一種保護籽晶型坩堝的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種保護籽晶型坩堝，包括坩堝主體，其中，所述坩堝主體的內(nèi)底部具有凹槽。所述保護籽晶型坩堝，通過在坩堝底部設置凹槽，使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部的籽晶，在保持正常底部籽晶預留高度的情況下，使得四周邊角的籽晶保存完好，從而起到了保護籽晶的作用。
【專利說明】
一種保護籽晶型坩堝
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及多晶硅鑄錠技術領域，特別是涉及一種坩禍。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)在的坩禍主要承載著裝載硅料和硅錠成型長晶工作。光伏太陽能電站的不斷發(fā)展和生產(chǎn)技術的不斷提高，客戶對高效硅片和高效組件的需求不斷提升，而鑄錠是這其中的關鍵所在。以往的全熔工藝由于沒有穩(wěn)定的引晶作用，生產(chǎn)出來的硅錠的整體質量偏低。研發(fā)人員從單晶使用籽晶來拉晶處得到啟發(fā)，研發(fā)出了半熔工藝，大大的提高了多晶鑄錠的質量，提高了光電轉換效率。但由于保溫熱場不均勻，采用半熔工藝時，硅錠邊角的籽晶經(jīng)常全熔，沒有起到引晶的作用，因此，如何保護邊角籽晶不熔，是研發(fā)人員一直想攻克的難題。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是提供一種保護籽晶型坩禍，在保持正常底部紫晶預留高度的情況下，不會使得所有的籽晶全熔，有效地保護了籽晶。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型實施例提供了一種保護籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。
[0005]其中，所述凹槽為環(huán)形凹槽。
[0006]其中，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部內(nèi)側壁的間距為20mm-40mm。
[0007]其中，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部內(nèi)側壁的間距處處相等。
[0008]其中，所述環(huán)形凹槽的縱截面為長方形、梯形或圓弧形。
[0009]其中，所述環(huán)形凹槽的寬度為20mm-150mm。
[0010]其中，所述環(huán)形凹槽的深度為2mm-10mm。
[0011]本實用新型實施例所提供的保護籽晶型坩禍，與現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點:
[0012]本實用新型實施例提供的保護籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。
[0013]所述保護籽晶型坩禍，通過在坩禍底部設置凹槽，這就使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會全熔，從而起到了保護籽晶的作用，提高整體硅錠的質量，得到高效硅片。
[0014]綜上所述，本實用新型實施例所提供的保護籽晶型坩禍，通過在坩禍底部設置凹槽，起到了保護籽晶的作用，提高整體硅錠的質量，得到高效硅片。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本實用新型實施例所提供的保護籽晶型坩禍的一種【具體實施方式】的俯視圖結構示意圖；
[0017]圖2為本實用新型實施例所提供的保護籽晶型坩禍的一種【具體實施方式】的正視圖結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]正如【背景技術】部分所述，現(xiàn)有技術中為了得到更優(yōu)質的硅錠，多晶鑄錠時采用了半熔生產(chǎn)工藝，但半熔鑄錠時硅錠邊角籽晶經(jīng)常會全熔，導致引晶效果差。因此，如何保證邊角籽晶不熔是需要研發(fā)人員克服的難題。
[0019]基于此，本實用新型實施例提供了一種保護籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。
[0020]綜上所述，本實用新型實施例提供的保護籽晶型坩禍，通過在坩禍底部設置凹槽，這就使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會全熔，從而起到了保護籽晶的作用，提高整體硅錠的質量，得到高效硅片。
[0021]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0022]在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實用新型不受下面公開的具體實施的限制。
[0023]請參考圖1-2，圖1為本實用新型實施例所提供的保護籽晶型坩禍的一種【具體實施方式】的俯視圖結構示意圖；圖2為本實用新型實施例所提供的保護籽晶型坩禍的一種【具體實施方式】的正視圖結構示意圖。
[0024]在一種具體方式中，所述保護籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽I。
[0025]所述保護籽晶型坩禍，通過在坩禍底部設置凹槽I，這就使得底部凹槽I中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會全熔，從而起到了保護籽晶的作用，提高整體硅錠的質量，得到高效硅片。
[0026]由于采用半熔工藝時，使得開始熔化后的液體流入所述凹槽I，為使得凹槽I內(nèi)各處的液體的溫度的差別減小，提高導熱效率，所述凹槽I為環(huán)形凹槽I。需要說明的是，這里的環(huán)形凹槽I是指凹槽I沒有首尾，凹槽I內(nèi)的液體可以沿著一個方向流動時，可以回到原來的位置，凹槽I的整體的外形可以是圓環(huán)形，也可以是方形或其它形狀，而且凹槽的數(shù)量可以是一個也可以是多個，本實用新型對凹槽的形狀和數(shù)量不做具體限定。
[0027]由于對坩禍加熱的加熱器絕大多數(shù)時候是在坩禍的外部設置的，為使得加熱均勻，與坩禍外壁的距離相等，為減少凹槽I內(nèi)的液體的溫度差，提高整體硅錠的質量，得到高效硅片，所述環(huán)形凹槽I與所述坩禍的底部內(nèi)側壁2的間距為20mm-40mm。
[0028]更進一步，所述環(huán)形凹槽I與所述坩禍的底部內(nèi)側壁2的間距處處相等。
[0029]為降低凹槽I的加工工藝，同時也使得凹槽I的形狀更加有規(guī)則，凹槽I內(nèi)的液體的溫差越小，所述環(huán)形凹槽I的縱截面為長方形、梯形或圓弧形。需要說明的是所述環(huán)形凹槽I的縱截面還可以是其它的形狀，如橢圓弧等，本實用新型對此不作具體限定。
[0030]為確保坩禍結構的穩(wěn)定性，所述環(huán)形凹槽I的寬度為20mm-150mm，所述環(huán)形凹槽I的深度為2mm-10mm。
[0031]—般所述環(huán)形凹槽I為長方形環(huán)形凹槽I，通過在坩禍底部四周做環(huán)形凹槽I，使得底部四周的籽晶的最低處低于中間處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預留高度的情況下，使得四周的籽晶不會全熔，從而起到了保護籽晶的作用，這種方法比較簡單，有效的保護了籽晶，替代了其他各種通過改進鑄錠爐熱場工藝的方法，且改進熱場、工藝的方法不夠明顯有效，且不同爐臺普適性不強，而在坩禍底部做凹槽I的方法具有較強的普適性。
[0032]綜上所述，本實用新型實施例的保護籽晶型坩禍，通過在坩禍底部設置凹槽，這就使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會全熔，從而起到了保護籽晶的作用，提高整體硅錠的質量，得到高效硅片。
[0033]以上對本實用新型所提供的保護籽晶型坩禍進行了詳細介紹。本文中應用了具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權利要求的保護范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種保護籽晶型坩禍，其特征在于，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。2.如權利要求1所述的保護籽晶型坩禍，其特征在于，所述凹槽為環(huán)形凹槽。3.如權利要求2所述的保護籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部內(nèi)側壁的間距為20mm-40mm。4.如權利要求3所述的保護籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部內(nèi)側壁的間距處處相等。5.如權利要求1所述的保護籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽的縱截面為長方形、梯形或圓弧形。6.如權利要求1所述的保護籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽的寬度為20mm-.150mm.7.如權利要求1所述的保護籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽的深度為2mm-.1Omnin
【文檔編號】C30B29/06GK205474106SQ201620274267
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月5日
【發(fā)明人】閆燈周, 李林東, 陳偉, 肖貴云, 黃晶晶, 李亮, 金浩
【申請人】晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司