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新型真空鍍膜裝置的制造方法

文檔序號:10791586閱讀:223來源:國知局
新型真空鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種新型真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜倉,真空鍍膜倉內(nèi)具有干鍋放置架,真空鍍膜倉內(nèi)的底面上具有水平方向延伸的滑槽,滑槽的底部鋪設(shè)導(dǎo)電金屬片;真空鍍膜倉底部緊靠滑槽一側(cè)處均布多個齒槽,齒槽沿滑槽的延伸方向間隔排部,干鍋放置架的底部具有電刷體,電刷體限位于滑槽中,且與導(dǎo)電金屬片接觸,導(dǎo)電金屬片與外部電源電連接,干鍋放置架上具有加熱電阻,加熱電阻與電刷體之間電連接,干鍋放置架的側(cè)面具有輪體,輪體中心具有轉(zhuǎn)軸,轉(zhuǎn)軸與電機連接,輪體的外沿具有與齒槽嚙合的齒。本實用新型的有益效果是能同時對兩個以上的基片進行鍍膜,離子蒸汽流在鍍膜腔中的分布更加均勻,鍍膜效果好。
【專利說明】
新型真空鍍膜裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及一種新型真空鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的技術(shù)中真空鍍膜腔的底部設(shè)置一個點位的靶材,對其加熱后產(chǎn)生離子或原子蒸汽流,由于靠近靶材的位置蒸汽流中的離子密度較大,遠離靶材的位置蒸汽流中離子的密度較小,因此在整個鍍膜腔中造成離子分布不均勻,極大的影響了對應(yīng)基片的鍍膜均勻度,因此針對于大片的基片而言,為了保證鍍膜的均勻,一次只能對一個基片進行鍍膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型要解決的問題是提供一種新型真空鍍膜裝置,克服了現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
[0004]為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用的技術(shù)方案是:新型真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜倉,所述真空鍍膜倉內(nèi)具有干鍋放置架,所述真空鍍膜倉內(nèi)的底面上具有水平方向延伸的滑槽,所述滑槽的底部鋪設(shè)導(dǎo)電金屬片;所述真空鍍膜倉底部緊靠所述滑槽一側(cè)處均布多個齒槽,所述齒槽沿所述滑槽的延伸方向間隔排部,所述干鍋放置架的底部具有電刷體,所述電刷體限位于所述滑槽中,且與所述導(dǎo)電金屬片接觸,所述導(dǎo)電金屬片與外部電源電連接,所述干鍋放置架上具有加熱電阻,所述加熱電阻與所述電刷體之間電連接,所述干鍋放置架的側(cè)面具有輪體,所述輪體中心具有轉(zhuǎn)軸,所述轉(zhuǎn)軸與電機連接,所述輪體的外沿具有與所述齒槽嚙合的齒。
[0005]進一步,所述真空鍍膜倉底部具有抽氣口,所述抽氣口位于遠離所述滑槽的位置。
[0006]本實用新型具有的優(yōu)點和積極效果是:由于采用上述技術(shù)方案,能同時對兩個以上的基片進行鍍膜,離子蒸汽流在鍍膜腔中的的分布更加均勻,鍍膜效果好。
【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的真空鍍膜倉內(nèi)部示意圖;
[0008]圖中:1-真空鍍膜倉;2-滑槽;3-齒槽;4-干鍋放置架;5-輪體;6_轉(zhuǎn)軸。
【具體實施方式】
[0009]如圖1所示,本實用新型提供一種新型真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜倉I,真空鍍膜倉I內(nèi)具有干鍋放置架4,真空鍍膜倉I內(nèi)的底面上具有水平方向延伸的滑槽2,滑槽2的底部鋪設(shè)導(dǎo)電金屬片(圖中未示);真空鍍膜倉I底部緊靠滑槽2—側(cè)處均布多個齒槽3,齒槽3沿滑槽2的延伸方向間隔排部,干鍋放置架4的底部具有電刷體(圖中未示),電刷體限位于滑槽2中,且與導(dǎo)電金屬片接觸,導(dǎo)電金屬片與外部電源電連接,干鍋放置架4上具有加熱電阻(圖中未示),加熱電阻與電刷體之間電連接,干鍋放置架4的側(cè)面具有輪體5,輪體5中心具有轉(zhuǎn)軸6,轉(zhuǎn)軸6與電機連接,輪體5的外沿具有與齒槽3嚙合的齒。
[0010]使用時,干鍋固定于干鍋放置架4上,電機帶動輪體5轉(zhuǎn)動,由于輪體5與齒槽3嚙合,干鍋放置架4在輪體5的帶動下沿滑槽2方向往返運動,導(dǎo)電金屬片與外部電源通電后使加熱電阻對干鍋內(nèi)的靶材加熱,由于靶材在干鍋放置架4上在真空鍍膜倉I內(nèi)往復(fù)移動,因此蒸發(fā)出的離子流將更加均勻的分布于倉室中,當倉室中放置一塊基片時,其鍍膜時間可大大縮短,當倉室中放置多塊基片時也可保證對每塊基片的均勻鍍膜。
[0011]真空鍍膜倉I底部具有抽氣口,抽氣口位于遠離滑槽2的位置。
[0012]以上對本實用新型的實施例進行了詳細說明,但所述內(nèi)容僅為本實用新型的較佳實施例,不能被認為用于限定本實用新型的實施范圍。凡依本實用新型申請范圍所作的均等變化與改進等,均應(yīng)仍歸屬于本實用新型的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.新型真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜倉,所述真空鍍膜倉內(nèi)具有干鍋放置架,其特征在于:所述真空鍍膜倉內(nèi)的底面上具有水平方向延伸的滑槽,所述滑槽的底部鋪設(shè)導(dǎo)電金屬片;所述真空鍍膜倉底部緊靠所述滑槽一側(cè)處均布多個齒槽,所述齒槽沿所述滑槽的延伸方向間隔排部,所述干鍋放置架的底部具有電刷體,所述電刷體限位于所述滑槽中,且與所述導(dǎo)電金屬片接觸,所述導(dǎo)電金屬片與外部電源電連接,所述干鍋放置架上具有加熱電阻,所述加熱電阻與所述電刷體之間電連接,所述干鍋放置架的側(cè)面具有輪體,所述輪體中心具有轉(zhuǎn)軸,所述轉(zhuǎn)軸與電機連接,所述輪體的外沿具有與所述齒槽嚙合的齒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空鍍膜裝置,其特征在于:所述真空鍍膜倉底部具有抽氣口,所述抽氣口位于遠離所述滑槽的位置。
【文檔編號】C23C14/26GK205473957SQ201620076775
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年1月27日
【發(fā)明人】孫婧, 李衛(wèi)東, 同建輝
【申請人】天津眾偉科技有限公司
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