專利名稱：Emi專用真空濺鍍治具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種EMI專用真空派鍍治具。
背景技術(shù)：
電磁干擾(EMI)是干擾電纜信號并降低信號完好性的電子噪音，EMI通常由電磁輻射發(fā)生源，如馬達(dá)和機(jī)器產(chǎn)生。EMI有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種，在PCB及系統(tǒng)設(shè)計中，高頻信號線、集成電路的引腳、各類接插件等都可能成為具有天線特性的輻射干擾源，能發(fā)射電磁波并影響其他系統(tǒng)或本系統(tǒng)內(nèi)其他子系統(tǒng)的正常工作。電子消費(fèi)類產(chǎn)品，如筆記本電腦、手機(jī)、導(dǎo)航儀等，都容易產(chǎn)生EMI輻射性，傳統(tǒng)的方法是通過電鍍、噴涂等方法，在產(chǎn)品的表面覆上一層導(dǎo)電金屬，但傳統(tǒng)的方法效率低、成本高、污染嚴(yán)重，而真空濺鍍在電子產(chǎn)品表層鍍上導(dǎo)電金屬，使電磁波被導(dǎo)電金屬吸收或反射，采用真空濺鍍方法具有經(jīng)濟(jì)、高效、無污染的優(yōu)點(diǎn)。在真空濺鍍工藝中，可防止被濺鍍的塑膠件不變形、濺鍍區(qū)域精準(zhǔn)、可批量循環(huán)使用并保護(hù)塑膠件的治具至關(guān)重要?，F(xiàn)有技術(shù)中，有用PC材料制作的治具，保護(hù)精度、強(qiáng)度不高、可修復(fù)性不強(qiáng)，達(dá)不到反復(fù)使用；普通的鋁材制作成的治具，加工時困難點(diǎn)較多，如材料加工變形，成品毛刺較多且難清理等。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種EMI專用真空濺鍍治具，以提高治具本身的強(qiáng)度、反復(fù)使用性及對產(chǎn)品的保護(hù)精度，確保濺鍍區(qū)域精準(zhǔn)，并防止產(chǎn)品變形。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設(shè)置有與產(chǎn)品配套的定位塊；所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。優(yōu)選的，所述遮蔽塊與架橋構(gòu)成上下兩層立體結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述遮蔽塊位于下層，所述架橋位于上層。優(yōu)選的，下層所述遮蔽塊對應(yīng)產(chǎn)品的凹槽及非濺鍍區(qū)。優(yōu)選的，所述上蓋及底座分別采用鋁合金材質(zhì)一體成型。通過上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型提供的EMI專用真空濺鍍治具，其采用鋁合金材質(zhì)加工底座及上蓋，并在上蓋設(shè)置通過架橋連接距離上蓋邊緣較遠(yuǎn)的遮蔽塊，通過遮蔽塊固定產(chǎn)品及底座并遮蔽非濺鍍區(qū)，用于產(chǎn)品的真空濺鍍時，其具有如下優(yōu)點(diǎn)①上蓋及底座分別采用鋁合金材質(zhì)一體成型，使得治具本身相較于PC材質(zhì)或普通鋁材具有較高的機(jī)械強(qiáng)度，且配件少，應(yīng)用時組裝方便，只需直接將產(chǎn)品卡在上蓋及底座之間即可；②通過架橋及遮蔽塊的方式，能夠最大化的遮蔽非濺鍍區(qū)并露出濺鍍區(qū)，且通過遮蔽塊設(shè)計減少了對產(chǎn)品的壓蓋區(qū)而最大化保護(hù)產(chǎn)品不劃傷；③鋁合金材質(zhì)治具可反復(fù)使用，不僅濺鍍精度高且降低了成本投入。
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。圖I為實(shí)施例所公開的EMI專用真空濺鍍治具的上蓋結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例所公開的EMI專用真空濺鍍治具的底座結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為實(shí)施例所公開的EMI專用真空派鍍治具的上蓋及底座組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中數(shù)字表示11.上蓋12.架橋13.遮蔽塊21.底座22.定位塊具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。根據(jù)圖I至3，本實(shí)用新型提供的EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋11和底座21，底座21上設(shè)置有與產(chǎn)品配套的定位塊22 ;上蓋11包括遮蔽塊13，遮蔽塊13通過架橋12連接，架橋12連接至上蓋11的主體。其中，遮蔽塊13與架橋12構(gòu)成上下兩層立體結(jié)構(gòu)，遮蔽塊13位于下層并對應(yīng)產(chǎn)品的凹槽及非濺鍍區(qū)，架橋12位于上層。為了確保EMI專用真空濺鍍治具具有較高的機(jī)械強(qiáng)度，其上蓋11及底座21分別采用鋁合金材質(zhì)一體成型。本實(shí)用新型提供的EMI專用真空濺鍍治具，其底座21及上蓋11分別采用鋁合金材質(zhì)一體成型，并在上蓋11設(shè)置通過架橋12連接距離上蓋11邊緣較遠(yuǎn)的遮蔽塊13，通過遮蔽塊13固定產(chǎn)品及底座21并遮蔽非濺鍍區(qū)，用于產(chǎn)品的真空濺鍍時，不僅具有較高的機(jī)械強(qiáng)度，且能夠最大化的遮蔽非濺鍍區(qū)并露出濺鍍區(qū)，且通過遮蔽塊13設(shè)計減少了對產(chǎn)品的壓蓋區(qū)而最大化保護(hù)產(chǎn)品不劃傷，且治具可反復(fù)使用，不僅濺鍍精度高，且降低了成本投入。對上述實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設(shè)置有與產(chǎn)品配套的定位塊，其特征在于，所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，所述遮蔽塊與架橋構(gòu)成上下兩層立體結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，所述遮蔽塊位于下層，所述架橋位于上層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，下層所述遮蔽塊對應(yīng)產(chǎn)品的凹槽及非濺鍍區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，所述上蓋及底座分別采用鋁合金材質(zhì)一體成型。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設(shè)置有與產(chǎn)品配套的定位塊；所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。該實(shí)用新型的底座及上蓋分別采用鋁合金材質(zhì)一體成型，并在上蓋設(shè)置通過架橋連接距離上蓋邊緣較遠(yuǎn)的遮蔽塊，通過遮蔽塊固定產(chǎn)品及底座并遮蔽非濺鍍區(qū)，用于產(chǎn)品的真空濺鍍時，治具本身相較于PC材質(zhì)或普通鋁材具有較高的機(jī)械強(qiáng)度；通過架橋及遮蔽塊的方式，能夠最大化的遮蔽非濺鍍區(qū)并露出濺鍍區(qū)，且通過遮蔽塊設(shè)計減少了對產(chǎn)品的壓蓋區(qū)而最大化保護(hù)產(chǎn)品不劃傷；治具可反復(fù)使用，不僅濺鍍精度高且降低了成本投入。
文檔編號C23C14/34GK202671644SQ20122031772
公開日2013年1月16日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者范新宇 申請人:昆山福岡電子有限公司