一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源的制作方法
【專利摘要】本實用新型屬于真空鍍膜技術(shù)，具體涉及一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源。一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源，包括熔池、陰極、屏蔽裝置和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于：所述陰極由陰極基底上表面沉積碳納米管陣列組成。所述碳納米管陣列垂直排列在陰極基底上表面。本實用新型有益效果：碳納米管具有開啟電壓低，電流輸出穩(wěn)定的特性，適合作為本適應(yīng)新型結(jié)構(gòu)的陰極使用。碳納米管冷陰極同時具有節(jié)能特點，且不易損壞。
【專利說明】
一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于真空鍍膜技術(shù)，具體涉及一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源。
【背景技術(shù)】
[0002]蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之氣化蒸發(fā)的裝置。目前，所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應(yīng)加熱、電弧加熱和激光加熱等形式。有很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發(fā)，在這種情況下，必須采用電子束加熱方式。電子槍所用電源大小更多的取決于蒸發(fā)材料的導(dǎo)熱性，而不是其蒸發(fā)溫度。電源功率一般在4-10KV之間，對于大多數(shù)絕緣材料，4KW是比較理想的功率條件。
[0003]電子槍的陰極電子發(fā)射材料一般是選用燈絲，燈絲的缺點是發(fā)熱溫度高，易熔斷，需要經(jīng)常更換，且電子束不穩(wěn)定。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型為了克服上述技術(shù)缺陷，提供一種新型陰極材料，有效地提高陰極的使用效率。
[0005]—種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源，包括熔池、陰極、屏蔽裝置和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于:所述陰極由陰極基底上表面沉積碳納米管陣列組成。
[0006]所述碳納米管陣列垂直排列在陰極基底上表面。
[0007]本實用新型有益效果:碳納米管具有開啟電壓低，電流輸出穩(wěn)定的特性，適合作為本適應(yīng)新型結(jié)構(gòu)的陰極使用。碳納米管冷陰極同時具有節(jié)能特點，且不易損壞。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)圖
[0009]圖2為陰極結(jié)構(gòu)圖
【具體實施方式】
[0010]如圖1所示，電子位于熔池I下面的陰極2發(fā)出，這種結(jié)構(gòu)避免了陰極被蒸發(fā)材料的污染。陰極2發(fā)出的電子經(jīng)過屏蔽裝置3的篩選，再經(jīng)過偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)4的電壓作用，轟擊熔池I內(nèi)的材料。該裝置的陰極2由陰極基底22垂直表面的碳納米管21陣列組成。該電子束在電磁線圈的磁場中可沿E X B的方向偏轉(zhuǎn)。
【主權(quán)項】
1.一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源，包括熔池(I)、陰極(2)、屏蔽裝置(3)和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)(4)，其特征在于:所述陰極(2)由陰極基底(22)上表面沉積碳納米管(21)陣列組成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種e型碳納米管電子槍蒸發(fā)源，其特征在于:碳納米管(21)陣列垂直排列在陰極基底(22)上表面。
【文檔編號】C23C14/30GK205473958SQ201620243399
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月21日
【發(fā)明人】喬憲武
【申請人】中國計量學(xué)院