本技術(shù)涉及鍍膜，具體而言，涉及一種鍍膜裝配裝置。

背景技術(shù)：

1、在物料的鍍膜過程中，靶材通過物理手段或化學(xué)手段釋放出離子，物料通電后將離子吸附，離子在物料表面沉積形成薄膜。靶材通常朝向物料的鍍膜面進(jìn)行設(shè)置，物料通電后產(chǎn)生電場(chǎng)及磁場(chǎng)，而電場(chǎng)和磁場(chǎng)在物料兩端的邊緣結(jié)構(gòu)處發(fā)生變化，使得物料兩端的邊緣結(jié)構(gòu)處沉積的離子較多，造成物料鍍膜的均勻性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種鍍膜裝配裝置，以提升物料鍍膜的均勻性。

2、本技術(shù)的一實(shí)施例提供了一種鍍膜裝配裝置。鍍膜裝配裝置包括固定組件和離子吸收組件。固定組件被配置為能夠固定物料。離子吸收組件包括第一吸收件和第二吸收件。第一吸收件和第二吸收件分別與固定組件連接。且第一吸收件和第二吸收件分別與物料的兩端間隔設(shè)置。第一吸收件和第二吸收件被配置為能夠接入電壓以吸取部分在鍍膜時(shí)將沉積于物料兩端的離子。

3、上述實(shí)施例中，固定組件固定物料，以便于物料接收靶材釋放的離子，從而進(jìn)行鍍膜。離子吸收組件通過接入電壓，從而也能夠接收靶材釋放的離子。并且通過將離子吸收組件的第一吸收件和第二吸收件分別與物料的兩端間隔設(shè)置，使得第一吸收件能夠靠近物料的一端，第二吸收件能夠靠近物料的另一端，并在通電后改變物料兩端附近的電場(chǎng)和磁場(chǎng)分布，在鍍膜時(shí)可將會(huì)富集于物料兩端附近部分離子掠奪吸取，避免全都沉積于物料的兩端，有利于降低物料兩端的膜層過厚的可能，從而提升物料鍍膜的均勻性。

4、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，定義第一方向平行于第一吸收件和第二吸收件的分布方向。固定組件包括固定座、第一連接件和第二連接件。第一連接件與固定座連接。第一連接件被配置為連接物料。第二連接件與固定座連接。第二連接件與第一連接件在垂直于第一方向上間隔分布。第一吸收件和第二吸收件分別與第二連接件連接。

5、上述實(shí)施例中，通過第一連接件和第二連接件分別固定物料和離子吸收組件，使對(duì)物料的在裝配和對(duì)離子吸收組件的裝配相互獨(dú)立，有利于提升更換、調(diào)整物料或離子吸收組件的速度，從而提升鍍膜效率。通常靶材與物料的分布方向垂直于第一方向，而第二連接件與第一連接件的分布方向垂直于第一方向，以便于使第一連接件在垂直于第一方向上處于第二連接件與靶材之間，以使物料在垂直于第一方向上處于離子吸收組件與靶材之間，從而在離子從靶材向物料移動(dòng)時(shí)，降低離子吸收組件提前搶奪未到達(dá)物料的沉積位置的離子，有利于提升鍍膜的均勻性。

6、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，第一連接件設(shè)有多個(gè)。多個(gè)第一連接件沿環(huán)形分布。第二連接件設(shè)有多個(gè)。多個(gè)第二連接件沿環(huán)形分布。多個(gè)第一連接件和多個(gè)第二連接件分布的環(huán)形的軸線延伸方向均平行于第一方向。第一吸收件為環(huán)形，并環(huán)設(shè)于多個(gè)第二連接件朝向多個(gè)第一連接件的一側(cè)。第二吸收件為環(huán)形，并環(huán)設(shè)于多個(gè)第二連接件朝向多個(gè)第一連接件的一側(cè)。

7、上述實(shí)施例中，將多個(gè)第一連接件環(huán)形分布、第一吸收件設(shè)置為環(huán)形以及第二吸收件設(shè)置為環(huán)形，一方面提升鍍膜裝配裝置物料設(shè)置的數(shù)量，以提升鍍膜的效率；另一方面，使得任意一個(gè)第一連接件上的物料均能通過與其相鄰的兩個(gè)第一連接件及物料平衡電場(chǎng)和磁場(chǎng)，從而降低離子在垂直于第一方向上富集與物料相對(duì)兩側(cè)的可能，有利于提升物料鍍膜的均勻性。

8、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，第一連接件包括第一連桿、第一固定部和第二固定部。第一連桿與固定座連接。第一固定部和第二固定部分別與第一連桿連接。第一固定部和第二固定部沿第一方向間隔分布。沿第一方向，第一固定部和第二固定部之間形成用于固定物料的固定區(qū)域。

9、上述實(shí)施例中，第一固定部和第二固定部通過第一連桿與固定座固定，第一固定部和第二固定部沿第一方向設(shè)于物料的兩端，從而將物料固定至固定區(qū)域內(nèi)，提升物料固定的穩(wěn)定性，有利于提升物料鍍膜的均勻性。

10、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，在第一方向上，第一吸收件朝向第二吸收件的一側(cè)與固定區(qū)域的一側(cè)齊平，第二吸收件朝向第一吸收件的一側(cè)與固定區(qū)域的另一側(cè)齊平。

11、上述實(shí)施例中，一方面，在第一方向上，盡可能拉進(jìn)第一吸收件和第二吸收件沿第一方向與物料兩端的距離，從而提升離子吸收組件對(duì)物料兩端附近的離子的捕獲能力，有利于提升物料鍍膜的均勻性。另一方面，在離子從靶材移向固定區(qū)域的方向上，避免第一吸收件或第二吸收件有部分結(jié)構(gòu)被固定區(qū)域遮擋而無(wú)法正常吸收離子的可能，從而提升第一吸收件和第二吸收件的利用率。

12、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，定義第一吸收件在第一方向上的延伸長(zhǎng)度為l1。定義第二吸收件在第一方向上的延伸長(zhǎng)度為l2。定義固定區(qū)域在第一方向上的延伸長(zhǎng)度為l3。其中，0.1l3≤l1≤0.2l3，0.1l3≤l2≤0.2l3。

13、上述實(shí)施例中，通過限制在第一方向上第一吸收件和第二吸收件的結(jié)構(gòu)大小，從而限制第一吸收件和第二吸收件對(duì)物料的邊緣區(qū)域的離子的捕獲能力，既降低第一吸收件或第二吸收件捕獲能力過大而發(fā)生搶奪物料正常鍍膜的離子的可能，也降低第一吸收件或第二吸收件捕獲能力過小而發(fā)生無(wú)法吸收多余離子的可能，從而提升物料鍍膜的均勻性。

14、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，第一固定部和/或第二固定部活動(dòng)安裝于第一連桿，并能與第一連桿鎖緊，以調(diào)節(jié)固定區(qū)域在第一方向上的延伸長(zhǎng)度。第一吸收件和/或第二吸收件活動(dòng)安裝于第二連接件，并能與第二連接件鎖緊，以調(diào)節(jié)第一吸收件和第二吸收件在第一方向上的間隔距離。

15、上述實(shí)施例中，通過調(diào)節(jié)固定區(qū)域在第一方向上的延伸長(zhǎng)度，使得在第一方向上固定區(qū)域的延伸長(zhǎng)度能夠與不同物料相適配，從而使第一固定部與第二固定部能夠穩(wěn)定固定不同大小的物料。同時(shí)通過調(diào)節(jié)第一吸收件和第二吸收件在第一方向上的間距，從而使第一吸收件和第二吸收件能夠在第一方向上調(diào)節(jié)至不同大小的物料的兩端處。從而提升鍍膜裝配裝置對(duì)不同大小的物料的適配性。

16、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，第一連接件可相對(duì)固定座轉(zhuǎn)動(dòng)。第一連接件轉(zhuǎn)動(dòng)的軸線延伸方向平行于第一方向。

17、上述實(shí)施例中，第一連接件轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)所固定物料轉(zhuǎn)動(dòng)，使得物料沿第一方向的兩端之間的周面均有機(jī)會(huì)正面朝向靶材，以提升物料鍍膜的均勻性。并使得物料在第一方向上兩端的端面的各位置均能靠近或遠(yuǎn)離離子吸引組件，以提升鍍膜的均勻性。

18、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，第二連接件包括第二連桿、第三固定部和第四固定部。第三固定部連接第一吸收件和第二連桿。第四固定部連接第二吸收件和第二連桿。

19、上述實(shí)施例中，第一吸收件通過第三固定部固定至第二連桿，第二吸收件通過第四固定部固定至第二連桿，從而便于第一吸收件和第二吸收件相互獨(dú)立地裝配或拆卸，便于根據(jù)實(shí)際需要靈活調(diào)整第一吸收件和第二吸收件。

20、本技術(shù)的一些實(shí)施例中，固定座包括第一座體和第二座體。第一座體和第二座體在第一方向上間隔設(shè)置。第一座體和第二座體分別連接第一連接件。第一座體和第二座體分別連接第二連接件。

21、上述實(shí)施例中，第一座體同時(shí)連接第一連接件的一端和第二連接件的一端，第二座體同時(shí)連接第一連接件的另一端和第二連接件的另一端，提升第一連接件和第二連接件連接的穩(wěn)定性，從而提升對(duì)離子吸收組件和物料固定的穩(wěn)定性，有利于提升物料鍍膜的均勻性。