本實(shí)用新型涉及一種制造裝置，特別涉及一種多晶硅制造裝置。

背景技術(shù)：

作為多晶硅的制造方法，已知有根據(jù)西門(mén)子法的制造方法。在該多晶硅的制造方法中，在反應(yīng)爐內(nèi)豎立設(shè)置許多成為晶種棒的硅芯棒并預(yù)先進(jìn)行通電加熱，對(duì)該反應(yīng)爐供給包含氯硅烷氣體和氫氣的原料氣體，使原料氣體和加熱后的硅芯棒接觸。在加熱后的硅芯棒的表面，通過(guò)原料氣體的熱分解或氫還原而析出多晶硅，生長(zhǎng)為棒狀。

多晶硅制作過(guò)程中，爐內(nèi)氣體過(guò)多容易產(chǎn)生霧化現(xiàn)象，又不可直接在爐內(nèi)加快攪拌，這樣不利于多晶硅的析出，單層爐在制造多晶硅過(guò)程中，爐內(nèi)溫度容易流失，不利于保證爐內(nèi)溫度的穩(wěn)定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種多晶硅制造裝置。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案：

本實(shí)用新型一種多晶硅制造裝置，包括基臺(tái)、外爐和內(nèi)爐，所述外爐的頂部?jī)?nèi)設(shè)置有攪拌葉，所述攪拌葉的底部設(shè)置有內(nèi)爐壁，所述內(nèi)爐壁的內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)爐，所述內(nèi)爐的內(nèi)部設(shè)置有石墨棒，所述石墨棒的外側(cè)設(shè)置有硅芯棒，所述石墨棒的底部設(shè)置有石墨加熱器。所述硅芯棒的底部設(shè)置有電極，所述電極的外側(cè)設(shè)置有噴氣口，所述噴氣口的底部設(shè)置有基臺(tái)，所述基臺(tái)的兩端設(shè)置有出氣口，所述基臺(tái)的底部設(shè)置有氣體分流器，所述氣體分流器的底部設(shè)置有原料氣體供給 源，所述基臺(tái)的一側(cè)設(shè)置有加熱器。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述外爐的一側(cè)設(shè)置有電動(dòng)機(jī)。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述電動(dòng)機(jī)與攪拌葉傳動(dòng)連接。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述石墨加熱器、電極均與基臺(tái)固定連接。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述原料氣體供給源、氣體分流器和噴氣口通過(guò)管道氣密連接，所述外爐與加熱器通過(guò)管道氣密連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果如下：

本實(shí)用新型通過(guò)基臺(tái)上設(shè)置有內(nèi)爐和外爐，可減少爐內(nèi)溫度流失的速度，外爐的頂部?jī)?nèi)設(shè)置有攪拌葉，引導(dǎo)外爐內(nèi)的熱空氣，外爐內(nèi)的熱空氣溫度差作用在內(nèi)爐壁上，可稍微影響內(nèi)爐內(nèi)原料氣體的流速，減弱原料氣體的霧化程度，有利于多晶體的析出，安全方便，實(shí)用性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、基臺(tái)；2、外爐；3、內(nèi)爐；4、攪拌葉；5、石墨棒；6、硅芯棒；7、電極；8、噴氣口；9、出氣口；10、氣體分流器；11、原料氣體供給源；12、加熱器；13、電動(dòng)機(jī)；14、管道；15、石墨加熱器；16、內(nèi)爐壁。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1

如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種多晶硅制造裝置，包括基臺(tái)1、外爐2和內(nèi)爐3，外爐2的頂部?jī)?nèi)設(shè)置有攪拌葉4，攪拌葉4的底部設(shè)置有內(nèi)爐壁16，所述內(nèi)爐壁16的內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)爐3，內(nèi)爐3的內(nèi)部設(shè)置有石墨棒5，石墨棒5的外側(cè)設(shè)置有硅芯棒6，石墨棒5的底部設(shè)置有石墨加熱器15。硅芯棒6的底部設(shè)置有電極7，電極7的外側(cè)設(shè)置有噴氣口8，噴氣口8的底部設(shè)置有基臺(tái)1，基臺(tái)1的兩端設(shè)置有出氣口9，基臺(tái)1的底部設(shè)置有氣體分流器10，氣體分流器10的底部設(shè)置有原料氣體供給源11，基臺(tái)1的一側(cè)設(shè)置有加熱器12。

進(jìn)一步的，外爐2的一側(cè)設(shè)置有電動(dòng)機(jī)13，便于電動(dòng)機(jī)13進(jìn)行維修與檢查。

電動(dòng)機(jī)13與攪拌葉4傳動(dòng)連接，電動(dòng)機(jī)13為攪拌葉4攪拌提供動(dòng)力，攪拌葉4攪拌外爐2內(nèi)的熱空氣，攪拌的熱空氣具有一定的溫差，溫差作用在內(nèi)爐3的外壁，影響內(nèi)爐3氣體的流動(dòng)。

石墨加熱器15、電極7均與基臺(tái)1固定連接，維持石墨加熱器15、電極7、噴氣口8、出氣口9的穩(wěn)定，石墨加熱器15為石墨棒5加熱，然后相四周輻射熱量，電極7上硅芯棒6固定后不會(huì)因?yàn)槲龀龆嗑Ч柚亓坎痪鶆蚨鴥A倒。

原料氣體供給源11、氣體分流器10和噴氣口8通過(guò)管道14氣密連接，外爐2與加熱器12通過(guò)管道14氣密連接，保證裝置氣密性良好，氯硅烷氣體毒性較大，如果泄露會(huì)危害人體。

具體的，加熱器12通過(guò)管道14加熱外爐2空氣，使外爐2內(nèi)溫度升高，達(dá)到接近1000攝氏度，石墨加熱器15加熱石墨棒5，然后相四周輻射熱量，使內(nèi)爐3溫度達(dá)到生產(chǎn)要求1080攝氏度以上，外爐2和內(nèi)爐3同時(shí)加熱，加熱效果更好，內(nèi)爐3內(nèi)溫度也更加穩(wěn)定，原料氣體供給源11管道14由氣體分流器10均勻分配給噴氣口8，由噴氣口8噴出，原料氣體噴出過(guò)多則容易產(chǎn)生霧化現(xiàn)象，電動(dòng)機(jī)13帶動(dòng)攪拌葉4攪拌，攪拌葉4攪拌外爐2內(nèi)的熱空氣，攪拌的熱空氣具有一定的溫差，溫差作用在內(nèi)爐壁16，內(nèi)爐壁16可用氧化鋁陶瓷，導(dǎo)熱性能良好耐高溫，影響內(nèi)爐3氣體的流動(dòng)，稍微加快內(nèi)爐3內(nèi)原料氣體流速，減弱原 料氣體的霧化程度。

本實(shí)用新型通過(guò)基臺(tái)1上設(shè)置有內(nèi)爐3和外爐2，可減少爐內(nèi)溫度流失的速度，外爐2的頂部?jī)?nèi)設(shè)置有攪拌葉4，引導(dǎo)外爐2內(nèi)的熱空氣，外爐2內(nèi)的熱空氣溫度差作用在內(nèi)爐壁16上，可稍微影響內(nèi)爐3內(nèi)原料氣體的流速，減弱原料氣體的霧化程度，有利于多晶體的析出，安全方便，實(shí)用性強(qiáng)。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。