本發(fā)明涉及一種磨粒的評價方法、及硅晶圓的制造方法。

背景技術：

以往，已知有從硅單晶錠制造硅晶圓的方法（例如，參考專利文獻1）。

在專利文獻1所記載的方法中，通過將包含平均粒徑為13μm～15μm的研磨磨粒的漿料供給至金屬線（wire），同時向移動中的金屬線按壓硅錠而切割硅錠，制造硅晶圓。

以往技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平10-52816號公報。

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術課題

如專利文獻1所記載的方法中使用的研磨磨粒中，除了有助于切割的gc（綠色碳化硅）等研磨磨粒之外，還包含對切割不起作用的3μm以下的fc（游離碳）等雜質。若使用包含這種研磨磨粒的漿料切割晶錠，則雜質夾雜于研磨磨粒與晶錠之間，由此有可能導致線鋸的切割能力下降，從而硅晶圓的品質下降。關于這種現(xiàn)象，由于在晶錠的切割結束為止無法確認，因此希望開發(fā)在晶錠切割之前能夠適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓的方法。

本發(fā)明的目的在于提供一種在晶錠切割之前能夠適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓的磨粒的評價方法、及硅晶圓的制造方法。

用于解決技術課題的手段

本發(fā)明的磨粒的評價方法是用于晶錠切割用漿料的磨粒的評價方法，所述磨粒的評價方法中，進行如下工序：評價溶液制作工序，將包含研磨磨粒及雜質的磨粒溶于溶劑而制作評價溶液；沉淀工序，靜置裝有所述評價溶液的容器而使所述研磨磨粒沉淀；測量工序，使用測量設備測量所述評價溶液的上清液的濁度；以及推斷工序，根據所述上清液的濁度的測量結果推斷所述雜質的量。

例如，用于晶錠切割用漿料的磨粒中，除了作為研磨磨粒的gc之外，還有包含作為雜質的fc等的情況。在該情況下，由于研磨磨粒的比重高于雜質的比重且研磨磨粒的尺寸與雜質的尺寸之間沒有較大的差異，因此評價溶液中的研磨磨粒的沉淀速度變得比雜質的沉淀速度更快。

根據本發(fā)明，通過進行沉淀工序，沉淀研磨磨粒的同時不沉淀雜質而使其存在于上清液中，利用測量設備測量該上清液的濁度。因此，能夠防止將雜質當作研磨磨粒而測量，且能夠使根據上清液的濁度測量結果推斷出的雜質的量與實際磨粒中包含的雜質的量大致一致。因此，在使用與該磨粒同批次的磨粒來切割晶錠之前，能夠適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓。

在本發(fā)明的磨粒的評價方法中，所述溶劑優(yōu)選為水或純水或超純水。

根據本發(fā)明，通過將水或純水或超純水用作溶劑，例如與將漿料的制作中所使用的油用作溶劑的情況相比，能夠加速評價溶液中的研磨磨粒的沉淀速度。因此，能夠縮短磨粒的評價時間。

在本發(fā)明的磨粒的評價方法中，優(yōu)選在進行振蕩裝有所述評價溶液的容器的振蕩工序之后進行所述沉淀工序。

根據本發(fā)明，通過進行振蕩工序，能夠使附著于研磨磨粒的雜質從該研磨磨粒分離。因此，與不進行振蕩工序的情況相比，能夠減小根據上清液的濁度測量結果推斷出的雜質的量與實際磨粒中包含的雜質的量之差，而能夠更適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓。

在本發(fā)明的磨粒的評價方法中，優(yōu)選在進行稀釋所述上清液的稀釋工序之后進行所述測量工序。

在此，在不稀釋上清液的情況下，若雜質的量較多，則濁度超過測量設備的測量范圍上限，有時會有無法適當地推斷雜質的量的情況。

相對于此，在本發(fā)明中，通過進行稀釋工序，能夠抑制濁度超過測量設備的測量范圍上限的情況，且能夠適當地推斷雜質的量。

在本發(fā)明的磨粒的評價方法中，用于所述晶錠切割用漿料的磨粒優(yōu)選為sic。

根據本發(fā)明，能夠適當地評價作為雜質而含有特別多的fc的量，與評價fc以外的雜質的量的情況相比，能夠更適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓。

本發(fā)明的硅晶圓的制造方法是使用了線鋸的硅晶圓的制造方法，其特征在于，進行如下工序：合格與否判定工序，根據上述磨粒的評價方法中所述推斷工序中的推斷結果，判定用于晶錠切割用漿料的磨粒的合格與否；漿料制作工序，使用判定為合格的磨粒制作所述晶錠切割用漿料；以及切割工序，使用所述線鋸及所述晶錠切割用漿料切割晶錠而制造所述硅晶圓。

根據本發(fā)明，能夠得到高品質的硅晶圓。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一實施方式所涉及的線鋸的示意圖。

圖2是表示所述一實施方式中的硅晶圓的制造方法的流程圖。

圖3是表示本發(fā)明的實施例的實驗1中的將靜置時間設為一定時間時的磨粒與濁度之間的關系的圖表。

圖4是表示所述實施例的實驗2中的靜置時間與磨粒與濁度之間的關系的圖表。

圖5是表示所述實施例的實驗3中上清液的稀釋率與磨粒與濁度之間的關系的圖表。

圖6是表示所述實施例的實驗3中的稀釋至10倍的上清液的濁度的測量值與各磨粒的小粒子率之間的關系的圖表。

圖7是表示所述實施例的實驗4中的振蕩條件與濁度之間的關系的圖表。

圖8是表示所述實施例的實驗5中的振蕩時間與濁度之間的關系的圖表。

圖9是表示所述實施例的實驗6中的靜置時間與濁度之間的關系的圖表。

圖10是表示所述實施例的實驗7中的比較例的磨粒的粒度分布的圖表。

圖11是表示所述實施例的實驗7中的比較例的磨粒的小粒子率的圖表。

圖12是表示所述實施例的實驗7中的實施例的磨粒的濁度的圖表。

圖13是表示所述實施例的實驗8中的硅晶圓的厚度偏差的圖表。

具體實施方式

參照附圖對本發(fā)明的一實施方式進行說明。

[線鋸的結構]

首先，對線鋸的結構進行說明。

如圖1所示，線鋸1具備總計3個主輥2，其中2個配置于同一水平面上，1個配置于這些2個的中間下方。在這些3個主輥2的圓周，沿著軸向卷繞有金屬線7。在金屬線7的兩端側，分別設置有經由多個（圖1中，圖示為各1個）導向輥3而送出或卷繞金屬線7的繞線盤41、42。并且，在各導向輥3與繞線盤41、42之間，分別設置有轉盤（traverser）43、44。轉盤43、44具有調整金屬線7的送出位置、卷繞位置的功能。而且，在上側的2個主輥2（以下稱為上側主輥21）的上方，分別設置有向2個上側主輥21的中間位置供給漿料g的噴嘴5。并且，在噴嘴5的上方，設置有保持晶錠t并使其升降的輸送機構6。

并且，線鋸1通過旋轉多個主輥2，使金屬線7在與主輥2的軸向大致正交的方向（左右方向）上移動，并在2個上側主輥21之間供給漿料g的同時，使晶錠t下降而按壓到移動中的金屬線7，由此切割晶錠t而制造多個硅晶圓。

[硅晶圓的制造方法]

接下來，對硅晶圓的制造方法進行說明。

另外，在本實施方式中，例示說明磨粒中包含作為研磨磨粒的gc與作為雜質的fc的情況。并且，例示說明作為磨粒使用在晶錠t的切割中未曾利用過的未使用品的情況。

首先，如圖2所示，在制作漿料g之前，進行用于漿料g的磨粒的評價。在該磨粒的評價中，進行評價溶液制作工序（步驟s1）、振蕩工序（步驟s2）、沉淀工序（步驟s3）、稀釋工序（步驟s4）、測量工序（步驟s5）以及推斷工序（步驟s6）。

在步驟s1的評價溶液制作工序中，將比色管用作容器，通過將包含作為研磨磨粒的gc的磨粒溶于作為溶劑的純水中而制作評價溶液。該評價溶液的制作可通過操作者的手工操作進行，也可通過設備進行。

在步驟s2的振蕩工序中，振蕩裝有評價溶液的比色管。在振蕩工序中，可以用人手振蕩比色管，但考慮到振蕩條件的再現(xiàn)性及操作者的操作負擔等，優(yōu)選使用設備。通過進行該振蕩工序，能夠將附著于gc的fc從該gc分離。

在步驟s3的沉淀工序中，靜置裝有評價溶液的比色管，而沉淀gc。沉淀gc的時間并無特別限定，但優(yōu)選幾乎所有的gc沉淀且上清液中存在fc的時間長度。

在步驟s4的稀釋工序中，通過步驟s1中所使用的溶劑稀釋評價溶液的上清液。稀釋率并無特別限定，但根據評價溶液中的fc的濃度，稀釋后的上清液的濁度優(yōu)選不超過后述的測量設備的測量范圍上限的值。

在步驟s5的測量工序中，使用測量設備測量評價溶液的上清液的濁度。作為測量設備并無特別限定，但能夠使用能夠將評價溶液中的混濁進行數值化的測量設備。作為測量設備，例如，能夠使用為吸光光度計的一種的濁度計。

在步驟s6的推斷工序中，根據上清液的濁度測量結果，推斷磨粒中包含的fc的量。

在進行步驟s1～s6的處理之后，根據fc的量的推斷結果，判定磨粒的合格與否（步驟s7：合格與否判定工序）。

例如，在對應于fc的推斷量的濁度計的測量值為閾值以上的情況下，當使用與該磨粒同批次的磨粒來切割晶錠t時，由于fc較多而判斷為無法得到高品質的硅晶圓，從而判定為不合格。另一方面，在濁度計的測量值小于閾值的情況下，由于fc較少而判斷為能夠得到高品質的硅晶圓，從而判定為合格。另外，步驟s7的處理可通過設備進行，也可通過操作者進行。

并且，在步驟s7中，當判定為合格時，使用與所評價的磨粒同批次的磨粒及油性或水溶性的油等制作漿料g（步驟s8：漿料制作工序）。之后，使用該漿料g切割晶錠t（步驟s9：切割工序），由此制造硅晶圓。

另一方面，在步驟s7中，當判定為不合格時，判斷是否評價其他批次的磨粒（步驟s10）。在該步驟s10中，當判斷為評價其他批次的磨粒時，進行對其他批次的磨粒的上述處理，當判斷為不評價時，結束處理。

[實施方式的作用與效果]

如上所述，在上述實施方式中，能夠達到如下的作用與效果。

（1）通過進行沉淀工序，由于一方面對gc進行沉淀，另一方面不對fc進行沉淀而使其存在于上清液，并測量該上清液的濁度，因此能夠防止將fc當作gc來測量的情況，能夠使根據上清液的濁度測量結果推斷出的fc的量與實際上未使用的磨粒中所包含的fc的量大致一致。因此，在使用與該磨粒同批次的磨粒來切割晶錠t之前，能夠適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓。

除此之外，即使在fc的量小于容許下限值的情況下，也能夠掌握每批次的fc量的變化，并通過預先向制造商回饋該變化，能夠利用于改善磨粒的制造狀況。

（2）由于將純水用作用于制作評價溶液的溶劑，例如與將使用于漿料g的制作的油用作溶劑的情況相比，能夠加速評價溶液中的gc的沉淀速度，而能夠縮短磨粒的評價時間。

（3）通過進行振蕩工序，將附著于gc的fc從該gc分離，因此與不進行振蕩工序的情況相比，能夠減小根據上清液的濁度測量結果推斷出的fc的量與實際上磨粒中所包含的fc的量之差，而能夠更適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓。

（4）通過根據評價溶液中的fc的濃度進行稀釋工序，能夠抑制濁度超出測量設備的測量范圍上限的情況，而能夠適當地推斷fc的量。

[其他實施方式]

另外，本發(fā)明并不僅限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內可進行各種改良及設計的變更。

即，作為用于制作評價溶液的溶劑，可以是比純水純度高的超純水，也可以是比純水純度低的水。以這種結構，也能夠達到與上述實施方式相同的作用與效果。

并且，作為用于制作評價溶液的溶劑，只要研磨磨粒最終通過沉淀工序沉淀，則可以是油性或水溶性的油等。

例如，當已知附著于研磨磨粒的雜質的量對濁度測量結果不會產生較大的影響時，可以不進行振蕩工序。

例如，在沉淀工序之后，當操作者視覺判斷到上清液的濁度未超出測量設備的測量范圍上限時，可以不進行稀釋工序。

在稀釋工序中，可以使用步驟s1中所使用的溶劑以外的溶劑進行稀釋。例如，在上述實施方式中，可以使用高純水或水進行稀釋。

在上述實施方式中，評價了未使用品磨粒，但也可以評價再生磨粒。

實施例

接下來，通過實施例及比較例進一步詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些例子。

[稀釋工序的研究]

＜實驗1＞

首先，作為用于晶錠切割用漿料的未使用的磨粒，準備了制造商為a公司的磨粒a1、a2、b公司的磨粒b1、b2、c公司的磨粒c及d公司的磨粒d。磨粒a1的制造批次與磨粒a2的制造批次不同。同樣地，磨粒b1的制造批次與磨粒b2的制造批次不同。各磨粒的粒度為#2000。

接下來，通過操作者的手工操作，混合30g磨粒a1與70ml作為溶劑的純水，制作了評價溶液a1。并且，除了將磨粒a1分別變更為磨粒a2、b1、b2、c、d以外，在與評價溶液a1相同的條件下，制作了評價溶液a2、b1、b2、c、d。

然后，將裝有評價溶液a1、a2、b1、b2、c、d的作為容器的比色管在常溫下靜置3小時以使研磨磨粒沉淀，并測量了各自的上清液的濁度。在濁度的測量中，使用了透射散射光比較測量方式的濁度計（lutronelectronicenterpriseco.,ltd.制，型號：tu-2016測量范圍：0ntu～1000ntu）。將其結果示于圖3。另外，測量單位為ntu（nephelometricturbidityunit），其值越大表示混濁越強。

如圖3所示，評價溶液b1、b2的濁度與其他評價溶液的濁度相比為較低的值。

但是，目視確認各評價溶液的結果時，評價溶液b1、b2的混濁明顯比其他評價溶液的混濁更強，是與濁度的測量值相反的結果。另一方面，關于評價溶液a1、a2、c、d，濁度的測量值與通過目視的確認結果大致一致。

鑒于這些，關于評價溶液b1、b2，由于雜質較多，上清液的混濁強到超出濁度計的測量范圍上限，認為沒能正確測量濁度。并且，關于評價溶液a1、a2、c、d，上清液的混濁在濁度計的測量范圍內的程度，認為有正確測量到濁度。

＜實驗2＞

如上所述，有無法使用濁度計適當地測量評價溶液的上清液的混濁的情況。因此，通過延長制作評價溶液后的靜置時間，確認上清液的混濁是否減弱至在濁度計的測量范圍內的程度。

在制作與實驗1相同的評價溶液a1、a2、b1、b2、c、d之后，分別在常溫下靜置3小時、12小時、24小時，用上述濁度計測量了各自的上清液的濁度。將其結果示于圖4。并且，也進行了基于目視的濁度的確認。

另外，若靜置時間設為24小時以上，則在進行磨粒的接收管理時，量產時的對應較難，因此靜置時間的最大值設成了24小時。

如圖4所示，關于評價溶液b1、b2，雖然基于濁度計的濁度的測量值與其他評價溶液相比為較低的值，但在目視下混濁比其他評價溶液強，與靜置時間無關地，濁度的測量值與通過目視的確認結果不一致。

根據以上得知，僅通過延長靜置時間是無法減弱上清液的混濁。

＜實驗3＞

基于實驗2的結果，即使在磨粒的雜質多的情況下，通過稀釋評價溶液的上清液，確認使用濁度計是否能夠適當地推斷雜質的量。

在3個比色管中制作與實驗1相同的評價溶液a1，在常溫下靜置3小時之后，用純水將各自的上清液稀釋至2倍、5倍、10倍。然后，用上述濁度計測量了該稀釋過的上清液的濁度。并且，同樣對將上清液稀釋至2倍、5倍、10倍的評價溶液a2、b1、b2、c、d，也用上述濁度計測量了上清液的濁度。將其結果示于圖5。

如圖5所示，在2倍的稀釋下，評價溶液b1、b2的上清液的測量值為低于評價溶液c、d的上清液的值，在5倍的稀釋下，評價溶液b1的上清液的測量值與評價溶液d的上清液大致相等，在任一稀釋率下，上清液的測量值與通過目視的確認結果均未一致。另一方面，在10倍的稀釋下，評價溶液b1、b2的上清液的測量值為高于評價溶液a1、a2、c、d的上清液的值，上清液的測量值與通過目視的確認結果大致一致。

并且，使用粒度分布測量器（sysmex股份有限公司制，型號：fpia3000s）測量磨粒a1、a2、b1、b2、c、d的粒度分布，計算3μm以下的粒子相對于整體的比率作為小粒子率。另外，在粒度分布的測量中，若濃度高則凝聚磨粒變多，因此使用了用純水將實驗1中所使用的評價溶液再稀釋5倍而成的混合液。圖6中示出稀釋至10倍的上清液的濁度的測量值與各磨粒的小粒子率之間的關系。

如圖6所示，得知在濁度的測量值方面，雖然評價溶液c的值與評價溶液a1的值相比變大，但在小粒子率方面，磨粒a1與磨粒c大致一致，且濁度的測量值與根據粒度分布測量器的測量結果的小粒子率并不一致。另一方面，得知圖6所示的濁度的測量值與目視各評價溶液的評價結果大致一致。

根據以上得知，即使在磨粒的雜質多的情況下，通過將評價溶液的上清液稀釋至10倍，能夠使用濁度計適當地測量上清液的濁度，且根據該結果，能夠適當地推斷雜質的量。

[振蕩工序的研究]

＜實驗4＞

在稀釋工序的研究中，通過手工操作進行了評價溶液的制作，但為了混合磨粒與溶劑而振蕩比色管的速度與時間的長度，有可能對濁度的測量值產生影響。因此，檢驗了通過手工操作振蕩比色管的速度（次/min）及次數（1次=1次往返）與濁度的測量值之間的關系。

使用b公司的磨粒b在與上述實驗1相同的條件下制作評價溶液之后，以圖7所示的級別1～6的條件振蕩比色管。通過手工操作的比色管的振幅為100mm～150mm。然后，通過靜置比色管3小時而沉淀研磨磨粒之后，用純水稀釋上清液至10倍，用上述濁度計測量了該稀釋過的上清液的濁度。將其結果示于圖7。

如圖7所示，振蕩速度越快，振蕩次數越多，則濁度的測量值越大。

根據以上得知，若制作評價溶液時的振蕩比色管的速度與時間有偏差，則濁度的測量值也會有偏差。

＜實驗5＞

若將實驗4的結果考慮在內，則認為通過在評價溶液的制作中使用振蕩器，能夠抑制濁度的測量值的偏差。因此，研究了使用振蕩器的最佳振蕩條件。

與實驗4同樣地使用磨粒b制作評價溶液之后，以圖8所示的各振蕩時間振蕩了比色管。作為振蕩器，使用了tietechco.,ltd.的小型振蕩器往復式震蕩機nr-1（規(guī)格：振蕩速度20～200次/min，振幅10～40mm）。比色管的振幅、振蕩速度分別為40mm、200次/min。然后，靜置比色管3小時而沉淀研磨磨粒之后，用純水稀釋上清液至10倍，且用上述濁度計測量了該稀釋過的上清液的濁度。將其結果示于圖8。

如圖8所示，在振蕩時間小于20分鐘的情況下，隨著振蕩時間變長濁度的測量值變大，但若超過20分鐘，則即使振蕩時間變長，濁度的測量值并沒有較大的變化。

根據以上得知，使用上述振蕩器將振幅、振蕩速度、振蕩時間分別設為40mm、200次/min、20分鐘以上的條件下振蕩比色管，由此能夠抑制濁度的測量值的偏差。

＜實驗6＞

根據實驗5的結果，得知通過使用振蕩器能夠抑制濁度的測量值的偏差，但在硅晶圓制造現(xiàn)場的運用上，優(yōu)選的是，即使將振蕩比色管后的靜置時間設為約3小時，對濁度的測量值所產生的影響也較少。

因此，檢驗了振蕩比色管后的靜置時間對濁度的測量值所產生的影響。

與實驗4同樣地使用磨粒b制作評價溶液之后，用實驗5中所使用的振蕩器振蕩了比色管。比色管的振幅、振蕩速度、振蕩時間分別為40mm、200次/min、20分鐘。然后，通過將比色管靜置圖9所示的各靜置時間而沉淀研磨磨粒之后，用純水稀釋上清液至10倍，用上述濁度計測量了該稀釋過的上清液的濁度。將其結果示于圖9。

如圖9所示，在靜置時間小于3小時的情況下，隨著靜置時間變長濁度的測量值變小，但在3小時以上且4小時以下時，濁度的測量值沒有較大的變化。另外，靜置時間超過4小時時，靜置時間對濁度的測量值所產生的影響為不明。

根據以上得知，若使用上述振蕩器在將振幅、振蕩速度、振蕩時間分別設為40mm、200次/min、20分鐘的條件下振蕩比色管，且振蕩之后的靜置時間為3小時以上且4小時以下，則對濁度的測量值所產生的影響較少。

[磨粒的評價方法的有效性]

接下來，對本發(fā)明的磨粒的評價方法的有效性進行說明。

＜實驗7＞

{比較例}

作為評價對象的磨粒，準備了e公司的磨粒e與f公司的磨粒f。各磨粒的粒度為#2000。

然后，使用上述實驗3中所使用的粒度分布測量器測量磨粒e、f的粒度分布，計算出表示3μm以下的粒子的比率的小粒子率。另外，在粒度分布的測量中，基于與實驗3相同的理由，使用了用純水將30g磨粒與70ml純水的混合液進一步稀釋至5倍的混合液。將粒度分布的測量結果示于圖10，將小粒子率的計算結果示于圖11。

如圖10與圖11所示，對于粒度分布或小粒子率，磨粒e與磨粒f之間均看不出有較大的差異。

根據以上，得出在使用粒度分布測量器的測量中，磨粒e、f中微小粒子（研磨磨粒+雜質（fc等））的量沒有較大的差異的結果。

{實施例}

準備了與上述實施例相同的磨粒e、f。然后，對磨粒e、f，進行了根據圖2所示的本發(fā)明的磨粒的評價方法的步驟s1～s6的處理。

在步驟s1的評價溶液作成工序中，通過操作者的手工操作，混合30g磨粒e與70ml的純水，制作了評價溶液e。同樣地，制作了混合30g磨粒f與70ml純水的評價溶液f。

在步驟s2的振蕩工序中，使用上述實驗5中所使用的振蕩器，在振幅設為40mm、振蕩速度設為200次/min、振蕩時間設為20min的條件下，振蕩了分別裝有評價溶液e、f的比色管。

在步驟s3的沉淀工序中，將已完成振蕩工序的比色管靜置了3小時。

在步驟s4的稀釋工序中，用純水稀釋已完成沉淀工序的評價溶液e、f至10倍。

在步驟s5的測量工序中，使用上述實驗1中所使用的濁度計，測量已完成稀釋工序的評價溶液e、f的上清液的濁度，在步驟s6的推斷工序中，根據濁度測量結果，推斷磨粒e、f所包含的雜質的量。

將濁度測量結果示于圖12。

如圖12所示，磨粒e的濁度約為磨粒f的濁度的5倍，在兩者之間看到較大的差異。

根據以上，在基于本發(fā)明的磨粒的評價方法的處理中，根據濁度的測量結果，得到磨粒e所包含的雜質的量約為磨粒f的5倍的推測結果。然后，能夠推測使用磨粒e制造的硅晶圓的品質比使用磨粒f制造的硅晶圓差。

＜實驗8＞

接下來，使用磨粒e、f制造了硅晶圓。

具體而言，使用與所評價的磨粒e同批次的磨粒e與水溶性的油制作漿料，使用該漿料切割晶錠，由此制造了直徑為300mm的硅晶圓。并且，同樣地，通過使用磨粒f的漿料，切割晶錠，制造了硅晶圓。

利用厚度偏差評價了所制造的硅晶圓的切割面的品質。將其結果表示于圖13。

另外，厚度偏差是指將硅晶圓的切割方向（圖1的z方向）的厚度截面（厚度截面）劃分成每個為10mm的區(qū)間，計算每個區(qū)間的厚度的pv值（區(qū)間最大厚度-區(qū)間最小厚度），pv值超過厚度閾值的區(qū)間數。在此，厚度閾值設為1μm，區(qū)間數設為29個/枚（使用直徑為300mm的硅晶圓，并且邊緣5mm從評價對象中排除）。另外，作為厚度的測量裝置，使用了kobelcoresearchinstitute.inc制的平坦度測量器sbw-330。

如圖13所示，能夠確認到使用磨粒e制造的硅晶圓的品質比使用磨粒f制造的硅晶圓的品質差。這與根據圖12所示的測量結果推斷的結果一致。

因此，得知通過進行基于本發(fā)明的磨粒的評價方法的處理，在使用與所評價的磨粒同批次的磨粒來切割晶錠之前，能夠適當地判斷是否能夠得到高品質的硅晶圓。

附圖標記說明

1-線鋸，s1-評價溶液制作工序，s2-振蕩工序，s3-沉淀工序，s4-稀釋工序，s5-測量工序，s6-推斷工序，s7-合格與否判定工序，s8-漿料制作工序，s9-切割工序，t-晶錠。