專利名稱：濺鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種濺鍍裝置，更具體而言，涉及一種可降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁地更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件(anti-film-growing shield)而造成的各種工藝損耗、 進(jìn)而提高生產(chǎn)率的濺鍍裝置。
背景技術(shù)：
例如液晶顯示器(liquid crystal display ;LCD)、等離子體顯示面板(plasma display panel ；PDP)以及有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode ；OLED)等平板顯示器或者半導(dǎo)體會(huì)經(jīng)歷例如薄膜沉積、蝕刻等各種工藝并作為產(chǎn)品進(jìn)行投放。在各種工藝中，薄膜沉積工藝根據(jù)主要原理而一般被劃分成兩類。一類是化學(xué)氣相沉積(chemical vapor d印osition ;CVD)，而另一類則是物理氣相沉積(physical vapor d印osition ;PVD)，這兩類已根據(jù)當(dāng)前工藝的特征而被廣泛地使用。在CVD中，通過(guò)電極將由外部高頻電源轉(zhuǎn)變成等離子體(plasma)且具有高能量的硅化物離子從噴頭(shower head)噴射出并沉積到基板上。另一方面，在被稱為濺鍍裝置的PVD中，等離子體中的離子被施以足夠的能量來(lái)碰撞靶材，然后從靶材選出(即濺射出)的靶材原子被沉積到基板上。當(dāng)然，除濺鍍方法之外，PVD還采用例如電子束蒸鍍(Ε-beam evaporation)以及熱蒸鍍(thermal evaporation)等各種方法，但需要使用靶材作為濺鍍?cè)磥?lái)向基板提供沉積材料。在下文中，將采用濺鍍方法的濺鍍裝置稱為PVD。傳統(tǒng)濺鍍裝置包括處理室以及作為濺鍍?cè)吹陌胁?，在該處理室中?zhí)行基于濺鍍方法的工藝，該濺鍍?cè)磩t用于向置于沉積位置上的基板提供沉積材料。同時(shí)，在傳統(tǒng)濺鍍裝置中，當(dāng)具有預(yù)定厚度或更大厚度的薄膜沉積到圍繞靶材設(shè)置的用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件以及靶材上時(shí)，會(huì)出現(xiàn)剝落(peeling)，從而造成顆粒、由于在玻璃基板端部處靠近不需要生長(zhǎng)膜的部分而造成的短路等各種問(wèn)題。為最小化此種問(wèn)題，已作出大量努力來(lái)優(yōu)化用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件的表面上的形狀、照明度等并使用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件的更換周期最大化。然而，如到目前所知，仍須以約5天至15天的某一周期頻繁地進(jìn)行更換來(lái)進(jìn)行清潔。進(jìn)一步，在更換期間，不僅需要大量的人力，而且為在停止所更換設(shè)備的操作來(lái)進(jìn)行更換之后重新啟動(dòng)生產(chǎn)，要花費(fèi)大約 10小時(shí)或更多時(shí)間來(lái)進(jìn)行各種準(zhǔn)備，例如室的真空化、加熱操作以及靶材特征穩(wěn)定化等。這些工藝損耗一般可降低生產(chǎn)率，因此須準(zhǔn)備對(duì)策來(lái)預(yù)防損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種可降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件而造成的各種工藝損耗、從而提高生產(chǎn)率的濺鍍裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種濺鍍裝置，其包括處理室，用以對(duì)基板執(zhí)行沉積工藝，并在其一內(nèi)側(cè)包括靶材；載具，用以在支撐所述基板的同時(shí)進(jìn)出所述處理室；以及用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件，用以隨所述載具一起移動(dòng)并可分離地耦合至所述載具，并防止在所述基板的邊緣部分上沉積膜。所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件可包括耦合本體，可分離地耦合至所述載具；以及屏蔽構(gòu)件，連接至所述耦合本體并包括一個(gè)端部，所述端部在所述載具與所述靶材之間設(shè)置于所述基板的所述邊緣部分中。所述屏蔽構(gòu)件可在一個(gè)外側(cè)面上包括斜面。所述屏蔽構(gòu)件可被處理成具有經(jīng)過(guò)壓花的外表面。所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件可設(shè)置于所述載具的四個(gè)側(cè)面中。所述濺鍍裝置還可包括驅(qū)動(dòng)滾輪，設(shè)置于所述處理室內(nèi)部，并在接觸所述載具的上部區(qū)域或下部區(qū)域的同時(shí)驅(qū)動(dòng)所述載具；以及導(dǎo)向件，設(shè)置于與所述驅(qū)動(dòng)滾輪相對(duì)的一側(cè)、使所述載具位于所述導(dǎo)向件與所述驅(qū)動(dòng)滾輪之間，并用于引導(dǎo)被驅(qū)動(dòng)的所述載具。所述導(dǎo)向件可包括磁鐵。所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件可選自鋁(Al)、不銹鋼、及鈦(Ti)。所述濺鍍裝置還可包括屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元，所述屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元連接至所述載具及所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件并驅(qū)動(dòng)所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件，以使所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件可在將被設(shè)置于所述基板中的設(shè)置位置與將從所述基板分離的分離位置之間移動(dòng)。所述屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元可選自旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器、線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器、以及旋轉(zhuǎn)及線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器。所述濺鍍裝置還可包括加熱室，連接至所述處理室并對(duì)穿過(guò)所述加熱室的所述基板進(jìn)行預(yù)先加熱；加載互鎖真空室，連接至所述加熱室；以及加載/卸載室，連接至所述加載互鎖真空室，并包括用于向所述加載互鎖真空室中加載所述載具或從所述加載互鎖真空室卸載所述載具的加載/卸載單元。所述加載/卸載單元可包括用于載送所述載具的夾具。所述加載/卸載單元可包括用于載送所述載具的機(jī)械手。所述處理室、所述加熱室、所述加載互鎖真空室以及所述加載/卸載室可形成用于直列式工藝的生產(chǎn)線。所述用于直列式工藝的生產(chǎn)線可包括至少一條循環(huán)線，并且在所述循環(huán)線的循環(huán)點(diǎn)處還可設(shè)置緩沖室，以用于反轉(zhuǎn)所述載具或所述基板的方向。所述處理室可包括沿徑向排列的多個(gè)處理室，并且還可提供呈群簇形式的傳送室，所述群簇設(shè)置于所述加熱室與所述多個(gè)處理室之間。


結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明，將會(huì)更清楚地理解本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施例，在附圖中圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為顯示圖1所示靶材區(qū)域的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3至圖7分別顯示用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件或用于驅(qū)動(dòng)用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件的圖1的替代實(shí)例性實(shí)施例；圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9為顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖10為顯示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；以及圖11為顯示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。主要元件標(biāo)記說(shuō)明
110:處理室110b:處理室IlOc:處理室111:閘閥112:真空泵120:載具120d:載具131:驅(qū)動(dòng)滾輪133:導(dǎo)向件135:加熱器136:加熱器支架140:靶材/旋轉(zhuǎn)靶材141:陰極墊板142:電源145:乾材旋轉(zhuǎn)單元150:磁鐵單元151:中心磁鐵152、153:外部磁鐵154:底板160:用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160a:屏蔽構(gòu)件160b、160c、 160d、160e:用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件161:耦合本體162:屏蔽構(gòu)件162a:傾斜面170b、170c、 170d、170e:屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元181:加熱室181b:加熱室181c:加熱室182:加載互鎖真空室182a:加載互鎖真空室182b:加載互鎖真空室183:加栽/卸載室183a:加載/卸載室
6183b:加載/卸載室
184:加載/卸載單元/夾具
184a:加載/卸載單元/機(jī)械手 185:盒式栽具
186b:緩沖室 A:預(yù)定空間
187c:傳送室 E:經(jīng)過(guò)壓花的外表面
S:邊緣部分
具體實(shí)施例方式為充分地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，須參照用于例示本發(fā)明實(shí)施例的附圖以及附圖的內(nèi)容。在下文中，將通過(guò)參照附圖解釋實(shí)例性實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。附圖中相同的參考編號(hào)指示相同的元件。在參照附圖進(jìn)行說(shuō)明之前，下文將要說(shuō)明的基板可為用于例如液晶顯示器 (liquid crystal display ;LCD)、等離子體顯示面板(plasma display panel ;PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode ；OLED)等平板顯示器的基板、用于太陽(yáng)能電池(solar cell)的基板、或用于半導(dǎo)體晶圓的基板，然而其術(shù)語(yǔ)將被統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)化為基板。圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖，且圖2為顯示圖1所示靶材區(qū)域的結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖所示，該實(shí)例性實(shí)施例中的濺鍍裝置包括處理室110，在處理室110中對(duì)基板執(zhí)行沉積工藝并在一個(gè)內(nèi)側(cè)提供靶材140 ；載具120，能夠在支撐基板的同時(shí)進(jìn)出處理室 110 ；以及用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160，可分離地耦合至載具120并隨載具一起移動(dòng)以防止在基板的邊緣部分上形成沉積膜。處理室110形成外觀(outer appearance)以及壁本體(wall body)，且在沉積工藝期間被密封以保持高的真空度。為此，如圖1所示意性地顯示，在處理室110的一側(cè)提供閘閥(gate valve) 111，且在閘閥111的一側(cè)提供真空泵112。因此，如果當(dāng)閘閥111打開(kāi)時(shí)，真空泵112產(chǎn)生真空壓力，則處理室110的內(nèi)部可保持高的真空度。盡管未詳細(xì)顯示，然而在處理室110的一個(gè)側(cè)壁處形成開(kāi)口，以使載具120及基板可經(jīng)由該開(kāi)口而進(jìn)出處理室110。載具120及基板可經(jīng)由一個(gè)開(kāi)口進(jìn)出，然而也可通過(guò)兩個(gè)開(kāi)口而分別進(jìn)出。此一開(kāi)口設(shè)置有用于保持真空的閘閥。進(jìn)一步，在處理室110的一個(gè)內(nèi)側(cè)提供靶材140作為濺鍍?cè)矗韵蚧逄峁┏练e材料。在圖1中，沉積材料是從靶材140直接濺鍍至基板上，然而并不僅限于此。作為另外一種選擇，可在靶材140與基板之間設(shè)置單獨(dú)的遮罩。如圖2所示，磁鐵單元150設(shè)置于靶材140的一側(cè)，并在靶材140與基板之間產(chǎn)生用于沉積的磁場(chǎng)。通常，靶材140與磁鐵單元150的區(qū)域形成陰極，且基板的區(qū)域形成陽(yáng)極。在該實(shí)例性實(shí)施例中，靶材140是以旋轉(zhuǎn)靶材140的形式提供。為此，用于使靶材 140旋轉(zhuǎn)的靶材旋轉(zhuǎn)單元145耦合至靶材140的一側(cè)。靶材旋轉(zhuǎn)單元145可被設(shè)置成暴露于處理室110的外部，并包括電動(dòng)機(jī)，在該電動(dòng)機(jī)中可設(shè)置稍后所要說(shuō)明的電源142。當(dāng)然， 無(wú)需將本發(fā)明限制于圖1及圖2。作為另外一種選擇，靶材140可為平面型靜止靶材(圖中未示出)，且與附圖所示相反，可提供多個(gè)靶材。在靶材140與磁鐵單元150之間，以環(huán)繞磁鐵單元150的形式提供陰極墊板 (cathode backing plate) 141，以用于設(shè)置靶材140且還用于使磁鐵單元150為氣密性的。 陰極墊板 141 連接至射頻(radio frequency ；RF)或直流(direct current ；DC)電源 142。參見(jiàn)圖2，磁鐵單元150設(shè)置于靶材140的一側(cè)，換句話說(shuō)，設(shè)置于陰極墊板141內(nèi)部，并用以在靶材140與基板之間產(chǎn)生用于沉積的磁場(chǎng)。磁鐵單元150包括多個(gè)磁鐵151至153以及用于支撐磁鐵151至153的底板(kise plate) 154。在該實(shí)例性實(shí)施例中，這些磁鐵151至153被一體地支撐于底板巧4上，然而并不僅限于此。作為另外一種選擇，這些磁鐵151至153可分別被單獨(dú)地支撐于底板IM 上，且其相對(duì)于底板154的位置也可有所變化。這可便于容易地控制磁場(chǎng)的流量或強(qiáng)度。磁鐵151至153包括設(shè)置于底板154的中心區(qū)域的中心磁鐵151、以及設(shè)置于中心磁鐵151外側(cè)的外部磁鐵152及153。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，外部磁鐵152及153從底板IM突出至具有低于中心磁鐵151的高度或具有小于中心磁鐵151的體積。這是考慮到磁場(chǎng)的流量或強(qiáng)度而設(shè)計(jì)的，但可根據(jù)需要進(jìn)行改變。而且，外部磁鐵152與153也可具有不同的尺寸。接著，載具120被設(shè)置成在支撐基板的同時(shí)進(jìn)出處理室110。當(dāng)靶材140被設(shè)置于處理室110內(nèi)部時(shí)，載具120可進(jìn)出處理室110。因此，處理室110設(shè)置有開(kāi)口，載具120 可經(jīng)由該開(kāi)口而進(jìn)出。為驅(qū)動(dòng)(或移動(dòng))載具120，提供驅(qū)動(dòng)滾輪131以及導(dǎo)向件133。驅(qū)動(dòng)滾輪131設(shè)置于處理室Iio內(nèi)的下部區(qū)域中，并接觸載具120的下部區(qū)域以驅(qū)動(dòng)載具120。導(dǎo)向件133 設(shè)置于與驅(qū)動(dòng)滾輪131相對(duì)的一側(cè)、使載具120位于導(dǎo)向件133與驅(qū)動(dòng)滾輪131之間，并用于引導(dǎo)被驅(qū)動(dòng)的載具120。此時(shí)，導(dǎo)向件133可為磁鐵。進(jìn)一步，加熱器135可由加熱器支架136支撐于載具120的一側(cè)。同時(shí)，用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160耦合至載具120并隨載具120 —起移動(dòng)，并防止在基板的邊緣部分S上沉積上膜。當(dāng)然，傳統(tǒng)濺鍍裝置也設(shè)置有用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件(圖中未示出)。然而，由于傳統(tǒng)的用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件被固定在處理室110中的預(yù)設(shè)位置上，因而如果將具有預(yù)定厚度或更大厚度的薄膜沉積到用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件上，則須以約5天至15天的某一周期頻繁地進(jìn)行更換來(lái)進(jìn)行清潔。在更換期間，不僅需要大量人力，而且為在停止所更換設(shè)備的操作來(lái)進(jìn)行更換之后重新啟動(dòng)生產(chǎn)，要花費(fèi)大約10小時(shí)或更多時(shí)間來(lái)進(jìn)行各種準(zhǔn)備，例如室真空化、加熱操作以及靶材特征穩(wěn)定化等。這些工藝損耗一般可降低生產(chǎn)率。然而，在該實(shí)例性實(shí)施例中，用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160耦合至能夠進(jìn)出處理室110的載具120，使得在載具120進(jìn)入處理室110之前或離開(kāi)處理室110之后的備用狀態(tài)中，可根據(jù)需要而更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160。因此，可在不停止沉積工藝的情況下更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160，從而與傳統(tǒng)情形相反，可降低由于頻繁更換而造成的各種工藝損耗，進(jìn)而提高生產(chǎn)率。如圖1所示，用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160包括耦合本體161以及屏蔽構(gòu)件162， 耦合本體161可分離地耦合至載具120，屏蔽構(gòu)件162則連接至耦合本體161并將一個(gè)端部設(shè)置于載具120與靶材140之間的基板的邊緣部分中。用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160可設(shè)置于載具120的四個(gè)側(cè)面中。為此，可以單一
8矩形回路形式或以分別耦合至載具120的四個(gè)側(cè)面的四個(gè)棒材的形式提供用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160?？赏ㄟ^(guò)例如螺栓、粘著、閂鎖等各種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)載具120與耦合本體161之間的耦合。進(jìn)一步，屏蔽構(gòu)件162的一個(gè)外側(cè)面(即實(shí)質(zhì)上用于屏蔽基板的部分的一個(gè)外側(cè)面)形成有斜面16加。該斜面16 是一種能減小用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160的重量的設(shè)計(jì)，但并非是必不可少的。耦合本體161與屏蔽構(gòu)件162可被成型為一體，但并不僅限于此。至少屏蔽構(gòu)件 162可選自鋁(Al)、不銹鋼、及鈦(Ti)，但并不僅限于此。作為另外一種選擇，除上述材料之外，還可使用各種合金。通過(guò)此種配置，濺鍍裝置的操作方式如下。在處理室110的外部將基板加載于載具120上，并使載具120進(jìn)入處理室110，以便可將基板放置于沉積位置上。此時(shí)，用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160已將基板的邊緣區(qū)域屏蔽。在基板被放置就位時(shí)，通過(guò)加熱器135加熱基板。與此同時(shí)或在加熱之前及之后， 用例如氬氣(Ar)填充處理室110，然后密封處理室110以保持高的真空度。當(dāng)沉積工藝準(zhǔn)備就緒時(shí)，電源142對(duì)靶材140施加負(fù)壓，并且從靶材140釋放的電子與氬氣(Ar)碰撞，進(jìn)而使氬(Ar)氣電離。經(jīng)電離的氬氣在電位差作用下朝向靶材140加速，并與靶材140的表面碰撞。此時(shí)，從靶材140產(chǎn)生靶材140的原子(即沉積材料)，這些原子下落到基板的沉積表面上，從而可對(duì)基板執(zhí)行沉積工藝。在完成沉積工藝后，釋放處理室中的真空，且在出口被打開(kāi)的同時(shí)使基板隨載具 120 —起經(jīng)由該出口而離開(kāi)。然后，新的基板進(jìn)入處理室，并且重復(fù)上述過(guò)程。在重復(fù)上述沉積工藝期間，當(dāng)?shù)竭_(dá)需要清潔用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160的時(shí)間點(diǎn)時(shí)，可在載具120進(jìn)入處理室110之前或離開(kāi)處理室110之后的備用狀態(tài)中根據(jù)需要而用新的用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160，而不需如傳統(tǒng)情形一樣停止沉積工藝。因此，可在不停止沉積工藝的情況下更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160， 從而與傳統(tǒng)情形相反，可降低各種工藝損耗，進(jìn)而提高生產(chǎn)率。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)及操作，可降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁地更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160而造成的各種工藝損耗，進(jìn)而提高生產(chǎn)率。圖3至圖7分別顯示用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件或用于驅(qū)動(dòng)用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件的圖1的替代實(shí)例性實(shí)施例。如圖3所示，屏蔽構(gòu)件160a可被處理成具有經(jīng)過(guò)壓花的外表面E。如果屏蔽構(gòu)件 160a被處理成具有經(jīng)過(guò)壓花的外表面E，則壓花部分可減少沉積材料在屏蔽構(gòu)件160a的外表面上的沉積，因此可有利地延長(zhǎng)用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽構(gòu)件160a的更換周期。圖4至圖7顯示替代實(shí)例，在這些替代實(shí)例中，屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元170b至170e連接至載具120及用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160b至160e，并驅(qū)動(dòng)用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件 160b至160e，以使用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160b至160e可在將被設(shè)置于基板中的設(shè)置位置與將從基板分離的分離位置之間移動(dòng)。
參見(jiàn)圖4，屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元170b是例如由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器170b實(shí)現(xiàn)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器170b 則可通過(guò)鉸鏈等實(shí)現(xiàn)。用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160b通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器170b而在箭頭方向上從虛線旋轉(zhuǎn)至實(shí)線，從而設(shè)置于基板的防止膜生長(zhǎng)的側(cè)上。參見(jiàn)圖5，屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元170c是例如由旋轉(zhuǎn)及線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器170c實(shí)現(xiàn)。用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160c通過(guò)旋轉(zhuǎn)及線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器170c而在箭頭方向上線性地移動(dòng)并接著旋轉(zhuǎn)，從而設(shè)置于基板的防止膜生長(zhǎng)的側(cè)上。參照?qǐng)D6，屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元170d是例如由線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器170d實(shí)現(xiàn)。用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160d通過(guò)線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器170d而沿基板的縱向方向(如箭頭方向)線性地移動(dòng)，側(cè)設(shè)置于基板的防止膜生長(zhǎng)的側(cè)上。在圖6所示的情形中，需要預(yù)定空間A，以使用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160d向回移動(dòng)并設(shè)置于載具120d上。參見(jiàn)圖7，屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元170e是例如由線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器170e實(shí)現(xiàn)。用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160d通過(guò)屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元170e而沿與基板的縱向方向相交的方向(如箭頭方向)線性地移動(dòng)，從而設(shè)置于基板的防止膜生長(zhǎng)的側(cè)上。結(jié)果，即使應(yīng)用圖3至圖7以及圖1所示的任何結(jié)構(gòu)，也足以使本發(fā)明能夠通過(guò)降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁地更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160而造成的各種工藝損耗， 從而提高生產(chǎn)率。圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。在該實(shí)例性實(shí)施例中，濺鍍裝置包括加熱室181，連接至處理室110并對(duì)穿過(guò)加熱室181的基板進(jìn)行預(yù)先加熱；加載互鎖真空室182，連接至加熱室181 ；以及加載/卸載室183，連接至加載互鎖真空室182，并具有用于向加載互鎖真空室182中加載載具120及從加載互鎖真空室182卸載載具120的加載/卸載單元184。如圖所示，處理室110、加熱室181、加載互鎖真空室182以及加載/卸載室183可形成用于直列式沉積工藝(in-line deposition process)的生產(chǎn)線。同時(shí)，加載/卸載室183中所設(shè)置的加載/卸載單元184可由用于載送載具120 的夾具184來(lái)實(shí)現(xiàn)。據(jù)此，通過(guò)夾具184將加載有基板的載具120經(jīng)由加載/卸載室183、加載互鎖真空室182以及加熱室181載送至處理室110中，然后對(duì)處理室110中的基板執(zhí)行沉積工藝。 在完成沉積工藝后，可以相反的順序取出載具120。圖9為顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。在該實(shí)例性實(shí)施例中，濺鍍裝置具有如下的結(jié)構(gòu)在該結(jié)構(gòu)中，加載互鎖真空室 182a設(shè)置于處理室110的一側(cè)且一對(duì)加載/卸載室183a設(shè)置于處理室110的相對(duì)側(cè)。在此種情形中，未形成用于直列式工藝的生產(chǎn)線。在此種情形中，設(shè)置于加載/卸載室183a中的加載/卸載單元18 可由用于載送載具120的機(jī)械手18 來(lái)實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步，盒式載具185可分別圍繞所述一對(duì)加載/卸載室183而設(shè)置。圖10為顯示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。在該實(shí)例性實(shí)施例中，濺鍍裝置具有如下的結(jié)構(gòu)在該結(jié)構(gòu)中，類似于圖8所示者，處理室110b、加熱室181b、加載互鎖真空室182b以及加載/卸載室18 形成用于直列式沉積工藝的生產(chǎn)線，但沿箭頭方向上形成循環(huán)線。在該實(shí)例性實(shí)施例中，揭露了兩條循環(huán)線。在此種情形中，存在其中沉積工藝的箭頭方向被反轉(zhuǎn)的部分，且可在該部分中額外地設(shè)置緩沖室186b，以用于使載具120或基板反轉(zhuǎn)方向。圖11為顯示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)例性實(shí)施例的濺鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。在該實(shí)例性實(shí)施例中，濺鍍裝置具有其中將多個(gè)處理室IlOc沿徑向排列的結(jié)構(gòu)。在此種情形中，傳送室187c可以群簇形式設(shè)置于加熱室181c與多個(gè)處理室IlOc 之間。傳送室187c用以通過(guò)內(nèi)部機(jī)械手(圖中未示出)將載具或基板從加熱室181c傳送至處理室110c。圖11所示的結(jié)構(gòu)有利地設(shè)置于相對(duì)狹窄的空間中，進(jìn)而額外地具有減小占用面積(footprint)的效果。結(jié)果，即使應(yīng)用圖8至圖11以及圖1所示的任何結(jié)構(gòu)，只要用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160耦合至圖1所示的載具120，也足以使本發(fā)明能夠降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁地更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件160而造成的各種工藝損耗，從而提高生產(chǎn)率。如上所述，通過(guò)降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁地更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件而造成的各種工藝損耗，可提高生產(chǎn)率。盡管已參照實(shí)例性實(shí)施例具體顯示和說(shuō)明了本發(fā)明，然而應(yīng)理解，在不背離以上權(quán)利要求的精神與范圍的條件下，可對(duì)本發(fā)明作出形式及細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種濺鍍裝置，其特征在于，包括處理室，用以對(duì)基板執(zhí)行沉積工藝，并在其一內(nèi)側(cè)包括靶材； 載具，用以在支撐所述基板的同時(shí)進(jìn)出所述處理室；以及用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件，用以隨所述載具一起移動(dòng)并可分離地耦合至所述載具，并防止在所述基板的邊緣部分上沉積膜。
2.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件包括 耦合本體，可分離地耦合至所述載具；以及屏蔽構(gòu)件，連接至所述耦合本體并包括一個(gè)端部，所述端部在所述載具與所述靶材之間設(shè)置于所述基板的所述邊緣部分中。
3.如權(quán)利要求2所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)件在一個(gè)外側(cè)面上包括斜
4.如權(quán)利要求2所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)件被處理成具有經(jīng)過(guò)壓花的外表面。
5.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件設(shè)置于所述載具的四個(gè)側(cè)面中。
6.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括驅(qū)動(dòng)滾輪，設(shè)置于所述處理室內(nèi)部，并在接觸所述載具的上部區(qū)域或下部區(qū)域的同時(shí)驅(qū)動(dòng)所述載具；以及導(dǎo)向件，設(shè)置于與所述驅(qū)動(dòng)滾輪相對(duì)的一側(cè)、使所述載具位于所述導(dǎo)向件與所述驅(qū)動(dòng)滾輪之間，并用于引導(dǎo)被驅(qū)動(dòng)的所述載具。
7.如權(quán)利要求6所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述導(dǎo)向件包括磁鐵。
8.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件是選自鋁、不銹鋼、及鈦。
9.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元，所述屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元連接至所述載具及所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件并驅(qū)動(dòng)所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件，以使所述用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件可在將被設(shè)置于所述基板中的設(shè)置位置與將從所述基板分離的分離位置之間移動(dòng)。
10.如權(quán)利要求9所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述屏蔽件驅(qū)動(dòng)單元選自旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器、線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器、以及旋轉(zhuǎn)及線性運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器。
11.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括加熱室，連接至所述處理室并對(duì)穿過(guò)所述加熱室的所述基板進(jìn)行預(yù)先加熱；加載互鎖真空室，連接至所述加熱室；以及加載/卸載室，連接至所述加載互鎖真空室，并包括用于向所述加載互鎖真空室中加載所述載具或從所述加載互鎖真空室卸載所述載具的加載/卸載單元。
12.如權(quán)利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述加載/卸載單元包括用于載送所述載具的夾具。
13.如權(quán)利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述加載/卸載單元包括用于載送所述載具的機(jī)械手。
14.如權(quán)利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述處理室、所述加熱室、所述加載互鎖真空室以及所述加載/卸載室形成用于直列式工藝的生產(chǎn)線。
15.如權(quán)利要求14所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于直列式工藝的生產(chǎn)線包括至少一條循環(huán)線，并且在所述循環(huán)線的循環(huán)點(diǎn)處還設(shè)置緩沖室，以用于反轉(zhuǎn)所述載具或所述基板的方向。
16.如權(quán)利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述處理室包括沿徑向排列的多個(gè)處理室，并且還提供呈群簇形式的傳送室，所述群簇設(shè)置于所述加熱室與所述多個(gè)處理室之間。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種濺鍍裝置，其包括處理室，用以對(duì)基板執(zhí)行沉積工藝，并在其一內(nèi)側(cè)包括靶材；載具，用以在支撐基板的同時(shí)進(jìn)出處理室；以及用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件，用以隨載具一起移動(dòng)并可分離地耦合至載具，并防止在基板的邊緣部分上沉積上膜。利用此種配置，可降低由于停止沉積工藝來(lái)頻繁地更換用于防止膜生長(zhǎng)的屏蔽件而造成的各種工藝損耗，從而提高生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)C23C14/04GK102373423SQ20111022141
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月11日
發(fā)明者劉云鐘, 宋殷鎬, 鄭洪基, 金正熙, 金榮敏 申請(qǐng)人:Sfa工程股份有限公司