技術(shù)編號：12252086
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造及設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種GaAs/Si外延材料制備方法。背景技術(shù)GaAs薄膜由于其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)(直接帶隙、同太陽光譜匹配的禁帶寬度、高光吸收系數(shù)等)越來越受人們關(guān)注，是近些年來國內(nèi)外研究的熱點(diǎn)，其制備方法包括磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法和分子束外延法等。由于Si材料便宜，工藝成熟，且有大直徑晶圓，因此，目前出現(xiàn)了很多基于Si材料的應(yīng)用，基于硅材料的微電子器件不斷推動著現(xiàn)代信息技術(shù)的快速發(fā)展，在Si基上外延生長GaAs薄膜，有利于降低成本和器件集成。但是，GaAs與硅...
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