本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種弧源，特別涉及一種用于離子鍍膜的弧源。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有技術(shù)中，離子鍍膜的弧源中，由于引弧的方式的問題，尤其是在多個弧源并排和并列使用的時候，引弧針的安裝方式導(dǎo)致引弧針、油封、膠圈的使用壽命問題，引弧針接觸靶面的污染問題，引弧的方式也導(dǎo)致離子鍍膜的弧源體積較大，不能被安裝在狹長的離子鍍膜機(jī)上，導(dǎo)致離子鍍膜機(jī)的體積較大，耗能增加等一系列的問題，改變弧源的引弧的方式變得非常重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實(shí)施方式的目的在于提供一種改變引弧的方式包括引弧針的安裝方式的用于離子鍍膜的弧源。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施方式設(shè)計(jì)了一種用于離子鍍膜的弧源，包括：

3、安裝組件；

4、靶材組件，在所述的安裝組件內(nèi)固定所述的靶材組件；

5、絕緣法蘭，在所述靶材組件的下方固定所述的絕緣法蘭；

6、水冷組件，在所述的絕緣法蘭下方用絕緣緊固組件，將所述水冷組件固定在所述安裝組件上；

7、磁場組件，在所述水冷組件的下方通過在所述水冷組件上的螺紋連接結(jié)構(gòu)，將所述磁場組件與所述水冷組件固定連接；

8、引弧裝置，在所述的安裝組件的一側(cè)固定連接所述引弧裝置；所述引弧裝置通過翻轉(zhuǎn)引弧針，進(jìn)行引弧。

9、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的安裝組件，還包括：

10、安裝法蘭，在所述安裝組件的下部設(shè)置所述安裝法蘭；

11、陽極座，在所述安裝法蘭內(nèi)嵌入所述陽極座；

12、絕緣螺栓，在所述陽極座的兩側(cè)螺栓連接所述絕緣螺栓；

13、陽極，在所述的陽極座內(nèi)，用所述絕緣螺栓懸空固定所述陽極；

14、屏蔽罩，在所述陽極座和所述絕緣螺栓的外側(cè)套入所述屏蔽罩。

15、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述靶材組件，還包括：

16、靶材，在所述安裝組件的陽極內(nèi)側(cè)的下方卡入所述的靶材；

17、封水板，在所述的靶材的下方放置所述的封水板；在所述的封水板的兩側(cè)穿入固定螺栓將所述封水板固定在所述的水冷組件的上方；

18、壓靶法蘭，在所述的靶材的外側(cè)通過直角扣上所述壓靶法蘭；

19、陶瓷環(huán)，在所述壓靶法蘭的上方，在所述靶材的外側(cè)卡上所述陶瓷環(huán)。

20、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的陽極呈圓形，沿著所述陽極的內(nèi)側(cè)邊緣設(shè)置一斜邊；在所述陽極的四周以°分割線各開設(shè)一個螺紋孔。

21、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的絕緣緊固組件，還包括：

22、絕緣套，在所述的安裝組件的安裝法蘭，所述絕緣法蘭和所述水冷組件的水冷法蘭的圓周上的同一半徑上開設(shè)通孔；在所述的通孔內(nèi)放置絕緣套；

23、緊固螺栓，在所述的絕緣套內(nèi)擰入所述的緊固螺栓；將所述的安裝法蘭，所述絕緣法蘭和水冷法蘭固定在一起。

24、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的水冷組件，還包括：

25、在所述的水冷組件的內(nèi)部設(shè)置所述的水冷法蘭；

26、扇形法蘭，在所述水冷法蘭的內(nèi)部的凹槽內(nèi)放置所述的扇形法蘭；

27、出水管，在所述的水冷法蘭中心軸線上固定連接所述出水管的一端；

28、進(jìn)水管，在所述的出水管內(nèi)，在所述的水冷法蘭中心軸線上固定連接所述進(jìn)水管的一端；

29、進(jìn)水接頭，在所述的進(jìn)水管的另一端螺紋連接所述進(jìn)水接頭；

30、出水接頭，在所述的出水管的側(cè)面螺紋連接所述出水接頭。

31、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的磁場組件，還包括：

32、磁鐵固定座，在所述水冷組件的水冷法蘭的下方固定所述的磁鐵固定座；

33、永磁鐵，在所述磁鐵固定座上設(shè)置若干塊所述的永磁鐵；

34、線圈，在若干塊所述永磁鐵中纏繞所述的線圈；

35、圓螺母，在所述磁鐵固定座的凹槽中開設(shè)所述的圓螺母；所述圓螺母與設(shè)置在出水接頭上的外螺紋螺紋連接。

36、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的引弧裝置，還包括：

37、引弧絕緣件，在所述的安裝組件的安裝法蘭的下方，固定所述的引弧絕緣件，所述的引弧絕緣件上的圓筒，穿入所述的安裝法蘭；

38、連桿，在所述的引弧絕緣件的中心孔中穿入所述的連桿；

39、夾持件，在所述的引弧絕緣件的上部固定所述的夾持件的下部；

40、聯(lián)動件結(jié)構(gòu)，在所述夾持件和連桿的一端上活動連接所述的聯(lián)動件結(jié)構(gòu)；在所述的聯(lián)動件結(jié)構(gòu)上固定引弧針；

41、波紋管固定件，在所述引弧絕緣件的下方，所述連桿的一端與所述波紋管固定件的一端固定連接；

42、立柱，在所述的波紋管固定件的兩端固定所述立柱的一端；

43、氣缸安裝板，,所述立柱的另一端固定在所述的氣缸安裝板的一側(cè)；

44、氣缸，在所述氣缸安裝板的另一側(cè)固定所述氣缸的缸體；

45、金屬焊接波紋管，在所述的氣缸的活塞桿與所述的連桿的另一端通過所述的金屬焊接波紋管，進(jìn)行連接。

46、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述的聯(lián)動件結(jié)構(gòu)的一側(cè)上開設(shè)活動槽；所述的連桿上固定的滾軸嵌入所述的活動槽內(nèi)；所述聯(lián)動件結(jié)構(gòu)的一側(cè)以大于90°的方向翻折，將所述聯(lián)動件結(jié)構(gòu)的中間通過銷軸與所述的夾持件上方的開口活動連接。

47、進(jìn)一步，在本發(fā)明中所述的用于離子鍍膜的弧源，所述引弧針的頂部離開靶材的表面1.5mm。

48、本發(fā)明的實(shí)施方式同現(xiàn)有技術(shù)相比，采用了在安裝組件內(nèi)固定靶材組件；在靶材組件的下方固定絕緣法蘭；在絕緣法蘭下方用絕緣緊固組件，將水冷組件固定在安裝組件上；在水冷組件的下方通過在水冷組件上的螺紋連接結(jié)構(gòu)，將磁場組件與水冷組件固定連接；在安裝組件的一側(cè)固定連接引弧裝置；引弧裝置通過翻轉(zhuǎn)引弧針，進(jìn)行引??；在本發(fā)明中改變了安裝組件、水冷組件，磁場組件，引弧裝置等裝置的結(jié)構(gòu)，使得本發(fā)明中的弧源中的引弧針、油封、膠圈的使用壽命延長，避免了引弧針接觸靶面的污染問題，解決了引弧的方式也導(dǎo)致離子鍍膜的弧源體積較大的技術(shù)問題，使得本發(fā)明中的弧源能被安裝在狹長的離子鍍膜機(jī)上，減小了離子鍍膜機(jī)的體積，降低了耗能等一系列的問題。解決了現(xiàn)有技術(shù)中的由于引弧的方式導(dǎo)致的問題。

技術(shù)特征：

1.一種用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的安裝組件(1)，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述靶材組件(2)，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的陽極(11)呈圓形，沿著所述陽極(11)的內(nèi)側(cè)邊緣設(shè)置一斜邊；在所述陽極(11)的四周以90°分割線各開設(shè)一個螺紋孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的絕緣緊固組件(4)，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的水冷組件(5)，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的磁場組件(6)，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的引弧裝置(7)，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述的聯(lián)動件結(jié)構(gòu)(71)的一側(cè)上開設(shè)活動槽(711)；所述的連桿(72)上固定的滾軸(721)嵌入所述的活動槽(711)內(nèi)；所述聯(lián)動件結(jié)構(gòu)(71)的一側(cè)以大于90°的方向翻折，將所述聯(lián)動件結(jié)構(gòu)(71)的中間通過銷軸(712)與所述的夾持件(73)上方的開口(731)活動連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于離子鍍膜的弧源，其特征在于，所述引弧針(70)的頂部離開靶材(21)的表面1.5mm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于離子鍍膜的弧源，采用了在安裝組件內(nèi)固定靶材組件；在靶材組件的下方固定絕緣法蘭；在絕緣法蘭下方用絕緣緊固組件，將水冷組件固定在安裝組件上；在水冷組件的下方通過在水冷組件上的螺紋連接結(jié)構(gòu)，將磁場組件與水冷組件固定連接；在安裝組件的一側(cè)固定連接引弧裝置；引弧裝置通過翻轉(zhuǎn)引弧針，進(jìn)行引弧；在本發(fā)明中改變了安裝組件、水冷組件，磁場組件，引弧裝置等裝置的結(jié)構(gòu)，避免了引弧針接觸靶面的污染問題，解決了引弧的方式也導(dǎo)致離子鍍膜的弧源體積較大的技術(shù)問題，減小了離子鍍膜機(jī)的體積，降低了耗能等一系列的問題。解決了現(xiàn)有技術(shù)中的由于引弧的方式導(dǎo)致的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳寰,張瑞謙,楊元才,伍曉勇,褚家寶,孫金偉,李紫祎,王曉敏,徐祺,杜沛南
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國核動力研究設(shè)計(jì)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9