一種掩模板的制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩模板的制作工藝，先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層上電鑄開口的一側(cè)蝕刻出具有一定深度的蝕刻凹槽，其中，所述電鑄工藝包括：貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟、褪膜一步驟；所述蝕刻工藝包括：貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜二步驟。通過本發(fā)明所提供的工藝制作的掩模板，其開口由電鑄開口和蝕刻凹槽結(jié)合而成，電鑄開口的側(cè)壁光滑，易脫模，有效沉積開口精度容易控制，可提高開口精度；在電鑄開口的基礎(chǔ)上由蝕刻工藝制得的蝕刻凹槽形成碗狀孔壁，與電鑄開口相結(jié)合，碗狀孔壁具有的大錐度，避免了蒸鍍過程中孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，提高了蒸鍍成膜率。
【專利說明】一種掩模板的制作工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種蒸鍍用掩模板的制作工藝，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板的 制作工藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode ;0LED)，主要結(jié)構(gòu)由陽極(第 一電極)、陰極(第二電極）以及介于陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層組成，發(fā)光效率較佳的多 層PM-OLED結(jié)構(gòu)還需在陽極和有機(jī)層之間制作空穴注入層（Hole Inject Layer ;HIL)、空 穴傳輸層（Hole Transport Layer ;HTL)，在有機(jī)層和陰極之間制作電子傳輸層（Electron Transport Layer ;ETL)、電子注入層（Electron Inject Layer ;EIL)等結(jié)構(gòu)。OLED 的發(fā)光 機(jī)理是從陰、陽兩極分別注入電子和空穴，被注入的電子和空穴在傳輸層內(nèi)傳輸，并在發(fā)光 層內(nèi)復(fù)合，從而激發(fā)發(fā)光層分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子輻射衰減而發(fā)光。OLED顯示器具 有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相 t匕，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)到液晶顯示器的1000倍， 其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐 漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術(shù)。
[0003] OLED結(jié)構(gòu)中的有機(jī)層材料的沉積需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)制備掩模板采用 雙面蝕刻工藝，其制作的掩模板的開口剖面圖如圖1所示，tl為ITO面（即蒸鍍時(shí)與ITO基 板對(duì)應(yīng)的一面)蝕刻深度，t2為蒸鍍面（即蒸鍍時(shí)與蒸鍍源對(duì)應(yīng)的一面)蝕刻深度。其中，采 用雙面蝕刻分別從因瓦片材兩面腐蝕，形成的剖面為葫蘆狀開口，但由于蝕刻為減成工藝， 且存在側(cè)腐蝕作用，使得片材表面有效沉積開口尺寸精度不好控制，尺寸存在偏差，圖中所 示為實(shí)際蝕刻的有效沉積開口尺寸Ll大于預(yù)定尺寸L2,且蝕刻形成的開口壁粗糙不光滑。
[0004] 本發(fā)明主要是針對(duì)以上問題提出一種掩模板的制作工藝，較好的解決以上所述問 題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，需要克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷中的至少一個(gè)。本發(fā)明提供了一種掩 模板的制作工藝，其特征在于： 先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層上電鑄開口的一側(cè)蝕 刻出具有一定深度的蝕刻凹槽，其中， 所述電鑄工藝包括：貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟、褪膜一步驟； 所述蝕刻工藝包括：貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜二步驟； 其中，在所述電鑄工藝中，經(jīng)所述褪膜一步驟將所述曝光一步驟中曝光的膜除去，形成 所述電鑄層上的電鑄開口；在所述蝕刻工藝中，經(jīng)所述貼膜二步驟將經(jīng)過所述電鑄工藝的 芯模在帶有電鑄層的一面進(jìn)行貼膜，經(jīng)所述曝光二步驟使所述電鑄開口邊緣的電鑄層金屬 區(qū)域的膜未曝光，其余區(qū)域的膜曝光，曝光的膜在后續(xù)的蝕刻步驟中形成保護(hù)膜，經(jīng)所述顯 影二步驟將在所述曝光二步驟中未曝光的膜除去，露出部分所述電鑄層的金屬區(qū)域，經(jīng)所 述蝕刻步驟將露出的部分電鑄層的金屬區(qū)域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽。
[0006] 根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所述，傳統(tǒng)采用雙面蝕刻工藝分別從因瓦片材 兩面腐蝕，形成的掩模板開口剖面為葫蘆狀開口，但由于蝕刻為減成工藝，且存在側(cè)腐蝕， 使制成的掩模板的有效沉積開口尺寸精度不好控制，蝕刻形成的開口壁粗糙不光滑。通過 本發(fā)明所提供的工藝制作的掩模板，其開口由電鑄開口和蝕刻凹槽結(jié)合而成，由電鑄工藝 形成的電鑄開口的側(cè)壁光滑，易脫模，有效沉積開口精度容易控制，可提高開口精度；在電 鑄開口的基礎(chǔ)上由蝕刻工藝制得的蝕刻凹槽形成碗狀孔壁，與電鑄開口相結(jié)合，碗狀孔壁 具有的大錐度，避免了蒸鍍過程中孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，提高了蒸鍍成膜率，與此同時(shí)掩 模板的厚度也可以根據(jù)需要得到很好的控制。
[0007] 下面將詳細(xì)地描述本發(fā)明所提供的掩模板的制作工藝，一些附加的技術(shù)特征也將 在下面的敘述中展示出來。
[0008] 進(jìn)一步地，所述電鑄工藝具體步驟如下： a、 貼膜一步驟：將經(jīng)過前處理步驟的芯模的一面進(jìn)行貼膜； b、 曝光一步驟：將經(jīng)過所述貼膜一步驟的芯模在貼有膜的一面進(jìn)行曝光，將預(yù)設(shè)的曝 光區(qū)域的膜曝光，以便將未曝光區(qū)域的膜通過顯影步驟除去，留下曝光區(qū)域的膜以作后續(xù) 電鑄步驟的保護(hù)膜； c、 顯影一步驟：將經(jīng)過所述曝光一步驟的芯模在貼有膜的一面進(jìn)行顯影，將上述步驟 b中未曝光區(qū)域的膜通過顯影步驟除去，露出對(duì)應(yīng)的芯模區(qū)域，留下曝光區(qū)域的膜以作后續(xù) 電鑄步驟的保護(hù)膜； d、 電鑄步驟：將經(jīng)過所述顯影一步驟的芯模放入電鑄槽中，在經(jīng)顯影一步驟已經(jīng)去除 膜露出芯模的區(qū)域電鑄一層電鑄層，獲得具有電鑄層的芯模； e、 褪膜一步驟：將經(jīng)過所述電鑄步驟的芯模進(jìn)行褪膜，通過褪膜一步驟將經(jīng)所述曝光 一步驟中曝光區(qū)域的膜除去，形成所述電鑄層上的電鑄開口。
[0009] 進(jìn)一步地，所述貼膜一步驟中所述的芯模前處理步驟包括將所述芯模予以除油、 酸洗、噴砂，以除去其表面的污垢及雜質(zhì)，增加其表面粗糙度。
[0010] 電鑄開口側(cè)壁較蝕刻開口側(cè)壁光滑，更易脫模，不會(huì)對(duì)已蒸鍍上的材料造成影響。
[0011] 進(jìn)一步地，所述蝕刻工藝具體步驟如下： f、 貼膜二步驟：將經(jīng)過所述電鑄工藝的芯模在帶有電鑄層的一面進(jìn)行貼膜； g、 曝光二步驟：將經(jīng)過所述貼膜二步驟的芯模在貼有膜的一面進(jìn)行曝光，將預(yù)設(shè)的曝 光區(qū)域的膜曝光，以便將未曝光區(qū)域的膜通過顯影除去，留下曝光區(qū)域的膜以作后續(xù)蝕刻 步驟的保護(hù)膜，所述曝光二步驟中所述電鑄開口邊緣的電鑄層金屬區(qū)域的膜未曝光，其余 區(qū)域的膜曝光； K顯影二步驟：將經(jīng)過所述曝光二步驟的芯模進(jìn)行顯影，將曝光二步驟中未曝光區(qū)域 的膜除去，露出部分所述電鑄層的金屬區(qū)域； i、 蝕刻步驟：將經(jīng)過所述顯影二步驟的芯模進(jìn)行蝕刻，將所述露出的部分所述電鑄層 的金屬區(qū)域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽； j、 褪膜二步驟：將經(jīng)過所述蝕刻步驟的芯模進(jìn)行褪膜，通過褪膜二步驟將所述曝光區(qū) 域的膜除去。
[0012] 進(jìn)一步地，經(jīng)蝕刻工藝的褪膜二步驟后，將所述芯模上的電鑄層從所述芯模上剝 離下來，即獲得所需要的產(chǎn)品（即掩模板)。
[0013] 進(jìn)一步地，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模未貼膜的一面貼上一層保護(hù)膜，或者 在蝕刻步驟中在所述芯模沒有電鑄層的一面墊上一層墊板，所述的保護(hù)膜和所述的墊板起 到保護(hù)芯模不被蝕刻的作用。
[0014] 進(jìn)一步地，在所述電鑄工藝的褪膜一步驟后、蝕刻工藝的貼膜二步驟前還包括后 處理步驟，所述后處理步驟包括將所述具有電鑄層的芯模進(jìn)行除油步驟、酸洗步驟、風(fēng)干步 驟。
[0015] 進(jìn)一步地，所述電鑄層的材料為鎳或鎳基合金。
[0016] 可選地，所述電鑄層的材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、及鎳鐵鈷合金中的一種。
[0017] 進(jìn)一步地，所述蝕刻凹槽的深度為所述電鑄層厚度的50%?100%。
[0018] 優(yōu)選地，所述蝕刻凹槽的深度為所述電鑄層厚度的100%。
[0019] 進(jìn)一步地，所述蝕刻步驟蝕刻凹槽的剖面錐度角度為30°?60°。
[0020] 優(yōu)選地，所述蝕刻凹槽的剖面錐度角度為45 °。
[0021] 通過蝕刻的凹槽可以使掩模板的開口具有一定的錐度，減小蒸鍍時(shí)的遮蔽效應(yīng)， 蝕刻凹槽的深度越深(深度小于等于電鑄層的厚度)、錐度越大遮蔽效果越小。
[0022] 通過電鑄工藝來控制有效沉積開口寬度的尺寸，相對(duì)蝕刻工藝，電鑄開口寬度的 尺寸精度容易控制，從而提高了有效沉積開口的精度。
[0023] 本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變 得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變 得明顯和容易理解，其中 ： 圖1所示為傳統(tǒng)雙面蝕刻掩模板開口的截面放大示意圖； 圖2所示為貼膜一截面示意圖； 圖3所示為曝光一截面示意圖； 圖4所示為顯影一截面示意圖； 圖5所示為電鑄步驟后的截面示意圖； 圖6所示為褪膜一步驟后的截面示意圖； 圖7所示為貼膜二截面示意圖； 圖8所示為曝光二截面示意圖； 圖9所示為顯影二截面示意圖； 圖10所示為蝕刻步驟后的截面示意圖； 圖11所示為褪膜二步驟后的截面示意圖； 圖12所示為掩模板的截面示意圖； 圖13所示為圖8中80部分放大示意圖； 圖14所示為圖9中90部分放大示意圖； 圖15所示為圖10中100部分放大示意圖； 圖16所示為圖12中120部分放大示意圖； 圖17所示為圖12中120部分另一種結(jié)構(gòu)的放大示意圖； 圖18所示為掩模板平面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖19所示為圖18中180部分蒸鍍面的平面結(jié)構(gòu)放大示意圖； 圖20所示為圖18中180部分ITO面的平面結(jié)構(gòu)放大示意圖； 圖21所示為本發(fā)明的另一種掩模板蒸鍍面的平面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖22所示為本發(fā)明的另一種掩模板ITO面的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖1中，1為掩模板的ITO面,2為掩模板的蒸鍍面，Ll為蝕刻的有效沉積開口寬 度,L2為預(yù)設(shè)的有效沉積開口寬度，tl為ITO面蝕刻的深度，t2為蒸鍍面蝕刻的深度，t為 掩模板的厚度； 圖2中，21為芯模，22為膜； 圖3中，31為曝光區(qū)域的膜； 圖4中，41為經(jīng)顯影一步驟后露出的芯模區(qū)域； 圖5中，51為電鑄層； 圖6中，61為電鑄開口； 圖7中，71、72為膜； 圖8中，80為待放大區(qū)域，81、82為曝光區(qū)域的膜； 圖9中，90為待放大區(qū)域，91為經(jīng)顯影二步驟后露出的部分電鑄層的金屬區(qū)域； 圖10中，100為待放大區(qū)域，101為蝕刻凹槽； 圖11中，111為掩模板的開口； 圖12中，120為待放大區(qū)域； 圖16中，L為有效沉積開口的寬度，t3為電鑄層未蝕刻的厚度，t4為電鑄層蝕刻凹槽 的深度，d為電鑄層的厚度，3為掩模板的蒸鍍面，4為掩模板的ITO面； 圖17中，t5為蝕刻凹槽的深度，α為蝕刻凹槽的剖面錐度角； 圖18中，180為待放大區(qū)域，181為開口區(qū)域； 圖19中，I-I為解剖觀測方向； 圖21中，A-A為解剖觀測方向。

【具體實(shí)施方式】
[0026] 下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附 圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0027] 在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語"上"、"下"、"底"、"頂"、"前"、"后"、"內(nèi)"、 "外"、"左"、"右"等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便 于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以 特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0028] 本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思如下，如【背景技術(shù)】所述，傳統(tǒng)采用雙面蝕刻工藝分別從因瓦片 材兩面腐蝕，形成的掩模板開口剖面為葫蘆狀開口如圖1所示，但由于蝕刻為減成工藝，且 存在側(cè)腐蝕，使制成的掩模板的有效沉積開口尺寸精度不好控制，且蝕刻形成的開口側(cè)壁 粗糙不光滑。通過本發(fā)明所提供的工藝制作的掩模板，其開口由電鑄開口 61和蝕刻凹槽 101結(jié)合而成，由電鑄工藝形成的電鑄開口 61的側(cè)壁光滑，易脫模，有效沉積開口精度容易 控制，可提高開口精度；在電鑄開口 61的基礎(chǔ)上由蝕刻工藝制得的蝕刻凹槽101形成碗狀 孔壁，與電鑄開口 61相結(jié)合，碗狀孔壁具有的大錐度，避免了蒸鍍過程中孔壁對(duì)蒸鍍材料 的遮擋，提高了蒸鍍成膜率，與此同時(shí)掩模板的厚度d也可以根據(jù)需要得到很好的控制。
[0029] 下面將參照附圖來描述本發(fā)明的掩模板的制作工藝，圖2所示為貼膜一截面示意 圖；圖3所示為曝光一截面示意圖；圖4所示為顯影一截面示意圖；圖5所示為電鑄步驟后 的截面示意圖；圖6所示為褪膜一步驟后的截面示意圖；圖7所示為貼膜二截面示意圖；圖 8所示為曝光二截面示意圖；圖9所示為顯影二截面示意圖；圖10所示為蝕刻步驟后的截 面示意圖；圖11所示為褪膜二步驟后的截面示意圖；圖12所示為剝離后的掩模板截面示 意圖；圖18所示為掩模板平面示意圖；圖21所示為本發(fā)明的另一種掩模板蒸鍍面的平面 結(jié)構(gòu)不意圖；圖22所不為本發(fā)明的另一種掩|旲板ITO面的平面結(jié)構(gòu)不意圖。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖2-圖15所示，本發(fā)明提供了一種掩模板的制作工藝， 其特征在于： 先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層51，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層51上電鑄開口 61 的一側(cè)蝕刻出具有一定深度的蝕刻凹槽101，其中， 所述電鑄工藝包括：貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟、褪膜一步驟； 所述蝕刻工藝包括：貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜二步驟； 其中，在所述電鑄工藝中，經(jīng)所述褪膜一步驟將所述曝光一步驟中曝光的膜（31)除去， 形成所述電鑄層51上的電鑄開口 61 ;在所述蝕刻工藝中，經(jīng)所述貼膜二步驟將經(jīng)過所述電 鑄工藝的芯模在帶有電鑄層51的一面進(jìn)行貼膜，經(jīng)所述曝光二步驟使所述電鑄開口 61邊 緣的電鑄層金屬區(qū)域的膜未曝光，其余區(qū)域的膜曝光，曝光的膜在后續(xù)的蝕刻步驟中形成 保護(hù)膜，經(jīng)所述顯影二步驟將在所述曝光二步驟中未曝光的膜除去，露出部分所述電鑄層 的金屬區(qū)域，經(jīng)所述蝕刻步驟將露出的部分電鑄層的金屬區(qū)域91蝕刻成具有一定深度的 蝕刻凹槽101。
[0031] 下面將詳細(xì)地描述本發(fā)明所提供的掩模板的制作工藝，一些附加的技術(shù)特征也將 在下面的敘述中展示出來。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述電鑄工藝具體步驟如下： a、 貼膜一步驟：如圖2所示，將經(jīng)過前處理步驟的芯模21的一面進(jìn)行貼膜； b、 曝光一步驟：如圖3所示，將經(jīng)過所述貼膜一步驟的芯模在貼有膜22的一面進(jìn)行曝 光，將預(yù)設(shè)的曝光區(qū)域的膜曝光，以便將未曝光區(qū)域的膜通過顯影去除，留下曝光區(qū)域的膜 31以作后續(xù)電鑄的保護(hù)膜； c、 顯影一步驟：如圖4所示，將經(jīng)過所述曝光一步驟的芯模在貼有膜22的一面進(jìn)行顯 影，將上述步驟b中未曝光區(qū)域的膜通過顯影除去，露出芯模區(qū)域41，留下曝光區(qū)域的膜31 以作后續(xù)電鑄步驟的保護(hù)膜； d、 電鑄步驟：如圖5所示，將經(jīng)過所述顯影一步驟的芯模放入電鑄槽中，在經(jīng)顯影一步 驟已經(jīng)去除膜露出芯模的區(qū)域41電鑄一層電鑄層51，獲得具有電鑄層的芯模； e、 褪膜一步驟：如圖6所示，將經(jīng)過所述電鑄步驟的芯模進(jìn)行褪膜，通過褪膜一步驟將 經(jīng)過所述曝光一步驟中曝光區(qū)域的膜除去，形成所述電鑄層51上的電鑄開口 61。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述貼膜一步驟中所述的芯模前處理步驟包括將所述芯 模21予以除油、酸洗、噴砂，以除去其表面的污垢及雜質(zhì)，增加其表面粗糙度。
[0034] 電鑄開口（61)側(cè)壁較蝕刻開口側(cè)壁光滑，更易脫模，不會(huì)對(duì)已蒸鍍上的材料造成 影響。
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述蝕刻工藝具體步驟如下： f、 貼膜二步驟：如圖7所示，將經(jīng)過所述電鑄工藝的芯模在帶有電鑄層51的一面進(jìn)行 貼膜，將電鑄層51以及電鑄層51上的電鑄開口 61均涂覆一層膜71 ; g、 曝光二步驟：如圖8所示，將經(jīng)過所述貼膜二步驟的芯模在貼有膜71的一面進(jìn)行曝 光，將預(yù)設(shè)的曝光區(qū)域的膜曝光，以便將未曝光區(qū)域的膜通過顯影去除，留下曝光區(qū)域的膜 以作后續(xù)蝕刻步驟的保護(hù)膜，所述曝光二步驟中所述電鑄開口邊緣的電鑄層金屬區(qū)域的膜 未曝光，其余區(qū)域的膜曝光，其局部（80)放大示意圖如圖13所示81為曝光區(qū)域的膜，71為 電鑄開口邊緣的電鑄層金屬區(qū)域未曝光的膜； K顯影二步驟：如圖9所示，將經(jīng)過所述曝光二步驟的芯模經(jīng)顯影步驟除去曝光二步 驟中未曝光區(qū)域的膜，露出部分所述電鑄層的金屬區(qū)域91，其局部（90)放大示意圖如圖14 所示； i、 蝕刻步驟：如圖10所示，將經(jīng)過所述顯影二步驟的芯模進(jìn)行蝕刻，將露出的部分所 述電鑄層的金屬區(qū)域（91)蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽101，其局部（100)放大示意 圖如圖15所示，在電鑄開口 61的基礎(chǔ)上，蝕刻出具有一定深度的蝕刻凹槽101，蝕刻凹槽 101剖面呈具有一定錐度的碗狀，可以減小蒸鍍時(shí)對(duì)蒸鍍材料的遮蔽效應(yīng)； j、 褪膜二步驟：如圖11所示，將經(jīng)過所述蝕刻步驟的芯模進(jìn)行褪膜，通過褪膜步驟將 曝光區(qū)域的膜81除去。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，經(jīng)蝕刻工藝的褪膜二步驟后，將所述芯模上的電鑄層51從 所述芯模上剝離下來，如圖12所示，即獲得所需要的產(chǎn)品（即掩模板)，掩模板的開口 111由 電鑄開口 61和蝕刻開口 101結(jié)合而成，即在電鑄層51上的電鑄開口 61的一側(cè)蝕刻出具有 一定深度的蝕刻凹槽101，從而形成掩模板的沉積開口 111，圖12中120的局部結(jié)構(gòu)放大示 意圖如圖16-圖17所不。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模沒有電鑄層（51)的一 面貼上一層保護(hù)膜，或者在所述蝕刻步驟中在所述芯模沒有電鑄層（51)的一面墊上一層墊 板，所述的保護(hù)膜和所述的墊板起到保護(hù)芯模21不被蝕刻的作用。
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模沒有電鑄層（51)的一 面貼上一層保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是將膜72涂覆或壓貼到芯模沒有電鑄層（51)的一面，再通 過曝光形成保護(hù)膜82,如圖7-圖10所示，即保護(hù)膜82可通過貼膜二步驟、曝光二步驟形 成。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在所述電鑄工藝的褪膜一步驟后、蝕刻工藝的貼膜二步驟 前還包括后處理步驟，所述后處理步驟包括將所述具有電鑄層（51)的芯模進(jìn)行除油步驟、 酸洗步驟、風(fēng)干步驟。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述電鑄層51的材料為鎳或鎳基合金。
[0041] 可選地，所述電鑄層51的材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、及鎳鐵鈷合金中的一種。
[0042] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖16所示，所述蝕刻步驟中蝕刻凹槽的深度為所述電鑄 層51厚度的50%?100%，t3為電鑄層未蝕刻的厚度，t4為電鑄層蝕刻凹槽101的深度，d 為電鑄層的厚度，t3、t4、d的關(guān)系為：t3+t4=d。
[0043] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述蝕刻凹槽的深度為所述電鑄層51厚度的100%，如 圖17所示，即蝕刻凹槽的深度t5與電鑄層厚度d的關(guān)系為：t5=d。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖17所示，所述蝕刻步驟中蝕刻凹槽101的剖面錐 度角度α為30°?60°。
[0045] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述蝕刻步驟中蝕刻凹槽101的剖面錐度角度α為45 °。
[0046] 通過蝕刻的凹槽101可以使掩模板的開口 111具有一定的錐度，減小蒸鍍時(shí)的遮 蔽效應(yīng)，蝕刻凹槽101的深度越深(深度小于等于電鑄層的厚度)、錐度角度越大遮蔽效果越 小。
[0047] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖16、圖17中所示通過電鑄工藝來控制有效沉積開口寬度 L的尺寸，相對(duì)蝕刻工藝，電鑄開口寬度L的尺寸精度容易控制，從而提高了有效沉積開口 的精度。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖18-圖20所示，為通過本發(fā)明所提供的掩模板的制作 工藝獲得的掩模板平面結(jié)構(gòu)示意圖，以電鑄層51為掩模板的主體上具有多個(gè)開口區(qū)域181 (開口區(qū)域181的數(shù)量不限于圖18中所示的12個(gè))，其中開口區(qū)域181的局部區(qū)域（180)放 大的示意圖如圖19、20所示，圖19中3為蒸鍍面（即蒸鍍時(shí)與蒸鍍源對(duì)應(yīng)的一面，也即電鑄 時(shí)不與芯模接觸的一面)，沿I-I方向的剖面示意圖如圖12、圖16、圖17所示；圖20中4為 ITO面（即蒸鍍時(shí)與ITO基板接觸的一面，也即電鑄時(shí)與芯模接觸的一面)，其開口 111為細(xì) 長條狀，有效沉積開口的寬度尺寸L為30?100 μ m，由電鑄形成的開口 61與蝕刻形成的 具有錐度的蝕刻凹槽101結(jié)合而成。
[0049] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖21-圖22所示，為通過本發(fā)明所提供的掩模板的制 作工藝獲得的另一種掩模板平面結(jié)構(gòu)示意圖，以電鑄層51為掩模板的主體上具有多個(gè)開 口 111，圖21中3為蒸鍍面（即蒸鍍時(shí)與蒸鍍源對(duì)應(yīng)的一面，也即電鑄時(shí)不與芯模接觸的一 面)，沿A-A方向的剖面示意圖如圖12、圖16、圖17所示；圖22中4為ITO面（即蒸鍍時(shí)與 ITO基板接觸的一面，也即電鑄時(shí)與芯模接觸的一面)，其沉積開口 111形狀為矩形，矩形開 口 111的長度和寬度尺寸的數(shù)量級(jí)可以根據(jù)需要從微米級(jí)別到米級(jí)別任意設(shè)定(開口 111 數(shù)量不限于圖21、22中所示的9個(gè))，開口 111由電鑄形成的開口 61與蝕刻形成的具有錐 度的蝕刻凹槽101結(jié)合而成。
[0050] 在本發(fā)明中，所述的貼膜一步驟、貼膜二步驟是將干膜壓貼或?qū)衲ね扛驳叫灸?或電鑄層的表面。所述干膜（Dry film)在涂裝中是相對(duì)濕膜（Wet film)而言的一種高分 子化合物，具有成型的結(jié)構(gòu)，通過曝光步驟后形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)（即曝光后的膜）；所述濕 膜本身是由感光性樹脂合成，是一種粘稠狀液體，不具有成型的結(jié)構(gòu)，基材上的凹坑、劃傷 部分與濕膜的接觸良好，通過曝光步驟后形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)（即曝光后的膜)。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在所述貼膜一步驟中，將干膜壓貼到芯模21的表面，或者 將濕膜涂覆到芯模21的表面。
[0052] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在所述貼膜二步驟中，將濕膜涂覆到所述電鑄層51的表 面，在所述貼膜二步驟中使用濕膜可以很好的將濕膜填充在電鑄層上的電鑄開口 61內(nèi)部。
[0053] 盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示意性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描 述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施 例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍 之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會(huì)脫 離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其 等同物限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種掩模板的制作工藝，其特征在于： 先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層上電鑄開口的一側(cè)蝕 刻出具有一定深度的蝕刻凹槽，其中， 所述電鑄工藝包括：貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟、褪膜一步驟； 所述蝕刻工藝包括：貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜二步驟； 其中，在所述電鑄工藝中，經(jīng)所述褪膜一步驟將所述曝光一步驟中曝光的膜除去，形成 所述電鑄層上的電鑄開口；在所述蝕刻工藝中，經(jīng)所述貼膜二步驟將經(jīng)過所述電鑄工藝的 芯模在帶有電鑄層的一面進(jìn)行貼膜，經(jīng)所述曝光二步驟使所述電鑄開口邊緣的電鑄層金屬 區(qū)域的膜未曝光，其余區(qū)域的膜曝光，曝光的膜在后續(xù)的蝕刻步驟中形成保護(hù)膜，經(jīng)所述顯 影二步驟將在所述曝光二步驟中未曝光的膜除去，露出部分所述電鑄層的金屬區(qū)域，經(jīng)所 述蝕刻步驟將露出的部分電鑄層的金屬區(qū)域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述電鑄工藝具體步驟如 下： a、 貼膜一步驟：將經(jīng)過前處理步驟的芯模的一面進(jìn)行貼膜； b、 曝光一步驟：將經(jīng)過所述貼膜一步驟的芯模在貼有膜的一面進(jìn)行曝光，將預(yù)設(shè)的曝 光區(qū)域的膜曝光，以便將未曝光區(qū)域的膜通過顯影步驟除去，留下曝光區(qū)域的膜以作后續(xù) 電鑄步驟的保護(hù)膜； c、 顯影一步驟：將經(jīng)過所述曝光一步驟的芯模在貼有膜的一面進(jìn)行顯影，將上述步驟 b中未曝光區(qū)域的膜通過顯影步驟除去，露出對(duì)應(yīng)的芯模區(qū)域，留下曝光區(qū)域的膜以作后續(xù) 電鑄步驟的保護(hù)膜； d、 電鑄步驟：將經(jīng)過所述顯影一步驟的芯模放入電鑄槽中，在經(jīng)顯影一步驟已經(jīng)去除 膜露出芯模的區(qū)域電鑄一層電鑄層，獲得具有電鑄層的芯模； e、 褪膜一步驟：將經(jīng)過所述電鑄步驟的芯模進(jìn)行褪膜，通過褪膜一步驟將經(jīng)所述曝光 一步驟中曝光區(qū)域的膜除去，形成所述電鑄層上的電鑄開口。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，在所述貼膜一步驟中所述 的芯模前處理步驟包括將所述芯模予以除油、酸洗、噴砂。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述蝕刻工藝具體步驟如 下： f、 貼膜二步驟：將經(jīng)過所述電鑄工藝的芯模在帶有電鑄層的一面進(jìn)行貼膜； g、 曝光二步驟：將經(jīng)過所述貼膜二步驟的芯模在貼有膜的一面進(jìn)行曝光，將預(yù)設(shè)的曝 光區(qū)域的膜曝光，以便將未曝光區(qū)域的膜通過顯影除去，留下曝光區(qū)域的膜以作后續(xù)蝕刻 步驟的保護(hù)膜，所述曝光二步驟中所述電鑄開口邊緣的電鑄層金屬區(qū)域的膜未曝光，其余 區(qū)域的膜曝光； K顯影二步驟：將經(jīng)過所述曝光二步驟的芯模進(jìn)行顯影，將曝光二步驟中未曝光區(qū)域 的膜除去，露出部分所述電鑄層的金屬區(qū)域； i、 蝕刻步驟：將經(jīng)過所述顯影二步驟的芯模進(jìn)行蝕刻，將所述露出的部分所述電鑄層 的金屬區(qū)域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽； j、 褪膜二步驟：將經(jīng)過所述蝕刻步驟的芯模進(jìn)行褪膜，通過褪膜二步驟將所述曝光區(qū) 域的膜除去。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，在所述蝕刻步驟之前將所 述芯模沒有電鑄層的一面貼上一層保護(hù)膜，或者在所述蝕刻步驟中在所述芯模沒有電鑄層 的一面墊上一層墊板，所述保護(hù)膜和所述墊板起到保護(hù)芯模不被蝕刻的作用。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述電鑄層的材料為鎳或 鎳基合金。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述蝕刻凹槽的深度為所 述電鑄層厚度的50%?100%。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述蝕刻凹槽的深度為所 述電鑄層厚度的100%。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述蝕刻凹槽的剖面錐度 角度為30°?60°。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板的制作工藝，其特征在于，所述蝕刻凹槽的剖面錐度 角度角度為45 °。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104213071SQ201310212721
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年6月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月1日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 張煒平 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司