裝置上的晶體原料，熱電控制裝置能進行有效熱電偶操作，準確有效，且觀察鏡能方便使用者實時觀察熱場爐本體內(nèi)的生長狀況。整個裝置操作簡，使用方便，可被進一步推廣應(yīng)用。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]其中:1、熱場爐本體;2、熱電控制裝置;3、觀察鏡;4、加熱棒;5、塞頭;6、滑槽;7、盛放裝置;101、鎢鉬材料層；102、氧化鋯纖維磚層;201、石英管筒;202、熱電偶;501、耳扣。
【具體實施方式】
[0016]為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0017]如圖1所示，本實施例提供一種低耗能的晶體生長熱場裝置，包括熱場爐本體1、熱電控制裝置2、觀察鏡3、加熱棒4、塞頭5和盛放裝置7，熱場爐本體I由外層的鎢鉬材料層101和內(nèi)層的氧化鋯纖維磚層102組成，并在氧化鋯纖維磚層102內(nèi)均勻分布若干組加熱棒4，且熱場爐本體I內(nèi)為鏤空結(jié)構(gòu)，塞頭5設(shè)置在鏤空結(jié)構(gòu)的開口方向，并在鏤空結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有一組滑槽6結(jié)構(gòu)，滑槽7上設(shè)置有盛放裝置7，用于在高溫狀況下，方便拿去盛放裝置7上的晶體原料，盛放裝置7上方設(shè)置有熱電控制裝置2，熱電控制裝置2由石英管筒201和設(shè)置在石英管筒內(nèi)的熱電偶202組成，能準確有效用熱電偶202對盛放裝置7上放置的晶體原料進行有效操作，節(jié)省能耗操作，觀察鏡設(shè)置在盛放裝置上方，方便觀察晶體生長狀況。
[0018]加熱棒4為SiC加熱棒。熱場爐本體I鏤空結(jié)構(gòu)開口方向為側(cè)面。盛放裝置7為坩禍，減少成本制作。熱場爐本體I上設(shè)置有與塞頭5相配合的耳扣501結(jié)構(gòu)，有效起到密閉塞頭5的作用。整個裝置操作簡單，使用方便，可進行進一步推廣應(yīng)用。
[0019]以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種低耗能的晶體生長熱場裝置，包括熱場爐本體、熱電控制裝置、觀察鏡、加熱棒、塞頭和盛放裝置，其特征在于，所述的熱場爐本體由外層的鎢鉬材料層和內(nèi)層的氧化鋯纖維磚層組成，并在氧化鋯纖維磚層內(nèi)均勻分布若干組加熱棒，且所述的熱場爐本體內(nèi)為鏤空結(jié)構(gòu)，塞頭設(shè)置在鏤空結(jié)構(gòu)的開口方向，并在鏤空結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有一組滑槽結(jié)構(gòu)，所述的滑槽上設(shè)置有盛放裝置，盛放裝置上方設(shè)置有熱電控制裝置，所述的熱電控制裝置由石英管筒和設(shè)置在石英管筒內(nèi)的熱電偶組成，觀察鏡設(shè)置在盛放裝置上方。2.如權(quán)利要求1所述的低耗能的晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述的加熱棒為SiC加熱棒。3.如權(quán)利要求1所述的低耗能的晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述的熱場爐本體鏤空結(jié)構(gòu)開口方向為側(cè)面。4.如權(quán)利要求1所述的低耗能的晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述的盛放裝置為坩禍。5.如權(quán)利要求1所述的低耗能的晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述的熱場爐本體上設(shè)置有與塞頭相配合的耳扣結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】C30B35/00GK205474116SQ201620292778
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月8日
【發(fā)明人】張新峰
【申請人】張新峰