技術(shù)編號:10791732
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)在的坩禍主要承載著裝載硅料和硅錠成型長晶工作。光伏太陽能電站的不斷發(fā)展和生產(chǎn)技術(shù)的不斷提高,客戶對高效硅片和高效組件的需求不斷提升,而鑄錠是這其中的關(guān)鍵所在。以往的全熔工藝由于沒有穩(wěn)定的引晶作用,生產(chǎn)出來的硅錠的整體質(zhì)量偏低。研發(fā)人員從單晶使用籽晶來拉晶處得到啟發(fā),研發(fā)出了半熔工藝,大大的提高了多晶鑄錠的質(zhì)量,提高了光電轉(zhuǎn)換效率。但由于保溫?zé)釄霾痪鶆?,采用半熔工藝時,硅錠邊角的籽晶經(jīng)常全熔,沒有起到引晶的作用,因此,如何保護(hù)邊角籽晶不熔,是研發(fā)人員一直想...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。