專利名稱：碳納米管陣列制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種碳納米管陣列制作方法，尤其是一種方向可控的碳納米管陣列制作方法。
背景技術(shù)：
由于碳納米管獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)，其在納米集成電路、單分子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用有著不可估量的前景。目前人們已經(jīng)能夠在實(shí)驗(yàn)室里少量制造基于碳納米管的場(chǎng)效應(yīng)管、或非門等器件，并研究它的性質(zhì)。但大規(guī)模的制備和具有實(shí)際意義的應(yīng)用則必須求助于由下而上(Bottom Up)的制備工藝。
由下而上的制備工藝要求能夠?qū)μ技{米管的生長(zhǎng)位置、方向、尺度、甚至碳納米管的螺旋度進(jìn)行必要的控制，通過(guò)少量而經(jīng)濟(jì)的步驟直接生長(zhǎng)出所需要的器件結(jié)構(gòu)。范守善等人在Science 283，512-514(1999)，Self-OrientedRegular Arrays of Carbon Nanotubes and Their Field Emission Properties一文中，以及Z.F.Ren等人在文獻(xiàn)Science 282，1105-1107(Nov 6，1992)，Synthesis ofLarge Arrays of Well-Aligned Carbon Nanotubes on Glass一文中均揭露了一種通過(guò)催化劑圖形(Patterned Catalyst)來(lái)控制碳納米管的生長(zhǎng)位置及使其垂直于基底的生長(zhǎng)方法。
另外，B.Q.Wei等人在文獻(xiàn)Nature 416，495-496(Apr 4，2002)，OrganizedAssembly of Carbon Nanotubes一文中揭露了一種可以通過(guò)對(duì)基底形狀的設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)碳納米管在三維基底上生長(zhǎng)出垂直于各處表面的生長(zhǎng)方向。
但是上述方法中所獲得的碳納米管陣列均垂直于生長(zhǎng)的基底，難以滿足目前對(duì)碳納米管陣列向各個(gè)方向生長(zhǎng)之需求。
Yuegang Zhang等人在Applied Physics Letters，Vol.79，Number 19，Nov 5，2001，Electric-Field-Directed Growth of Aligned Single-Walled CarbonNanotubes一文中揭露了一種通過(guò)電場(chǎng)控制碳納米管的生長(zhǎng)方向的方法，在電場(chǎng)的作用下，可控制碳納米管沿電場(chǎng)方向生長(zhǎng)。
但是上述方法中，用電場(chǎng)控制碳納米管生長(zhǎng)方向的方法則會(huì)加重器件設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度，而且由于電場(chǎng)本身的廣域性，難以實(shí)現(xiàn)對(duì)局部多個(gè)生長(zhǎng)方向的控制。
有鑒于此，有必要提供一種碳納米管陣列的制作方法，其可實(shí)現(xiàn)碳納米管陣列局部多個(gè)生長(zhǎng)方向的控制。

發(fā)明內(nèi)容下面將以若干實(shí)施例說(shuō)明一種碳納米管陣列制作方法，其可實(shí)現(xiàn)碳納米管陣列局部多個(gè)生長(zhǎng)方向的控制。
為實(shí)現(xiàn)以上內(nèi)容，提供一種碳納米管陣列制作方法，其包括以下步驟提供一具有遮擋層的基底；提供一催化劑蒸發(fā)源；沿一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)該基底，在上述基底上形成具有厚度梯度的催化劑薄膜；去除上述遮擋層，在上述催化劑薄膜上定義出至少一催化劑區(qū)塊，該催化劑區(qū)塊的厚度由其一第一端部向一第二端部逐漸減薄，且在該第一端部至第二端部的范圍內(nèi)有一厚度最接近一最佳厚度；將上述催化劑區(qū)塊處理成催化劑顆粒陣列；通入碳源氣，利用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，以下簡(jiǎn)稱CVD)在上述催化劑顆粒陣列上生長(zhǎng)出碳納米管陣列，該碳納米管陣列向背離上述最佳厚度方向彎曲。
優(yōu)選的，所述旋轉(zhuǎn)軸平行于該基底的其上形成有該催化劑薄膜的平面。
所述遮擋層的材質(zhì)可選用厚膜光刻膠，附著在一犧牲層上的金屬及其氧化物或氮化物，或鏤空模板。
所述催化劑蒸發(fā)源包括熱蒸發(fā)源及電子束蒸發(fā)源。
所述催化劑蒸發(fā)源包括點(diǎn)蒸發(fā)源及直線型蒸發(fā)源。
優(yōu)選的，所述直線型蒸發(fā)源位置設(shè)置為與該旋轉(zhuǎn)軸平行。
優(yōu)選的，所述基底是以一勻角速度繞該旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，其旋轉(zhuǎn)周期小于該催化劑薄膜的形成時(shí)間。
更優(yōu)選的，所述催化劑薄膜的厚度近似滿足公式T(λ)=T0/2×(1+λ/λ2+h2)---(1)]]>式中，λ為催化劑薄膜某一位置到該遮擋層的距離，T0為若無(wú)遮擋層時(shí)，旋轉(zhuǎn)基底形成的催化劑薄膜的λ處厚度，h為該遮擋層的高度。
所述催化劑薄膜可選用鐵、鈷、鎳、及其合金。
優(yōu)選的，所述催化劑區(qū)塊的尺寸大小為100nm～100μm。
所述催化劑區(qū)塊的第一端部的厚度范圍為5～20nm，第二端部的厚度范圍為1～10nm。
所述催化劑區(qū)塊的處理方法包括將上述催化劑區(qū)塊在空氣中進(jìn)行退火。
所述最佳厚度的確定方法包括以下步驟配合一遮擋層在一基底上沉積催化劑，形成一厚度從薄到厚逐漸變化的催化劑薄膜；在預(yù)定的CVD條件下生長(zhǎng)碳納米管陣列；用顯微鏡觀測(cè)得碳納米管生長(zhǎng)最高的位置；該位置的催化劑薄膜厚度即為該預(yù)定條件下的最佳厚度。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案所提供的碳納米管陣列制作方法，不需要外加電場(chǎng)等作用力，通過(guò)沿一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)基底，在該基底上形成具有厚度梯度的催化劑薄膜。由于碳納米管的生長(zhǎng)速率與催化劑薄膜厚度相關(guān)；催化劑在一最佳厚度(一定CVD條件下，碳納米管生長(zhǎng)速率最快的催化劑厚度，稱為最佳厚度)基礎(chǔ)上逐漸減薄或增厚，碳納米管的生長(zhǎng)速率均會(huì)逐漸減?。灰虼似淇梢詫?shí)現(xiàn)碳納米管陣列局部生長(zhǎng)方向的控制，且工藝簡(jiǎn)單。所獲得的碳納米管陣列結(jié)構(gòu)可以豐富納米器件的設(shè)計(jì)多樣性。

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例中催化劑薄膜沉積過(guò)程的示意圖。
圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例中移除遮擋層并確定最佳厚度線的立體示意圖。
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例中形成的催化劑圖形立體示意圖。
圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例中催化劑圖形氧化退火后的示意圖。
圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例中生長(zhǎng)出碳納米管陣列的示意圖。
圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例中生長(zhǎng)出碳納米管陣列的立體示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
參見(jiàn)圖1，本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的碳納米管陣列制作方法包括以下步驟(1)提供一基底10，在該基底10上形成有一定厚度的遮擋層40?；?0可以選用硅片、玻璃片、金屬片等；本實(shí)施例中選用硅片。遮擋層40具有一定高度的垂直遮擋邊，該高度即為遮擋層40的厚度，使遮擋層40能遮擋點(diǎn)蒸發(fā)源20蒸發(fā)出來(lái)的部分催化劑，從而使獲得的催化劑薄膜30的厚度具有一定厚度范圍內(nèi)漸變的梯度。遮擋層40的材質(zhì)可選用厚膜光刻膠、附著在一犧牲層上的金屬或金屬氧化物、金屬氮化物等。該遮擋層40亦可采用適當(dāng)厚度的鏤空模板，該鏤空模板在沉積催化劑時(shí)可緊密貼合在基底10上。遮擋層40的形狀基本上無(wú)特別限制，可選為正方體、長(zhǎng)方體或圓柱體等多種形狀，本實(shí)施例中采用長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)。
(2)提供一催化劑點(diǎn)蒸發(fā)源20。該點(diǎn)蒸發(fā)源20位于基底10上方的一定位置處(參見(jiàn)圖1)，該蒸發(fā)源20的位置設(shè)置以該蒸發(fā)源20到基底10的距離大于十倍于基底10的尺寸為佳。該蒸發(fā)源20可選用具有方向性鍍膜的熱蒸發(fā)源及電子束蒸發(fā)源等。
(3)沿一旋轉(zhuǎn)軸60旋轉(zhuǎn)基底10，以對(duì)基底10進(jìn)行鍍催化劑薄膜?；?0繞旋轉(zhuǎn)軸60旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)周期小于鍍膜時(shí)間；以鍍膜時(shí)間大于十倍于該旋轉(zhuǎn)周期為佳。本實(shí)施例中，為便于精確控制催化劑薄膜30的厚度梯度，設(shè)定該基底10以勻角速度ω繞旋轉(zhuǎn)軸60旋轉(zhuǎn)。該旋轉(zhuǎn)軸60與基底10的鍍催化劑薄膜的平面可成一定夾角β，該夾角范圍為0≤β＜90°。優(yōu)選的，該夾角β＝0°，也即旋轉(zhuǎn)軸60平行于基底10的其上鍍有催化劑薄膜30的平面?；?0以勻角速度ω繞旋轉(zhuǎn)軸60旋轉(zhuǎn)時(shí)，點(diǎn)蒸發(fā)源20產(chǎn)生的催化劑將會(huì)沉積在基底10上，而有一部分催化劑在基底10的旋轉(zhuǎn)過(guò)程中將會(huì)被遮擋層40遮擋??；進(jìn)而在基底10上形成一具有一維方向厚度梯度的催化劑薄膜30。所沉積的催化劑薄膜30的厚度由一端向另一端逐漸減薄，較薄一端的厚度范圍為1nm～10nm，較厚一端的厚度范圍為5nm～20nm。所謂一維方向厚度梯度是指以本實(shí)施例中具有長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的遮擋層40為例，由于旋轉(zhuǎn)軸60的位置設(shè)置，使得催化劑薄膜在垂直于旋轉(zhuǎn)軸60的方向上有厚度梯度；而在平行于旋轉(zhuǎn)軸60的方向上無(wú)厚度變化。催化劑可選用鐵、鈷、鎳或其合金；本實(shí)施例中選用鐵催化劑。
對(duì)于本實(shí)施例中的催化劑薄膜30的厚度近似滿足公式T(λ)=T0/2×(1+λ/λ2+h2)---(1)]]>式中，λ為催化劑薄膜30某一位置到遮擋層40的距離(如圖1所示)；T0為若無(wú)遮擋層時(shí)，旋轉(zhuǎn)基底形成的催化劑薄膜的λ處厚度，h為遮擋層40的高度。從公式(1)可得出，催化劑薄膜30具有明顯的厚度梯度范圍約為遮擋層40厚度的2倍，即λ在0～2h范圍內(nèi)，催化劑薄膜30具有明顯的厚度梯度。因此在本實(shí)施例中，為獲取具有明顯的厚度梯度的催化劑薄膜，應(yīng)使遮擋層40的垂直遮擋邊形成的陰影范圍覆蓋需要生長(zhǎng)碳納米管陣列的區(qū)域。例如，取遮擋層40的厚度為0.1μm～10mm，則該陰影范圍相應(yīng)的約為0.2μm～20mm。該陰影范圍的確定為假定點(diǎn)蒸發(fā)源20為一光源，從點(diǎn)蒸發(fā)源20發(fā)出的光線，由于受到遮擋層40的遮擋而在基底10上投下陰影，該陰影被遮擋較重的部分定義為所述的陰影范圍。
(4)參見(jiàn)圖2，沉積催化劑薄膜30后去除遮擋層40，確定催化劑薄膜30的最佳厚度線32，以利于最終碳納米管陣列的生長(zhǎng)方向的控制。催化劑薄膜30的厚度由一端向另一端逐漸減薄，其中兩端之間某一位置的厚度最適合預(yù)定CVD條件下碳納米管的生長(zhǎng)，生長(zhǎng)速率(或生長(zhǎng)長(zhǎng)度)最高；此位置的厚度即為最佳厚度。該最佳厚度可由這樣的實(shí)驗(yàn)確定配合一遮擋層在一基底上沉積催化劑，形成厚度從薄到厚逐漸變化的催化劑薄膜，要求該厚度變化的范圍足夠大，確保在該催化劑薄膜上能得到一最佳厚度；在預(yù)定CVD條件下生長(zhǎng)碳納米管陣列；用顯微鏡觀測(cè)得碳納米管生長(zhǎng)最高的位置；該位置的催化劑薄膜厚度即為該預(yù)定CVD條件下的最佳厚度。催化劑薄膜上具有最佳厚度的位置連成一線形，即最佳厚度線。本實(shí)施例中，上述旋轉(zhuǎn)基底10而形成的催化劑薄膜30具有一厚度最接近該最佳厚度的位置。例如本實(shí)施例中以沉積在硅基底上的鐵作催化劑，在700攝氏度下用乙烯生長(zhǎng)碳納米管，催化劑薄膜30的最佳厚度約為5納米，厚度約為5納米的位置連成一直線32。催化劑薄膜上最佳厚度位置處碳納米管生長(zhǎng)速率(或生長(zhǎng)高度)最高，在此厚度基礎(chǔ)上逐漸減薄或增厚，碳納米管生長(zhǎng)速率都會(huì)逐漸降低。在實(shí)際操作過(guò)程中，考慮到最佳厚度有一定范圍，因此本實(shí)施例中的催化劑薄膜30厚度分布可進(jìn)一步優(yōu)選為3nm～15nm。
參見(jiàn)圖3，在催化劑薄膜30上形成一催化劑圖形。本實(shí)施例采用光刻法形成催化劑圖形在催化劑薄膜30上形成一層光刻膠，然后采用具預(yù)定圖案的掩模進(jìn)行曝光，顯影后用酸洗掉未被保護(hù)的催化劑膜，并去除催化劑上的光刻膠，形成與掩模圖案相應(yīng)的、具有厚度梯度的多個(gè)催化劑區(qū)塊34及36。催化劑區(qū)塊34及36的尺寸大小優(yōu)選為100nm～100μm。若沉積催化劑薄膜30時(shí)，采用適當(dāng)厚度的鏤空模板作為遮擋層40，則可將此采用光刻法形成催化劑圖形的步驟提前到沉積催化劑薄膜30之前完成；進(jìn)而在該步驟中可只通過(guò)剝離工藝即可獲取厚度符合要求的催化劑圖形。另外，可根據(jù)最終所需生長(zhǎng)碳納米管陣列方向，將該催化劑圖形選擇在最佳厚度線32的相應(yīng)的某一側(cè)。
(5)參見(jiàn)圖4，將多個(gè)催化劑區(qū)塊34及36進(jìn)行處理，使其形成多個(gè)相應(yīng)的催化劑顆粒陣列34’及36’。本實(shí)施例中，將多個(gè)催化劑區(qū)塊34及36連同基底10一起在空氣中，300℃下退火，以使多個(gè)催化劑區(qū)塊34及36氧化、收縮成為納米級(jí)的表面被氧化的催化劑顆粒陣列34’及36’。催化劑區(qū)塊34的厚度均大于最佳厚度，由其形成的催化劑顆粒陣列34’中催化劑顆粒直徑較大，且直徑隨其與最佳厚度線32距離的增大而逐漸增大；催化劑區(qū)塊36的厚度均小于最佳厚度，由其形成的催化劑顆粒陣列36’中催化劑顆粒直徑較小，且直徑隨其與最佳厚度線32距離的增大而逐漸減小。
(6)參見(jiàn)圖5及圖6，將具有多個(gè)催化劑顆粒陣列34’及36’的基底10置于反應(yīng)爐(圖中未示出)中，通入碳源氣乙烯，利用CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列。在生長(zhǎng)過(guò)程中碳源氣分解出氫氣將表面被氧化的催化劑顆粒陣列34’、36’還原成催化劑顆粒陣列34”及36”，然后在催化劑顆粒陣列34”及36”上生長(zhǎng)碳納米管陣列54及56。碳源氣也可以選用其他含碳的氣體，如甲烷、乙炔等。但由于不同CVD條件下，催化劑薄膜的最佳厚度不同，因此應(yīng)當(dāng)確保生長(zhǎng)碳納米管陣列的CVD條件與上述確定最佳厚度線的條件相同?？刂粕L(zhǎng)時(shí)間則可以控制碳納米管陣列54及56的生長(zhǎng)長(zhǎng)度。
由于催化劑薄膜上最佳厚度位置處碳納米管的生長(zhǎng)速率最快，在此厚度基礎(chǔ)上逐漸減薄或增厚，碳納米管生長(zhǎng)速率都會(huì)逐漸降低。因此，催化劑顆粒陣列34”上生長(zhǎng)出來(lái)的碳納米管陣列54從催化劑顆粒直徑較小的一側(cè)向較大的一側(cè)彎曲，而從催化劑顆粒陣列36”上生長(zhǎng)出來(lái)的碳納米管陣列56從催化劑顆粒直徑較大的一側(cè)向較小的一側(cè)彎曲，即催化劑顆粒陣列34”及36”上的碳納米管陣列均從靠近最佳厚度位置處向背離最佳厚度的方向彎曲。
當(dāng)然，可以理解的是，也可以省略形成催化劑圖形的步驟，直接將催化劑薄膜30處理成表面氧化的催化劑顆粒陣列，然后將該表面氧化的催化劑顆粒陣列置于一CVD反應(yīng)爐中，通入碳源氣；該表面氧化催化劑顆粒陣列被碳源氣分解出氫氣還原，進(jìn)而在該催化劑顆粒陣列上生長(zhǎng)碳納米管陣列。如果催化劑薄膜較薄的一端的厚度最接近最佳厚度，則生長(zhǎng)的碳納米管陣列將從該較薄的一端向逐漸增厚的一端彎曲；如果催化劑薄膜較厚的一端的厚度接近最佳厚度，則碳納米管陣列將從較厚的一端向逐漸減薄的一端彎曲；如果催化劑薄膜兩端之間某一位置的厚度為最佳厚度，則碳納米管陣列將從此位置處分裂，分別向兩端彎曲，向背離最佳厚度處的方向彎曲。
另一實(shí)施例中，可采用直線型蒸發(fā)源替代第一實(shí)施例中的點(diǎn)蒸發(fā)源。優(yōu)選的，該直線型蒸發(fā)源位置設(shè)置為與旋轉(zhuǎn)軸平行。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，如適當(dāng)變更旋轉(zhuǎn)軸的設(shè)置位置，或變更催化劑顆粒陣列的形成方法，或變更蒸發(fā)源的形狀，如圓盤形蒸發(fā)源等，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管陣列制作方法，其包括以下步驟提供一形成有一遮擋層的基底；提供一催化劑蒸發(fā)源；沿一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)該基底，在上述基底上形成具有厚度梯度的催化劑薄膜；去除上述遮擋層，在上述催化劑薄膜上定義出至少一催化劑區(qū)塊，該催化劑區(qū)塊的厚度由其一第一端部向一第二端部逐漸減薄，且在該第一端部至第二端部的范圍內(nèi)有一厚度最接近一最佳厚度；將上述催化劑區(qū)塊處理成一催化劑顆粒陣列；通入碳源氣，利用化學(xué)氣相沉積法在上述催化劑顆粒陣列上生長(zhǎng)出碳納米管陣列，該碳納米管陣列向背離上述最佳厚度方向彎曲。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)軸平行于該基底的其上形成有該催化劑薄膜的平面。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述遮擋層的材質(zhì)可選用厚膜光刻膠，附著在一犧牲層上的金屬及其氧化物或氮化物，或鏤空模板。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述催化劑蒸發(fā)源包括熱蒸發(fā)源及電子束蒸發(fā)源。
5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述催化劑蒸發(fā)源包括點(diǎn)蒸發(fā)源及直線型蒸發(fā)源。
6.如權(quán)利要求5所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述直線型蒸發(fā)源位置設(shè)置為與該旋轉(zhuǎn)軸平行。
7.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述基底是以一勻角速度繞該旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，且旋轉(zhuǎn)周期小于該催化劑薄膜的形成時(shí)間。
8.如權(quán)利要求7所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述催化劑薄膜的厚度近似滿足公式T(λ)=T0/2x(1+λ/λ2+h2)]]>式中，λ為催化劑薄膜某一位置到該遮擋層的距離，T0為若無(wú)遮擋層時(shí)，旋轉(zhuǎn)基底形成的催化劑薄膜的λ處厚度，h為該遮擋層的高度。
9.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述催化劑薄膜的材質(zhì)包括鐵、鈷、鎳、及其合金。
10.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于，所述催化劑區(qū)塊的尺寸大小為100nm～100μm。
11.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述催化劑區(qū)塊的第一端部的厚度范圍為5～20nm，第二端部的厚度范圍為1～10nm。
12.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于所述催化劑區(qū)塊的處理方法包括將上述催化劑區(qū)塊在空氣中進(jìn)行退火。
13.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列制作方法，其特征在于該最佳厚度的確定方法包括以下步驟配合一遮擋層在一基底上沉積催化劑，形成一厚度從薄到厚逐漸變化的催化劑薄膜；在預(yù)定的化學(xué)氣相沉積條件下生長(zhǎng)碳納米管陣列；用顯微鏡觀測(cè)得碳納米管生長(zhǎng)最高的位置；該位置的催化劑薄膜厚度即為該預(yù)定條件下的最佳厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種碳納米管陣列制作方法，其包括以下步驟提供一形成有遮擋層的基底；提供一催化劑蒸發(fā)源；沿一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)基底，在基底上形成具有厚度梯度的催化劑薄膜；去除遮擋層，在催化劑薄膜上定義出至少一催化劑區(qū)塊，該催化劑區(qū)塊的厚度由其一第一端部向一第二端部逐漸減薄，且在該第一端部至第二端部的范圍內(nèi)有一厚度最接近一最佳厚度；將催化劑區(qū)塊處理成催化劑顆粒陣列；通入碳源氣，利用CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列，該碳納米管陣列向背離最佳厚度方向彎曲。本發(fā)明通過(guò)對(duì)催化劑薄膜沉積的控制，可實(shí)現(xiàn)碳納米管陣列局部的多個(gè)方向生長(zhǎng)。
文檔編號(hào)C01B31/02GK1895997SQ20051003598
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2005年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月13日
發(fā)明者劉亮, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司