本發(fā)明涉及實(shí)驗(yàn)器具領(lǐng)域，尤其是涉及一種防堵塞坩堝，該坩堝主要用于oled有機(jī)鍍膜工藝中蒸發(fā)oled有機(jī)材料。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在oled主要的成膜技術(shù)為真空熱蒸鍍，盛放在坩堝中的有機(jī)材料在高真空下被加熱，依材料特性不同，有些材料會(huì)先液化再氣化，有些則直接升華。蒸發(fā)出的oled材料在基片上形成薄膜，不同功能的多層薄膜疊加在一起，就形成了oled發(fā)光器件。蒸鍍工藝中，各層薄膜厚度的準(zhǔn)確性和均勻性直接決定了oled器件的性能，而且oled器件對膜厚細(xì)微變化都非常敏感，因此，oled顯示技術(shù)對真空鍍膜設(shè)備的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性提出了極高的要求。

帶有小孔的圓柱形坩堝是點(diǎn)蒸發(fā)源中最常用的坩堝，具有結(jié)構(gòu)簡單，穩(wěn)定性，均勻性好的特點(diǎn)。但是，在oled材料的蒸鍍過程中，偶爾會(huì)出現(xiàn)蒸發(fā)的材料在坩堝出口處集聚的現(xiàn)象，影響蒸鍍速率和膜厚控制的精度，發(fā)生堵塞后，還需要開腔室處理，嚴(yán)重影響設(shè)備的產(chǎn)能。

蒸發(fā)材料在出口集聚的原因如下：oled材料受熱蒸發(fā)后，經(jīng)由坩堝口到達(dá)外部，但是由于坩堝口遠(yuǎn)離坩堝四周的加熱絲，溫度可能會(huì)低于oled材料的蒸發(fā)溫度，途徑此處的oled材料就會(huì)重新凝結(jié)在溫度較低的出口處，并逐漸集聚甚至完全堵塞出口。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，提供一種可有效地解決蒸鍍工藝過程中的堵塞問題/提高工藝穩(wěn)定性和設(shè)備產(chǎn)能的防堵塞坩堝。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種防堵塞坩堝，包括坩堝本體和坩堝蓋，還包括設(shè)在坩堝蓋上并圍繞坩堝出口設(shè)置的加熱機(jī)構(gòu)。

優(yōu)選地，該防堵塞坩堝還包括與加熱機(jī)構(gòu)電連接的溫控模塊，以控制加熱機(jī)構(gòu)的加熱溫度。

優(yōu)選地，溫控模塊的溫控范圍為100℃至500℃。

優(yōu)選地，加熱機(jī)構(gòu)呈環(huán)形。

優(yōu)選地，加熱機(jī)構(gòu)的外徑小于或等于坩堝蓋的直徑。

優(yōu)選地，加熱機(jī)構(gòu)的內(nèi)徑比坩堝出口略大。

優(yōu)選地，加熱機(jī)構(gòu)包括環(huán)形的圍繞坩堝出口設(shè)置的加熱片以及集成在加熱片上的熱電偶模塊。

實(shí)施本發(fā)明的技術(shù)方案，至少具有以下的有益效果：防堵塞坩堝，通過加熱機(jī)構(gòu)對坩堝蓋加熱，可控制出口處的溫度，使其高于oled材料的蒸發(fā)溫度，有效防止材料在此處凝結(jié)。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1、2分別是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中的防堵塞坩堝的剖視圖、俯視圖。

其中，0.坩堝本體，1.坩堝出口，2.加熱機(jī)構(gòu)，3.坩堝蓋，4.oled材料。

具體實(shí)施方式

為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。在本發(fā)明的防堵塞坩堝的描述中，需要理解的是，“前”、“后”、“上”、“下”、“正面”、“背面”等術(shù)語僅是為了便于描述本發(fā)明的技術(shù)方案，而不是指示所指的裝置或元件必須具有特定的方位，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

如圖1-2所示，本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中的防堵塞坩堝，包括坩堝本體0和坩堝蓋3，還包括設(shè)在坩堝蓋3上并圍繞坩堝出口1設(shè)置的加熱機(jī)構(gòu)2。工藝過程中加熱機(jī)構(gòu)2對坩堝出口1處單獨(dú)加熱提高其溫度，防止oled材料4在出口凝結(jié)，導(dǎo)致堵塞。該技術(shù)方案結(jié)構(gòu)簡單，容易加工，無需坩堝外部尺寸，完全兼容原有的加熱源和蒸鍍工藝，而且防堵塞效果顯著。

優(yōu)選地，加熱機(jī)構(gòu)2呈環(huán)形，以便于適應(yīng)坩堝的結(jié)構(gòu)。

加熱機(jī)構(gòu)2的內(nèi)徑比坩堝出口1略大，外徑略小于或等于坩堝蓋3的直徑。

加熱機(jī)構(gòu)2包括環(huán)形的圍繞坩堝出口1設(shè)置的加熱片以及集成在加熱片上的熱電偶模塊，可以測量溫度。

該防堵塞還包括與加熱機(jī)構(gòu)2電連接的溫控模塊，以實(shí)時(shí)控制加熱機(jī)構(gòu)2的加熱溫度。

優(yōu)選地，溫控模塊的溫控范圍為100℃至500℃，基本可以覆蓋常規(guī)oled有機(jī)材料的蒸發(fā)溫度。

綜上所述，本技術(shù)方案的防堵塞坩堝，通過加熱機(jī)構(gòu)2對坩堝蓋3加熱，可控制出口處的溫度，使其高于oled材料4的蒸發(fā)溫度，有效防止材料在此處凝結(jié)。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改、組合和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種防堵塞坩堝，包括坩堝本體和坩堝蓋，還包括設(shè)在坩堝蓋上并圍繞坩堝出口設(shè)置的加熱機(jī)構(gòu)。實(shí)施本發(fā)明的技術(shù)方案，通過加熱機(jī)構(gòu)對坩堝蓋加熱，可控制出口處的溫度，使其高于OLED材料的蒸發(fā)溫度，有效防止材料在此處凝結(jié)。

技術(shù)研發(fā)人員：茆勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：茆勝
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.10.10