低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片，其包括一尺寸為長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚度1mm的高導(dǎo)熱低膨脹系數(shù)氮化紹材料基板，氮化鋁材料的背面印刷有氮化鋁專用銀漿，氮化鋁材料基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及氮化鋁專用銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線連接5個(gè)電阻形成TT型衰減電路，5個(gè)電阻相應(yīng)位置印刷一層高溫?zé)Y(jié)玻璃膜。通過(guò)改變衰減電路中阻值的尺寸大小和表面電阻率來(lái)獲得需要的衰減值，通過(guò)導(dǎo)線的設(shè)計(jì)，來(lái)獲得較好的駐波特性。該大功率氮化鋁材料基板10W-28dB衰減片熱膨脹系數(shù)低，使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求，且改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了3G以內(nèi)28±ldB，駐波滿足市場(chǎng)要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
【專利說(shuō)明】低膨脹系數(shù)氮化鋁1〇瓦28dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種氮化鋁衰減片，特別涉及一種低膨脹系數(shù)氮化鋁1〇瓦28dB衰減 片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了多個(gè)膜狀電阻為一體，通過(guò)電阻及線路不同設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于 雷達(dá)，衛(wèi)星通訊，電子對(duì)抗等軍事工業(yè)和移動(dòng)電話、PCS和商用基站市場(chǎng)領(lǐng)域。使用負(fù)載片 只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要 的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
[0003] 在國(guó)外，特別是歐美國(guó)家，對(duì)衰減片和負(fù)載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國(guó)內(nèi)起步早很多，無(wú) 論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減 片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元 件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到 要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種阻值滿足 50Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為28±ldB，駐波要求輸入、輸出端在1. 15以內(nèi)，能夠 滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的低膨脹系數(shù)氮化鋁1〇瓦28dB衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品， 并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案： 一種低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片，其特征在于：其包括一尺寸為長(zhǎng)5圓、寬 2· 5_、厚度1mm的高導(dǎo)熱低膨脹系數(shù)氮化鋁材料基板，氮化鋁材料的背面印刷有氮化鋁專 用銀漿，氮化鋁材料基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及氮化鋁專用銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線連接5 個(gè)電阻形成TT型衰減電路，5個(gè)電阻相應(yīng)位置印刷一層高溫?zé)Y(jié)玻璃膜。通過(guò)改變衰減電 路中阻值的尺寸大小和表面電阻率來(lái)獲得需要的衰減值，通過(guò)導(dǎo)線的設(shè)計(jì)，來(lái)獲得較好的 駐波特性。
[0006]優(yōu)選的，所述衰減片基板采用高導(dǎo)熱低膨脹系數(shù)氮化鋁材料基板。
[0007] 優(yōu)選的，所述衰減線路采用5個(gè)電阻結(jié)構(gòu)的雙TT型衰減電路。
[0008]上述技術(shù)方案具有如下有益效果：低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片采用了低 膨脹系數(shù)的氮化鋁陶瓷，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合 要求，提高了產(chǎn)品的功率。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷，避免了因電阻 被淬傷在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了 3G以內(nèi) 28±ldB,駐波滿足市場(chǎng)要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0009]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。 本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0012] 如圖1所示，該低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片，包括一長(zhǎng)5. 0mm、寬2. 5mm、 厚度1. 0mm的氮化鋁材料基板1，氮化鋁材料基板1的背面印刷有氮化鋁專用銀漿，氮化鋁 材料基板1的正面印刷有氮化鋁專用銀漿電路2及膜狀電阻Rl、R2、R3, R4、R5,膜狀電阻 1?1、1?2、1?3、1?4、1?5通過(guò)氮化鋁專用銀漿導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過(guò)端涂銀漿與背 導(dǎo)層連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻R1、 R2、R3、R4、R5上印刷有高溫?zé)Y(jié)玻璃膜3,氮化鋁專用銀漿電路2及高溫?zé)Y(jié)玻璃膜3的 上表面還印刷有一層樹脂保護(hù)膜4,這樣可對(duì)氮化鋁專用銀漿電路2及膜狀電阻R1、R2、R3、 R4、R5形成保護(hù)。
[0013] 該低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為50 Ω ± 3 %，輸 出端和接地端的阻值為50Ω ±3%。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過(guò)5個(gè)黑色膜狀電阻R1、 R2、R5、R3、R4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0014] 該低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片采用了低膨脹系數(shù)的氮化鋁陶瓷，這樣使 得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求，提高了產(chǎn)品的功率。同時(shí)避 免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉 的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了 3G以內(nèi)28±ldB,駐波滿足市場(chǎng)要求，從 而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。 ^
[0015]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種低膨脹系數(shù)氮化錯(cuò)10瓦28dB衰減片進(jìn)行了詳 細(xì)介紹,對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范 圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè) 計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1_ 一種低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片，其特征在于：其包括一尺寸為長(zhǎng)5mm、寬 2· 5_、厚度1mm的聞導(dǎo)熱低膨脹系數(shù)氮化錯(cuò)材料基板，氮化錯(cuò)材料的背面印刷有氮化招專 用銀菜，氮化錯(cuò)材料基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及氮化銀專用銀衆(zhòng)導(dǎo)線，銀菜導(dǎo)線連接 5 個(gè)電阻形成TT型哀減電路，5個(gè)電阻相應(yīng)位置印刷一層高溫?zé)Y(jié)玻璃膜；通過(guò)改變衰減電 路中阻值的尺寸大小和表面電阻率來(lái)獲得需要的衰減值，通過(guò)導(dǎo)線的設(shè)計(jì)，來(lái)獲得較好的 駐波特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低膨脹系數(shù)氮化錯(cuò)1〇瓦28dB衰減片，其特征在于：所述衰 減片基板采用高導(dǎo)熱低膨脹系數(shù)氮化鋁材料基板。
3·根據(jù)權(quán)利要求1所述的低膨脹系數(shù)氮化鋁10瓦28dB衰減片，其特征在于：所述衰 減線路采用5個(gè)電阻結(jié)構(gòu)的雙ττ型衰減電路。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104218291SQ201410235141
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司