專利名稱：具有受控的熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電性復(fù)合材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含陶瓷成分和碳納米細絲的復(fù)合材料、其獲得方法以及其在微電子學(xué)、精密光學(xué)、航空和航天學(xué)中作為導(dǎo)電體的用途，所述陶瓷成分的特征在于其具有負的熱膨脹系數(shù)。
背景技術(shù)：
具有低熱膨脹系數(shù)(CTE)的材料在極為不同的領(lǐng)域中都具有廣泛的應(yīng)用。在許多類型的精密儀器中，以及在高技術(shù)系統(tǒng)中、在微電子エ業(yè)和精密光學(xué)中的裝置設(shè)備中都需要這些類型的材料。簡言之，在所有這些應(yīng)用中，隨著溫度的變化，都必須保證精密元件的維度穩(wěn)定性，這需要降低形成這些元件的材料的CTE。此外，使用不同材料制造的原件的熱膨脹的失衡還可以使用具有所需(且均勻的)CTE的復(fù)合材料的設(shè)計方案來解決。具有定 制CTE的這些材料的設(shè)計方案可以使用具有正和負膨脹的成分的結(jié)合來處理?？梢葬槍Σ煌臏囟葘嵤?fù)合材料CTE的定制設(shè)計方案，使得具有零CTE的成分的最終應(yīng)用領(lǐng)域取決于用于所述應(yīng)用所需的特定功能性的其他特征是否實現(xiàn)。鋰陶瓷、玻璃陶瓷(LAS)、以及硅酸鎂鋁(堇青石)家族在許多應(yīng)用領(lǐng)域(由玻璃陶瓷用于廚房到鏡子用于衛(wèi)星)中通常用于所述的這種目的。這些家族的一些礦物相具有負CTE，這使得它們可用于具有受控的且定制的CTE的復(fù)合材料中。通常，由于具有負CTE的材料負性是由于在不同的晶體取向之間具有強的各向異性(其中負行為通常在它們中的一者中發(fā)現(xiàn)，而正行為在其他兩者中發(fā)現(xiàn))，所以具有負CTE的材料的抗折性較低。各向異性通常導(dǎo)致微纖維，這得到了這些材料的機械性質(zhì)的值較低的結(jié)果。因此，加入氧化的/非氧化的陶瓷相能夠得到具有改善的機械性質(zhì)的材料。這些具有受控的CTE的材料受到關(guān)注地用于工程、光子、電子和/或結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中(Roy, R. et al. , Annual Review of Materials Science, 1989,19, 59-81)。在LAS系統(tǒng)中具有負膨脹的相為β -鋰霞石(LiAlSiO4)，這是由于其ー個晶體軸方向的負膨脹較大。鋰輝石(LiAlSi2O6)和透鋰長石(LiAlSi4Oltl)相具有接近于零的CTE。制造具有LAS組合物的材料的傳統(tǒng)方法為對玻璃進行加工，從而生產(chǎn)出玻璃陶瓷。該方法涉及將后期形成的玻璃在低溫下施加熱處理，以用于隨后結(jié)晶LAS相的沉淀，并由此控制其CTE。偶爾，這種方法會產(chǎn)生不均勻的材料，并且由于該材料為玻璃，所以與其他陶瓷物質(zhì)相比，其機械性質(zhì)(剛性和抗性)當然不足以高達許多エ業(yè)應(yīng)用。這就是Zerodur (由Schott出售)廣泛地用于大量的應(yīng)用中、但是對折斷值具有較低的抗性的情況。因此，如果需要更好的機械性質(zhì)，則需要玻璃陶瓷的備選物。目前存在其他的CTE接近于零的陶瓷材料，例如在US4403017或Invar 中公開的堇青石。制備具有低CTE的材料的備選方法由向其CTE為負的陶瓷成分中加入正熱膨脹系數(shù)的第二相構(gòu)成，如在US6953538、JP2007076949或JP2002220277以及專利申請P200803530中所述的情況。這種最后的選擇極受關(guān)注，并且可以通過在基質(zhì)中加入合適比例的第二相來調(diào)節(jié)CTE的值和其他性質(zhì)。另ー方面并且要記住的是材料的最終性質(zhì)是兩種或多種成分的組合中的結(jié)果，這些復(fù)合材料的主要問題在于進行操縱以便在廣泛的溫度范圍內(nèi)控制CTE的值。因此，在US6953538、JP2007076949或JP2002220277中，其中取得高的維度穩(wěn)定性的溫度范圍為大約30_50°C。在專利申請P200803530中，用于CTE值接近于零的范圍被擴展。在專利P200803530中，使用了硅酸鎂鋁(堇青石)和硅酸鋰鋁。申請?zhí)枮镻200803530的專利公開了在溶液中由高嶺土、碳酸鋰、以及ニ氧化硅和氧化鋁的前體合成硅酸鋰鋁的方法，由此可以得到具有受控的CTE和0la carte的LAS陶瓷，從而選擇具有Al2O3 Li2O SiO2相圖的不同組合物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了包含陶瓷基質(zhì)和碳納米細絲的復(fù)合材料，所述的材料可表征為其具有優(yōu)異的機械性、導(dǎo)電性和熱性質(zhì)。此外，本發(fā)明還提供了所述材料的獲得方法，以及其在制造用于微電子學(xué)、精密光學(xué)、航空和航天學(xué)的裝置中作為導(dǎo)電體的用途。本發(fā)明的第一個方面涉及這樣的材料，其包含
a.陶瓷成分，以及b.碳納米細絲，其中所述的材料的熱膨脹系數(shù)為_6x10_6°C 1至6. OlxlO-6oC '這種材料為復(fù)合材料，并且這些碳納米細絲起到導(dǎo)電體的作用；此外,這些碳納米細絲在本發(fā)明所公開的材料的陶瓷基質(zhì)(具有負的熱膨脹系數(shù))中起到增強作用。這形成了所述材料的導(dǎo)電性。在本發(fā)明中，“復(fù)合材料”被理解為這樣的材料，該材料由彼此不同的兩種或多種成分形成，其具有得自這些成分的組合中的性質(zhì)，而該性質(zhì)優(yōu)于分別形成的材料。在本發(fā)明中的陶瓷成分起到了復(fù)合材料的基質(zhì)的作用，由此為陶瓷基質(zhì)。在本發(fā)明中，“導(dǎo)電性”被理解為具有允許電流或電子從頭至尾通過的能力的材料。在本發(fā)明中，“熱膨脹系數(shù)(CTE) ”被理解為反映了當被加熱時材料所發(fā)生的體積變化的參數(shù)。在優(yōu)選的實施方案中，所述的材料可表征為其進ー步包含體積百分率低于80%的氧化的或非氧化的陶瓷化合物。陶瓷成分優(yōu)選地選自Li2O Al2O3 SiO2體系或MgO Al2O3 SiO2體系，這種基質(zhì)為更優(yōu)選的鋰霞石或堇青石。在優(yōu)選的實施方案中，具有負的熱膨脹系數(shù)的陶瓷成分占最終的材料的百分率高于10體積％。在所述的基質(zhì)中所包含的起到增強作用的碳納米細絲可以為碳納米纖維或納米管，在作為碳納米纖維的優(yōu)選實施方案中，這些碳納米纖維更優(yōu)選地具有20至80nm的直徑，長度/直徑的比值更優(yōu)選的是大于100，并且所述的碳納米纖維更優(yōu)選地具有超過70 %的石墨結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，“碳納米纖維”被理解為具有高度的石墨結(jié)構(gòu)的碳絲。氧化的或非氧化的陶瓷優(yōu)選地選自碳化物、氮化物、膨化物、金屬氧化物或它們的組合中的任意一者。更優(yōu)選的是，氧化的或非氧化的陶瓷選自SiC，TiC, AIN, Si3N4, TiB2,Al2O3, ZrO2 和 MgAl2O4。
甚至更優(yōu)選的是，氧化的陶瓷為氧化鋁(Al2O3)的粒徑更優(yōu)選的為20至IOOOnm的Al2O30并且如果陶瓷為非氧化的，則其更優(yōu)選的為SiC ;甚至更優(yōu)選的是，所選的這種碳化娃的粒徑小于10 μ m。在高溫下控制構(gòu)成復(fù)合材料的相之間的反應(yīng)性，以及控制復(fù)合材料的CTE使得可以根據(jù)人們想給予所述材料的應(yīng)用來創(chuàng)造具有廣泛的溫度范圍的CTE的導(dǎo)電性陶瓷材料。一方面，在這些復(fù)合材料中使用導(dǎo)電性相的益處在于可以得到具有高導(dǎo)電性的材料，另ー方面，保持CTE和低密度，使得氧化的/非氧化的陶瓷能夠得到具有改善的機械性質(zhì)的材料。具有陶瓷基質(zhì)的導(dǎo)電性復(fù)合材料可表征為其具有受控的維度穩(wěn)定性，其中所述的復(fù)合材料的特征在于在其組合物中包含碳納米細絲，并且所述的陶瓷基質(zhì)的組合物具有負的熱膨脹系數(shù)，并且可以具有低于10體積％的孔隙率，而且電阻值低于IxlO4Qcm,在-i50°c至450°c的溫度范圍內(nèi)可根據(jù)組成調(diào)節(jié)的熱膨脹系數(shù)為-exioic—1至
6.01xl0_6°C '抗折性高于60Mpa，以及較低絕對密度。本發(fā)明的第二個方面涉及如之前所述的材料的獲得方法，其包括以下階段a.將所述的陶瓷成分與所述的納米細絲在溶劑中混合，b.使在(a)中所獲得的混合物干燥，c.使在(b)中所獲得的材料成形，d.使在(C)中所獲得的材料燒結(jié)。在優(yōu)選的實施方案中，在如之前所述的階段(a)中加入氧化的或非氧化的陶瓷。在階段(a)中使用的溶劑選自水、無水醇或它們組合中的任意一者，并且甚至更優(yōu)選的是無水醇為無水こ醇。階段(a)的混合優(yōu)選的是在100至400rpm下實施的。這種混合可以在磨碎機中實施。在優(yōu)選的實施方案中，階段(b)的干燥是通過霧化實施的。在本發(fā)明中，“霧化”被理解為通過溶液的粉碎以及使用氣流的懸浮的干燥方法。階段(C)的形式優(yōu)選的是通過冷等靜壓制或者通過熱壓制實施的。在本發(fā)明中，“等靜壓制”被理解為壓緊方法，其是通過將通常為粉末形式的材料密封地封閉在模具中，通過流體施加流體靜壓，由此得到的部分具有均一且各向同性的性質(zhì)。當實施冷等靜壓制時，更優(yōu)選的是在100至400Mpa的壓カ下實施。如果實施熱壓制，在加熱斜坡(heating ramp)為2至50°C /分鐘的條件下在900°C至1600°C的溫度下，施加5至150Mpa的單軸壓力，并在該溫度保持O. 5至10小吋。階段(d)的燒結(jié)溫度優(yōu)選在700至1600°C?？梢栽谖词┘訅亥蛭词┘訂蜗驂毫Φ臈l件下實施燒結(jié)的階段(d)。當在未施加壓カ的條件下進行燒結(jié)時，可以在傳統(tǒng)的烤箱中實施燒結(jié)，而且當在燒結(jié)過程中施加單向壓カ時，可以通過放電等離子燒結(jié)(SPS)或熱壓制進行燒結(jié)。當在未施加壓カ的條件下實施燒結(jié)時，所述的燒結(jié)是通過以下過程進行的在加熱斜坡為2至10°C /分鐘的條件下在1100°C至1600°C的溫度下在惰性氣氛中進行，并在該溫度保持O. 5至10小吋。甚至更優(yōu)選的是，惰性氣氛為氬氣。
可能甚至更優(yōu)選的是，使用2至10°C /分鐘的斜坡進行隨后冷卻至900°C。如果所述的燒結(jié)是通過以下過程使用施加單軸壓力進行的在加熱斜坡為2至3000C /分鐘的條件下在700°C至1600°C的溫度下施加5至150MPa的單軸壓力，在該溫度保持I至30分鐘。這種燒結(jié)方法能夠在短期時間內(nèi)得到具有受控的粒徑的材料。通過簡單的制造方法進行制備，這些方法是在固態(tài)下通過不同的技術(shù)形成和燒結(jié)的，從而避免了玻璃的形成，并且結(jié)果得到了改善的機械性質(zhì)。如果選擇硅酸鋰鋁或硅酸鎂鋁基質(zhì)以及導(dǎo)電性相，并且所述的導(dǎo)電性相可以加入第三種氧化的或非氧化的相而在高溫下在相之間不會存在任何的反應(yīng)，按照這種方式會改善機械性、電性和熱性質(zhì)，從而簡化獲得方法，得到致密的且超輕型的材料。這種控制是由于特別適用了具有負CTE的相。本發(fā)明所提供的備選方法為獲得是導(dǎo)電性的、在廣泛的溫度范圍內(nèi)具有受控的熱 膨脹系數(shù)的(這使得這些材料適用于大量的機械應(yīng)用中)并且是低密度的(輕質(zhì)的)陶瓷材料。除了為導(dǎo)電體以外，所述的方法開啟了這樣的可能性可以使用電腐蝕技術(shù)對這些材料進行加工，從而能夠制備得到具有所需形狀的成分。本發(fā)明的第三個方面涉及之前所述的材料作為導(dǎo)電體和/或作為在制造具有高維度穩(wěn)定性的陶瓷成分的材料中的用途。所述的材料應(yīng)用于微電子領(lǐng)域、精密光學(xué)或航空領(lǐng)域。在優(yōu)選的實施方案中，所述的導(dǎo)電體材料可用于制造高精密測量儀器、用于空間觀測系統(tǒng)的鏡子、照相平板掃描儀、全息術(shù)、激光儀器或散熱儀。簡言之，這些復(fù)合材料可以用于制造需要高維度穩(wěn)定性的成分，更具體而言可用于制造衛(wèi)星中的天文望遠鏡和X射線望遠鏡中的鏡子結(jié)構(gòu)、彗星探測器、氣象衛(wèi)星和微光刻中的光學(xué)元件、環(huán)形激光陀螺儀中的鏡子和底座、共振中的激光距離指示儀、高精密測量技術(shù)中的測量棒和標準品等。在整個說明書和權(quán)利要求書中，詞語“包含”及其變體無意于排除其他的技術(shù)特征、添加剤、成分或步驟。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明的其他目標、益處和特征部分由說明書推斷，部分由本發(fā)明的實施推斷。通過舉例的方式提供以下附圖和實施例，并且這些附圖和實施例無意于限定本發(fā)明。


圖I. Li2O-Al2O3-SiO2系統(tǒng)的相圖，其示出了在實施方案的實施例中使用的組合物。圖2.與通過在SPS中燒結(jié)而得到的LAS材料-碳納米纖維、通過傳統(tǒng)的烤箱得到的堇青石-碳納米纖維、通過熱壓制燒結(jié)而得到的LAS-碳納米纖維-SiC以及通過在SPS中燒結(jié)得到的LAS-碳納米纖維-Al2O3相應(yīng)的熱膨脹系數(shù)(α曲線)。
實施例下文中，通過本發(fā)明人實施的測試來說明本發(fā)明，這些測試作為本發(fā)明的方法目標的具體實施方案，在(-150，+450) °C范圍內(nèi)具有受控的CTE的導(dǎo)電性復(fù)合材料的特異性和效力。實施例I
起始材料為a)具有組成LiAlSiO4 (圖I中的組成A)的LAS粉末，其平均粒徑為I μ m,密度為
2.39g/cm3。b)碳納米纖維，其直徑為大約20-80nm，密度為I. 97g/cm3。c)無水こ醇(純度為99. 97% ) 使用700g LAS,其分散在1400g的こ醇中。然后，將其與由146. 4g碳納米纖維在2000gこ醇中形成的懸浮液混合。通過機械攪拌60分鐘使結(jié)合物均化,然后在粉碎機中通過在300rpm下操作再研磨60分鐘。由此制備的懸浮液通過霧化干燥，從而得到納米復(fù)合物顆粒，同時由所述的過程回收こ醇。研磨階段能夠制備均勻和納米尺寸的粉末，這會改善最終的材料的增稠作用。

將如此得到的干燥產(chǎn)物經(jīng)歷使用了放電等離子燒結(jié)(SPS)的成形和燒結(jié)過程。如此，將14. 5克的材料引入到直徑為40mm的石墨模具中，并在IOMPa下單軸應(yīng)力。接著，通過施加80MPa的最大壓カ并以100°C /分鐘的加熱斜坡加熱至1200°C并停留I分鐘來進行
作
紅彡ロ 通過所得材料的真密度(氦比重儀)、表觀密度(Archimedes方法)、楊氏模量(在Grindosonic單元中的共振頻率方法)、抗折性(在INSTR0N8562單元中的四點彎曲方法)、以及熱膨脹系數(shù)(直徑，制造METZCH，型號DIL402C)來表征所得的材料。相應(yīng)的值示于表I中。在所述的溫度下熱膨脹系數(shù)的變化在圖2中呈現(xiàn)。
性質(zhì)Ex. I
理論密度％，IOOx(d表觀/d真)9978
抗折性(MPa)165
CTE(x10_6°C ―1) (-150，150) V-I. 34 '
CTE (xlO_6°C ―1) (-150，450) V-O. 69 '表I :通過SPS燒結(jié)，由LAS和碳納米纖維形成的復(fù)合材料的表征而得到的結(jié)果。實施例2起始材料為a)具有組成2A1203 · 5Si02 · 2Mg0的堇青石粉末，其密度為2. 65g/cm3。b)碳納米纖維，其直徑為大約20_80nm，密度為I. 97g/cm3。c)無水こ醇(純度為"· 97% ) ο使用900g堇青石，其分散在1600g的こ醇中。然后，將其與由21g碳納米纖維在400gこ醇中形成的懸浮液混合。通過機械攪拌60分鐘使結(jié)合物均化,然后在粉碎機中通過在300rpm下操作再研磨60分鐘。由此制備的懸浮液通過霧化干燥，從而得到納米復(fù)合物顆粒，同時由所述的過程回收こ醇。在200MPa下使干燥產(chǎn)物經(jīng)歷使用了冷等靜壓制的成形過程。得到成形的材料，該材料在1400°C下在氬氣氣氛中，在傳統(tǒng)的烤箱中燒結(jié)，其中停留120分鐘并且加熱斜坡為5°C /分鐘。通過所得材料的真密度(氦比重儀)、表觀密度(Archimedes方法)、楊氏模量(在Grindosonic單元中的共振頻率方法)、抗折性(在INSTR0N8562單元中的四點彎曲方法)、以及熱膨脹系數(shù)(直徑，制造商METZCH，型號DIL402C)來表征所得的材料。相應(yīng)的值示于表2中。在所述的溫度下熱膨脹系數(shù)的變化在圖2中呈現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.ー種材料,包含a.陶瓷成分，以及b.碳納米細絲，其中所述的材料的特征在于其熱膨脹系數(shù)為_6xlO_6°C 1至6. OlxlO-6oC '
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的材料，其中其進ー步包含體積百分率低于80%的氧化的或非氧化的陶瓷。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的材料，其中所述的陶瓷成分選自Li2O Al2O3 SiO2或MgO Al2O3 SiO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的材料，其中所述的陶瓷成分為β-鋰霞石或堇青石。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任意一項所述的材料，其中所述的陶瓷成分占最終的材料的體積百分率大于10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任意一項所述的材料，其中所述的碳納米細絲為碳納米纖維。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的材料，其中所述的碳納米纖維的直徑為20nm至80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7中任意一項所述的材料，其中所述的碳納米纖維具有大于100的長度/直徑比。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或8中任意一項所述的材料，其中所述的碳納米纖維具有大于70%的石墨結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9中任意一項所述的材料，其中所述的氧化的或非氧化的陶瓷選自碳化物、氮化物、硼化物、金屬氧化物或它們組合中的任意一者。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的材料，其中所述的氧化的或非氧化的陶瓷選自SiC，TiC,AIN, Si3N4, TiB2, Al2O3, ZrO2 和 MgAl2O40
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的材料，其中所述的氧化的陶瓷為A1A。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的材料，其中所述的Al2O3的粒徑為20nm至lOOOnm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的材料，其中所述的非氧化的陶瓷為SiC。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的材料，其中所述的SiC的粒徑小于10μ m。
16.一種獲得根據(jù)權(quán)利要求I至15所述的材料的方法，包括以下階段a.將所述的陶瓷成分與所述的納米細絲在溶劑中混合，b.使在(a)中所獲得的混合物干燥，c.使在(b)中所獲得的材料成形，d.使在(C)中所獲得的材料燒結(jié)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中在階段(a)進ー步加入氧化的或非氧化的陶瓷。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17中任意一項所述的方法，其中所述的溶劑選自水、無水醇或它們的組合中的任意一者。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述的無水醇為無水こ醇。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任意一項所述的方法，其中所述的階段(a)的混合是在IOOrpm至400rpm間進行的。
21.根據(jù)權(quán)利要求16至20中任意一項所述的方法，其中所述的階段(b)的干燥是通過霧化進行的。
22.根據(jù)權(quán)利要求16至21中任意一項所述的方法，其中所述的階段(c)的成形是通過冷或熱等靜壓制進行的。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述的冷等靜壓制是在100至400MPa的壓カ下進行的。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述的熱壓制是通過以下過程進行的在加熱斜坡為2至50°C /分鐘的條件下在900°C至1600°C的溫度下，施加5至150Mpa的單軸應(yīng)力，并在該溫度保持O. 5至10小吋。
25.根據(jù)權(quán)利要求16至24中任意一項所述的方法，其中所述的階段(d)的燒結(jié)是在700°C至1600°C的溫度下進行的。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述的階段(d)的燒結(jié)是在未施加壓カ或施加單軸壓力的條件下進行的。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26中任意一項所述的方法，其中所述的燒結(jié)是通過以下過程進行的在加熱斜坡為2至10°C /分鐘的條件下在1100°C至1600°C的溫度下在惰性氣氛中進行，并在該溫度保持O. 5至10小吋。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述的惰性氣氛為氬氣。
29.根據(jù)權(quán)利要求27或28中任意一項所述的方法，其中使用2至10°C/分鐘的斜坡進行隨后冷卻至900°C。
30.根據(jù)權(quán)利要求25或26中任意一項所述的方法，其中所述的燒結(jié)是通過以下過程進行的在加熱斜坡為2至300°C /分鐘的條件下在700°C至1600°C的溫度下施加5至150MPa的單軸壓力，并在該溫度保持I至30分鐘。
31.根據(jù)權(quán)利要求I至15中任意一項所述的材料在制造具有高維度穩(wěn)定性的陶瓷成分中作為導(dǎo)電體和/或材料的用途。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的材料在制造高精密測量儀器、用于空間觀測系統(tǒng)的鏡子、照相平板掃描儀、全息木、激光儀器或散熱儀中的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及包含陶瓷成分和碳納米細絲的復(fù)合材料、其獲得方法、以及其在微電子學(xué)、精密光學(xué)、航空和航天學(xué)中作為導(dǎo)電體的用途，所述陶瓷成分的特征在于其具有負的熱膨脹系數(shù)。
文檔編號C01B31/00GK102822114SQ201080060985
公開日2012年12月12日 申請日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月16日
發(fā)明者R·托雷西拉斯桑米蘭, O·加西亞莫雷諾, M·A·博雷爾托馬斯, A·費爾南德斯瓦爾德斯 申請人:西班牙高等科研理事會