1.一種拋光墊，包括具有工作表面和與所述工作表面相背對(duì)的第二表面的拋光層；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域，以及多個(gè)精確成形孔和多個(gè)精確成形微凸體中的至少一者；
其中所述底面區(qū)域的厚度小于約5mm，并且所述拋光層包含聚合物；并且
其中所述拋光層在所述精確成形微凸體的所述表面、所述精確成形孔的所述表面和所述底面區(qū)域的所述表面中的至少一者上，包括多個(gè)納米尺寸的形貌特征結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述工作表面包括多個(gè)精確成形孔；并且任選地，其中所述多個(gè)精確成形孔的深度小于與每個(gè)精確成形孔相鄰的所述底面區(qū)域的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述工作表面包括多個(gè)精確成形微凸體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述多個(gè)納米尺寸特征結(jié)構(gòu)包括規(guī)則或不規(guī)則成形的凹槽，其中所述凹槽的寬度小于約250nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層基本上不含無(wú)機(jī)磨料顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層還包括多個(gè)獨(dú)立的或相互連接的巨大通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊還包括子墊，其中所述子墊與所述拋光層的所述第二表面相鄰。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，還包括泡沫層，其中所述泡沫層被插置在所述拋光層的所述第二表面和所述子墊之間。
9.一種拋光墊，包括具有工作表面和與所述工作表面相背對(duì)的第二表面的拋光層；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域，以及多個(gè)精確成形孔和多個(gè)精確成形微凸體中的至少一者；
其中所述底面區(qū)域的厚度小于約5mm，并且所述拋光層包含聚合物；并且
其中所述工作表面包括次表面層和主體層；并且其中所述次表面層的后退接觸角和前進(jìn)接觸角中的至少一者，小于所述主體層的相應(yīng)后退接觸角或前進(jìn)接觸角至少約20°。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其中所述工作表面包括多個(gè)精確成形孔；并且任選地，其中所述多個(gè)精確成形孔的深度小于與每個(gè)精確成形孔相鄰的所述底面區(qū)域的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其中所述工作表面包括多個(gè)精確成形微凸體。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其中所述次表面層的至少一部分中的化學(xué)組合物不同于所述主體層內(nèi)的化學(xué)組合物；并且其中所述次表面層的至少一部分中的所述化學(xué)組合物包括硅，所述化學(xué)組合物不同于在所述主體層內(nèi)的所述化學(xué)組合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其中所述拋光層基本上不含無(wú)機(jī)磨料顆粒。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其中所述拋光層還包括多個(gè)獨(dú)立的或相互連接的巨大通道。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，還包括子墊，其中所述子墊與所述拋光層的所述第二表面相鄰。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，還包括泡沫層，其中所述泡沫層被插置在所述拋光層的所述第二表面和所述子墊之間。
17.一種拋光墊，包括具有工作表面和與所述工作表面相背對(duì)的第二表面的拋光層；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域，以及多個(gè)精確成形孔和多個(gè)精確成形微凸體中的至少一者；
其中所述底面區(qū)域的厚度小于約5mm，并且所述拋光層包含聚合物；并且
其中所述工作表面包括次表面層和主體層；并且其中所述工作表面的所述后退接觸角小于約50°。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，其中所述工作表面包括多個(gè)精確成形孔；并且任選地，其中所述多個(gè)精確成形孔的深度小于與每個(gè)精確成形孔相鄰的所述底面區(qū)域的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，其中所述工作表面包括多個(gè)精確成形微凸體。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，其中所述工作表面的所述后退接觸角小于約30°。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，其中所述拋光層基本上不含無(wú)機(jī)磨料顆粒。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，其中所述拋光層還包括多個(gè)獨(dú)立的或相互連接的巨大通道。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，還包括子墊，其中所述子墊與所述拋光層的所述第二表面相鄰。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的拋光墊，還包括泡沫層，其中所述泡沫層被插置在所述拋光層的所述第二表面和所述子墊之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求1、9和17中任一項(xiàng)所述的拋光墊，還包括：
具有工作表面和與所述工作表面相背對(duì)的第二表面的至少一個(gè)第二拋光層，所述拋光層的所述第二表面與所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面相鄰；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域，以及多個(gè)精確成形孔和多個(gè)精確成形微凸體中的至少一者，
其中所述底面區(qū)域的厚度小于約5mm，并且所述拋光層包含聚合物；并且
其中所述至少一個(gè)第二拋光層在所述精確成形微凸體的所述表面、所述精確成形孔的所述表面和所述底面區(qū)域的所述表面中的至少一者上，包括多個(gè)納米尺寸的形貌特征結(jié)構(gòu)，或者
具有工作表面和與所述工作表面相背對(duì)的第二表面的至少一個(gè)第二拋光層，所述拋光層的所述第二表面與所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面相鄰；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域，以及多個(gè)精確成形孔和多個(gè)精確成形微凸體中的至少一者，
其中所述底面區(qū)域的厚度小于約5mm，并且所述拋光層包含聚合物；并且
其中所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面包括次表面層和主體層；并且其中所述次表面層的所述后退接觸角和前進(jìn)接觸角中的至少一者小于所述主體層的所述對(duì)應(yīng)后退接觸角或前進(jìn)接觸角至少約20°；或者
具有工作表面和與所述工作表面相背對(duì)的第二表面的至少一個(gè)第二拋光層，所述拋光層的所述第二表面與所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面相鄰；
其中所述工作表面包括底面區(qū)域，以及多個(gè)精確成形孔和多個(gè)精確成形微凸體中的至少一者，
其中所述底面區(qū)域的厚度小于約5mm，并且所述拋光層包含聚合物；并且
其中所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面包括次表面層和主體層；并且其中所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面的所述后退接觸角小于約50°。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的拋光墊，還包括設(shè)置在所述拋光層的所述第二表面和所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面之間的粘合劑層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的拋光墊，其中所述粘合劑層為壓敏粘合劑層。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的拋光墊，還包括：設(shè)置在所述拋光層的所述第二表面和所述至少一個(gè)第二拋光層的所述工作表面之間的泡沫層，以及與所述至少一個(gè)第二拋光層的所述第二表面相鄰的第二泡沫層。
29.一種拋光系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求1、9和17中任一項(xiàng)所述的拋光墊和拋光液。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的拋光系統(tǒng)，其中所述拋光液為漿液。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的拋光系統(tǒng)，其中所述拋光層包含小于1體積％的無(wú)機(jī)磨料顆粒。
32.一種拋光基板的方法，所述方法包括：
提供根據(jù)權(quán)利要求1、9和17中任一項(xiàng)所述的拋光墊；
提供基板；
使所述拋光墊的所述工作表面與所述基板表面接觸；
使所述拋光墊和所述基板相對(duì)于彼此移動(dòng)，同時(shí)保持所述拋光墊的所述工作表面與所述基板表面之間的接觸；并且
其中拋光是在拋光液的存在下進(jìn)行的。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的拋光基板的方法，其中所述基板為半導(dǎo)體晶片。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的拋光基板的方法，其中與所述拋光墊的所述工作表面接觸的所述半導(dǎo)體晶片表面包括電介質(zhì)材料和導(dǎo)電材料中的至少一者。