一種高精度蒸鍍用掩模板組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種高精度蒸鍍用掩模板組件，其包括掩?？蚣芗霸O(shè)置在所述掩?？蚣苌系闹辽僖唤M掩模單元，所述掩模單元由掩模外形層、掩模開口層兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，通過合理設(shè)置掩模外形層、掩模開口層的兩層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供的掩模板組件能夠具有較高的位置精度，能夠較好的滿足后續(xù)OLED基板表面有機(jī)材料的沉積，有效提高OLED產(chǎn)品的質(zhì)量。
【專利說明】
一種高精度蒸鍍用掩模板組件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于顯示面板制作行業(yè)，具體涉及一種應(yīng)用于OLED顯示面板制作過程中的蒸鍍用掩模板組件。
【背景技術(shù)】
[0002]由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。
[0003]OLED生產(chǎn)過程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動矩陣的要求蒸鍍到基板上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED發(fā)光材料是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā))，使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基板上。在這一過程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的精密掩模板組件作為媒介。
[0004]圖1所示為OLED發(fā)光材料的蒸鍍示意圖，蒸鍍用掩模板組件2固定在承載臺3上，掩模板2的上方設(shè)置有待沉積的基板1，加熱真空腔中的有機(jī)材料蒸鍍源4，受熱的有機(jī)材料通過掩模板組件2上的通孔沉積在基板I上的特定位置。圖2所示為現(xiàn)有蒸鍍模板的結(jié)構(gòu)示意圖，掩模板由掩?？蚣?2和設(shè)置在掩模框架22上若干掩模單元21共同構(gòu)成，掩模單元21 —般為因瓦片材通過一定工藝制得。圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍用掩模板的制作示意圖，將通過外部機(jī)構(gòu)(圖中未示出)繃緊的掩模單元21按一定順序焊接到掩?？蚣?2上。圖4所示為現(xiàn)有技術(shù)中掩模單元21的機(jī)構(gòu)示意圖，掩模單元21包含蒸鍍區(qū)211和非蒸鍍區(qū)212，具體如圖5所示(圖5所示為圖4中a區(qū)域放大示意圖)，蒸鍍區(qū)211由通孔陣列構(gòu)成，非蒸鍍區(qū)212無通孔結(jié)構(gòu);在掩模單元21的長度方向(即相對圖4所示X方向)上，掩模單元21的兩端延伸的設(shè)置有外部夾持端210，外部夾持端210可通過半刻的凹槽與掩模單元的非蒸鍍區(qū)212連接。圖6所示為掩模板外部夾持端與掩模單元非蒸鍍區(qū)連接處的截面放大示意圖，外部夾持端210與掩模板非蒸鍍區(qū)212通過半刻的凹槽200連接，在實(shí)際應(yīng)用過程中，外部夾持端210、凹槽200、掩模板非蒸鍍區(qū)212是一體成型，凹槽200可通過蝕刻工藝、激光切割工藝等方式形成，凹槽的深度可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0005]以上所述掩模板組件在組裝時，按一定規(guī)則通過外部夾持機(jī)構(gòu)(圖中未示出)夾持掩模單元的兩端外部夾持端210并對掩模單元21進(jìn)行繃?yán)沟醚谀卧?1繃平且構(gòu)成蒸鍍區(qū)211的通孔處于特定的位置，然后將掩模單元21通過焊接固定在掩?？蚣?2上，最后通過外力撕除各掩模單元21兩端的外部夾持端210(在一些現(xiàn)有技術(shù)中，掩模單元兩端的外部夾持端與掩模單元的非蒸鍍區(qū)直接連接，不存在半刻的凹陷區(qū)域，如此，則通過激光切割或機(jī)械切割的方式去除掩模單元兩端的外部夾持端)。
[0006]然而，以上現(xiàn)有技術(shù)還存在一個無法避免的技術(shù)問題，由于掩模單元21上的蒸鍍區(qū)域211和非蒸鍍區(qū)212具有完全不同的結(jié)構(gòu)(如圖5所示，蒸鍍區(qū)域211為通孔陣列結(jié)構(gòu)，非蒸鍍區(qū)212為非通孔陣列結(jié)構(gòu))，掩模單元21在外部機(jī)構(gòu)的繃?yán)?繃?yán)瓡拱迕娈a(chǎn)生一定的變形)下，其表面上各區(qū)域的物理受力不均勻，故各區(qū)域的形變具有一定的差異，從而使得掩模單元上蒸鍍區(qū)211上各用于沉積有機(jī)材料的通孔位置精度難以控制。而實(shí)際在OLED顯示器的制作過程中，有機(jī)材料的蒸鍍精度決定了最終產(chǎn)品的質(zhì)量，鑒于此，業(yè)界一致致力于設(shè)計(jì)一種具有較為優(yōu)異位置精度的掩模板組件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種高精度蒸鍍用掩模板組件，本發(fā)明的掩模板組件能夠有效克服以上問題，有效的提高掩模板上蒸鍍區(qū)通孔的位置精度，其具體技術(shù)方案如下。
[0008]—種高精度蒸鍍用掩模板組件，其包括掩?？蚣芗霸O(shè)置在所述掩?？蚣苌系闹辽僖唤M掩模單元，所述掩模單元由掩模外形層、掩模開口層兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述掩模外形層固定在掩?？蚣苌?，所述掩模開口層貼合的設(shè)置在掩模外形層上表面;所述掩模外形層上設(shè)置有若干外形開口，所述掩模開口層上設(shè)置有連續(xù)的小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)，所述掩模開口層上陣列孔圖形區(qū)的覆蓋范圍能夠完全覆蓋所述掩模外形層上的外形開口，所述掩模外形層上的外形開口與所述掩模開口層上陣列孔圖形區(qū)重合部分構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)。
[0009]構(gòu)成本發(fā)明的掩模單元由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，掩模外形層及掩模開口層:其中，掩模外形層提供外形開口，限定掩模板組件的有機(jī)材料蒸鍍沉積區(qū)域;設(shè)置在掩模外形層上方的掩模開口層設(shè)置有連續(xù)的陣列小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)，陣列孔圖形區(qū)上處于外形開口內(nèi)部的小開口構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)用于蒸鍍沉積有機(jī)材料的通孔。由于掩模開口層上的小開口為連續(xù)的陣列結(jié)構(gòu)(即掩模開口層板面上較大范圍的設(shè)置為通孔結(jié)構(gòu))，在對掩模開口層進(jìn)行繃?yán)瓡r，板面上各小開口的物理受力環(huán)境較為接近，從而使得掩模開口層板面的各區(qū)域形變具有相對一致性?；诖耍こ倘藛T在設(shè)計(jì)掩模板開口層結(jié)構(gòu)時能夠較為容易的實(shí)現(xiàn)開口位置補(bǔ)償，從而制作出位置精度較高的掩模組件。
[0010]進(jìn)一步，所述掩模開口層上構(gòu)成所述陣列孔圖形區(qū)的所述小開口尺寸均勻一致。
[0011]進(jìn)一步，在掩模開口層的長度方向上，所述掩模開口層上陣列孔圖形區(qū)的區(qū)域形狀為矩形、兩端為燕尾型或兩端為收縮型。
[0012]進(jìn)一步，在所述掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)，所述掩模開口層上的陣列小開口均為完整通孔結(jié)構(gòu)。
[0013]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層、掩模開口層由相同的金屬材質(zhì)構(gòu)成。
[0014]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層、掩模開口層均由因瓦材料制成。
[0015]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層、掩模開口層是通過激光工藝、電鑄工藝、蝕刻工藝中的一種或多種工藝結(jié)合制作形成。
[0016]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層通過激光焊接工藝固定在所述掩模框架上，構(gòu)成所述掩模單元的掩模開口層通過激光焊接工藝固定在所述掩模外形層上。
[0017]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模單元的掩模外形層、掩模開口層兩端均具有用于夾持的外部夾持端，所述外部夾持端是在所述掩模單元的長度方向上在掩模外形層、掩模開口層兩端延伸形成。
[0018]進(jìn)一步，所述掩模外形層、掩模開口層兩端的外部夾持端分別與所述掩模外形層、掩模開口層兩端通過凹槽連接。
[0019]根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對現(xiàn)有技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成掩模組件的掩模單元結(jié)構(gòu)難以進(jìn)一步提高掩模蒸鍍區(qū)內(nèi)通孔的位置精度，從而對后續(xù)OLED基板上蒸鍍沉積有機(jī)材料的位置精度帶來局限。本發(fā)明所提供的以上技術(shù)方案掩模單元由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，掩模外形層的外形開口與掩模開口層的小開口陣列共同構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)，合理的設(shè)計(jì)可以有效的提高構(gòu)成的掩模板組件掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)通孔的位置精度，從而制備出性能優(yōu)異的OLED產(chǎn)品O
[0020]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說明】
[0021]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所不為OLED發(fā)光材料的蒸鏈不意圖；
圖2所示為現(xiàn)有蒸鍍模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍用掩模板的制作示意圖；
圖4所示為現(xiàn)有技術(shù)中掩模單元21的機(jī)構(gòu)示意圖；
圖5所示為圖4中a區(qū)域放大示意圖；
圖6所示為掩模板外部夾持端與掩模單元非蒸鍍區(qū)連接處的截面放大示意圖；
圖7所示為本發(fā)明高精度蒸鍍用掩模板組件的一種組裝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8所示為圖7中掩模單元沿A-A'方向的截面示意圖；
圖9所示為本發(fā)明掩模開口層的一種平面示意圖；
圖10所不為圖9中b區(qū)域的放大不意圖；
圖11所示為本發(fā)明掩模外形層的一種平面示意圖；
圖12所示為掩模單元的局部放大示意圖；
圖13所示為本發(fā)明掩模開口層的另一實(shí)施例平面示意圖；
圖14所示為本發(fā)明掩模開口層的第三種不同實(shí)施例平面示意圖。
[0022]
圖1中，I為待沉積的基板，2為掩模板組件，21為掩模單元，22為掩模框架，3為承載臺，4為有機(jī)材料蒸鍍源；
圖4中，200為凹槽，210為外部夾持端，211為蒸鍍區(qū)211，212為非蒸鍍區(qū)；
圖7中，71為掩模外形層，72為掩模開口層，73為掩模框架；
圖8中，711為外形開口，712為外形掩模區(qū)，721為陣列孔圖形區(qū)，722為非開口區(qū)，80為掩模板蒸鍍區(qū)；
圖9中，701為凹槽，720為外部夾持端，7200為夾持端部，b為待放大區(qū)域；
圖11中，700為凹槽，710為外部夾持端；
圖13中，7210為陣列孔圖形區(qū)721的端部。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0024]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0025]如圖7所示為本發(fā)明高精度蒸鍍用掩模板組件的一種組裝結(jié)構(gòu)示意圖，組裝后的掩模板組件包括掩?？蚣?3及設(shè)置在掩?？蚣?3上的多組掩模單元，具體于本實(shí)施例中，掩模單元為9組。掩模單元由掩模外形層71、掩模開口層72兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，掩模外形層71固定在掩?？蚣?3上，掩模開口層72貼合的設(shè)置在掩模外形層71上表面;掩模外形層71上設(shè)置有若干外形開口 711，具體在本實(shí)施例中，掩模外形層71上設(shè)置有6個外形開口 711，掩模開口層72上設(shè)置有連續(xù)的小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)721，掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721的覆蓋范圍能夠完全覆蓋掩模外形層71上的外形開口 711，掩模外形層71上的外形開口711與掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721重合部分構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)80。
[0026]在一些實(shí)施例中，構(gòu)成掩模組件的掩模單元也可以只有一組，即掩模單元由一片完整的掩模外形層71和一片完整的掩模開口層72構(gòu)成;在另一些實(shí)施例中，掩模單元的數(shù)量為多組，但不局限于9組，其具體數(shù)量根據(jù)掩模板組件的尺寸進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
[0027]另外，在一些實(shí)施例中，掩模外形層71上的外形開口的數(shù)量不局限于6個，其具體數(shù)量及位置分布均根據(jù)實(shí)際要求可作適當(dāng)調(diào)整。
[0028]圖8所示為圖7中掩模單元沿A-A'方向的截面示意圖，其展示的是掩模外形層71、掩模開口層72、掩?？蚣?3構(gòu)成掩模板組件的截面結(jié)構(gòu)，陣列孔圖形區(qū)721具有較大的覆蓋范圍，能夠?qū)⒀谀Ｍ庑螌?1上外形開口 711完全覆蓋。在蒸鍍時，有機(jī)材料先經(jīng)過掩模外形層71上的外形開口 711，再通過掩模開口層72上的處于掩模板蒸鍍區(qū)80內(nèi)的小開口，沉積在基板上的特定位置。
[0029]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，構(gòu)成掩模開口層72所述陣列孔圖形區(qū)721的小開口尺寸均勻一致。圖9所示為本發(fā)明掩模開口層72的平面示意圖，圖10所示為圖9中b區(qū)域的放大示意圖，如圖所示，掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721由一系列尺寸均勻的小開口陣列構(gòu)成(具體開口的形狀可以為圓形、矩形及其他多邊形，圖中不一一展示)，陣列孔圖形區(qū)721兩側(cè)為非開口區(qū)722。在本實(shí)施例中，構(gòu)成陣列孔圖形區(qū)721的小開口均勻等間距分布在掩模開口層72的陣列孔圖形區(qū)721上；當(dāng)然，作為本實(shí)施例的變形，掩模開口層72上處于掩模板蒸鍍區(qū)80內(nèi)的小開口的分布方式(如小開口的尺寸、相鄰間距)與處于掩模板蒸鍍區(qū)80外的小開口的分布方式不同(圖中未不出)。
[0030]圖11所示為本發(fā)明掩模外形層71的平面示意圖，掩模外形層71上設(shè)置有6個按一定規(guī)律排布的外形開口 711和設(shè)置在外形開口區(qū)711外圍的外形掩模區(qū)712 ο在具體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時，掩模外形層71上的外形開口的位置、大小尺寸需要與基板上待蒸鍍沉積區(qū)域位置及尺寸相適應(yīng)。[0031 ]本發(fā)明中，掩模外形層71提供外形開口 711，外形開口 711限定掩模板組件的有機(jī)材料蒸鍍沉積區(qū)域;掩模開口層72上設(shè)置有連續(xù)的陣列小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)721，陣列孔圖形區(qū)721上處于外形開口 711內(nèi)部的小開口構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)80用于蒸鍍沉積有機(jī)材料的通孔。在應(yīng)用中，有機(jī)材料在基板上的沉積位置具有嚴(yán)格的要求，而有機(jī)材料的沉積位置是由掩模板組件蒸鍍區(qū)域80內(nèi)的小開口 721的位置決定。由于掩模開口層72上的小開口為連續(xù)的陣列結(jié)構(gòu)(即掩模開口層72板面上較大范圍的設(shè)置為通孔結(jié)構(gòu))，在對掩模開口層72進(jìn)行繃?yán)瓡r，板面上各小開口的物理受力環(huán)境較為接近，從而使得掩模開口層72板上面的各區(qū)域形變具有相對一致性?；诖耍こ倘藛T在設(shè)計(jì)掩模板開口層結(jié)構(gòu)時能夠較為容易的實(shí)現(xiàn)開口位置補(bǔ)償，從而制作出位置精度較高的掩模組件。
[0032]圖12所示為掩模單元的局部放大示意圖，其所展示的是掩模外形層71與掩模開口層72貼合在一起的局部結(jié)構(gòu)，掩模外形層71的外形掩模區(qū)712對掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721的局部小開口形成遮擋，掩模外形層71的外形開口 711與陣列孔圖形區(qū)721處于外形開口711內(nèi)部的小開口共同構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)80。在本實(shí)施例中，在掩模板蒸鍍區(qū)80內(nèi)部，掩模開口層71上的陣列小開口均為完整通孔結(jié)構(gòu)，如圖所示，即掩模外形層71外形開口711的邊緣線與掩模開口層72上的小開口邊緣線無交叉點(diǎn)。
[0033]作為本發(fā)明的一實(shí)施例，構(gòu)成掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721的區(qū)域形狀為矩形，如圖9所示，即陣列孔圖形區(qū)721是由小開口通過矩形陣列得到。
[0034]作為本發(fā)明的另一實(shí)施例，在掩模開口層72的長度方向上，掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721的兩端部7210為燕尾型，如圖13所示。其它一實(shí)施例中，在掩模開口層72的長度方向上，掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721的兩端部7210為收縮型，如圖14所示。陣列孔圖形區(qū)721與非開口區(qū)722通過燕尾型或收縮型方式結(jié)合，能夠使得在采用外力對掩模開口層72進(jìn)行繃?yán)瓡r，掩模開口層72上陣列孔圖形區(qū)721的各區(qū)域形變方式趨于一致，具體模型在此不作展示。
[0035]作為本發(fā)明的一些實(shí)施例，構(gòu)成掩模板組件掩模單元的掩模外形層71、掩模開口層72由相同的金屬材質(zhì)構(gòu)成。在一些更為具體的實(shí)施例中，其均由膨脹系數(shù)較小的因瓦材質(zhì)構(gòu)成，構(gòu)成掩模板組件的掩模框架亦由相同材質(zhì)構(gòu)成。當(dāng)然作為本實(shí)施例的延伸，構(gòu)成本發(fā)明掩模單元的制作材質(zhì)不局限于金屬材質(zhì)。
[0036]另外，構(gòu)成本發(fā)明的掩模板組件掩模單元的掩模外形層71、掩模開口層72是通過激光工藝、電鑄工藝、蝕刻工藝中的一種或多種工藝結(jié)合制作形成。
[0037]作為以上實(shí)施例的進(jìn)一步延伸，構(gòu)成本發(fā)明掩模板組件掩模單元的掩模外形層71通過激光焊接工藝固定在掩?？蚣?3上，構(gòu)成掩模單元的掩模開口層72通過激光焊接工藝固定在所述掩模外形層上。在具體焊接固定過程中多組掩模單元的焊接具有一定的順序，一般是按照先將中間掩模單元焊接固定在掩模框架73上，然后依次焊接遠(yuǎn)離中間位置的掩模單元；當(dāng)然，也可以先將全部掩模外形層71焊接固定在掩模框架73上，在按一定規(guī)則將掩模開口層72焊接固定到掩模外形層71表面。
[0038]以上所公開掩模板組件的具體組裝方式僅用以展示本發(fā)明的可行性，不作為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的掩模板組件還可以通過其它方式進(jìn)行組裝，比如采用膠粘、機(jī)械固定等方式，也可以采用其它組裝順序進(jìn)行組裝。
[0039]另外，以下是對本發(fā)明以上實(shí)施例的進(jìn)一步補(bǔ)充，如圖9(或圖13、圖14)所示，構(gòu)成本發(fā)明掩模單元的掩模開口層72兩端具有用于夾持的外部夾持端720，外部夾持端720是在掩模開口層72兩端延伸形成，外部夾持端720—般設(shè)置有多個由于夾持的夾持端部7200。一般，掩模開口層72兩端的外部夾持端720與掩模開口層兩端的非開口區(qū)722通過凹槽701連接。在一些具體實(shí)施例中，掩模開口層72兩端的外部夾持端720與掩模開口層兩端的非開口區(qū)722之間也可以不具有凹槽701，如此設(shè)計(jì)在后續(xù)的掩模板組裝過程中，需要采用機(jī)械切除或激光切割的方式去除掩模開口層72兩端的外部夾持端720。
[0040]與掩模開口層72結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相同，如圖11所示，構(gòu)成本發(fā)明掩模單元的掩模外形層71兩端具有用于夾持的外部夾持端710，外部夾持端710是在掩模外形層71兩端延伸形成，外部夾持端710—般設(shè)置有多個由于夾持的夾持端部。一般，掩模外形層71兩端的外部夾持端710與掩模外形層71兩端的外形掩模區(qū)712通過凹槽700連接。
[0041]根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對現(xiàn)有技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成掩模組件的掩模單元結(jié)構(gòu)難以進(jìn)一步提高掩模蒸鍍區(qū)內(nèi)通孔的位置精度，從而對后續(xù)OLED基板上蒸鍍沉積有機(jī)材料的位置精度帶來局限。本發(fā)明所提供的以上技術(shù)方案掩模單元由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，掩模外形層的外形開口與掩模開口層的小開口陣列共同構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)，合理的設(shè)計(jì)可以有效的提高構(gòu)成的掩模板組件掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)通孔的位置精度，從而制備出性能優(yōu)異的OLED產(chǎn)品O
[0042]本發(fā)明中，任何提及“一個實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示意性實(shí)施例”等意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中。在本說明書各處的該示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例。而且，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)時，所主張的是，結(jié)合其他的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)均落在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。
[0043]盡管參照本發(fā)明的多個示意性實(shí)施例對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高精度蒸鍍用掩模板組件，其包括掩?？蚣芗霸O(shè)置在所述掩?？蚣苌系闹辽僖唤M掩模單元，其特征在于，所述掩模單元由掩模外形層、掩模開口層兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述掩模外形層固定在掩?？蚣苌希鲅谀ｉ_口層貼合的設(shè)置在掩模外形層上表面;所述掩模外形層上設(shè)置有若干外形開口，所述掩模開口層上設(shè)置有連續(xù)的小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)，所述掩模開口層上陣列孔圖形區(qū)的覆蓋范圍能夠完全覆蓋所述掩模外形層上的外形開口，所述掩模外形層上的外形開口與所述掩模開口層上陣列孔圖形區(qū)重合部分構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，所述掩模開口層上構(gòu)成所述陣列孔圖形區(qū)的所述小開口尺寸均勻一致。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，在所述掩模開口層的長度方向上，所述掩模開口層上陣列孔圖形區(qū)的區(qū)域形狀為矩形、兩端為燕尾型或兩端部為收縮型。4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，在所述掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)，所述掩模開口層上的陣列小開口均為完整通孔結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層、掩模開口層由相同的金屬材質(zhì)構(gòu)成。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層、掩模開口層均由因瓦材料制成。7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或5所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層、掩模開口層是通過激光工藝、電鑄工藝、蝕刻工藝中的一種或多種工藝結(jié)合制作形成。8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5或7所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模外形層通過激光焊接工藝固定在所述掩模框架上，構(gòu)成所述掩模單元的掩模開口層通過激光焊接工藝固定在所述掩模外形層上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，構(gòu)成所述掩模單元的掩模外形層、掩模開口層兩端均具有用于夾持的外部夾持端，所述外部夾持端是在所述掩模單元的長度方向上在掩模外形層、掩模開口層兩端延伸形成。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高精度蒸鍍用掩模板組件，其特征在于，所述掩模外形層、掩模開口層兩端的外部夾持端分別與所述掩模外形層、掩模開口層兩端通過凹槽連接。
【文檔編號】C23C14/24GK105821373SQ201610198887
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年4月1日
【發(fā)明人】魏志凌, 王武懷, 潘世珎
【申請人】昆山允升吉光電科技有限公司