技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造及設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種GaAs/Si外延材料制備方法，包括：選取單晶Si襯底，并對(duì)單晶Si襯底清洗；在所述單晶Si襯底上形成凹層；在所述凹層上形成Si薄膜層，Si薄膜層在凹層的凹槽處懸空設(shè)置；在所述Si薄膜層上形成GaAs種子層；在所述GaAs種子層上形成GaAs第一緩沖層；在所述GaAs第一緩沖層上形成GaAs第二緩沖層；在所述GaAs第二緩沖層上形成GaAs外延層。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在價(jià)格便宜的單晶Si襯底上制備高質(zhì)量的GaAs晶體薄膜，并且未引入附加應(yīng)力場(chǎng)，在后續(xù)的器件制作中對(duì)器件品質(zhì)不會(huì)產(chǎn)生附加的不良影響。

技術(shù)研發(fā)人員：王文慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市聯(lián)洲知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)管理有限公司
文檔號(hào)碼：201610844357
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.22
技術(shù)公布日：2017.02.22