1.一種拋光墊，所述拋光墊包括具有工作表面和與所述工作表面相背對的第二表面的拋光層；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域、多個精確成形孔、和多個精確成形微凸體；
其中每個孔具有孔開口，每個微凸體具有微凸體基部，并且多個所述微凸體基部相對于至少一個相鄰孔開口是基本上共面的；
其中所述多個精確成形孔的深度小于與每個精確成形孔相鄰的所述底面區(qū)域的厚度，并且所述底面區(qū)域的所述厚度小于約5mm；
并且
其中所述拋光層包含聚合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中至少約10％的所述多個精確成形微凸體的高度介于約1微米和約200微米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中至少約10％的所述多個精確成形孔的深度介于約1微米和約200微米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述多個精確成形微凸體的面密度與所述多個精確成形孔的面密度無關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層還包含聚合物，其中所述聚合物包括熱塑性塑料、熱塑性彈性體(TPE)、熱固性塑料、以及它們的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的拋光墊，其中所述聚合物包括熱塑性塑料或熱塑性彈性體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，其中所述熱塑性塑料或熱塑性彈性體包含聚氨酯、聚亞烷基類、聚丁二烯、聚異戊二烯、亞烷基氧、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、任何前述聚合物的嵌段共聚物、以及它們的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層不含通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層為一體式片材。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層包含小于1％體積的無機(jī)磨料顆粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述精確成形微凸體為固體結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述精確成形微凸體不含加工孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層是柔性的并能夠自身向后彎曲，從而在彎曲區(qū)域中產(chǎn)生介于約10cm和約0.1mm之間的曲率半徑。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述精確成形微凸體的頂端的表面積與投影拋光墊表面積的比率介于約0.0001和約4之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述精確成形微凸體的所述頂端的所述表面積與所述精確成形孔開口的所述表面積的比率介于約0.0001和約4之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，還包括至少一個巨大溝槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的拋光墊，其中所述多個精確成形孔的至少一部分的深度小于所述至少一個巨大溝槽的至少一部分的深度。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的拋光墊，其中所述多個精確成形孔的至少一部分的寬度小于所述至少一個巨大溝槽的至少一部分的寬度。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的拋光墊，其中所述至少一個巨大溝槽的至少一部分的深度與所述精確成形孔的一部分的深度的比率介于約1.5和約1000之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的拋光墊，其中所述至少一個巨大溝槽的至少一部分的寬度與所述精確成形孔的一部分的寬度的比率介于約1.5和約1000之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述精確成形微凸體的至少一部分包括凸緣。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層包括所述精確成形微凸體的所述表面、所述精確成形孔的所述表面和所述底面區(qū)域的所述表面中的至少一者上的多個納米尺寸的形貌特征結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的拋光墊，其中所述多個納米尺寸特征結(jié)構(gòu)包括規(guī)則或不規(guī)則成形的凹槽，其中所述凹槽的寬度小于約250nm。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述工作表面包括次表面層和主體層，并且其中所述次表面層的至少一部分中的化學(xué)組成不同于所述主體層內(nèi)的化學(xué)組成。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的拋光墊，其中不同于所述主體層內(nèi)的所述化學(xué)組成的所述次表面層的至少一部分中的所述化學(xué)組成包含硅。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述次表面層的后退接觸角和前進(jìn)接觸角中的至少一者小于所述主體層的對應(yīng)后退接觸角和前進(jìn)接觸角。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的拋光墊，其中所述次表面層的所述后退接觸角和所述前進(jìn)接觸角中的至少一者比所述主體層的所述對應(yīng)后退接觸角或前進(jìn)接觸角小至少約20°。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述工作表面的所述后退接觸角小于約50°。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述工作表面的所述后退接觸角小于約30°。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層基本上不含無機(jī)磨料顆粒。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層還包括多個獨立的或相互連接的巨大溝槽。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，還包括子墊，其中所述子墊與所述拋光層的所述第二表面相鄰。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的拋光墊，還包括泡沫層，其中所述泡沫層被插置在所述拋光層的所述第二表面和所述子墊之間。
34.一種拋光系統(tǒng)，所述拋光系統(tǒng)包括拋光液和根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的拋光系統(tǒng)，其中所述拋光液為漿液。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的拋光系統(tǒng)，其中所述拋光層包含小于1％體積的無機(jī)磨料顆粒。
37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，還包括至少一個第二拋光層，所述至少一個第二拋光層具有工作表面和與所述工作表面相背對的第二表面；其中所述工作表面包括底面區(qū)域、多個精確成形孔、和多個精確成形微凸體；
其中每個孔具有孔開口，每個微凸體具有微凸體基部，并且多個所述微凸體基部相對于至少一個相鄰孔開口是基本上共面的；
其中所述多個精確成形孔的深度小于與每個精確成形孔相鄰的所述底面區(qū)域的厚度，并且所述底面區(qū)域的所述厚度小于約5mm；
其中所述至少一個第二拋光層包含聚合物；并且
其中所述拋光層的所述第二表面與所述至少一個第二拋光層的所述工作表面相鄰。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的拋光墊，還包括被設(shè)置在所述拋光層的所述第二表面和所述至少一個第二拋光層的所述工作表面之間的粘合劑層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的拋光墊，其中所述粘合劑層為壓敏粘合劑層。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的拋光墊，還包括被設(shè)置在所述拋光層的所述第二表面和所述至少一個第二拋光層的所述工作表面之間的泡沫層、以及與所述至少一個第二拋光層的所述第二表面相鄰的第二泡沫層。
41.一種對基板進(jìn)行拋光的方法，所述方法包括：
提供根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊；
提供基板；
使所述拋光墊的所述工作表面與基板表面接觸；
使所述拋光墊和所述基板相對于彼此移動，同時維持所述拋光墊的所述工作表面與所述基板表面之間的接觸；并且其中拋光是在拋光液的存在下進(jìn)行的。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的對基板進(jìn)行拋光的方法，其中所述基板為半導(dǎo)體晶片。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的對基板進(jìn)行拋光的方法，其中與所述拋光墊的所述工作表面接觸的所述半導(dǎo)體晶片表面包括電介質(zhì)材料和導(dǎo)電材料中的至少一者。